JPH04110829A - 導波路型光デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、導波路型光デバイスに関し、特に、複数の異
なる波長の光に対してスイッチ動作する機能を有する導
波路型光デバイスに関する。

〔従来の技術〕

導波路型光デバイスは、強誘電体や半導体材料から成る
基板中に、光を閉じ込めて導波させるための導波路とし
て屈折率の高い部分が形成されており、この導波路の上
部又は近傍に電圧を印加するための電極が形成されてい
る。この電極に外部から電圧を印加することによって基
板中の導波路の屈折率を変化させ、光の位相や強度を変
調したり、あるいは光路を切り換えたりする。

こうした導波路型光デバイスの一例として強誘電体材料
の中で比較的高い電気光学効果を有するニオブ酸リチウ
ム基板（Ｌ　］Ｎ　ｂ　０３　基板）を用いた光デバイ
スがある。これは、基板にチタン膜（Ｔｉ膜）を成膜し
、所望の導波路パターンにパターニングした後、１００
０℃前後の高温で数時間熱拡散して光導波路を形成し、
これに二酸化シリコンバッファ層（Ｓ１０２バツフア層
）を成膜し、その上面に金属膜により電極を形成し、こ
れを機能素子とした光デバイスである。

こうして作製された光導波路素子はウエノ＼−切断後、
端面研摩されチンプ化され、さらに光導波路と光フアイ
バ間が光軸調整、固定された後、筐体に実装され、この
筐体に設けられた信号端子と光導波路素子の電極パッド
間がワイヤボンデインクにより接続されている。

第７図（Ａ）　　　（Ｂ）を用いて光導波路型デバイス
の中でスイッチとして広く用いられる方向性結合型光ス
ィッチについて簡単に動作原理を説明する。第７図（Ａ
）、（Ｂ）に示すように、上述の方法を用いてＬｉＮｂ
○３導波路基板１に一定の長さで近接した部分を有する
２本の光導波路２を形成し、この２本の光導波路２の上
部にＳｉＯ２バッファ層３を介して金属膜から成る電極
４が形成されている。この電極４に電圧が印加されてい
ない状態では２本の近接した光導波路２間でモード結合
が起こり、光導波路２のポート２ａから人力された光は
光導波路２のポート２ｂへ移行する。近接部分の長さを
光導波路２の作製条件に応じて適当に選択すると光導波
路２のポート２ａからの光はほぼ１００％光導波路２の
ポー）２ｂへ移行させることができる（この場合の近接
部の長さは「完全結合長」と呼ばれる）。一方、光導波
路２の上部に設けられた２本の電極４の片方をグランド
にし、他方に電圧を印加すると、第７図（Ｂ）に示すよ
うに、基板１中の光導波路２に縦方向に電界が発生し、
ｌ１Ｎｂ○３導波路基板１の持つ電気光学効果により光
導波路２の屈折率が変化し、２本の光導波路２間の結合
状態が変化する。したがって、印加電圧を適当な電圧値
に設定すると光導波路２のポー）２ａから入力した光を
そのまま光導波路２のポー）２ａから出力させることが
できる。このようにして光導波路２を用いてスイッチン
グ機能を実現できる。

この導波路型光デバイスは上述したスイッチング機能を
基板上に集積できることから、光交換システム用マトリ
クス光スィッチやｏＴＤＲ用の光路切換え用光スィッチ
として開発が進められてきている。また、光を高速に変
調することができるのて大容量光通信用の外部変調器と
しても実用化が期待されている。

こうした導波路型光デバイスでは上述のような従来の光
デバイスにはない優れた性能がある反面、人力光の偏光
状態によって動作状態が変化し一定でないという問題が
あり、切換え動作を行うスイッチにおいては実用化を図
る上で大きな課題であった。この問題を解決する方法の
１つとして、特許束６３−０２３１８９　（光導波路ス
イッチ）（以下、資料１という）や３６２年電子情報通
信学会半導体、材料部門全国大会３５４　（以下、資料
２という）にあるように、方向性結合型スイッチでＴ１
膜厚を所望の厚さに成膜し、拡散後のＬｉＮｂ○３導波
路基板中のＴ１濃度を制御して入力光のＴＥモード成分
とＴＭモード成分に対して、完全結合長を一致させて偏
光状態に依存しない一定の動作を得る方法があり、波長
１．３μｍ用の光スィッチはすでに開発され上述の学会
等で報告されている。

一方、光通信分野では光ファイバの伝送損失が少ないこ
と等のメリットから波長１５５μｍ帯での通信の研究、
開発も近年盛んに行われており、これに伴って導波路型
光デノーイスも１，５５μｍ用のスイッチや変調器の必
要性が生じている。この波長帯でも上述のＴ】膜厚と制
御し、ＴＥ／ＴＭモードの完全結合長を一致させて偏光
無依存化を達成できることが原理的に可能である。しか
しながら、波長が違うと同じ基板中のＴ１濃度に対して
も光の閉じ込約条件が異なり、ＴＥ／ＴＭ両モードの完
全結合長一致条件（Ｔｉ膜）が異なってしまう。

そこで、従来はこうした異なる波長に対しては、第８図
に示すように、使用波長毎にＴ１膜厚及び光導波路幅を
変えて対応していた。例えば、従来は１．３μｍの光に
対しては資料１にあるように光導波路幅９μｍ１光導波
路間ギャップ９μｍのパターンでＴ１膜厚４７０人、Ｔ
ｉ拡散温度１０５０℃、時間３ｈｒてＴＥ／ＴＭ両モー
ドの完全結合長１９ｍｍを得ていた。一方、１．５５μ
ｍの波長の光では光導波路幅１０μｍ、ギャップ８μｍ
のパターン、Ｔ１膜厚５００人でＴ　Ｅ　／　Ｔ　Ｍ両
モートの完全結合長２０μｍを得ていた。なお、拡散条
件は１．３μｍと同じである。

これらの偏光無依存型の導波路型光デバイスのアプリケ
ーンヨンの一つとして３６３電子情報通信学会春季全国
大会Ｃ−４９０にあるように０ＴＤＲ用ＥＯ−スイッチ
がある。これも上述のようにＬ　ｉ　Ｎ　ｂ０３基板に
拡散するＴ１膜厚を制御して偏光無依存化を実現してい
る。光計測用として用いる０ＴＤＲても光通信分野での
使用波長の拡大から１．３μｍ用と１．５５μｍ用が必
要とされており、これに対応するため第９図（△）、（
Ｂ）に示した構成を基本とし、第１０図に示すように、
これら各波長λ１　、λ２に対応する二台の独立した従
来の導波路型光スイッチ５を２つの波長λ１、λ２を分
波する光分波器６で接続して用いている。なお、導波路
型光スイッチ５の導波路基板１の左端側には人力光ファ
イバ７が接続されており、導波路型光スイッチ５の導波
路基板１の右端側には第１の出力光ファイノＸ８又は第
２の出力光ファイバ９が接続されている。また、第１の
出力光ファイ）＜３の右端側には第１のＡＰＤＩＯが接
続されており、かつ第２の出力光ファイノ＼９の右端側
には第２のＡＰＤＩＩが接続されている。さらに、光分
波器６の左端側には被測定光ファイバ１２が接続されて
いる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかるに、上述したように従来の偏光無依存型の方向性
結合型スイッチは、異なった複数の波長の光に対しては
偏光無依存となるＴ１膜厚条件が違っていたため、同一
基板上に複数の光スイ・ンチを形成することが困難であ
った。このため、例えば○ＴＤＲ等の複数の波長の光に
対して、切換え機能を満たすためには各使用波長毎に個
別の導波路基板１を用意して方向性結合型光スイ・ソチ
を作製しなければならず、したがって集積小型化できず
、製造コストが低減できない等の欠点があった。

本発明の目的は上述した欠点に鑑みなされたもので、小
型化、低価格化を実現できる導波路型光デバイスを提供
するにある。

〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明の導波路
型光デバイスは、複数の異なる波長の光に対して切換え
動作が可能であり、例えば２つの異なる波長の光を使用
する場合は、第１の波長λ１　の光に対して動作する第
１の方向性結合型スイッチと第２の波長λ２の光に対し
て動作する第２の方向性結合型スイッチが導波路基板上
に並列に配置されており、２つの各方向性結合型スイッ
チは波長λ１　　λ２を分離する素子が同じ導波路基板
上にあり、この素子を介して接続されていることを特徴
としている。特に、それぞれの方向性結合型スイッチの
結合部の光導波路幅が使用する波長に対して異なってお
り、２つの波長λ、λ２　に対して動作する方向性結合
型スイッチの光導波路幅をそれぞれＷ、　、Ｗ、　とす
ると、０９　×λ１／λ２≦Ｉ’ｌｌ／Ｗ２　≦１．１
　Ｘλ１／　λ２の間係を満たしていることを特徴とし
ている。

上述の構成をもつことにより、ＬｉＮｂＯ３等の強誘電
帯基板にＴ】を所望の濃度に基板内に拡散し、Ｔ　Ｅ　
／　Ｔ　Ｍ両モードの完全結合長を一致させて作製する
偏光無依存型の方向性結合型スイッチにおいて、複数の
異なった波長の光に対して独立に動作するスイッチを同
一の基板上に作製することが可能となる。

さらに、上述のそれぞれの波長に対して動作する２つの
方向性結合型スイッチを接続する波長分離素子を実現す
る手段の一つとして、本発明では方向性結合器を用いた
ことを特徴としている。また、類似の手段でさらに特性
を劣化させず効率よく波長を分離する手段として方向性
結合型スイッチを用いることも可能である。

本発明の導波路型光デバイスの実現のための基本原理を
光通信で一般に用いられている波長１゜３μｍと１．５
５μｍの場合について簡単に述べる。

まず最初に、同一基板上に異なる波長の光に対して入射
光の偏光状態に依存しないで動作可能な偏光無依存型の
スイッチ実現の原理を述べ、次に、光の波長によって光
路を切換え、所望のスイッチに光を導波させる波長分離
機能をもつ素子の原理につし）で述べる。第４図（Ａ）
は波長１．３μｍの光に対して方向性結合型スイッチの
結合部の導波路幅と−１−″ヱンプを変えて拡散前のＴ
１膜厚を変化させたときのＴ　Ｅ　／　Ｔ　Ｍそれぞれ
の偏光の完全結合長を実験により求狛た結果である。同
ワくＢ）は波長１．５５μｍの光に対する同様の実験結
果である。プ二お、拡散条件はし）ずれも１．０５０℃
、８時間である。第４図（Ａ）かられかるように１３μ
ｍの光では光導波路幅９μＴｎのスイッチに対してはＴ
ｉ膜厚４５０人て、ギャップに関係なくＴＥ／ＴＭ両モ
ード全モード合長Ｌ　ｃは一致し、その長さはギャップ
に応じて変化し９μｍではＬｃ＝１８＋ｎ＋ｎ、８μｍ
では１３ｍｍ、７μｍでは３　ｍｍとなる。一方、同じ
ギャップに対しては、光導波路幅を変えると完全結合長
は変わらないが、ＴＥ／ＴＭ両モード全モードるＴ１膜
厚条件は変化し、光導波路幅を１０μｍとすると、所望
のＴ１膜厚は４２０人、８μｍとすると４８０八となる
。このようにＴＥ／ＴＭ両モード全モードせるＴ１膜厚
条件は光導波路幅を変えることにより調整できる。とこ
ろが、上述の光導波路幅よりも狭いとＴ１膜厚を厚くし
てもＴＥモードの閉じ込めか弱くなり、導波損失が増大
する。また、逆に光導波路幅を広くしＴ１膜厚を薄（す
ると、基板中のＴ１の濃度分布が構法がりとなり、光フ
ァイバとの結合損失が増大するので上述の条件よりはず
れて光導波路幅とＴ１膜厚を設定することは困難である
。これは第５図の斜線で示された有効領域に相当する。

一方、第４図（Ｂ）に示されるように１．５５μｍの光
に対しては、ギャップを９．５μｍに固定すると光導波
路幅１３μｍでは約４２０Ａで、１１．５μｍでは約４
５０人で、光導波路幅１０μｍでは約４８０人で、それ
ぞれＴＥ／ＴＭ両モード全モード合長を一致させるＴ１
膜厚条件を得ることができる。第５図はこれら光導波路
幅とＴＥ／ＴＭ両モード全モード合長を一致させるＴ１
膜厚条件との関係を両波長λ、＝１．３μｍと２２　＝
１．５５μｍの光に対してグラフ化したものである。斜
線で示された有効領域内では光導波路幅をそれぞれの波
長に対し適当に選択すると、おなじＴ１膜厚てＴＥ／Ｔ
Ｍ両モートの完全結合長一致条件を見いだすことができ
る。また、その時の波長λ１、λ２の関係は、 ０９　×λ１／）ｌ、≦Ｗ１／Ｌ　≦１．１×λ１／　
λ２を常（ごンＭたしている。

次に、２つの異なる波長を分離する波長フィルタの原理
について説明する。これを実現する手段に、例えば、波
長１．３μｍの光に対してはクロス状態となり、波長１
．５５μｍの光に対してはバー状態となるような方向性
結合器を形成し、これと上述の２つの方向性結合型スイ
ッチを接続する方法がある。ところが、この方法である
と実際には１．３μｍの光に対してＴＥ／ＴＭ両モード
全モード状態となり、しかも１，５５μｍの光に対して
はバー状態となるような条件は第４図（Ａ）、（Ｂ）か
らもわかるように存在せず、この方法を用いると、偏光
依存性が劣化してしまう。

そこで、各入射光の波長に対して波長分離による偏光依
存性の劣化を抑える方法として、波長フィルタにも方向
性結合型スイッチを用いる方法がある。これ；ま、上述
の波長λ３、λ２の光を例に説明すると、第４図（Ａ）
に示される結合部の光導波路幅１０μｍ、ギャップ９μ
ｍで方向性結合型スイッチを構成する。Ｔ１膜厚４２０
人、拡散条件を上記と同じ１０５０℃、８時間にすると
、λ＋＝１．３μｍの光に対してはＴＥ／ＴＭ両モード
色モード合長は１８ｍｍで一致し、結合部の長さをこれ
と同じ１８ｍｍに設計しておけば、１３μｍの光に対し
てはクロス状態を得ることができる。

このとき１．５５μｍの光は第４図（Ｂ）かられかるよ
うに、この条件では閉じ込めがかなり弱く、ＴＥ／ＴＭ
各モードの完全結合長はそれぞれ１５ｍｍと１３ｎｏｎ
となる。これを第８図に示すスイッチングチャート上で
みると、電圧無印加状態（縦軸上）ではλ、＝＝１，３
μｍの光はＴＥ／ＴＭ両モード色モードス状態にあり、
λ２　＝１．５５μｍの光はクロス状態を越え、再びも
とのバー状態に近い状態にあることがわかる。

但し、ここで２２の波長に対してはＴ　Ｅ　／　Ｔ　Ｍ
両モートの結合長か一致しておらず、Ｔ　Ｍモードの方
がよりバーに近：、）状態にある。この状態で電圧を印
加すると、ＴＥＥ／ＴＭＴ〜・丁モードもクロス状態に
あるよりも低い電圧てバー状態となる。

これを表したのが第６図であり、この方向性結合型スイ
ッチによって波長を分離するには／、＝１３μｍの光に
対しては電圧を印加しない状態にし、λ２＝１．５５μ
ｍの光に対しては第６図に示すように電圧を１２Ｖ印加
し、Ｔ　Ｅ　／　Ｔ　”ｖ１両モードを同時に完全なバ
ー状態にすればよい。

このように、本発明の構成を用いると異なる波長の光に
対して動作する偏光無依存型の導波路型光デバイスを同
一基板上に形成することができる。

〔実施例〕

次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。

第１図は本発明に係る導波路型光デバイスの一実施例を
示す平面図を示しており、これは２１．３μｍと）２　
＝１．５５μｍの２波長で測定が可能な二波型○ＴＤＲ
に用いられる導波路型スイッチである。ＬｉＮｂ○３導
波路基板１０には波長λ１の光に対して動作する第１の
スイッチエレメント１１と第２のスイッチエレメント１
２が消光比を大きくするた狛直列に配置接続されている
。一方これらと平行な位置に入出力部を別にして波長λ
２に対して動作する第３のスイッチエレメント１３と第
４のスイッチエレメント１４が同様に直列に配置接続さ
れている。

０ＴＤＲに用いる光スィッチは上述したように入射光の
偏光状態に依存しない偏光無依存型である必要がある。

本実施例ではλ、＝１．３μｍの光に対して動作する第
４のスイッチエレメント１４の光導波路幅は１０．ｕｍ
、ギャップは９μｍとし、λ２＝１．５５μｍの光に対
して動作する第２および第３のスイッチエレメント１２
．１３の光導波路幅は１３μｍ、ギャップは８μｍとし
た。

また、λ１　、λ２を分離する波長フィルタの機能をも
つ方向性結合型スイッチである第１のスイッチエレメン
ト１１の光導波路幅、ギャップはそれぞれ第４のスイッ
チエレメント１４と同じ１０μｍ、９μｍとした。

Ｔ１膜厚を４２０人、拡散条件を１０５０℃、８時間と
して作製したところ、λ、＝１．３μｍのスイッチでは
完全結合長がＴＥ／ＴＭ両モートに対して１８ｍｍで一
致し、同時に２２　＝１　５５μｍのスイッチでは１５
ｍｍで一致した。又、波長フィルタによりλ、＝１．３
μｍの光は電圧無印加状態で第４のスイッチエレメント
１４に、ノ。

１．５５μｍの光は電圧を約１２Ｖ印加することて第２
のスイッチエレメント１２にそれぞれ偏光依存性を劣化
させることなく分離されることを確言忍した。

この方向性結合型スイッチに電圧を印加したときのスイ
ッチング特性を第３図に示す。１．３μｍ用のスイッチ
では約２０．５Ｖの印加電圧てＴＥ／ＴＭ両モード色モ
ード切換わり、１．５５μｍのスイッチでは約２４．５
Ｖの印加電圧で上記の状態を得ることができる。ここで
上述したように完全結合長はギャップにより可変であり
、例えば１３μｍ用のスイッチに対してギヤングを挟と
て完全結合長を短くすれば、スイッチング特性を上昇さ
せ１．５５μｍ用のスイッチと同電圧とすることも可能
である。

本スイッチを実際に使用する場合は、λ１−１３μｍの
光に対して光をＯＮにするときは第１および第４のスイ
ッチエレメント１１，１４を電圧無印加状態にし、ＯＦ
Ｆ状態とするときは両スイッチエレメント１１．１４に
同時に２１Ｖを印加する。一方、λ２＝１．５５μｍの
光に対して光をＯＮにするときは第１のスイッチエレメ
ント１１には１２Ｖの電圧を印加し、第２及び第３のス
イッチエレメント１２．１３は電圧無印加とする。ＯＦ
Ｆ状態にするときは第１のスイッチエレメント１１は電
圧無印加とし、第２及び第３のスイッチエレメント１２
．１３には２１Ｖの電圧を印加すればよい。なお、１．
３μｍの光に対しては光を○ＦＦ状態にする場合、第１
のスイッチエレメント１１も消光比の向上に寄与してい
るためである。

本実施例では実際に○ＴＤＲの装置に実装するため導波
路基板１０の両端面を研摩し、入力端には波長１．３μ
ｍの光に対応する第１の人力光ファイバと波長１５５μ
ｍの光に対応する第２の光ファイバを配列した入力光フ
ァイバアレー１５が光軸固定されている。同様に出力側
には波長１．３μｍに対応する第１の出力光ファイバ１
６と波長１．５５μｍに対応する第２の出力光ファイバ
１７が出力光ファイバアレー１８に配置され、導波路基
板１０の端面に光軸固定されている。

第２図は本発明の上記の導波路型光スイッチを二波型○
ＴＤＲ装置に組み入れた構成を示している。２つの波長
λ、＝１，３μｍと２２　＝１．５５μｍの光はそれぞ
れ測定に応じて各ＬＤから被測定光ファイバ１９に出射
され、その戻り光は光分波器で各波長λ１、Ａ２に分波
され、人力光ファイバ２０、導波路型光スイッチ２１を
経て波長λ１　の光は第１の出力光ファイバ２２を介し
て第１のＡＰＤ２３に、Ａ２の光は第２の出力光ファイ
バ２４を介して第２のＡＰＤ２５に結合する。被測定光
ファイバ１９の接続部や破断点からの反射光は本発明の
導波路型光スイッチ２１で両波長の光に対して共通に光
を遮断し、ＡＰＤの飽和による測定不能領域の増大を回
避する。

このように本発明の導波路型光デバイスを用いると、異
なる複数の波長の光を扱う場合にも同一の基板上に同じ
機能を有するデバイスを構成できるので、第９図に示す
従来の光デバイスと違い、装置自体の小型化、低価格化
を図ることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、１つの波長の光に対して
スイッチ動作する機能をもつスイッチエレメントを複数
個、入出力部を個別にして並列に同一基板上に形成する
構成としたことにより、複数の異なる波長の光を独立に
スイッチ動作させることができる。これにより、例えば
○ＴＤＲ等光計測光計従来具なる波長の光をスイッチさ
せるために複数のスイッチモジュールを必要としていた
のが、１つのスイッチに集約でき、装置の低価格化、小
型化を実現することができるという優れた効果を奏する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る導波路型光デバイスの一実施例を
示す平面図、第２図は本発明の導波路型デバイスを○Ｔ
ＤＲに適用したときの構成図、第３図は第１図に示した
本発明の導波路型光デバイスの各波長λ１　、Ａ２　に
ついてのスイッチング特性を示す図、第４図（Ａ）、（
Ｂ）は波長２１１．３μｍ１　Ａ２　＝１．５５μｍそ
れぞれのＴ１膜厚（拡散前）のＴ　Ｅ　／　Ｔ　Ｍ両モ
ードの完全結合長の関係を示す図、第５図は方向性結合
型光スィッチの導波路幅とＴＥ／ＴＭ両モードの完全結
合長が一致するＴ１膜厚との関係を示す図、第６図は第
１のスイッチングエレメントにおける１゜３μｍ、１．
５５μｍの２つの波長の光スイツチング特性を示す図、
第７図（Ａ）、（Ｂ）は方向性結合型スイッチの平面図
と結合部のＢ−Ｂ線断面図、第８図は△β同相駆動タイ
プの１．３μｍと１．５５μｍのそれぞれの波長の光ス
イツチングチャート、第９図（Ａ）、（Ｂ）は従来の導
波路型光デバイスの平面図、第１０図は従来の導波路型
光デバイスを○ＴＤＲに適用したときの構成図である。 １０・・・・・導波路基板、 １１・・・・第１のスイッチエレメント、１２・・・・
・第２のスイッチエレメント、１３・・・・・・第３の
スイッチエレメント、１４・・第４のスイッチエレメン
ト、 １５・・・・・入力光ファイバアレー １６・・・・・・第１の出力光ファイＢ１７・・・・・
第２の出力光ファイバ、１８・・・・・・出力光ファイ
バ、 ２０・・・・・・入力光ファイバ、 ２１・・・・・・導波路型光スイッチ、２２・・・・・
・第１の出力光ファイバ、２４・・・・・第２の出力光
ファイバ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板中に光導波路が方向性結合型パターンに形成さ
   れると共にこの光導波路の上部に電極が形成され、２つ
   の異なる波長の光に対して光を切り換える機能を有する
   導波路型光デバイスにおいて、第１の波長λ＿１に対し
   て動作する第１の方向性結合型スイッチと第２の波長λ
   ＿２に対して動作する第２の方向性結合型スイッチを有
   し、この第１と第２の方向性結合型スイッチが前記基板
   上に形成された第１の波長の光と第２の波長の光を分離
   する素子を介して接続されていることを特徴とする導波
   路型光デバイス。 ２、前記第１の方向性結合型スイッチの結合部の光導波
   路幅Ｗ＿１と、前記第２の方向性結合型スイッチの結合
   部の光導波路の幅Ｗ＿２が、 ０．９×λ＿１／λ＿２≦Ｗ＿１／Ｗ＿２≦１．１×λ
   ＿１／λ＿２を満たすことを特徴とする請求項１記載の
   導波路型光デバイス。 ３、前記第１の方向性結合型スイッチと前記第２の方向
   性結合型スイッチを接続し、前記第１と第２の波長の光
   を分離する素子が前記基板上に形成された方向性結合型
   の波長フィルタであることを特徴とする請求項２記載の
   導波路型光デバイス。 ４、前記第１の方向性結合型スイッチと前記第２の方向
   性結合型スイッチを接続し、前記第１と第２の波長の光
   を分離する素子が方向性結合型スイッチであることを特
   徴とする請求項２記載の導波路型光デバイス。 ５、前記第１と第２の波長の光を分離する方向性結合型
   スイッチの結合部の光導波路幅が第１と第２の波長の短
   い波長の光に対して動作する方向性結合器の結合部の光
   導波路幅に一致していることを特徴とする請求項４記載
   の導波路型光デバイス。