JPH04110757U - 断続プラズマ装置 - Google Patents

断続プラズマ装置

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JPH04110757U
JPH04110757U JP2186291U JP2186291U JPH04110757U JP H04110757 U JPH04110757 U JP H04110757U JP 2186291 U JP2186291 U JP 2186291U JP 2186291 U JP2186291 U JP 2186291U JP H04110757 U JPH04110757 U JP H04110757U
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JP
Japan
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vacuum chamber
gas
voltage
high frequency
intermittently
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JP2186291U
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Inventor
伸一 小林
和也 諏訪
安司 川下
正美 中曾根
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神港精機株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 真空槽内の気体の入れ替え周期を短くするこ
となく、成膜速度やエッチング速度を大きくする。 【構成】 常に真空ポンプによって真空槽16を排気
し、気体の供給源18と真空槽16との間に設けられた
開閉バルブ20をパルス制御器22の制御により断続的
に開閉することを繰り返して、真空槽16内の気体を周
期的に入れ替える。真空槽16内に設けられた電極2
4、26間に、高周波電圧を印加する高周波電源28を
用いて、パルス制御器22によって、気体の入れ替えの
1周期内に複数回断続的に電圧を印加させて、1周期内
に複数回断続的にプラズマを発生させる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、プラズマCVD装置、スパッタリング装置、プラズマエッチング装 置等のプラズマを利用するプラズマ装置に関し、特にプラズマを断続的に発生さ せる装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、上記のプラズマ装置、例えばプラズマCVD装置には、図4に示すよう なものがあった。これは、真空槽2内を真空ポンプ(図示せず)によって継続的 に排気しながら、気体供給源4から気体、例えば窒素ガスおよびシランガスを断 続的に供給して、真空槽2内の気体が周期的に入れ替えられるようにして、真空 槽2内に設けた一対の電極6、8に高周波電圧を印加して、プラズマを発生させ るようにしたものである。気体の入れ替えを行うのは、プラズマの発生によって 気体が分解、消費されるので、常に新しい気体を供給する必要があるのと、気体 の入れ替えを行わないと、分解、消費後の気体が真空槽内の局所に残存し、処理 能力を低下させることとがあるからである。この気体の入れ替えは、気体供給源 4と真空槽2との間に設けた開閉バルブ10を、例えば1周期を0.3秒とし、 そのうちの例えば最初から0.12秒までの間に3回開閉することによって窒素 ガスおよびシランガスを真空槽2内に導入し、以後1周期が終了するまでの時間 には、開閉バルブ10を閉じて、真空ポンプによって窒素ガスおよびシランガス を排気することを繰り返すことによって行える。この窒素ガスおよびシランガス の入れ替えによる真空槽2内の圧力変化の状態を図5に示す。各開閉バルブ10 の上記のような制御は、パルス制御器12によって行われる。また、電極6、8 への高周波電圧の印加は、窒素ガスおよびシランガスの入れ替えの1周期の間に 1度行われるように、高周波電源14をパルス制御器12によって制御すること によって行われている。図5に、この高周波電圧の印加時期を符号aで示す。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】 しかし、上記のようなプラズマ断続装置では、高周波電圧の印加が、窒素ガス およびシランガスの入れ替えの1周期の間に1度しか行われていなかった。この ため、従来のプラズマ断続装置、例えばプラズマCVD装置またはスパッタリン グ装置では、成膜速度を大きくするために、またプラズマエッチング装置では、 エッチング速度を大きくするために、窒素ガスの入れ替え周期を短くしなければ ならない。ところが、残存する窒素ガスの入れ替えを完全に行うには、入れ替え 周期を充分に長くする必要がある。
【0004】 本考案は、成膜速度やエッチング速度を大きくし、かつ気体の入れ替え周期を 充分に長くすることができるプラズマ断続装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本考案は、常に真空ポンプによって排気されて いる真空槽を有している。また、この真空槽内に供給される気体の供給源も設け られている。この供給源と真空槽との間には、気体を周期的に断続して真空槽内 に供給する断続手段が設けられている。さらに、真空槽内には1対の電極が設け られ、これら電極間に電圧を印加する電源も設けられている。そして、この電源 により気体供給の断続1周期内に複数回断続的に電圧を印加させる制御手段が設 けられている。また、上記両電極間に印加される電圧を上記高周波電圧のみの状 態から変更する手段を設けることもできる。
【0006】
【作用】
本考案によれば、真空ポンプによって真空槽を排気しながら、断続手段によっ て気体を一時的に供給し、その後に供給を停止することを周期的に繰り返してい るので、一定周期で真空槽内の気体は入れ替えられる。そして、真空槽内の一対 の電極には、上記の一定周期の間に複数回に渡って断続的に電圧が印加され、プ ラズマが発生する。即ち、一定周期の間に、複数回断続的にプラズマが発生する 。従って、成膜の速度またはエッチング速度を大きくすることができる。また、 この一定周期を適当に選択することによって充分に真空槽内の気体を入れ替える ことができる。 また、電極に印加する電圧を高周波電圧のみの状態から変更することによって、 電極に向かう荷電粒子のエネルギー状態を変更することができる。
【0007】
【実施例】
この実施例は、図1に示すように、真空槽16を有する。この真空槽16は、 真空ポンプ(図示せず)によって常に排気されている。この真空槽16の外部に は、気体、例えば窒素ガスやシランガスを真空槽16に供給するための気体供給 源18が設けられている。この気体供給源18は、供給する気体の圧力や流量を 調整可能に構成されている。この気体を真空槽16内に断続的に供給するため、 気体供給源18と真空槽16との間には、気体の断続供給手段、例えば開閉バル ブ20が設けられている。この開閉バルブ20の開閉制御は、例えばマイクロコ ンピュータによって構成されたパルス制御器22によって行われる。
【0008】 真空槽16内には、相対向するように1対の電極24、26が間隔を隔てて設 けられている。これら電極24、26としては、例えば面積が400cm2 のも のが、約10cmの間隔を隔てて配置されている。電極24は、高周波電源28 に接続されている。この高周波電源28には、例えば数百KHz 乃至2.45GHz 、望 ましくは13.56 MHz の周波数で、その電力が0乃至50KWのものを使用している。 また、電極24には、フィルター30を介して直流電源32も接続されている。 この直流電源としては、例えばその電圧が0乃至1KVの間で変化可能で、電力が 0乃至1KW、例えば0.5 KWのものが使用されている。なお、フィルター30は、 高周波電源28の大きな高周波電力が直流電源32側に大きく漏れるのを防止す るために設けられており、その遮断周波数は、高周波電源28の周波数によって も変化するが、例えば100KHz とされている。また、電極26は、直流電源3 4に接続されている。この直流電源34は、その電圧が0乃至0.8 KVの間で変化可 能で、電力が0乃至1KV、例えば0.8 KWのものが使用されている。
【0009】 高周波電源28も、開閉バルブ20と同様にパルス制御器22によって制御さ れ、その制御は、例えば図3に示すように開閉バルブ20が開かれて、真空槽1 6内に気体が供給された後、開閉バルブ20が閉じられた時点、即ち真空槽16 内の圧力が最も高くなった時点に同期して、一定時間、例えば150 μ秒間、高周 波電圧を印加するように行われる。従って、図3のように1周期内に3回に渡っ て開閉バルブ20が開閉されると、高周波電源28も1周期内に3回に渡って、 図2に符号bで示すように、最高圧力の時点で電極24に高周波電圧を印加する 。すなわち、1周期に複数回に渡って高周波電圧が印加される。
【0010】 このように構成した断続プラズマ装置は、例えば次のように使用される。即ち 、真空槽16をまず真空ポンプによって1×10-4Torrに排気し、真空ポンプを そのまま作動させておく。そして、直流電源34の電圧を0Vとし、即ち電極2 6を接地する。また、電極24は、高周波電源28のみに接続する。そして、気 体供給源18を1slmの窒素ガスを供給できる状態に調整し、パルス制御器22に よって開閉バルブ20を開閉して、1slmの窒素ガスを真空槽16内に断続的に供 給することを周期的に行う。そして、上述したように開閉バルブ20を閉じるの に同期して、150 μ秒間、高周波電圧を印加するのを1周期(0.3秒)内に3 回に渡って行うと、安定な断続プラズマが得られた。 また、窒素ガスと共にシランガスを25sccm導入し、電極24または26上に 被処理物を置くと、プラズマCVD装置として使用でき、この場合、従来の1周 期(0.3秒)に1回150 μ秒間高周波電圧を印加した場合には、成膜速度が0 .9μm/時であったのが、2.6μm/時と約3倍の速度に大きくなった。
【0011】 また、直流電源34によって電極26に接地電位に対し−300Vの電圧を印 加して、上述した2つの使用例のように使用すると、従来の方法と比較して、電 極26に入射するn価の正電荷を持つ粒子は、n×300eVだけエネルギーが 増加し、同じく電極26に入射するn価の負電荷を持つ粒子は、n×300eV だけエネルギーを減少する。即ち、直流電源34は、電極24、26間に印加さ れる電圧を高周波電圧のみが印加されている状態から変更するように機能して、 電極26に向かう荷電粒子のエネルギー状態を変更する。
【0012】 また、直流電源32を作動させて、電極24に印加される高周波電圧に直流電 圧を重畳し、例えばその重畳電圧を500Vとすると、電極24に入射するn価 の正電荷を持つ粒子はn×500eVだけエネルギーを減少させ、n価の負電荷 を持つ粒子はn×500eVだけエネルギーを増加させる。即ち、直流電源32 も電極24、26間に印加される電圧を高周波電圧のみが印加されている状態か ら変更するように機能し、電極24に向かう荷電粒子のエネルギー状態を変更す る。
【0013】 上記の実施例では、高周波電圧の印加を最高圧力の時点で行ったが、これは圧 力が高い時点の方がガスの分解効率が高いからであるが、必ずしも最高圧力の時 点で行う必要はない。従って、高周波電圧の印加を開閉バルブ20の閉じられた 時点に同期させる必要もない。また、高周波電圧の印加は、1周期のうち3回行 ったが、複数回であれば、状況に応じて任意に変更することができる。また、上 記の実施例では、電極24、26間に印加される電圧を高周波電圧のみから変更 するのに、直流電源32、34を用いたが、これに代えて交流電源を使用するこ ともできる。
【0014】
【考案の効果】
以上のように、本考案によれば、真空槽内の気体の入れ替えの1周期の間に複 数回に渡って高周波電圧を電極間に印加するように構成したので、例えばプラズ マCVD装置や、スパッタリング装置での成膜速度や、プラズマエッチング装置 のエッチング速度を速くすることができ、しかも入れ替え周期を短くする必要が ないので、分解、消費された気体が真空槽内に残存しにくくなり、処理能力が局 所的に低下することもない。しかも、電極間に印加されている電圧を高周波電圧 のみが印加されている状態から変更しているので、電極上に配置された被処理物 に入射する荷電粒子のエネルギー状態を制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案によるプラズマ断続装置の1実施例の概
略構成を示す図である。
【図2】同実施例における圧力変化状態を示す図であ
る。
【図3】同実施例における開閉バルブと高周波電源の制
御タイミング図である。
【図4】従来の断続プラズマ装置の1実施例の概略構成
を示す図である。
【図5】図4の断続プラズマ装置における圧力変化状態
を示す図である。
【符号の説明】
16 真空槽 18 気体供給源 20 開閉バルブ(断続手段) 22 パルス制御器(制御手段) 24、26 電極 28 高周波電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/302 C 7353−4M (72)考案者 中曾根 正美 兵庫県神戸市西区高塚台3丁目1番35号 神港精機株式会社内

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 常に真空ポンプによって排気されている
    真空槽と、この真空槽内に供給される気体の供給源と、
    この供給源と上記真空槽との間に設けられ上記気体を周
    期的に断続して上記真空槽内に供給する手段と、上記真
    空槽内に設けられた1対の電極と、これら電極間に電圧
    を印加する電源と、この電源により上記気体供給の断続
    1周期内に複数回断続的に電圧を印加させる制御手段と
    を、具備する断続プラズマ装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の断続プラズマ装置におい
    て、上記両電極間に印加される電圧を上記高周波電圧の
    みの状態から変更する手段を設けたことを特徴とする断
    続プラズマ装置。
JP2186291U 1991-03-11 1991-03-11 断続プラズマ装置 Withdrawn JPH04110757U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010519767A (ja) * 2007-02-21 2010-06-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体構造をエッチングするための、パルス化反応ガスを補充するパルス化プラズマシステム
KR101445299B1 (ko) * 2007-02-21 2014-09-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 구조물을 에칭하기 위한 펄스화된 샘플 바이어스를 가지는 펄스화된 플라즈마 시스템

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KR101470292B1 (ko) * 2007-02-21 2014-12-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 구조물을 에칭하기 위한 펄스화 반응 가스를 보충하는 펄스화 플라즈마 시스템

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