JPH04109646A - Semiconductor probing testing device - Google Patents
Semiconductor probing testing deviceInfo
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- JPH04109646A JPH04109646A JP22882490A JP22882490A JPH04109646A JP H04109646 A JPH04109646 A JP H04109646A JP 22882490 A JP22882490 A JP 22882490A JP 22882490 A JP22882490 A JP 22882490A JP H04109646 A JPH04109646 A JP H04109646A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体プロービング試験装置に関する。より
詳細には、半導体装置の電気的特性を試験する半導体プ
ロービング試験装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to semiconductor probing test equipment. More specifically, the present invention relates to a semiconductor probing test device that tests the electrical characteristics of a semiconductor device.
従来の技術
LSI等の半導体チップを備える半導体装置は、その開
発段階、製造段階での各工程後等に動作を確認するため
にしばしば電気的特性を測定する。BACKGROUND OF THE INVENTION Electrical characteristics of a semiconductor device including a semiconductor chip such as a conventional LSI are often measured in order to confirm the operation after each step in the development stage and manufacturing stage.
この電気的特性の試験には、一般に半導体プロービング
試験装置が使用される。半導体プロービング試験装置は
、試験する半導体装置を搭載するステージと、試験回路
および半導体装置の電極に接して半導体装置の電極と試
験回路とを電気的に接続するプローブ針を備えるプロー
ブカードを具備する。プローブカードには、一般に複数
のプローブ針が備えられている。A semiconductor probing test device is generally used to test this electrical property. A semiconductor probing test apparatus includes a stage on which a semiconductor device to be tested is mounted, and a probe card including a probe needle that contacts a test circuit and an electrode of the semiconductor device to electrically connect the electrode of the semiconductor device and the test circuit. A probe card is generally equipped with a plurality of probe needles.
第3図に、プローブカードの概略斜視図を示す。FIG. 3 shows a schematic perspective view of the probe card.
第3図のプローブカードは、試験回路が形成されている
基板30と、基板30の中央部の孔40に周囲から突出
して配列されているプローブ針31〜36を具備する。The probe card shown in FIG. 3 includes a substrate 30 on which a test circuit is formed, and probe needles 31 to 36 arranged in a hole 40 in the center of the substrate 30 so as to protrude from the periphery.
プローブ針31〜36は、上記の試験回路の入出力端に
なっていて、タングステン製で先端は非常に細く尖らせ
てあり、半導体装置の微小な電極に接するのに適した形
状にしである。また、通常先端が下向きになるよう曲が
っている。プローブ針31〜36は、試験する半導体装
置の電極の配列に対応して配列され、試験を行う際には
、それぞれ半導体装置の電極に同時に接触する。The probe needles 31 to 36 are the input/output terminals of the above-mentioned test circuit, and are made of tungsten and have very thin and sharp tips, and are shaped to be suitable for contacting minute electrodes of semiconductor devices. Also, the tip is usually bent downward. The probe needles 31 to 36 are arranged in correspondence with the arrangement of electrodes of the semiconductor device to be tested, and when testing, they respectively contact the electrodes of the semiconductor device at the same time.
発明が解決しようとする課題
上記従来の半導体プロービング試験装置は、ステージお
よびプローブカードが、平行に対向するように配置され
ていた。そのた約、例えば、基板上に傾いて搭載された
LSI等の半導体チップを試験する場合、一部のプロー
ブ針は半導体チップの電極に十分に接触できないことが
ある。Problems to be Solved by the Invention In the conventional semiconductor probing test apparatus described above, the stage and the probe card are arranged so as to face each other in parallel. For example, when testing a semiconductor chip such as an LSI mounted on a substrate at an angle, some of the probe needles may not be able to make sufficient contact with the electrodes of the semiconductor chip.
第2図に、従来の半導体プロービング試験装置で、ハイ
ブリッドIC基板上に傾斜して搭載された半導体チップ
を試験する場合の概略断面図を示す。第2図において、
半導体プロービング試験装置は、ステージ1と、アーム
21で保持された第3図に示したものと同様のプローブ
カード2とを具備する。プローブカード2には、簡単の
ためプローブ針31および32の2本のプローブ針が備
えられているものとする。プローブカード2はアーム2
1によりステージ1と平行に保持され、プローブカード
2とステージ1との間の前後左右の位置関係および距離
は、任意に調整することができる。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a case where a conventional semiconductor probing test apparatus tests a semiconductor chip tilted and mounted on a hybrid IC substrate. In Figure 2,
The semiconductor probing test apparatus includes a stage 1 and a probe card 2 similar to the one shown in FIG. 3 held by an arm 21. For simplicity, it is assumed that the probe card 2 is provided with two probe needles, probe needles 31 and 32. Probe card 2 is arm 2
The probe card 2 is held parallel to the stage 1 by the probe card 1, and the longitudinal and horizontal positional relationships and distances between the probe card 2 and the stage 1 can be adjusted as desired.
ステージ1上には、半導体チップ4がペースト6で固定
されたハイブリッドIC基板5が搭載されている。図示
されているよう半導体チップ4は、ハイブリッドIC基
板5に図面右側の方が高くなるよう傾いて固定されてい
る。このように、半導体チップ4が傾いて固定されるこ
とは、生産上のばらつきとしてよくあり、製品の性能、
品質には何ら影響を及ぼさない。A hybrid IC board 5 on which a semiconductor chip 4 is fixed with paste 6 is mounted on the stage 1. As shown in the drawing, the semiconductor chip 4 is fixed to the hybrid IC substrate 5 in an inclined manner so that the right side of the drawing is higher. As described above, it is common for the semiconductor chip 4 to be fixed at an angle as a result of production variations, which may affect the performance of the product.
It has no effect on quality.
しかしながら、第2図に示された半導体チップ4を試験
する場合、プローブカード2をステージ1に近接させ、
プローブ針32を半導体チップ4の対応する電極に接触
させても、プローブ針31は半導体チップ4の電極と接
触しない。プローブ針31が対応する電極に接するまで
プローブカード2をステージ1へ近接させると、プロー
ブ針32やプローブ針32と接する電極を傷める。However, when testing the semiconductor chip 4 shown in FIG. 2, the probe card 2 is brought close to the stage 1,
Even if the probe needles 32 are brought into contact with the corresponding electrodes of the semiconductor chip 4, the probe needles 31 do not come into contact with the electrodes of the semiconductor chip 4. If the probe card 2 is brought close to the stage 1 until the probe needles 31 come into contact with the corresponding electrodes, the probe needles 32 and the electrodes in contact with the probe needles 32 will be damaged.
従って、従来は、このようにハイブリッドIC基板に傾
いて搭載されている半導体チップを試験する場合には、
プローブカードを使用せず、各プローブ針が独立に動か
せる試験装置を使用し、プローブ針を1本ずつ電極に接
触させて、試験を行っていた。しかしながら、プローブ
針を1本ずつ電極に接触させて、試験を行うのは、非常
に手間がかかり効率が悪い。Therefore, conventionally, when testing a semiconductor chip mounted on a hybrid IC board at an angle,
The test was conducted without using a probe card, using a testing device in which each probe needle could be moved independently, and by bringing each probe needle into contact with the electrode one by one. However, carrying out a test by bringing each probe needle into contact with an electrode is very time-consuming and inefficient.
そこで本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し
た半導体プロービング試験装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor probing test device that solves the problems of the prior art described above.
課題を解決するための手段
本発明に従うと、試験対象の半導体装置を搭載するステ
ージと、前記半導体装置の電気的特性を測定するための
回路および前記半導体装置の電極に接し、前記回路と前
記半導体装置とを電気的に結合する複数のプローブ針を
備えるプローブカードと、該プローブカードを保持する
保持手段を具備する半導体プロービング試験装置におい
て、前記複数のプローブ針がそれぞれ対応する前記半導
体装置の電極に十分接するよう、前記保持手段が、前記
プローブカードの角度を変更可能であることを特徴とす
る半導体プロービング試験装置が提供される。Means for Solving the Problems According to the present invention, a stage on which a semiconductor device to be tested is mounted, a circuit for measuring the electrical characteristics of the semiconductor device, and an electrode of the semiconductor device are in contact with each other. In a semiconductor probing test device comprising a probe card having a plurality of probe needles electrically coupled to the device, and a holding means for holding the probe card, each of the plurality of probe needles is connected to a corresponding electrode of the semiconductor device. There is provided a semiconductor probing test apparatus characterized in that the holding means can change the angle of the probe card so that the probe card is in sufficient contact with the probe card.
作用
本発明の半導体プロービング試験装置は、ステージと、
プローブカードとの間の角度を変更できるので、試験す
る半導体装置がステージに対して傾いている場合でも、
プローブ針と半導体装置の対応する電極とを確実に接触
させることができる。Function: The semiconductor probing test device of the present invention includes a stage;
Since the angle between the probe card and the probe card can be changed, even if the semiconductor device to be tested is tilted with respect to the stage,
It is possible to reliably bring the probe needle into contact with the corresponding electrode of the semiconductor device.
本発明の半導体プロービング試験装置の保持手段は、例
えばボールジヨイント、クロスジヨイント等自由度が2
以上である関節結合部を具備していることが好ましい。The holding means of the semiconductor probing test apparatus of the present invention has two degrees of freedom, such as a ball joint or a cross joint.
It is preferable to include the above-mentioned joint joint portion.
以下、本発明を実施例により、さらに詳しく説明するが
、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎず、本発明
の技術的範囲をなんら制限するものではない。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples, but the following disclosure is merely an example of the present invention and does not limit the technical scope of the present invention in any way.
実施例
第1図(a)に、本発明の半導体プロービング試験装置
の概略斜視図を示す。第1図の半導体プロービング試験
装置は、ステージ1と、ボールジヨイント20を備えた
アーム21で保持されたプローブカード2とを具備する
。プローブカード2には、プローブ針31および32が
備えられている。プローブカード2は、ボールジヨイン
ト20により角度が任意に変更可能であり、従来のもの
と同様プローブカード2と、ステージ1との間の前後左
右の位置関係および距離を調整することができる。Embodiment FIG. 1(a) shows a schematic perspective view of a semiconductor probing test apparatus of the present invention. The semiconductor probing test apparatus shown in FIG. 1 includes a stage 1 and a probe card 2 held by an arm 21 having a ball joint 20. As shown in FIG. The probe card 2 is equipped with probe needles 31 and 32. The angle of the probe card 2 can be arbitrarily changed by the ball joint 20, and the distance and the positional relationship between the probe card 2 and the stage 1 in the front, rear, left and right directions can be adjusted as in the conventional case.
ステージ1上には、第2図の場合と同様半導体チップ4
がペースト6で傾いて固定されたハイブリッドIC基板
5が搭載されている。本発明の半導体プロービング試験
装置では、第1図ら)に示されているよう半導体チップ
4が傾いていても、ボールジヨイント20により、プロ
ーブ針31および32の両方が半導体チップ4のそれぞ
れ対応する電極に接触するようプローブカード2の角度
を変えることができる。A semiconductor chip 4 is placed on the stage 1 as in the case of FIG.
A hybrid IC board 5 which is tilted and fixed with paste 6 is mounted. In the semiconductor probing test apparatus of the present invention, even if the semiconductor chip 4 is tilted as shown in FIG. The angle of the probe card 2 can be changed to make contact with the probe card 2.
本実施例の半導体プロービング試験装置は、アーム21
に具備されたボールジヨイント20によりプローブカー
ド2の角度を変えたが、本発明の半導体プロービング試
験装置の態様はこれに限られるものではない。例えば、
ボールジヨイントに代えてクロスジヨイントを使用する
こともてきる。The semiconductor probing test device of this embodiment has an arm 21
Although the angle of the probe card 2 is changed by the ball joint 20 provided therein, the aspect of the semiconductor probing test apparatus of the present invention is not limited to this. for example,
A cross joint can also be used instead of a ball joint.
発明の詳細
な説明したように、本発明の半導体プロービング試験装
置は、従来プローブカードが使用できなかった半導体装
置の試験を行うことが可能である。従って、従来よりも
効率よく半導体装置の試験を行うことができ、生産コス
ト低減に効果がある。As described in detail, the semiconductor probing test apparatus of the present invention is capable of testing semiconductor devices for which conventional probe cards could not be used. Therefore, it is possible to test semiconductor devices more efficiently than in the past, which is effective in reducing production costs.
第1図(a)は、本発明の半導体プロービング試験装置
の概略斜視図であり、
第1図(b)は、本発明の半導体プロービング試験装置
で半導体装置を試験する場合の概略図であり、第2図は
、従来の半導体プロービング試験装置で、ハイブリッド
IC基板上に傾斜して搭載された半導体チップを試験す
る場合の概略断面図であり、
第3図は、プローブカードの概略斜視図である。
〔主な参照番号〕
l・・・ステージ、
2・ ・ ・プローブカード、
31〜36・・・プローブ針、
4・・・半導体チップ、
5・・・ハイブリッドIC基板FIG. 1(a) is a schematic perspective view of a semiconductor probing test device of the present invention, and FIG. 1(b) is a schematic diagram of testing a semiconductor device with the semiconductor probing test device of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a conventional semiconductor probing test device used to test a semiconductor chip tilted and mounted on a hybrid IC board, and FIG. 3 is a schematic perspective view of a probe card. . [Main reference numbers] 1... Stage, 2... Probe card, 31-36... Probe needle, 4... Semiconductor chip, 5... Hybrid IC board
Claims (1)
導体装置の電気的特性を測定するための回路および前記
半導体装置の電極に接し、前記回路と前記半導体装置と
を電気的に結合する複数のプローブ針を備えるプローブ
カードと、該プローブカードを保持する保持手段を具備
する半導体プロービング試験装置において、前記複数の
プローブ針がそれぞれ対応する前記半導体装置の電極に
十分接するよう、前記保持手段が、前記プローブカード
の角度を変更可能であることを特徴とする半導体プロー
ビング試験装置。A stage on which a semiconductor device to be tested is mounted, a circuit for measuring the electrical characteristics of the semiconductor device, and a plurality of probe needles that contact electrodes of the semiconductor device and electrically couple the circuit and the semiconductor device. and a holding means for holding the probe card, wherein the holding means holds the probe card so that the plurality of probe needles are in sufficient contact with the corresponding electrodes of the semiconductor device. A semiconductor probing test device characterized in that the angle of the semiconductor probing test device can be changed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22882490A JPH04109646A (en) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | Semiconductor probing testing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22882490A JPH04109646A (en) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | Semiconductor probing testing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04109646A true JPH04109646A (en) | 1992-04-10 |
Family
ID=16882435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22882490A Pending JPH04109646A (en) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | Semiconductor probing testing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04109646A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7358754B2 (en) * | 2003-03-04 | 2008-04-15 | Xandex, Inc. | Methods and apparatus for creating a high speed connection between a device under test and automatic test equipment |
JP2012054526A (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Star Technologies Inc | High speed probing apparatus for semiconductor device and probe stage therefor |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP22882490A patent/JPH04109646A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7358754B2 (en) * | 2003-03-04 | 2008-04-15 | Xandex, Inc. | Methods and apparatus for creating a high speed connection between a device under test and automatic test equipment |
JP2012054526A (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Star Technologies Inc | High speed probing apparatus for semiconductor device and probe stage therefor |
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