JPH04105562U - 発光素子収納用パツケージ - Google Patents
発光素子収納用パツケージInfo
- Publication number
- JPH04105562U JPH04105562U JP1467691U JP1467691U JPH04105562U JP H04105562 U JPH04105562 U JP H04105562U JP 1467691 U JP1467691 U JP 1467691U JP 1467691 U JP1467691 U JP 1467691U JP H04105562 U JPH04105562 U JP H04105562U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- recess
- light
- reflective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】
【目的】表示文字、画像の鮮明度が高い表示装置を得る
ことができる発光素子収納用パッケージを提供すること
にある。 【構成】黒色絶縁基体1の凹部2内壁に金属反射膜8を
被着形成した。凹部2内に収容される発光ダイオード3
の光は隣接する凹部2内へ漏れることがなく、その結
果、発光ダイオード3の発する光の発光輪郭が明確とな
って表示文字、画像が鮮明となる。また発光ダイオード
3の発する光は金属反射膜8で反射して発光輝度が実質
的に向上し、その結果、表示文字、画像が明るく鮮明な
ものとなる。
ことができる発光素子収納用パッケージを提供すること
にある。 【構成】黒色絶縁基体1の凹部2内壁に金属反射膜8を
被着形成した。凹部2内に収容される発光ダイオード3
の光は隣接する凹部2内へ漏れることがなく、その結
果、発光ダイオード3の発する光の発光輪郭が明確とな
って表示文字、画像が鮮明となる。また発光ダイオード
3の発する光は金属反射膜8で反射して発光輝度が実質
的に向上し、その結果、表示文字、画像が明るく鮮明な
ものとなる。
Description
【0001】
本考案は発光ダイオード等の発光素子を用いた表示装置において発光素子を収
容するために使用される発光素子収納用パッケージの改良に関するものである。
【0002】
発光ダイオードはその輝度の向上により表示装置の表示素子として多用される
ようになってきた。
かかる発光ダイオードを使用した表示装置は通常、図2に示すように酸化アル
ミニウム質焼結体から成る白色絶縁基体12の表面に多数の凹部13をマトリクス状
に配列形成して成る発光素子収納用パッケージ11の各凹部13内に発光ダイオード
14を個々に取着収容した構造を有しており、パッケージ11の各凹部13内に収容さ
れた発光ダイオード14に電力を印加し、所定の発光ダイオード14を発光させるこ
とによって文字や画像が表示できるようになっている。
【0003】
しかしながら、近時、表示装置は表示する文字や画像の鮮明度を向上させるた
めに発光素子収納用パッケージ11への単位面積当たりの発光ダイオードの収容数
が大幅に増大しており、パッケージ11の絶縁基体12表面に形成する凹部13もその
隣接する凹部13間の壁15の厚みが0.3mm 程度の薄いものとして多数形成されるよ
うになってきた。
【0004】
そのためこの表示素子収納用パッケージ11に発光ダイオード14を収容させて表
示装置となすと、各発光ダイオード14を発光させ表示装置として作動させた場合
、各発光ダイオード14が発する光は壁15の厚さが薄いことによって壁15を透過し
、隣接する凹部14内に漏れてしまい、その結果、発光ダイオードの発光による文
字や画像ににじみが生じ、不鮮明なものとなってしまう欠点を招来した。
【0005】
そこで上記欠点を解消するために白色絶縁基体12を黒色化し、発光ダイオード
14の発する光が壁15を透過して隣接する凹部13に漏れるのを有効に防止すること
が検討されている。
【0006】
しかしながら、絶縁基体12を黒色化すると各発光ダイオード14が発する光は壁
15を透過して隣接する凹部13内に漏れることは皆無となるものの各発光ダイオー
ド14の発する光はその一部が絶縁基体12に吸収されてしまい、その結果、各発光
ダイオード14の発光輝度が実質的に低下し、表示装置として表示される文字や画
像が暗く、不鮮明なものとなる欠点が誘発される。
【0007】
本考案は黒色絶縁基体に凹部を設けるとともに該凹部内に発光素子を収容する
ように成した発光素子収納用パッケージにおいて、前記黒色絶縁基体の凹部内壁
に金属反射膜を被着させたことを特徴とするものである。
【0008】
次に本考案を添付図面に基づき詳細に説明する。
図1は本考案の発光素子収納用パッケージの一実施例を示す断面図であり、1
は黒色を呈する絶縁基体である。
【0009】
前記黒色絶縁基体1 はその上面に発光ダイオード3を収容するための多数の凹
部2がマトリクス状に配列形成されており、各凹部2の底面には発光ダイオード
3が導電性の接着材6を介して取着収容される。
【0010】
前記黒色を呈する絶縁基体1は酸化アルミニウム質焼結体に黒色の顔料を添加
したものから成り、例えば酸化アルミニウム(Al2 O 3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、マ
グネシア(MgO) 、カルシア(CaO) 等の原料粉末に顔料としての酸化モリブデン(M
oO2 ) 、酸化チタン(TiO2 ) 、酸化クロム(Cr 2 O 3 ) 等と有機溶剤、溶媒とを
添加混合して泥漿状となすとともにこれをドクターブレード法を採用することに
よってセラミックグリーンシート( セラミック生シート) を形成し、しかる後、
前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層
し、高温( 約1600℃) で焼成することによって製作される。
【0011】
前記絶縁基体1は黒色を呈することから光の透過が有効に防止され隣接する凹
部2間の壁4の厚みが0.3mm 程度の薄いものになったとしても凹部2内に収容す
る発光ダイオード3が発する光は壁4を透過して隣接する凹部2内に漏れること
は殆どなく、これによって各発光ダイオード3 の発光輪郭を明確とし、表示文字
、画像を鮮明なものとなすことができる。
【0012】
また前記黒色絶縁基体1は光の透過を有効に防止し、壁4の厚みを0.3mm 程度
まで薄くしても発光ダイオード3 の発する光が隣接する凹部2内に漏れないこと
から絶縁基体1上面における凹部の形成密度を大幅に増大させることができ、そ
の結果、発光ダイオード3の絶縁基体1における単位面積当たりの収容密度を大
とし、表示文字、画像の鮮明度をより向上させるこができる。
【0013】
前記絶縁基体1はまた各凹部2の底面から絶縁基体1 の外部にかけて各々、一
対のメタライズ配線層5 が被着形成されている。
【0014】
前記各メタライズ配線層5はタングステン(W) 、モリブデン(Mo)、マンガン(M
n)等の高融点金属粉末から成り、例えばタングステンの粉末に適当な有機溶剤、
溶媒を添加混合して得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用する
ことによって絶縁基体1に被着形成される。
【0015】
前記絶縁基体1の凹部2底面から絶縁基体1の外部にかけて被着形成した一対
のメタライズ配線層5は発光ダイオード3に外部電気回路から供給される電力を
印加して発光ダイオード3に所定の輝度の発光をさせる作用を為し、一方のメタ
ライズ配線層5上には発光ダイオード3 が該発光ダイオード3の一つの電極をメ
タライズ配線層5に電気的接続するようにして導電性接着材6により取着され、
また他方のメタライズ配線層5には発光ダイオード3 の他の電極がボンディング
ワイヤ7を介して電気的に接続される。
【0016】
尚、前記発光ダイオード3をメタライズ配線層5上に取着する導電性の接着材
6は、例えば半田等のロウ材やエポキシ樹脂に金属粉末を含有させた導電性樹脂
等が好適に使用される。
【0017】
また前記一対のメタライズ配線層5はその露出する外表面にニッケル、金等の
耐蝕性に優れ、且つ良導電性である金属をメッキにより1.0 〜20.0μm の厚みに
被着させておくとメタライズ配線層5 の酸化腐食が有効に防止されるとともにメ
タライズ配線層5 に発光ダイオード3 を取着する際、その取着強度を極めて強固
なものとなすことができる。従って、メタライズ配線層5 はその露出外表面にニ
ッケル、金等をメッキにより1.0 〜20.0μm の厚みに被着させておくことが好ま
しい。
【0018】
前記絶縁基体1の凹部2にはまたその内壁側面に金属反射膜8が被着されてい
る。
【0019】
前記金属反射膜8は凹部2内に取着された発光ダイオード3の発する光を凹部
2内で反射させ、発光ダイオード3の発光輝度を実質的に増大させる作用を為し
、これによって発光ダイオード3を発光させ表示装置として作動させた場合、発
光ダイオード3の発する光は明るく輝き、表示装置として表示される文字や画像
を明るく極めて鮮明なものとなすことができる。
【0020】
また前記金属反射膜8は金や銀、ニッケル等が好適に使用され、例えば絶縁基
体1の凹部2内壁に予めメタライズ金属層を被着させておき、該メタライズ金属
層に金や銀、ニッケル等をメッキにより被着させることによって絶縁基体1の凹
部2内壁に被着形成される。
【0021】
尚、前記金属反射膜8は絶縁基体1の凹部2内壁にメッキにより被着形成した
場合、その膜厚が0.2 μm未満となると金属反射膜8に多数のボイド(穴)が形
成されて発光ダイオード3の発する光の反射効率が悪く成る傾向にある。従って
、金属反射膜8をメッキにより形成する場合にはその膜厚を0.2 μm以上として
おくことが好ましい。
【0022】
また前記金属反射膜8は凹部2の側面内壁の全面に設けるのではなく、凹部2
底面との間に0.3mm 程度の間隔をあけて被着形成しておくと金属反射膜8と凹部
2底面のメタライズ配線層5との電気的短絡が有効に防止され、発光素子収納用
パッケージとしての信頼性が大幅に増大する。従って、金属反射膜8は絶縁基体
1に設けた凹部2の底面から0.3mm 程度の間隔をもって被着形成しておくこが好
ましい。尚、この場合、発光ダイオード3の厚みは0.5mm 程度であり、且つ発光
ダイオード3が発する光は発光ダイオード3の上面より出ることから金属反射膜
8を凹部2底面から0.3mm 程度の間隔をあけて被着形成しても金属反射膜8にお
ける発光ダイオード3の光の反射は何ら悪影響を与えない。
【0023】
かくして本考案の発光素子収納用パッケージによれば、絶縁基体1の凹部2底
面に発光ダイオード3を導電性の接着材6を介して取着するとともに発光ダイオ
ード3の電極をボンディングワイヤ7を介して電気的に接続し、しかる後、凹部
2内にエポキシ樹脂等の透明な樹脂を充填し発光ダイオード3を気密に封入すこ
とによって最終製品としての表示装置となる。
【0024】
尚、本考案は上述の実施例に限定されるものではなく、本考案の要旨を逸脱し
ない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば金属反射膜8をメッキにより
被着形成するのに代えて金や銀、ニッケル等の粉末に有機溶剤や溶媒を添加混合
し金属ペーストを得るとともに該金属ペーストを従来周知の厚膜手法により絶縁
基体1の凹部2内壁に印刷塗布し、しかる後、これを高温で焼き付けることよっ
て被着形成してもよい。
【0025】
【考案の効果】
本考案の発光素子収納用パッケージによれば絶縁基体が黒色を呈することから
光の透過が有効に防止され、隣接する凹部間の壁の厚みが0.3mm 程度の薄いもの
になったとしても凹部内に収容する発光ダイオードが発する光は壁を透過して隣
接する凹部内に漏れることは殆どなく、これによって各発光ダイオードの発光輪
郭を明確とし、表示文字、画像を鮮明なものとなすことができる。
【0026】
また黒色絶縁基体は光の透過を有効に防止し、壁の厚みを0.3mm 程度まで薄く
しても発光ダイオードの発する光が隣接する凹部内に漏れないことから絶縁基体
上面における凹部の形成密度を大幅に増大させることができ、その結果、発光ダ
イオードの絶縁基体における単位面積当たりの収容密度を大とし、表示文字、画
像の鮮明度をより向上させるこができる。
【0027】
更に絶縁基体はその凹部内壁に金属反射膜が被着形成されていることから発光
ダイオードの発する光は金属反射膜によって反射され、その結果、発光ダイオー
ドの発光輝度が実質的に増大し、発光ダイオードの発する光は明るく輝き、表示
装置として表示される文字や画像を明るく極めて鮮明なものとなすこともできる
。
【図1】本考案の発光素子収納用パッケージの一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図2】従来の発光素子収納用パッケージの一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
1・・・黒色絶縁基体
2・・・凹部
3・・・発光ダイオード
4・・・壁
5・・・メタライズ配線層
8・・・金属反射膜
Claims (1)
- 【請求項1】黒色絶縁基体に凹部を設けるとともに該凹
部内に発光素子を収容するように成した発光素子収納用
パッケージにおいて、前記黒色絶縁基体の凹部内壁に金
属反射膜を被着させたことを特徴とする発光素子収納用
パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1991014676U JP2556486Y2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 発光素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1991014676U JP2556486Y2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 発光素子収納用パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04105562U true JPH04105562U (ja) | 1992-09-10 |
JP2556486Y2 JP2556486Y2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=31902117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1991014676U Expired - Lifetime JP2556486Y2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 発光素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2556486Y2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005347375A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光素子用ステム及び光半導体装置 |
JP2007214591A (ja) * | 2007-04-26 | 2007-08-23 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージ及び発光装置 |
JP2009206466A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-09-10 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
JP2014064003A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
US11424210B2 (en) | 2003-04-01 | 2022-08-23 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting package |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48104492A (ja) * | 1972-03-29 | 1973-12-27 | ||
JPS54150479U (ja) * | 1978-04-10 | 1979-10-19 | ||
JPH01149681U (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-17 |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP1991014676U patent/JP2556486Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48104492A (ja) * | 1972-03-29 | 1973-12-27 | ||
JPS54150479U (ja) * | 1978-04-10 | 1979-10-19 | ||
JPH01149681U (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-17 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11424210B2 (en) | 2003-04-01 | 2022-08-23 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting package |
US11476227B2 (en) | 2003-04-01 | 2022-10-18 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
JP2005347375A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光素子用ステム及び光半導体装置 |
JP2007214591A (ja) * | 2007-04-26 | 2007-08-23 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージ及び発光装置 |
JP2009206466A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-09-10 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
JP2014064003A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2556486Y2 (ja) | 1997-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5742353B2 (ja) | 発光素子用基板および発光装置 | |
JPH07288341A (ja) | Ledディスプレイ | |
JP5583051B2 (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP2003273405A (ja) | 発光素子収納用パッケージ | |
JP2004289106A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP4369738B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JPH08274378A (ja) | 発光素子収納用パッケージ | |
JP4822980B2 (ja) | 電子部品搭載用基板および電子装置、ならびに電子装置の製造方法 | |
JP2004207678A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2556486Y2 (ja) | 発光素子収納用パッケージ | |
JP4163932B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2004207672A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP6642552B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2014157949A (ja) | 配線基板および電子装置 | |
JP4129169B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2005174998A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP4336136B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JPH051255U (ja) | 発光素子収納用パツケージ | |
JP2004172577A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP4012766B2 (ja) | 発光素子搭載用基板及び発光装置 | |
JPH05335627A (ja) | 発光素子収納用パッケージ | |
JPH0628921U (ja) | 発光素子収納用パッケージ | |
JP2005101329A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP4183175B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2007214591A (ja) | 発光素子収納用パッケージ及び発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |