JPH04103062U - 光源一体型イメ−ジセンサ - Google Patents
光源一体型イメ−ジセンサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 EL発光素子と受光素子とを一体化した光源
一体型イメ−ジセンサにおいて、一画素が読み取る原稿
の領域からの反射光を各受光素子に効率よく入射させ
て、各受光素子の分解能の向上を図る。 【構成】 各受光素子に対応するようにマイクロレンズ
を形成し、このマイクロレンズを凸レンズとして作用さ
せる。
一体型イメ−ジセンサにおいて、一画素が読み取る原稿
の領域からの反射光を各受光素子に効率よく入射させ
て、各受光素子の分解能の向上を図る。 【構成】 各受光素子に対応するようにマイクロレンズ
を形成し、このマイクロレンズを凸レンズとして作用さ
せる。
Description
【0001】
本考案は、ファクシミリやイメ−ジスキャナ等に使用される画像読取装置に関
し、特に光源を薄膜EL発光素子で形成して受光素子と一体化した光源一体型イ
メ−ジセンサにおいて、画像読取の分解能の向上を図るための構造に関する。
【0002】
従来、ファクシミリやスキャナ等に使用される画像読取装置は、蛍光灯光源と
、原稿幅長を有する密着型のイメ−ジセンサと、原稿からの反射光をイメ−ジセ
ンサに結像させる等倍光学系とから成り、原稿からの濃度に応じた反射光による
光信号を電気信号として直線状に配置されたイメ−ジセンサの受光素子アレイに
蓄積し、この電気信号を時系列的に出力して原稿の1ライン(主走査方向)に相
当する画像信号を得るものである。そして、原稿送り手段(図示せず)により原
稿を移動(副走査方向)させて上述の動作を繰り返し、原稿面全体の画像情報を
読み取る。この画像読取装置によれば、縮小光学系を用いる方式に比較して装置
の小型化を図ることができるが、等倍光学系としてロッドレンズアレイ等を使用
するので小型化に限度があるという欠点があった。
【0003】
そこで、超小型の画像読取装置として、光源としてEL発光素子を用い、EL
発光素子と密着型イメ−ジセンサとを一体化した光源一体型イメ−ジセンサが提
案されている。
【0004】
この光源一体型イメ−ジセンサは、例えば図6及び図7に示すように、絶縁基
板60上に形成された受光素子アレイ61と、透明基板70上に形成されたEL
発光素子71とを、透光層80を挟んで相対向するように配置して構成される。
前記受光素子アレイ61は、図の左右方向(主走査方向)に一列にアレイ状に並
べられた複数の受光素子62から成り、この受光素子62がイメ−ジセンサにお
ける画素に対応している。
【0005】
EL発光素子71は、発光層74を絶縁膜73を介してそれぞれ透明電極72
と金属電極75とで挟んで形成されている。金属電極75は、発光層74から発
光する光が受光素子62に直接入射しない遮光層としての機能をもっている。ま
た金属電極75には前記受光素子62に対応するように複数の方形状の透光窓7
6が設けられ、EL発光素子71から発光した光が、透明基板70の反発光素子
側に配置した原稿90面を照射し、その反射光が受光素子アレイ61の各受光素
子62に入射するように構成している。
【0006】
しかしながら上述した画像読取装置の構造によると、原稿90面からの反射光
を受光素子62上に集光させる導光系が備わっていないので次のような問題点が
あった。
【0007】
すなわち受光素子62aに着目して説明すると、受光素子62aには、当該受
光素子62aが読み取るべき原稿面画素Zからの反射光のすべてが透光窓76を
通って導かれるべきである。しかしながら、原稿面画素Zからの反射光の拡がり
によりその一部は当該受光素子62aへ入射せずに、隣接する受光素子62bに
入射してしまう。このような場合、各受光素子62においては、入射した反射光
に対して電荷が発生するので、読み取り分解能の低下をまねき階調再現性を悪化
させるという問題点があつた。
【0008】
本考案は上記実情に鑑みてなされたもので、イメ−ジセンサにおける一画素が
読み取る原稿の領域からの反射光が各受光素子に効率よく入射することにより、
各受光素子の分解能の向上を図ることができる光源一体型イメ−ジセンサの構造
を提供することを目的とする。
【0009】
上記従来例の問題点を解決するため本考案に係る光源一体型イメ−ジセンサは
、絶縁基板上に形成された多数の受光素子と、透明基板上に形成された発光素子
とを透光層を挟んで相対向するように配置し、前記発光素子からの光を前記透明
基板の反発光素子側に配置した原稿面に照射させ、その反射光が前記受光素子に
入射するようにした光源一体型イメ−ジセンサにおいて、前記各受光素子に対応
する位置の発光素子側に、受光素子方向に凸状となるマイクロレンズを設けると
ともに、該マイクロレンズより屈折率の低い媒体で前記透光層を形成したことを
特徴としている。
【0010】
本考案によれば、各受光素子に対応するようにマイクロレンズを設け、マイク
ロレンズより屈折率の低い媒体で透光層を形成することにより、マイクロレンズ
を凸レンズとして作用させて前記各受光素子に対応する原稿面画素からの反射光
の全てを、前記マイクロレンズを介して当該各受光素子に導かせることができる
。
【0011】
本考案の一実施例について図面を参照しながら説明する。図3は実施例に係る
光源一体型イメ−ジセンサの平面説明図であり、図1は図3のA−A断面説明図
、図2は同上のB−B断面説明図をそれぞれ示している。
【0012】
この光源一体型イメ−ジセンサは、絶縁基板1上にライン状に多数の受光素子
10を形成したイメ−ジセンサと、ガラス等から成る透明基板2上に形成された
EL発光素子20とで、透光性部材から成る接着剤層30を挟んで構成されてい
る。
イメ−ジセンサは、絶縁基板1上にドット分離形状の多数の個別電極11,該
個別電極11を覆う帯状の光電変換層12,帯状の共通電極13を順次積層し、
光電変換層12を個別電極11と共通電極13とで挟んだ部分が各受光素子10
を構成している。
【0013】
EL発光素子20は、100μmの基板厚を有する透明基板2上に透明電極2
1,絶縁層22,発光層23,絶縁層24,金属電極25を順次積層して構成さ
れている。金属電極25には、発光層23から発光した光が透明基板2上に配置
された原稿面で反射し、反射光が前記受光素子10に入射するように、各受光素
子10上に対応する位置に方形状の光入射窓26が開口形成されている。
【0014】
また、前記各受光素子10に対応する位置の発光素子側には、受光素子10方
向に凸状となる半球状のマイクロレンズ40がそれぞれ形成されている。
【0015】
受光素子10が形成された絶縁基板1とEL発光素子20が形成された透明基
板2とは、接着剤層30により各受光素子10と前記光入射窓26とが対応する
ように接合して一体化されている。接着剤層30には球状スペ−サ(図示せず)
が混合されており、この球状スペ−サが受光素子側及びEL発光素子側に当接す
ることにより、EL発光素子20と受光素子10との距離を一定距離(略球状ス
ペ−サの直径に等しい。本実施例では90μm程度とした)に確保している。ま
た、マイクロレンズ40と受光素子10との間には、受光素子10のアレイ方向
に帯状となる透光層31が形成されている。
【0016】
透光層31には、前記マイクロレンズ40を構成する材料より屈折率の低い媒
体、例えば、空気(屈折率1.000),アルゴン(屈折率1.0003),窒
素(屈折率1.0003),ヘリウム(屈折率1.0004),ネオン(屈折率
1.00007)等、屈折率が略1.00の気体が充填されている。
【0017】
次に上述の光源一体型イメ−ジセンサの製造方法について説明する。
【0018】
絶縁基板1上に図1の左右方向に複数個配設する個別電極(クロムパタ−ン)
11,光電変換層(a−Si)12,帯状の透明電極(ITO)13を順次積層
してアレイ状に配置される受光素子10を形成する。個別電極(クロムパタ−ン
)11及び光電変換層(a−Si)12,帯状の透明電極(ITO)13は、そ
れぞれフォトリソ及びエッチング工程により形成される。
【0019】
50〜200μm程度の厚さのガラスで形成された透明基板2上にITO,I
n2 O3 ,SnO2 等から成る透明電極21,Y2 O3 ,Si3 N4 ,BaTi
O3 等から成る絶縁層22,ZnS:Mn等から成る発光層23,同上の絶縁層
24,アルミニウム等の金属から成る不透明な金属電極25を順次積層してEL
発光素子20を形成し、前記金属電極25をフォトリソ法によりエッチングして
前記受光素子10に対応する光入射窓26を形成する。
【0020】
前記光入射窓26を覆うように透光性の第1フォトレジスト(シプレイ製 1
400−27)を塗布し、フォトリソ法によりエッチングし、さらに180℃以
上の温度でも溶けないように紫外線照射と熱処理を施して各光入射窓26を塞ぐ
ように円板状のベ−ス41を形成する。次に、透光性の第2フォトレジスト(シ
プレイ製 屈折率1.65)を塗布し、露光及び現像を行なって前記ベ−ス41
上に高さ50μm程度の円柱状に前記第2フォトレジストが残るようにする。続
いて、140℃程度の熱処理を施し前記第2フォトレジストを溶かすことにより
、その表面張力により半球状に変形し、その後、硬化してマイクロレンズ40が
形成される。前記ベ−ス41は、その上面を円形状とすることにより、熱処理を
施す際に前記第2フォトレジストを半球状に変形させるために設けたものである
。
【0021】
次に、2つの帯状開口部51,51が形成されたエマルジョン厚のスクリ−ン
マスク50(図4)を絶縁基板1上に配置し、球状スペ−サ(例えば、積水ファ
インケミカル(株)製 ミクロパ−ル SP)を混合分散させた接着剤(ト−レ
シリコ−ン製 JCR6123,住友化学製 SX2016 等)30′を塗布
し、スキ−ジ52を使用して印刷し、受光素子アレイ上に長方形の溝部30aを
形成する(図5)。前記球状スペ−サは、真球形硬質プラスチック微粒子から成
り、耐熱性,絶縁性を有している。図4及び図5においては、受光素子10の光
電変換層12及び共通電極13を省略している。スキ−ジ52の硬度は、スクリ
−ンマスクの厚さで接着剤層30の膜厚を設定できるようにするため、高いほう
が好ましい。また、前記スクリ−ンマスク50の厚さは、球状スペ−サの直径よ
り5〜30μm厚いものを使用する。また、前記スクリ−ンマスク50の代わり
にメタルマスクを使用してもよい。
【0022】
そして、受光素子10が形成された絶縁基板1と透明基板2とを、受光素子ア
レイ上に前記溝部30a(接着剤が印刷されていない場所)が位置して各受光素
子10に前記マイクロレンズ40が対向するように透明基板2上から均一に加圧
し、各受光素子10とマイクロレンズ40との間に気体を存しさせた透光層31
を形成して両者を接合する。受光素子10とマイクロレンズ40と光入射窓26
との位置関係は、図3に示すように、光入射窓26を覆うようマイクロレンズ4
0が配置されるとともに、受光素子10内にマイクロレンズ40が位置している
。そして、最後に150℃、1時間で接着剤を硬化させる。
【0023】
前記透光層31に保持される気体は、接着工程をどのような環境下で行なうか
で決まる。すなわち、前記気体を空気層とするには、乾燥空気環境下で接着工程
を行なえばよい。また、空気以外の気体層とするためには、絶縁基板1及び透明
基板2をグロ−ブボックスに入れ、一旦真空にした後、所望の気体(アルゴン,
窒素,ヘリウム等)をグロ−ブボックス中に充填し、その中で接着工程を行なえ
ばよい。また、透光層31を上記した気体層で構成することにより、マイクロレ
ンズ40の外側をマイクロレンズ40の屈折率(1.65)より低い媒体(屈折
率が略1.00)で覆うことができ、マイクロレンズ40を凸レンズとして作用
させることができる。
【0024】
上述した光源一体型イメ−ジセンサによれば、各受光素子10に対応するよう
にマイクロレンズ40を設けて凸レンズの役目をさせたので、受光素子10に対
応する原稿面画素からの反射光をマイクロレンズ40で屈折させて、原稿面画素
に対応する受光素子10に前記反射光の全てを導くことができるので、原稿から
の反射光のコントラストが各受光素子10面上で低下するのを抑えて読み取り分
解能を向上させることができる。
【0025】
本考案によれば、各受光素子に対応するようにマイクロレンズを設け、マイク
ロレンズより屈折率の低い媒体で透光層を形成することにより、マイクロレンズ
を凸レンズとして作用させて前記各受光素子に対応する原稿面画素からの反射光
の全てを、前記マイクロレンズを介して当該各受光素子に導かせることができる
。その結果、原稿からの反射光が拡がることを防止して読み取り分解能の向上を
図ることができる。
【図1】本考案の一実施例に係る光源一体型イメ−ジセ
ンサの主走査方向に沿った面での断面説明図である。
ンサの主走査方向に沿った面での断面説明図である。
【図2】本考案の一実施例に係る光源一体型イメ−ジセ
ンサの副走査方向に沿った面での断面説明図である。
ンサの副走査方向に沿った面での断面説明図である。
【図3】本考案の一実施例に係る光源一体型イメ−ジセ
ンサの平面説明図である。
ンサの平面説明図である。
【図4】実施例の光源一体型イメ−ジセンサの製造工程
の一部を示す斜視説明図である。
の一部を示す斜視説明図である。
【図5】実施例の光源一体型イメ−ジセンサの製造工程
の一部を示す斜視説明図である。
の一部を示す斜視説明図である。
【図6】従来の光源一体型イメ−ジセンサの主走査方向
に沿った断面説明図である。
に沿った断面説明図である。
【図7】従来の光源一体型イメ−ジセンサの平面説明図
である。
である。
1 絶縁基板
10 受光素子
11 個別電極
12 光電変換層
13 共通電極
2 透明基板
20 EL発光素子
21 透明電極
22 絶縁層
23 発光層
24 絶縁層
25 金属電極
26 光入射窓
30 接着剤層
31 透光層
40 マイクロレンズ
Claims (1)
- 【請求項1】 絶縁基板上に形成された多数の受光素子
と、透明基板上に形成された発光素子とを透光層を挟ん
で相対向するように配置し、前記発光素子からの光を前
記透明基板の反発光素子側に配置した原稿面に照射さ
せ、その反射光が前記受光素子に入射するようにした光
源一体型イメ−ジセンサにおいて、前記各受光素子に対
応する位置の発光素子側に、受光素子方向に凸状となる
マイクロレンズを設けるとともに、該マイクロレンズよ
り屈折率の低い媒体で前記透光層を形成したことを特徴
とする光源一体型イメ−ジセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1110091U JPH04103062U (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 光源一体型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1110091U JPH04103062U (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 光源一体型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04103062U true JPH04103062U (ja) | 1992-09-04 |
Family
ID=31744418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1110091U Pending JPH04103062U (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 光源一体型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04103062U (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63214058A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Hitachi Ltd | 密着イメ−ジセンサ |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP1110091U patent/JPH04103062U/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63214058A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Hitachi Ltd | 密着イメ−ジセンサ |
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