JPH04100568A - 単分子膜形成方法 - Google Patents
単分子膜形成方法Info
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- JPH04100568A JPH04100568A JP21493190A JP21493190A JPH04100568A JP H04100568 A JPH04100568 A JP H04100568A JP 21493190 A JP21493190 A JP 21493190A JP 21493190 A JP21493190 A JP 21493190A JP H04100568 A JPH04100568 A JP H04100568A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 85
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は単分子膜形成方法に関するものである。
例えば液晶表示素子等の各種光学素子の基板面に、配向
膜等の分子配列方向が一方向にそろった樹脂膜を形成す
る方法として、Ｌ Ｂ （Ｌａｎｇｕｓｕｌｒ−ＢＩＯ
ｄｇｅｔｔ）法と呼ばれる方法がある。
膜等の分子配列方向が一方向にそろった樹脂膜を形成す
る方法として、Ｌ Ｂ （Ｌａｎｇｕｓｕｌｒ−ＢＩＯ
ｄｇｅｔｔ）法と呼ばれる方法がある。
このＬＢ法は、静水面上に前記配向膜や光学膜等となる
液状物質を滴下してその単分子を膜状に流し拡げ、この
単分子の膜を基板面に移し取ってこの基板面に単分子膜
を形成する方法である。
液状物質を滴下してその単分子を膜状に流し拡げ、この
単分子の膜を基板面に移し取ってこの基板面に単分子膜
を形成する方法である。
第４図は上記ＬＢ法による従来の単分子膜形成方法を示
しており、図中１は内部に水２を満たした水槽、３はこ
の水槽１内の水面部を水平移動する水平なバー状の移動
バリアである。この単分子膜形成方法による単分子膜の
形成は次のようにして行なわれている。
しており、図中１は内部に水２を満たした水槽、３はこ
の水槽１内の水面部を水平移動する水平なバー状の移動
バリアである。この単分子膜形成方法による単分子膜の
形成は次のようにして行なわれている。
まず、単分子膜を形成する基板４を水槽１内の水中に垂
直に浸漬した状態で、移動バリア３と基板４との間の水
面上に液状物質を滴下し、その単分子を膜状に流し拡げ
る。なお、この単分子は、分子の両端に親水性基ａと疎
水性基すとをもつ両親媒性の単分子であり、この水面上
を膜状に流れ拡がった単分子は、その全てが、疎水性基
すをもつ側の端部が上に向いた状態にそろう。
直に浸漬した状態で、移動バリア３と基板４との間の水
面上に液状物質を滴下し、その単分子を膜状に流し拡げ
る。なお、この単分子は、分子の両端に親水性基ａと疎
水性基すとをもつ両親媒性の単分子であり、この水面上
を膜状に流れ拡がった単分子は、その全てが、疎水性基
すをもつ側の端部が上に向いた状態にそろう。
次に、移動バリア３を基板４側に移動させて水面上の単
分子を密集させ、この単分子の膜Ａを、一定の表面圧に
なるように調整する。
分子を密集させ、この単分子の膜Ａを、一定の表面圧に
なるように調整する。
この後は、水面上の単分子１１Ａを移動バリア３により
基板４側に押しながら、これに同調させて基板４を垂直
に引上げて行けばよく、このようにして基板４を引上げ
て行くと、水面上の単分子膜Ａが基板４の引上げにとも
なって基板４面に移し取られ、基板４面に上記単分子膜
Ａが形成される。
基板４側に押しながら、これに同調させて基板４を垂直
に引上げて行けばよく、このようにして基板４を引上げ
て行くと、水面上の単分子膜Ａが基板４の引上げにとも
なって基板４面に移し取られ、基板４面に上記単分子膜
Ａが形成される。
なお、この基板４としては、親水性基板かあるいは単分
子膜形成面に親木処理を施した基板が用いられており、
したがって、この基板４面に形成された単分子膜Ａは、
全ての単分子が親水性基ａをもつ側の端部において基板
４面に付着した−様な膜となる。
子膜形成面に親木処理を施した基板が用いられており、
したがって、この基板４面に形成された単分子膜Ａは、
全ての単分子が親水性基ａをもつ側の端部において基板
４面に付着した−様な膜となる。
なお、この方法で基板４面に形成される単分子膜Ａの膜
厚は、単分子が一層に並んだ極めて薄い膜であるが、上
記工程を繰返して基板４面に単分子膜Ａを複数層に積層
すれば、任意の膜厚の被膜を得ることができる。
厚は、単分子が一層に並んだ極めて薄い膜であるが、上
記工程を繰返して基板４面に単分子膜Ａを複数層に積層
すれば、任意の膜厚の被膜を得ることができる。
しかしながら、上記従来の単分子膜形成方法は、基板４
を水槽１内の水中に垂直に浸漬して、この基板４を引上
げながら水面上の単分子膜Ａを直接基板４面に移し取る
ものであるため、基板４の面積が大きいほど深さの大き
な水槽１を使用しなければならないという問題をもって
いた。すなわち、例えば基板４面にその全体にわたって
単分子膜Ａを形成する場合は、水槽１として、その長さ
が移動バリア３の移動ストローク〔単分子膜Ａの表面圧
調整に要する移動ストロークと、基板４の引上げに同調
して単分子膜Ａを基板４側に押して行くときの移動スト
ローク（基板４の長さ）との合計ストローク〕に基板４
の浸漬スペースを加えた長さ以上で、幅が基板４の幅量
上のものが必要であるが、これに加えて、従来の単分子
膜形成方法では、水槽１の深さを、基板１の長さ以上に
する必要がある。そして、このように水槽１の深さが大
きいと、水槽１にかかる水圧が高くなるため、水槽１の
耐圧強度を高くしなければならず、したがって、水槽１
の製作費が高くなるだけでなく、水槽１の重量が大きく
なって、水槽１を設置する架台も高強度のものとする必
要がある。しかも、上記従来の単分子膜形成方法では、
水槽１から基板４を引上げながら水面上の単分子膜Ａを
基板４面に移し取るものであるため、水槽１の上方に基
板４の長さに応じた基板引上げスペースを確保しなれれ
ばならなかった。
を水槽１内の水中に垂直に浸漬して、この基板４を引上
げながら水面上の単分子膜Ａを直接基板４面に移し取る
ものであるため、基板４の面積が大きいほど深さの大き
な水槽１を使用しなければならないという問題をもって
いた。すなわち、例えば基板４面にその全体にわたって
単分子膜Ａを形成する場合は、水槽１として、その長さ
が移動バリア３の移動ストローク〔単分子膜Ａの表面圧
調整に要する移動ストロークと、基板４の引上げに同調
して単分子膜Ａを基板４側に押して行くときの移動スト
ローク（基板４の長さ）との合計ストローク〕に基板４
の浸漬スペースを加えた長さ以上で、幅が基板４の幅量
上のものが必要であるが、これに加えて、従来の単分子
膜形成方法では、水槽１の深さを、基板１の長さ以上に
する必要がある。そして、このように水槽１の深さが大
きいと、水槽１にかかる水圧が高くなるため、水槽１の
耐圧強度を高くしなければならず、したがって、水槽１
の製作費が高くなるだけでなく、水槽１の重量が大きく
なって、水槽１を設置する架台も高強度のものとする必
要がある。しかも、上記従来の単分子膜形成方法では、
水槽１から基板４を引上げながら水面上の単分子膜Ａを
基板４面に移し取るものであるため、水槽１の上方に基
板４の長さに応じた基板引上げスペースを確保しなれれ
ばならなかった。
本発明は上記のような実情にかんがみてなされたもので
あって、その目的とするところは、使用する水槽が深さ
の浅いものでよく、しかも水槽の上方に確保しなければ
ならないスペースも小さくてすむようにした、単分子膜
形成方法を提供することにある。
あって、その目的とするところは、使用する水槽が深さ
の浅いものでよく、しかも水槽の上方に確保しなければ
ならないスペースも小さくてすむようにした、単分子膜
形成方法を提供することにある。
本発明の単分子膜形成方法は、水槽内の水面上に流し拡
げた単分子膜を、前記水面下に浸漬させて設けた回転ド
ラムの外周面に付着させて引上げるとともに、この回転
ドラムの上に前記基板を搬入してこの基板を前記回転ド
ラムの回転に同調させて送りながら、前記回転ドラムの
外周面に付着した前記単分子膜を前記基板面に転写する
ことを特徴とするものである。
げた単分子膜を、前記水面下に浸漬させて設けた回転ド
ラムの外周面に付着させて引上げるとともに、この回転
ドラムの上に前記基板を搬入してこの基板を前記回転ド
ラムの回転に同調させて送りながら、前記回転ドラムの
外周面に付着した前記単分子膜を前記基板面に転写する
ことを特徴とするものである。
すなわち、本発明は、水面上の単分子膜を回転ドラムを
介して基板面に移し取るも・のてあり、このようにすれ
ば、使用する水槽は、前記回転ドラムの下部が水面下に
浸漬するだけの深さのもので十分であるし、また、水槽
の上方には、前記回転ドラムの上を移動する基板の移動
スペースがあれば十分である。
介して基板面に移し取るも・のてあり、このようにすれ
ば、使用する水槽は、前記回転ドラムの下部が水面下に
浸漬するだけの深さのもので十分であるし、また、水槽
の上方には、前記回転ドラムの上を移動する基板の移動
スペースがあれば十分である。
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図を参照し
て説明する。
て説明する。
まず、単分子膜の形成に使用する装置の構成を説明する
と、この装置は、第１図に示すように、内部に水１２を
満たした水槽と、この水槽１１内の水面部を水平移動す
る移動バリア１３と、水槽１１内の水面上につくられた
単分子膜Ａを基板１０面に転写するための回転ドラム１
４とからなっている。前記移動バリア１３は、水槽１１
内の水面上の単分子膜Ａを回転ドラム１４側に押し移動
するもので、この移動バリア１３は、水槽１１のほぼ全
幅にわたる長さの水平なバーがらなっており、そのほぼ
下半分は水槽１１内の水面下に浸漬させである。この移
動バリア１３は、水槽１１の両側壁に設けたレール（図
示せず）に支持されており、図示しない移動機構によっ
て、水槽１１の一端側（図において右側）から他端側に
水平移動されるようになっている。また、回転ドラム１
４は、水槽１１のほぼ全幅にわたる長さのもので、この
回転ドラム１４は、その全体あるいは外周面をガラス等
の親水性物質で形成した親水性ドラムとされている。そ
して、この回転ドラム１４は、そのほぼ下半分を水面下
に浸漬させた状態で、水槽１１内の他端側に移動バリア
１３と平行に設けられている。この回転ドラム１４は、
水槽１１の両側壁に回転可能に支持されており、図示し
ない回転機構によって、移動バリア１３と対向する側が
水面下から水面上に向がう回転方向に回転されるように
なっている。また、図示しないが、水槽１１の上方には
、単分子膜Ａを形成する基板１０をその単分子膜形成面
を下に向けた状態で水平に支持して、この基板１０を水
槽１１の一端側から他端側に搬送する基板搬送機構が設
けられている。この基板搬送機構は、回転ドラム１４の
回転に同調して基板１０を搬送するもので、基板１０は
、その先端側から回転ドラム１４の上に搬入されてその
下面が回転ドラム１４の外周面に接し、この状態で水槽
１１の他端側に向けて水平に搬送される。なお、１５は
基板押えローラであり、基板１０は、この基板押えロー
ラ１５によって、極く軽い接触圧（基板１０と回転ドラ
ム１４との間に単分子膜Ａが入れる接触圧）で回転ドラ
ム１４の外周面に接触される。なお、この基板１０とし
ては、疎水性樹脂等からなる疎水性基板か、あるいはガ
ラス等の基板面にパラフィン等の疎水性物質を塗布して
疎水処理を施したものを用いる。
と、この装置は、第１図に示すように、内部に水１２を
満たした水槽と、この水槽１１内の水面部を水平移動す
る移動バリア１３と、水槽１１内の水面上につくられた
単分子膜Ａを基板１０面に転写するための回転ドラム１
４とからなっている。前記移動バリア１３は、水槽１１
内の水面上の単分子膜Ａを回転ドラム１４側に押し移動
するもので、この移動バリア１３は、水槽１１のほぼ全
幅にわたる長さの水平なバーがらなっており、そのほぼ
下半分は水槽１１内の水面下に浸漬させである。この移
動バリア１３は、水槽１１の両側壁に設けたレール（図
示せず）に支持されており、図示しない移動機構によっ
て、水槽１１の一端側（図において右側）から他端側に
水平移動されるようになっている。また、回転ドラム１
４は、水槽１１のほぼ全幅にわたる長さのもので、この
回転ドラム１４は、その全体あるいは外周面をガラス等
の親水性物質で形成した親水性ドラムとされている。そ
して、この回転ドラム１４は、そのほぼ下半分を水面下
に浸漬させた状態で、水槽１１内の他端側に移動バリア
１３と平行に設けられている。この回転ドラム１４は、
水槽１１の両側壁に回転可能に支持されており、図示し
ない回転機構によって、移動バリア１３と対向する側が
水面下から水面上に向がう回転方向に回転されるように
なっている。また、図示しないが、水槽１１の上方には
、単分子膜Ａを形成する基板１０をその単分子膜形成面
を下に向けた状態で水平に支持して、この基板１０を水
槽１１の一端側から他端側に搬送する基板搬送機構が設
けられている。この基板搬送機構は、回転ドラム１４の
回転に同調して基板１０を搬送するもので、基板１０は
、その先端側から回転ドラム１４の上に搬入されてその
下面が回転ドラム１４の外周面に接し、この状態で水槽
１１の他端側に向けて水平に搬送される。なお、１５は
基板押えローラであり、基板１０は、この基板押えロー
ラ１５によって、極く軽い接触圧（基板１０と回転ドラ
ム１４との間に単分子膜Ａが入れる接触圧）で回転ドラ
ム１４の外周面に接触される。なお、この基板１０とし
ては、疎水性樹脂等からなる疎水性基板か、あるいはガ
ラス等の基板面にパラフィン等の疎水性物質を塗布して
疎水処理を施したものを用いる。
次に、上記装置によって行なわれる前記基板１０面への
単分子膜Ａの形成方法を説明する。
単分子膜Ａの形成方法を説明する。
まず、水槽１１上への基板１０の搬入に先立って、移動
バリア１３を水槽１１の一端側の復帰位置に移動させ、
この状態で水槽１１内の移動バリア１３と回転ドラム１
４との間の水面上に液状物質を滴下して、その単分子を
水面上に膜状に流し拡げる。この単分子は、分子（図示
せず）の両端に親水性基ａと疎水性基すとをもつ両親媒
性の単分子であり、この水面上を膜状に流れ拡がった単
分子は、その全てが、疎水性基すをもつ側の端部が上に
向いた状態にそろう。
バリア１３を水槽１１の一端側の復帰位置に移動させ、
この状態で水槽１１内の移動バリア１３と回転ドラム１
４との間の水面上に液状物質を滴下して、その単分子を
水面上に膜状に流し拡げる。この単分子は、分子（図示
せず）の両端に親水性基ａと疎水性基すとをもつ両親媒
性の単分子であり、この水面上を膜状に流れ拡がった単
分子は、その全てが、疎水性基すをもつ側の端部が上に
向いた状態にそろう。
次に、復帰位置にある移動バリア１３を回転ドラム１４
側に移動させて水面上の単分子を密集させ、この単分子
の膜Ａを、一定の表面圧になるように調整する。
側に移動させて水面上の単分子を密集させ、この単分子
の膜Ａを、一定の表面圧になるように調整する。
この後は、水面上の単分子膜Ａを移動バリア３により回
転トラム１４側に押しながら、これに同調させて回転ド
ラム１４を回転させることにより、水面上の単分子ＨＡ
を回転ドラム１４の外周面に付着させて引上げるととも
に、この回転ドラム１４の上に基板１Ｇを搬入して、こ
の基板１０を回転ドラム１４の回転に同調させて送り、
回転ドラム１４の外周面に付着した単分子膜Ａを基板１
０の下面に転写して行く。なお、前記回転ドラム１４は
親水性ドラムであるため、回転ドラム１４の外周面に付
着する単分子膜Ａは、全ての単分子が親水性基ａをもつ
側の端部において回転ドラム１４に付着した−様な膜と
なり、また前記基板１０は、疎水性基板かあるいは疎水
処理を施した基板であるため、この基板１０面に付着し
た単分子膜Ａは、全ての単分子が疎水性基すをもつ側の
端部において基板１０に付着した−様な膜となる。
転トラム１４側に押しながら、これに同調させて回転ド
ラム１４を回転させることにより、水面上の単分子ＨＡ
を回転ドラム１４の外周面に付着させて引上げるととも
に、この回転ドラム１４の上に基板１Ｇを搬入して、こ
の基板１０を回転ドラム１４の回転に同調させて送り、
回転ドラム１４の外周面に付着した単分子膜Ａを基板１
０の下面に転写して行く。なお、前記回転ドラム１４は
親水性ドラムであるため、回転ドラム１４の外周面に付
着する単分子膜Ａは、全ての単分子が親水性基ａをもつ
側の端部において回転ドラム１４に付着した−様な膜と
なり、また前記基板１０は、疎水性基板かあるいは疎水
処理を施した基板であるため、この基板１０面に付着し
た単分子膜Ａは、全ての単分子が疎水性基すをもつ側の
端部において基板１０に付着した−様な膜となる。
なお、上記工程で基板１０面に形成される単分子膜Ａの
膜厚は、単分子が一層に並んだ極めて薄い躾であるが、
基板１０面に単分子膜Ａを複数層に積層すれば、任意の
膜厚の被膜を得ることができる。この場合は、上記のよ
うにして単分子ＨＡを転写した基板１０を回転ドラム１
４から浮かせた状態で水槽１１の一端側に逆送りすると
ともに、この基板１０の逆送り時間を利用して移動バリ
ア１３を復帰位置に移動させ、この後水面上に液状物質
を滴下して単分子膜Ａをつくり、この単分子膜Ａを回転
ドラム１４を介して基板１０面に転写する工程を繰返し
て、所望の膜厚になるまで基板１０面に単分子膜Ａを積
層すればよい。
膜厚は、単分子が一層に並んだ極めて薄い躾であるが、
基板１０面に単分子膜Ａを複数層に積層すれば、任意の
膜厚の被膜を得ることができる。この場合は、上記のよ
うにして単分子ＨＡを転写した基板１０を回転ドラム１
４から浮かせた状態で水槽１１の一端側に逆送りすると
ともに、この基板１０の逆送り時間を利用して移動バリ
ア１３を復帰位置に移動させ、この後水面上に液状物質
を滴下して単分子膜Ａをつくり、この単分子膜Ａを回転
ドラム１４を介して基板１０面に転写する工程を繰返し
て、所望の膜厚になるまで基板１０面に単分子膜Ａを積
層すればよい。
すなわち、この単分子膜形成方法は、水面上の単分子膜
Ａを回転トラム１４を介して基板１０面に移し取るもの
であり、このようにすれば、使用する水槽１１は深さの
浅いものでよい。すなわち、例えば基板１０面にその全
体にわたって単分子膜Ａを形成する場合、水槽１１とし
ては、その長さが移動バリア１３の移動ストローク〔単
分子膜Ａの表面圧調整に要する移動ストロークと、回転
ドラム１４の回転に同調して単分子膜Ａを回転ドラム１
４側に押して行くときの移動ストローク（基板１０の長
さ）との合計ストローク〕に回転ドラム１４の設置スペ
ースを加えた長さ以上で、幅が基板１０の幅量上のもの
が必要であるが、この水槽１１の深さは、回転ドラム１
４のほぼ下半分が水面下に浸漬するだけの深さがあれば
十分である。
Ａを回転トラム１４を介して基板１０面に移し取るもの
であり、このようにすれば、使用する水槽１１は深さの
浅いものでよい。すなわち、例えば基板１０面にその全
体にわたって単分子膜Ａを形成する場合、水槽１１とし
ては、その長さが移動バリア１３の移動ストローク〔単
分子膜Ａの表面圧調整に要する移動ストロークと、回転
ドラム１４の回転に同調して単分子膜Ａを回転ドラム１
４側に押して行くときの移動ストローク（基板１０の長
さ）との合計ストローク〕に回転ドラム１４の設置スペ
ースを加えた長さ以上で、幅が基板１０の幅量上のもの
が必要であるが、この水槽１１の深さは、回転ドラム１
４のほぼ下半分が水面下に浸漬するだけの深さがあれば
十分である。
そして、このように水１１１の深さが浅ければ、水槽１
１にかかる水圧は小さくなるため、水槽１１の耐圧強度
は低くて十分であり、したがって、水槽１１の製作費を
低減できるし、また水槽１１の重量も小さくなるから、
水槽１１を設置する架台を高い強度を必要としない安価
なのものとすることができる。しかも、この単分子膜形
成方法によれば、水槽１１の上方には、回転ドラム１４
の上に接して移動する基板１０の移動スペースがあれば
十分であるから、水槽１１の上方に確保するスペースも
小さくてすむ。
１にかかる水圧は小さくなるため、水槽１１の耐圧強度
は低くて十分であり、したがって、水槽１１の製作費を
低減できるし、また水槽１１の重量も小さくなるから、
水槽１１を設置する架台を高い強度を必要としない安価
なのものとすることができる。しかも、この単分子膜形
成方法によれば、水槽１１の上方には、回転ドラム１４
の上に接して移動する基板１０の移動スペースがあれば
十分であるから、水槽１１の上方に確保するスペースも
小さくてすむ。
第２図は本発明の他の実施例を示している。この実施例
は、第１図に示した単分子膜形成装置を複数台基板搬送
方向に並べて配置して、この各装置により順次基板１０
に単分子膜を転写して行くようにしたものであり、この
実施例によれば一基板１０面に連続して単分子膜へを積
層して所望の膜厚の被膜を得ることができる。
は、第１図に示した単分子膜形成装置を複数台基板搬送
方向に並べて配置して、この各装置により順次基板１０
に単分子膜を転写して行くようにしたものであり、この
実施例によれば一基板１０面に連続して単分子膜へを積
層して所望の膜厚の被膜を得ることができる。
また、第３図は前記回転ドラム１４の変形例を示してい
る。この回転ドラム１４は、ドラム外周面に部分的に所
定パターンの親水性領域１４ａを形成し、他の領域は疎
水性領域１４ｂとしたものであり、このような回転ドラ
ム１４を用いれば、水面上の単分子膜がドラム外周面の
親水性領域１４ａのみに付着して基板面に転写されるか
ら、基板面に所定パターンに単分子膜を形成することが
できる。なお、この回転ドラム１４は、ドラム全体また
はドラム外周面をガラス等の親水性物質で形成した親水
性ドラムの外周面に所定領域を除いてパラフィン等の塗
布による疎水処理を施すか、あるいは、ドラム全体また
はドラム外周面を疎水性樹脂等の疎水性物質で形成した
疎水性ドラムの外周面の所定領域に界面活性剤の塗布等
による親水処理を施すことによって製造することができ
る。
る。この回転ドラム１４は、ドラム外周面に部分的に所
定パターンの親水性領域１４ａを形成し、他の領域は疎
水性領域１４ｂとしたものであり、このような回転ドラ
ム１４を用いれば、水面上の単分子膜がドラム外周面の
親水性領域１４ａのみに付着して基板面に転写されるか
ら、基板面に所定パターンに単分子膜を形成することが
できる。なお、この回転ドラム１４は、ドラム全体また
はドラム外周面をガラス等の親水性物質で形成した親水
性ドラムの外周面に所定領域を除いてパラフィン等の塗
布による疎水処理を施すか、あるいは、ドラム全体また
はドラム外周面を疎水性樹脂等の疎水性物質で形成した
疎水性ドラムの外周面の所定領域に界面活性剤の塗布等
による親水処理を施すことによって製造することができ
る。
本発明の単分子膜形成方法は、水槽内の水面上に流し拡
げた単分子膜を、前記水面下に浸漬させて設けた回転ド
ラムの外周面に付着させて引上げるとともに、この回転
ドラムの上に前記基板を搬入してこの基板を前記回転ド
ラムの回転に同調させて送りながら、前記回転ドラムの
外周面に付着した前記単分子膜を前記基板面に転写する
ものであるから、前記水槽は、回転ドラムの下部が水面
下に浸漬するたけの深さかあれば十分てあり、したがっ
て水槽として深さの浅いものを使用することができるし
、また、水槽の上方には、回転ドラムの上に接して移動
する基板の移動スペースがあれば十分であるから、水槽
の上方に確保するスペースも小さくてすむ。
げた単分子膜を、前記水面下に浸漬させて設けた回転ド
ラムの外周面に付着させて引上げるとともに、この回転
ドラムの上に前記基板を搬入してこの基板を前記回転ド
ラムの回転に同調させて送りながら、前記回転ドラムの
外周面に付着した前記単分子膜を前記基板面に転写する
ものであるから、前記水槽は、回転ドラムの下部が水面
下に浸漬するたけの深さかあれば十分てあり、したがっ
て水槽として深さの浅いものを使用することができるし
、また、水槽の上方には、回転ドラムの上に接して移動
する基板の移動スペースがあれば十分であるから、水槽
の上方に確保するスペースも小さくてすむ。
第１図は本発明の一実施例を示す単分子膜形成に使用す
る装置の縦断側面図、第２図は本発明の他の実施例を示
す単分子膜形成装置の配置図、第３図は本発明に用いる
回転ドラムの変形例を示す斜視図、第４図は従来の単分
子膜形成方法を示す図である。 １０・・・基板、１１・・・水槽、１２・・・水、１３
・・・移動バリア、１４・・・回転ドラム、１４ａ・・
親水性領域、１４ｂ・・・疎水性領域、１５・・・基板
押えローラ、Ａ・・・単分子膜、ａ・・・親水性基、ｂ
・・・疎水性基。
る装置の縦断側面図、第２図は本発明の他の実施例を示
す単分子膜形成装置の配置図、第３図は本発明に用いる
回転ドラムの変形例を示す斜視図、第４図は従来の単分
子膜形成方法を示す図である。 １０・・・基板、１１・・・水槽、１２・・・水、１３
・・・移動バリア、１４・・・回転ドラム、１４ａ・・
親水性領域、１４ｂ・・・疎水性領域、１５・・・基板
押えローラ、Ａ・・・単分子膜、ａ・・・親水性基、ｂ
・・・疎水性基。
Claims (1)
- 水槽内の水面上に単分子を膜状に流し拡げ、この単分子
の膜を基板面に移し取ってこの基板面に単分子膜を形成
する方法において、前記水面上の単分子膜を、前記水面
下に浸漬させて設けた回転ドラムの外周面に付着させて
引上げるとともに、この回転ドラムの上に前記基板を搬
入してこの基板を前記回転ドラムの回転に同調させて送
りながら、前記回転ドラムの外周面に付着した前記単分
子膜を前記基板面に転写することを特徴とする単分子膜
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02214931A JP3134295B2 (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 単分子膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02214931A JP3134295B2 (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 単分子膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100568A true JPH04100568A (ja) | 1992-04-02 |
| JP3134295B2 JP3134295B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=16663945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02214931A Expired - Fee Related JP3134295B2 (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 単分子膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3134295B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009172766A (ja) * | 2009-04-20 | 2009-08-06 | Masamichi Fujihira | 分子パターン複製方法 |
| JP2012020389A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Oji Paper Co Ltd | 単粒子膜被覆ロールの製造方法、凹凸形成ロールの製造方法、凹凸形成フィルムの製造方法および単粒子膜被覆装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101839829B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2018-03-20 | 주식회사 이엠코 | 배출가스처리장치용 필터 및 배출가스처리장치 |
| US20210060604A1 (en) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | Purdue Research Foundation | Process and device for large-scale noncovalent functionalization of nanometer-scale 2d materials using heated roller langmuir-schaefer conversion |
-
1990
- 1990-08-16 JP JP02214931A patent/JP3134295B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009172766A (ja) * | 2009-04-20 | 2009-08-06 | Masamichi Fujihira | 分子パターン複製方法 |
| JP2012020389A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Oji Paper Co Ltd | 単粒子膜被覆ロールの製造方法、凹凸形成ロールの製造方法、凹凸形成フィルムの製造方法および単粒子膜被覆装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3134295B2 (ja) | 2001-02-13 |
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