JPH0399402A - 温度敏感抵抗素子 - Google Patents
温度敏感抵抗素子Info
- Publication number
- JPH0399402A JPH0399402A JP23464789A JP23464789A JPH0399402A JP H0399402 A JPH0399402 A JP H0399402A JP 23464789 A JP23464789 A JP 23464789A JP 23464789 A JP23464789 A JP 23464789A JP H0399402 A JPH0399402 A JP H0399402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- sensitive resistance
- shape
- memory alloy
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 44
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract 3
- 229910010380 TiNi Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000006903 response to temperature Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、温度変化に対応して抵抗値が変化する温度敏
感抵抗素子に関する。
感抵抗素子に関する。
［従来の技術］
カーボンブラックにビニル系モノマーをグラフト重合さ
せたカーボンブラックグラフトポリマーは、安定な厚膜
抵抗体素材や面状発熱体素材として用いられている。か
かる素材の組成や製造条件を所定のものに設定すること
によって、所謂ＰＴＣ（Ｐｏｓｌｔｌｖｅ Ｔｅｍｐｅ
ｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｌ’ｌ’１ｅｉｅｎｔ 正の抵
抗温度係数）サーミスタ特性を発揮する素子を得ること
ができる。
せたカーボンブラックグラフトポリマーは、安定な厚膜
抵抗体素材や面状発熱体素材として用いられている。か
かる素材の組成や製造条件を所定のものに設定すること
によって、所謂ＰＴＣ（Ｐｏｓｌｔｌｖｅ Ｔｅｍｐｅ
ｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｌ’ｌ’１ｅｉｅｎｔ 正の抵
抗温度係数）サーミスタ特性を発揮する素子を得ること
ができる。
このようなＰＴＣサーミスタ特性を有する素子（以下、
ＰＴＣ素子と記す）は、微妙な抵抗値の変化を峻別でき
るので、例えば電気回路に直列に接続するようにして電
池に内臓することによって過電流の保護手段として用い
られている。
ＰＴＣ素子と記す）は、微妙な抵抗値の変化を峻別でき
るので、例えば電気回路に直列に接続するようにして電
池に内臓することによって過電流の保護手段として用い
られている。
［発明が解決しようとする課８］
しかしながら、従来のカーボンブラックＰＴＣ素子は、
素子の中央部の非常に狭い部分に、印加電圧の大部分が
集中し、その部分の電界強度が極端に大きなものとなる
。このため、電界によるカーボンブラックの移動が起こ
り、過電流等によって室温時の抵抗値が変動し、ＰＴＣ
性も失われてしまう欠点がある。
素子の中央部の非常に狭い部分に、印加電圧の大部分が
集中し、その部分の電界強度が極端に大きなものとなる
。このため、電界によるカーボンブラックの移動が起こ
り、過電流等によって室温時の抵抗値が変動し、ＰＴＣ
性も失われてしまう欠点がある。
一方、セラミックスＰＴＣ素子は、可逆性の面では上述
のような有機系のＰＴＣ素子に比べて優れているが、不
動作時の抵抗が高い。このため、回路に保護用素子とし
て直列に接続するためには、大型の素子を使用しなけれ
ばならない。しかし、比較的抵抗の低い材料で構成され
たセラミックスＰＴＣ索子を使用すると、抵抗の変化幅
が狭く十分に回路の保護機能を発揮させることができな
い。
のような有機系のＰＴＣ素子に比べて優れているが、不
動作時の抵抗が高い。このため、回路に保護用素子とし
て直列に接続するためには、大型の素子を使用しなけれ
ばならない。しかし、比較的抵抗の低い材料で構成され
たセラミックスＰＴＣ索子を使用すると、抵抗の変化幅
が狭く十分に回路の保護機能を発揮させることができな
い。
なお、金属酸化物を焼結したもので構成された所謂Ｎ
Ｔ Ｃ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ
Ｃｏｅｆｆ１ｅｌｅｎｔ負の抵抗温度係数）サーミスタ
特性を発揮する素子（以下、ＮＴＣ素子と記す）も使用
されている。しかし、ＮＴＣ素子は、焼結体であるため
形状の自由度が小さく、実装上極めて不便なものであっ
た。
Ｔ Ｃ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ
Ｃｏｅｆｆ１ｅｌｅｎｔ負の抵抗温度係数）サーミスタ
特性を発揮する素子（以下、ＮＴＣ素子と記す）も使用
されている。しかし、ＮＴＣ素子は、焼結体であるため
形状の自由度が小さく、実装上極めて不便なものであっ
た。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、長期
間の使用におても優れた素子特性を発揮できると共に、
測定可能な抵抗値の範囲、抵抗変化率、抵抗変化温度等
を所定のものに容易に設定できる温度敏感抵抗素子を提
供するものである。
間の使用におても優れた素子特性を発揮できると共に、
測定可能な抵抗値の範囲、抵抗変化率、抵抗変化温度等
を所定のものに容易に設定できる温度敏感抵抗素子を提
供するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、有機系樹脂またはゴムからなる絶縁性の導体
片封止体中に、所定形状の形状記憶合金からなる導体片
の多数個を所定濃度で分散させて封止してなることを特
徴とする温度敏感抵抗素子である。
片封止体中に、所定形状の形状記憶合金からなる導体片
の多数個を所定濃度で分散させて封止してなることを特
徴とする温度敏感抵抗素子である。
ここで、形状記憶合金からなる導体片を、マルテンサイ
ト変態温度以上の温度で伸長するものとし、素子抵抗特
性が負の温度係数を呈するものとしても良い。
ト変態温度以上の温度で伸長するものとし、素子抵抗特
性が負の温度係数を呈するものとしても良い。
また、形状記憶合金からなる導体片を、マルテンサイト
変態温度以上の温度で収縮するものとし、素子抵抗特性
が正の温度係数を呈するものとじても良い。
変態温度以上の温度で収縮するものとし、素子抵抗特性
が正の温度係数を呈するものとじても良い。
また、形状記憶合金からなる導体片を、異なる温度の複
数のマルテンサイト変態温度で、各々のマルテンサイト
変態温度以上の温度で収縮するものと伸長するものの複
数種類のものによって構成しても良い。
数のマルテンサイト変態温度で、各々のマルテンサイト
変態温度以上の温度で収縮するものと伸長するものの複
数種類のものによって構成しても良い。
また、導体片封止体を構成する有機系樹脂としては、例
えば、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、フッ素樹脂
等を使用することができる。導体片封止体を構成するゴ
ムとしては、例えば、アクリロニトリル−ブタジェンゴ
ム等を使用することができる。
えば、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、フッ素樹脂
等を使用することができる。導体片封止体を構成するゴ
ムとしては、例えば、アクリロニトリル−ブタジェンゴ
ム等を使用することができる。
また、導体片は、マルテンサイト変態温度以上でその形
状を変化させることにより、導体片の相互間で接触した
り、或いは、離間することによって、導体片封止体全体
の電気的な抵抗値をマルテンサイト変態温度の前後で変
化させるものである。
状を変化させることにより、導体片の相互間で接触した
り、或いは、離間することによって、導体片封止体全体
の電気的な抵抗値をマルテンサイト変態温度の前後で変
化させるものである。
このような導体片の材質としては、例えば、Ｎｉを含む
Ｔ１Ｎｉ系合金、或いは、ＣｕＺｎＡｌ系、ＣｕＺｎＮ
ｉ系等のＣｕ系合金等を使用することができる。
Ｔ１Ｎｉ系合金、或いは、ＣｕＺｎＡｌ系、ＣｕＺｎＮ
ｉ系等のＣｕ系合金等を使用することができる。
なお、マルテンサイト変態温度以上で抵抗値を低下させ
るものが、素子特性として負の温度係数を付与し、所ｆ
、”ｌ Ｎ Ｔ Ｃ型素子を構成する。逆に、マルテン
サイト変態温度以上で抵抗値を上昇させるものが、素子
特性として正の温度係数を付与し、所謂ＰＴＣ型素子を
構成する。
るものが、素子特性として負の温度係数を付与し、所ｆ
、”ｌ Ｎ Ｔ Ｃ型素子を構成する。逆に、マルテン
サイト変態温度以上で抵抗値を上昇させるものが、素子
特性として正の温度係数を付与し、所謂ＰＴＣ型素子を
構成する。
また、導体片の収縮時の形状は、変形前後の導体片の相
互間の接触・離間の割合を律速するものである。かかる
導体片の収縮時の形状としては、得ようとする温度敏感
抵抗素子の仕様に応じて適宜設定するのが好ましい。例
えば、Ｃ，Ｖ、Ｌ。
互間の接触・離間の割合を律速するものである。かかる
導体片の収縮時の形状としては、得ようとする温度敏感
抵抗素子の仕様に応じて適宜設定するのが好ましい。例
えば、Ｃ，Ｖ、Ｌ。
ＭＳＮ、Ｓ、Ｗ、Ｚ、Ｕ等の略文字形のもツヤ、等を適
宜選択すること ができる。
宜選択すること ができる。
また、導体片封止体中に多数個の導体片を分散させる際
の導体片の濃度は、温度敏感抵抗素子の測定可能な抵抗
値の範囲を決定するもの′であり、得ようとする温度敏
感抵抗素子の仕様に応じて適宜設定するのが好ましい。
の導体片の濃度は、温度敏感抵抗素子の測定可能な抵抗
値の範囲を決定するもの′であり、得ようとする温度敏
感抵抗素子の仕様に応じて適宜設定するのが好ましい。
［作用］
本発明にかかる温度敏感抵抗素子によれば、導体片封止
体中の形状記憶合金からなる導体片が、マルテンサイト
変態温度で所定形状に変形する。
体中の形状記憶合金からなる導体片が、マルテンサイト
変態温度で所定形状に変形する。
このため、導体片はその相互間で接触したり、或いは、
離間することになり、導体片封止体全体の電気的抵抗値
を、マルテンサイト変態温度の前後で変化させる。この
結果、負の温度係数を有するＮＴＣ型素子や正の温度係
数を有するＰＴＣ型素子を得ることができる。
離間することになり、導体片封止体全体の電気的抵抗値
を、マルテンサイト変態温度の前後で変化させる。この
結果、負の温度係数を有するＮＴＣ型素子や正の温度係
数を有するＰＴＣ型素子を得ることができる。
なお、この場合、導体片は通常のカーボンブラック粒子
に比べると、質量が大きく電界による移動は無視できる
。また、統計的に導体片を不均一導体片封止体中に分散
させることにより、電界の集中は発生しない。さらに、
導体片の変形は、物理的な動きであるためほとんど発熱
を伴わない。
に比べると、質量が大きく電界による移動は無視できる
。また、統計的に導体片を不均一導体片封止体中に分散
させることにより、電界の集中は発生しない。さらに、
導体片の変形は、物理的な動きであるためほとんど発熱
を伴わない。
［実施例］
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
５１％Ｎｉを含むＴｉＮＬ系形状記憶合金からなる０、
２ｍｍφ、マルテンサイト変態温度以下での伸長時の形
状が、第１図（Ｂ）に示す如く、略直線をなし、その１
７２長（１）が０．５ｍｍの線材で形成された導電片１
であって、第１図（Ａ）に示す略し時形から同図（Ｂ）
に示す直線状態のものに変化するマルテンサイト変態温
度が３０℃のものと、同様形状でマルテンサイト変態温
度が５０℃のものを、第２図（Ａ）に示す如く、前者を
１０００個／ ｃ ｍ ３の濃度で、後者を８０００個
／ ｃ ｍ ’の濃度で、ゴムからなる導体片封止体２
内に分散状態で封止して、温度敏感抵抗素子３を得た。
２ｍｍφ、マルテンサイト変態温度以下での伸長時の形
状が、第１図（Ｂ）に示す如く、略直線をなし、その１
７２長（１）が０．５ｍｍの線材で形成された導電片１
であって、第１図（Ａ）に示す略し時形から同図（Ｂ）
に示す直線状態のものに変化するマルテンサイト変態温
度が３０℃のものと、同様形状でマルテンサイト変態温
度が５０℃のものを、第２図（Ａ）に示す如く、前者を
１０００個／ ｃ ｍ ３の濃度で、後者を８０００個
／ ｃ ｍ ’の濃度で、ゴムからなる導体片封止体２
内に分散状態で封止して、温度敏感抵抗素子３を得た。
このようにして得た温度敏感抵抗素子３の多数個を、ｍ
３図に示す如く、縦７ｍｍ、横１２ｍｍ。
３図に示す如く、縦７ｍｍ、横１２ｍｍ。
厚さ０．６３ｍｍのアルミニウム基板４上の所定領域に
、フッ素樹脂層５を介して塗着して厚さ０゜０８ｍｍの
封止体層６を形成した。これに１８０℃、２時間の熱処
理を施した。
、フッ素樹脂層５を介して塗着して厚さ０゜０８ｍｍの
封止体層６を形成した。これに１８０℃、２時間の熱処
理を施した。
然る後、封止体層６上に厚さ０．１４ｍｍで所定パター
ンのＡｇ電極７を形成し、温度敏感抵抗装置１０を作成
した。
ンのＡｇ電極７を形成し、温度敏感抵抗装置１０を作成
した。
このように構成された温度敏感抵抗装置１０は、２５℃
で１００Ωの抵抗値を示し、４０℃で２００Ωの抵抗値
を示し、６０℃で５００Ωの抵抗値を示した。このこと
から温度敏感抵抗素子３は、マルテンサイト変態温度の
前後で、第２図（Ａ）から同図（Ｂ）に示す如く、導体
片、１の接触状態が変化し、ＰＴＣ特性を呈しているこ
とが確認された。なお、この抵抗値測定実験の際に素子
の発熱はほとんど認められなかった。
で１００Ωの抵抗値を示し、４０℃で２００Ωの抵抗値
を示し、６０℃で５００Ωの抵抗値を示した。このこと
から温度敏感抵抗素子３は、マルテンサイト変態温度の
前後で、第２図（Ａ）から同図（Ｂ）に示す如く、導体
片、１の接触状態が変化し、ＰＴＣ特性を呈しているこ
とが確認された。なお、この抵抗値測定実験の際に素子
の発熱はほとんど認められなかった。
実施例２
５１％Ｎｉを含むＴ１Ｎｉ系形状記憶合金からなる０、
２ｍｍφ、マルテンサイト変態温度以下の収縮時の形状
が第４図（Ａ）に示す如く、略り時形でその略直線部分
の長さＣ１，）が０．５ｍｍの線材で形成された導電片
１゛であって、第４図（Ａ）に示す略し時形から同図（
Ｂ）に示す直線状態のものに変化するマルテンサイト変
態温度が３０℃のものと、同様形状でマルテンサイト変
態温度が５０℃のものとを、前者を８０００個／Ｃｍ’
の濃度で、後者を１０００個／ ｃ ｍ ’の濃度で、
実施例１と同様にゴムからなる導体片封止体中に分散状
態で封止して、温度敏感抵抗素子を得た。
２ｍｍφ、マルテンサイト変態温度以下の収縮時の形状
が第４図（Ａ）に示す如く、略り時形でその略直線部分
の長さＣ１，）が０．５ｍｍの線材で形成された導電片
１゛であって、第４図（Ａ）に示す略し時形から同図（
Ｂ）に示す直線状態のものに変化するマルテンサイト変
態温度が３０℃のものと、同様形状でマルテンサイト変
態温度が５０℃のものとを、前者を８０００個／Ｃｍ’
の濃度で、後者を１０００個／ ｃ ｍ ’の濃度で、
実施例１と同様にゴムからなる導体片封止体中に分散状
態で封止して、温度敏感抵抗素子を得た。
このようにして得た温度敏感抵抗素子の多数個を、実施
例１と同様のアルミニウム基板上の所定領域に、フッ素
樹脂層で塗着して厚さ０．０８ｍｍの封止体層を形成し
た。これに１８０℃、２時間の熱処理を施した。
例１と同様のアルミニウム基板上の所定領域に、フッ素
樹脂層で塗着して厚さ０．０８ｍｍの封止体層を形成し
た。これに１８０℃、２時間の熱処理を施した。
然る後、封止体層上に厚さ０．１４ｍｍのＡｇ電極を形
成し、温度敏感抵抗装置を作成した。
成し、温度敏感抵抗装置を作成した。
このように構成された温度敏感抵抗装置１ｏは、２５℃
で５００Ωの抵抗値を示し、４０℃で２００Ωの抵抗値
を示し、６０℃で１００Ωの抵抗値を示した。このこと
から温度敏感抵抗素子は、ＮＴＣ特性を呈していること
が確認された。
で５００Ωの抵抗値を示し、４０℃で２００Ωの抵抗値
を示し、６０℃で１００Ωの抵抗値を示した。このこと
から温度敏感抵抗素子は、ＮＴＣ特性を呈していること
が確認された。
実施例３
５１％Ｎｉを含むＴｉＮＬ系形状記憶合金からなる０、
２ｍｍφ、マルテンサイト変態温度以下での収縮時の形
状が、略し時形でその略直線部分の長さ（Ｎ）が０．５
ｍｍの線材で形成された導電片であって、略し時形から
直線状態のものに変化するマルテンサイト変態温度が一
３０℃のものを４０００個／ ｃ ｍ ３の濃度でゴム
からなる導体片封止体中に分散状態で封止すると共に、
５１％Ｎｉを含むＴ１Ｎｉ系形状記憶合金からなる０゜
２ｍｍφ、マルテンサイト変態温度以下での伸長時の形
状が、略直線をなし、その１／２長（Ω）が０．５ｍｍ
の線材で形成された導電片であって、略し時形から直線
状態のものに変化するマルテンサイト変態温度が５０℃
のものを、４０００個／ｃｍ’の濃度でゴムからなる導
体片封止体中に分散状態で封止して、温度敏感抵抗素子
を得た。
２ｍｍφ、マルテンサイト変態温度以下での収縮時の形
状が、略し時形でその略直線部分の長さ（Ｎ）が０．５
ｍｍの線材で形成された導電片であって、略し時形から
直線状態のものに変化するマルテンサイト変態温度が一
３０℃のものを４０００個／ ｃ ｍ ３の濃度でゴム
からなる導体片封止体中に分散状態で封止すると共に、
５１％Ｎｉを含むＴ１Ｎｉ系形状記憶合金からなる０゜
２ｍｍφ、マルテンサイト変態温度以下での伸長時の形
状が、略直線をなし、その１／２長（Ω）が０．５ｍｍ
の線材で形成された導電片であって、略し時形から直線
状態のものに変化するマルテンサイト変態温度が５０℃
のものを、４０００個／ｃｍ’の濃度でゴムからなる導
体片封止体中に分散状態で封止して、温度敏感抵抗素子
を得た。
このようにして得た温度敏感抵抗索子３の多数個を、実
施例１と同様にアルミニウム基板上に、フッ素樹脂層で
塗着して厚さ０．０８ｍｍの封止体層を形成した。これ
に１８０℃、２時間の熱処理を施した。
施例１と同様にアルミニウム基板上に、フッ素樹脂層で
塗着して厚さ０．０８ｍｍの封止体層を形成した。これ
に１８０℃、２時間の熱処理を施した。
然る後、封止体層上に厚さ０．１４ｍｍのＡｇ電極を形
成し、温度敏感抵抗装置を作成した。
成し、温度敏感抵抗装置を作成した。
このように構成された温度敏感抵抗装置は、４０℃で２
００Ωの抵抗値を示し、２５℃で１００Ωの抵抗値を示
し、６０℃で２００Ωの抵抗値を示すことが確認された
。
００Ωの抵抗値を示し、２５℃で１００Ωの抵抗値を示
し、６０℃で２００Ωの抵抗値を示すことが確認された
。
このようにして、混合する形状記憶合金からなる導体片
の形状、濃度、変態温度等を所定のものに設定すること
により、例えば、第５図に示す妬く、複雑な抵抗−温度
特性を容易に設定し得る。
の形状、濃度、変態温度等を所定のものに設定すること
により、例えば、第５図に示す妬く、複雑な抵抗−温度
特性を容易に設定し得る。
［発明の効果］
以上説明［７た如く、本発明にかかる温度敏感抵抗素子
によれば、長期間の使用におても優れた素子特性を発揮
できると共に、測定可能な抵抗値の範囲、抵抗変化率、
抵抗変化温度等を所定のものに容易に設定できる等顕著
な効果を発揮するものである。
によれば、長期間の使用におても優れた素子特性を発揮
できると共に、測定可能な抵抗値の範囲、抵抗変化率、
抵抗変化温度等を所定のものに容易に設定できる等顕著
な効果を発揮するものである。
第１図（Ａ）及び第４図（Ａ）は、導体片の収縮状態を
示す説明図、 第１図ＣＢ）及び第４図（Ｂ）は、導体片の伸長状態を
示す説明図、 第２図は、導体片相互の接触状態の変化を示す説明図、 第３図は、本発明の温度敏感抵抗素子を用いた温度敏感
抵抗装置の構造を示す説明図、第５図は、抵抗−温度特
性を示す特性図である。 〕１．１−・・・導体片、２・・・導体片封止体、３・
・・温度敏感抵抗素ｒ１４・・・アルミニウム基板、５
・・・フッ素樹脂層、６・・・導体片封止体、７・・・
Ａｇ電極、】。０・・・温度敏感抵抗装置
示す説明図、 第１図ＣＢ）及び第４図（Ｂ）は、導体片の伸長状態を
示す説明図、 第２図は、導体片相互の接触状態の変化を示す説明図、 第３図は、本発明の温度敏感抵抗素子を用いた温度敏感
抵抗装置の構造を示す説明図、第５図は、抵抗−温度特
性を示す特性図である。 〕１．１−・・・導体片、２・・・導体片封止体、３・
・・温度敏感抵抗素ｒ１４・・・アルミニウム基板、５
・・・フッ素樹脂層、６・・・導体片封止体、７・・・
Ａｇ電極、】。０・・・温度敏感抵抗装置
Claims (4)
- （１）有機系樹脂またはゴムからなる絶縁性の導体片封
止体中に、所定形状の形状記憶合金からなる導体片の多
数個を所定濃度で分散させて封止してなることを特徴と
する温度敏感抵抗素子。 - （２）形状記憶合金からなる導体片は、マルテンサイト
変態温度以上の温度で伸長するものであり、素子抵抗特
性が負の温度係数を呈するものである請求項第１項記載
の温度敏感抵抗素子。 - （３）形状記憶合金からなる導体片は、マルテンサイト
変態温度以上の温度で収縮するものであり、素子抵抗特
性が正の温度係数を呈するものである請求項第１項記載
の温度敏感抵抗素子。 - （４）形状記憶合金からなる導体片は、異なる温度の複
数のマルテンサイト変態温度で、各々の該マルテンサイ
ト変態温度以上の温度で収縮するものと伸長するものに
よって構成されているものである請求項第１項記載の温
度敏感抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23464789A JPH0399402A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | 温度敏感抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23464789A JPH0399402A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | 温度敏感抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0399402A true JPH0399402A (ja) | 1991-04-24 |
Family
ID=16974302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23464789A Pending JPH0399402A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | 温度敏感抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0399402A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6025771A (en) * | 1996-09-20 | 2000-02-15 | Tdk Corporation | PTC thermistor device |
-
1989
- 1989-09-12 JP JP23464789A patent/JPH0399402A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6025771A (en) * | 1996-09-20 | 2000-02-15 | Tdk Corporation | PTC thermistor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4238812A (en) | Circuit protection devices comprising PTC elements | |
| US4329726A (en) | Circuit protection devices comprising PTC elements | |
| US4045763A (en) | Sealed thermostatic heater | |
| US4246468A (en) | Electrical devices containing PTC elements | |
| US11037708B2 (en) | PPTC device having resistive component | |
| EP0862191A4 (en) | PTC THERMAL MATERIAL | |
| GB2162686A (en) | Thermistors | |
| JPH0399402A (ja) | 温度敏感抵抗素子 | |
| JP2852778B2 (ja) | 感熱電気抵抗組成物 | |
| JP2024508705A (ja) | Ｐｐｔｃアクチュエータヒータ | |
| US4873508A (en) | Variable resistance thermal protector and method of making same | |
| JPH02148680A (ja) | 自己温度制御ヒータ | |
| SU385326A1 (ru) | Токопроводящий материал для металлопленочных резисторов на основе никеля | |
| Lasday | PM Cu--Ni--Sn Strip Alloys With Particular Response to Aging Develop Favorable Properties for Electronic Components | |
| JPH06510166A (ja) | 感熱装置に関する改良 | |
| JPH08286537A (ja) | 発熱抵抗体及び電子写真プリンタ定着器用ヒータ | |
| JPH02148678A (ja) | 自己温度制御ヒータ | |
| JPS6146478A (ja) | アクチユエ−タ | |
| JP2000133502A (ja) | 有機質正特性サ―ミスタ | |
| JPH02148677A (ja) | 自己温度制御ヒータ | |
| JPH03145920A (ja) | 半導体感温素子 | |
| Struempler | Polymer composites for temperature and current sensors | |
| JPH11329675A (ja) | Ｐｔｃ組成物 | |
| JPS62248202A (ja) | 温度センサ | |
| JPS6161244B2 (ja) |