JPH0399346A - Semiconductor storage device - Google Patents

Semiconductor storage device

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JPH0399346A
JPH0399346A JP1235942A JP23594289A JPH0399346A JP H0399346 A JPH0399346 A JP H0399346A JP 1235942 A JP1235942 A JP 1235942A JP 23594289 A JP23594289 A JP 23594289A JP H0399346 A JPH0399346 A JP H0399346A
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JP
Japan
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read
address data
data
address
strobe signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP1235942A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaaki Aoyama
正明 青山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0399346A publication Critical patent/JPH0399346A/en
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Abstract

PURPOSE:To completely protect stored contents from a third person by responding to the generation timing of a read strobe signal at the time of reading out data and working specified address data to form secret address data. CONSTITUTION:Random numbers are generated from random number generators 5, 13 by which a read strobe signal, the inverse of RD, is activated. In the 1st adder circuit 4, a selector 7 selects the subtracted result of a subtractor 6, and in the 2nd adder circuit 12, a selector 15 selects the computed result of an adder 14. Thereby, the specified address data are worked to form secret address data. The secret address data are transmitted to the 2nd adder circuit 12 through an address bus 17 and returned to the original specified address data in the 2nd adder circuit 12 and the read access of the memory 11 is executed to read out the data. Thus, the stored contents are prevented from being analyzed by the third person.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体記憶装置に関し、 第三者による記憶内容の読み出しを阻止して情報の保護
を確実に図ることのできる半導体記憶装置を提供すこと
を目的とし、 データを記憶するメモリに対し、アドレスに基づきデー
タのリード/ライトが行われる記憶部と、リード/ライ
トストローブ信号およびアドレススデータを記憶部に出
力し、該記憶部のデータのリード/ライトを制御するリ
ード/ライト制御回路と、前記リード/ライト制御回路
に、リードストローブ信号の発生タイミングに応答して
指定アドレスデータを加工して機密アドレスデータを生
成するアドレス加工手段と、前記記憶部に、リードスト
ローブ信号の発生タイミングに応答して生成された前記
機密アドレスデータをもとのアドレスデータに戻すアド
レス復帰手段とを設けるように構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] An object of the present invention is to provide a semiconductor memory device that can prevent a third party from reading the memory contents and ensure the protection of information. A storage section that reads/writes data based on addresses to the memory to be stored, and a read section that outputs read/write strobe signals and address data to the storage section and controls reading/writing of data in the storage section. a write control circuit, an address processing means for processing designated address data to generate confidential address data in response to the generation timing of a read strobe signal in the read/write control circuit; and a read strobe signal in the storage section; and an address restoration means for returning the confidential address data generated to the original address data in response to the timing of occurrence of the address data.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、半導体記憶装置に係り、詳しくは、第三者に
よる記憶内容の読み出し阻止の機能を備えた半導体記憶
装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor memory device, and more particularly, to a semiconductor memory device having a function of preventing a third party from reading out stored contents.

マイクロコンピュータの発達に伴い、その応用面は通信
工業はいうに及ばず、民生市場にも及び、飛躍的に増大
している。また、マイクロコンピュータで扱う情報はメ
モリに格納されるため、今後メモリの規模が拡大し、パ
ーソナルユースで使用する機器(ICカードなど)にお
いて個人情報をどのように保護するかが課題となってい
る。
With the development of microcomputers, their applications are increasing dramatically, not only in the communications industry but also in the consumer market. Additionally, since information handled by microcomputers is stored in memory, the scale of memory will expand in the future, and the issue of how to protect personal information in devices used for personal use (such as IC cards) has become an issue. .

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の半導体メモリにおいては、書き込み時は、書き込
みを行うアドレスデータとライトストローブ信号を入力
することによりデータの書き込みが行われ、入力したア
ドレスにデータが保存される。
In a conventional semiconductor memory, when writing data, data is written by inputting write address data and a write strobe signal, and the data is stored at the input address.

一方、読み出し時は、読み出しを行うアドレスデータと
リードストローブ信号を入力することにより、入力した
アドレスのメモリデータが読み出される。
On the other hand, at the time of reading, memory data at the input address is read by inputting address data to be read and a read strobe signal.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、このような従来の半導体記憶装置にあっ
ては、アドレスデータをシーケンシャルに入力すること
により、メモリの内容が全て読み出せる構成となってい
たため、このことは、第三者によりメモリ内容が読み出
し可能で、例えばマイクロプログラムなど著作権の対象
となるものが侵害される危険性があるという問題点があ
った。
However, in such conventional semiconductor storage devices, the entire contents of the memory can be read by inputting address data sequentially, so this means that the contents of the memory cannot be read out by a third party. However, there was a problem in that there was a risk that copyrighted materials, such as microprograms, would be infringed.

したがって、情報の保護が望まれる。Therefore, it is desirable to protect information.

一方、このような対策に関連する従来技術としては、例
えば特開昭63−152241号公報に記載の「データ
暗号化方式」がある。この方式では、マルチチップ構成
したプロセッサシステムにおいて、マイクロプログラム
、メモリ、周辺LSIにデータの暗号化および復号化の
変換テーブルを設けてデータバスを流れる情報を暗号化
し、ソフトウェアの保護を行っている。
On the other hand, as a conventional technique related to such countermeasures, for example, there is a "data encryption method" described in Japanese Patent Application Laid-open No. 152241/1983. In this method, in a multi-chip processor system, data encryption and decryption conversion tables are provided in microprograms, memory, and peripheral LSIs to encrypt information flowing on a data bus and protect software.

しかしながら、この方式はあくまでもマイクロプロセッ
サシステムに適用されるもので、メモリ単体、例えばパ
ーソナルユースで使用するICカード等の個人情報の保
護を完全に図るには到っておらず、この点で記憶内容の
保護を独自に図れる半導体記憶装置が望まれている。
However, this method is only applicable to microprocessor systems, and it is not possible to completely protect personal information stored in individual memories, such as IC cards used for personal use. There is a demand for a semiconductor memory device that can independently protect the data.

そこで本発明は、第三者による記憶内容の読み出しを阻
止して情報の保護を確実に図ることのできる半導体記憶
装置を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor memory device that can reliably protect information by preventing a third party from reading the stored contents.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明による半導体記憶装置は上記達成のため、データ
を記憶するメモリに対し、アドレスに基づきデータのリ
ード/ライトが行われる記憶部と、リード/ライトスト
ローブ信号およびアドレスデータを記憶部に出力し、該
記憶部のデータのリード/ライトを制御するリード/ラ
イト制御回路と、前記リード/ライト制御回路に、リー
ドストローブ信号の発生タイミングに応答して指定アド
レスデータを加工して機密アドレスデータを生成するア
ドレス加工手段と、前記記憶部に、リードストローブ信
号の発生タイミングに応答して生成された前記機密アド
レスデータをもとのアドレスデータに戻すアドレス復帰
手段とを設けている。
In order to achieve the above, the semiconductor memory device according to the present invention includes a memory section in which data is read/written based on an address, and a read/write strobe signal and address data are output to the memory section. a read/write control circuit that controls read/write of data in the storage unit; and a read/write control circuit that processes specified address data to generate confidential address data in response to the timing of generation of a read strobe signal. Address processing means and address restoration means for returning the confidential address data generated in response to the generation timing of the read strobe signal to the original address data are provided in the storage section.

〔作用〕[Effect]

本発明では、データのリード時にはリードストローブ信
号の発生タイミングに応答して指定アドレスデータが加
工されて機密アドレスデータが生成され、その後、この
機密アドレスデータが記憶部において、もとの指定アド
レスデータに戻されて外部へのデータのリードが行われ
る。この場合、第三者が介在できるのは、リード/ライ
ト制御回路と記憶部の接続部分のみであるから、この部
分では第三者が入力するアドレスデータに対し異なるア
ドレスデータの内容が読み出されて情報の解析が不可能
となる。
In the present invention, when reading data, specified address data is processed to generate confidential address data in response to the timing of generation of a read strobe signal, and then this confidential address data is converted into the original specified address data in the storage section. The data is returned and read externally. In this case, the third party can intervene only at the connection between the read/write control circuit and the storage unit, so the content of the address data that is different from the address data input by the third party is read in this part. analysis of the information becomes impossible.

したがって、メモリ内容の完全な保護が図れる。Therefore, complete protection of memory contents can be achieved.

〔実施例〕 以下、本発明を図面に基づいて説明する。〔Example〕 Hereinafter, the present invention will be explained based on the drawings.

第1〜4図は本発明に係る半導体記憶装置の一実施例を
示す図である。第1図は半導体記憶装置の構成図であり
、この図に示す半導体記憶装置は大きく分けて記憶部1
と、リード/ライト制御回路2により構成される。
1 to 4 are diagrams showing an embodiment of a semiconductor memory device according to the present invention. FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor memory device, and the semiconductor memory device shown in this figure is roughly divided into a memory section 1.
and a read/write control circuit 2.

最初にリード/ライト制御回路2から説明すると、リー
ド/ライト制御回路2はメモリインターフェース3と第
1の付加回路4とからなり、これは従来のリード/ライ
ト制御回路に相当するメモリインターフェース3に対し
第1の付加回路4が新たに付加された形となっているも
のである。したがって、メモリインターフェース3は従
来と全く同様の機能を有し、リードストローブ信号RD
、ライトストローブ信号WR,コントロール信号CNT
L、アドレスAφ〜A11、入出力データDφ〜D7を
出力する。第1の付加回路4はアドレス加工手段として
の機能を有し、乱数発生器5、減算器6およびセレクタ
7により構成される。乱数発生器5はコントロール信号
CNTLによりその作動が制御されるとともに、リード
ストローブ信号RDの発生タイミングに応答して乱数を
発生するもので、乱数の発生はプログラマブルである。
First, the read/write control circuit 2 will be explained. The read/write control circuit 2 consists of a memory interface 3 and a first additional circuit 4. The first additional circuit 4 is newly added. Therefore, the memory interface 3 has exactly the same function as the conventional one, and the read strobe signal RD
, write strobe signal WR, control signal CNT
L, addresses Aφ to A11, and input/output data Dφ to D7 are output. The first additional circuit 4 has a function as address processing means, and is composed of a random number generator 5, a subtracter 6, and a selector 7. The operation of the random number generator 5 is controlled by the control signal CNTL, and generates random numbers in response to the generation timing of the read strobe signal RD, and the random number generation is programmable.

ここで、乱数発生器5の詳細な構成は、例えば第2図の
ように示され、乱数発生器5はDフリップフロップ回路
8a〜8nおよびエクスクル−シブオア回路9a、9b
により構成され、ユーザプログラマブルで、製造工程で
そのマスクパターンが確定する。そして、コントロール
信号CNTLにより各Dフリップフロップ回路8a〜8
nがプリセントされ、リードストローブ信号W)の発生
タイミングに応答してDフリップフロップ回路8a〜8
nが作動し、乱数値Rφ〜Rflを出力する。
Here, the detailed configuration of the random number generator 5 is shown, for example, as shown in FIG.
The mask pattern is configured by the user and is user programmable, and the mask pattern is determined during the manufacturing process. Then, each D flip-flop circuit 8a to 8 is controlled by the control signal CNTL.
n is preset, and in response to the generation timing of the read strobe signal W), the D flip-flop circuits 8a to 8
n operates and outputs random numbers Rφ to Rfl.

なお、プログラム方法はエクスクル−シブオア回路9a
、9bを回路のどこに接続するかで決定される。
The programming method is exclusive OR circuit 9a.
, 9b are connected to in the circuit.

再び第1図に戻り、乱数発生器5の出力は減算器6に入
力されており、減算器6はメモリインターフェース3か
ら出力される指定アドレスデータAφ〜Anから〔乱数
〕を減する演算(アドレスデータの加工)を行い、その
結果を機密アドレスデータとしてセレクタ7に出力する
。セレクタ7はライトストローブ信号WRの反転信号で
動作しく言い換えると、ライトストローブ信号WRがア
クティブでないときには全て動作するということ)、減
算器6からの演算結果(機密アドレスデータ)をセレク
トして記憶部1に送る。したがって、リード時には読み
出し指定アドレスデータが乱数により機密アドレスデー
タに加工されて記憶部1に出力される。一方、ライト時
にはセレクタ7が通常の書き込み指定アドレスデータを
セレクトしてそのまま記憶部lに送る。
Returning to FIG. 1 again, the output of the random number generator 5 is input to the subtracter 6, and the subtracter 6 performs an operation (address data processing) and outputs the result to the selector 7 as confidential address data. The selector 7 operates with an inverted signal of the write strobe signal WR (in other words, it operates entirely when the write strobe signal WR is not active), selects the operation result (confidential address data) from the subtracter 6, and stores it in the storage unit 1. send to Therefore, at the time of reading, the read designation address data is processed into confidential address data using random numbers and output to the storage unit 1. On the other hand, at the time of writing, the selector 7 selects normal write designation address data and sends it to the storage section l as it is.

次に、記憶部1はメモリ11と第2の付加回路12とか
らなり、これは従来のメモリに相当するメモリ11に対
し、第2の付加回路12が新たに付加された形となって
いるものである。したがって、メモ1月1は従来と全く
同様にデータを記憶するメモリセルが多数マトリクス状
に配置され、アドレス指定されてデータのリード/ライ
トが行われるもので、リードストローブ信号口、ライト
ストローブ信号W1およびアドレスAφ〜A7が入力さ
れ、入出力データDφ〜Dfiの授受が行われる。第2
の付加回路12はアドレス復帰手段としての機能を有し
、乱数発生器13、加算器14およびセレクタ15によ
り構成される。乱数発生器13はコントロール信号CN
TLによりその作動が制御されるとともに、リードスト
ローブ信号RDの発生タイミングに応答して乱数発生器
5と同様の乱数を発生するもので、詳細な回路構成は乱
数発生器5と全く同様で、そのためにコントロール信号
CNTLが使用され乱数発生器5および乱数発生器13
の初期値がセットされる。乱数発生器13の出力は加算
器14に入力され、加算器14はリード時に第1の付加
回路4から出力される機密アドレスデータに〔乱数〕を
加算する演算(指定アドレスデータへの復帰)を行い、
その結果(もとの指定アドレスデータ)をセレクタ15
に出力する。セレクタ15はセレクタ7と同様にライト
ストローブ信号Wπの反転信号で動作し、加算器14か
らの演算結果をセレクトしてメモリ11に送る。したが
って、リード時には機密アドレスデータがもとの指定ア
ドレスデータに戻されてメモリ11に出力され、ライト
時にはセレクタ15が通常の書き込み指定アドレスデー
タをセレクトしてそのままメモリ11に送る。また、記
憶部1とリード/ライト制御回路2の間にはコントロー
ルバス16、アドレスバス17およびデータバス18で
接続され、第三者が介在してコントロールできるのはこ
れらの接続部分のみとなっている。
Next, the storage unit 1 consists of a memory 11 and a second additional circuit 12, and this is a form in which the second additional circuit 12 is newly added to the memory 11, which corresponds to a conventional memory. It is something. Therefore, in Memo January 1, a large number of memory cells for storing data are arranged in a matrix in exactly the same way as in the past, and data is read/written by addressing. and addresses Aφ to A7 are input, and input/output data Dφ to Dfi are exchanged. Second
The additional circuit 12 has a function as address restoration means and is composed of a random number generator 13, an adder 14, and a selector 15. Random number generator 13 receives control signal CN
Its operation is controlled by the TL, and it generates random numbers similar to the random number generator 5 in response to the generation timing of the read strobe signal RD.The detailed circuit configuration is exactly the same as the random number generator 5. The control signal CNTL is used for random number generator 5 and random number generator 13.
The initial value of is set. The output of the random number generator 13 is input to the adder 14, and the adder 14 performs an operation of adding [random number] to the confidential address data output from the first additional circuit 4 at the time of reading (returning to designated address data). conduct,
The result (original designated address data) is sent to the selector 15.
Output to. Similar to the selector 7, the selector 15 operates with an inverted signal of the write strobe signal Wπ, selects the calculation result from the adder 14, and sends it to the memory 11. Therefore, when reading, the confidential address data is returned to the original specified address data and output to the memory 11, and when writing, the selector 15 selects the normal write specified address data and sends it to the memory 11 as it is. Furthermore, a control bus 16, an address bus 17, and a data bus 18 are connected between the storage unit 1 and the read/write control circuit 2, and only these connections can be controlled by a third party. There is.

次に、作用を説明する。Next, the effect will be explained.

書主造立肱 これは従来と同様で第3図にハツチング部分でデータの
流れを示すように、ライトストローブ信号WRがアクテ
ィブになることにより、セレクタ7およびセレクタ15
が共に通常の指定アドレスデータをセレクトし、従来と
全(同様に指定したアドレスに対しデータDφ〜D7の
書き込みが行われる。
This is the same as in the conventional case, and as shown in FIG. 3, where the data flow is shown by the hatched area, when the write strobe signal WR becomes active,
Both select normal designated address data, and data Dφ to D7 are written to all designated addresses in the same way as in the conventional case.

読多][2瞳 第4図に示すようにリードストローブ信号RDがアクテ
ィブになると、乱数発生器5および乱数発生器13が乱
数を発生させるとともに、第1の付加回路4ではセレク
タ7が減算器6の結果をセレクトし、第2の付加回路1
2ではセレクタ15が加算器14の演算結果をセレクト
する。これにより、指定アドレスデータが加工されて機
密アドレスデータが生成され、これはアドレスバス17
を介して第2の付加回路12側に伝達され、第2の付加
回路12においてもとの指定アドレスデータに戻されて
メモリ11のリードアクセスが行われてデータが読み出
される。この場合、第三者が介在できるのはコントロー
ルバス16、アドレスバス17およびデータバス18の
部分のみであり、仮にアドレスバス17がらアドレスを
指定して記憶部1のリードアクセスを行ったとしても、
この部分では機密アドレスデータに基づく読み出しが行
われることになるから、〔入力したアドレス〕+〔乱数
〕の加算されたアドレスの内容を読み出すことになり、
第三者が得られるメモリ内容は全く“でたらめ”なワー
ドの並びとなり解析は不可能となる。
[Two Pupils] When the read strobe signal RD becomes active as shown in FIG. Select the result of 6 and add the second additional circuit 1
In step 2, the selector 15 selects the calculation result of the adder 14. As a result, the specified address data is processed to generate confidential address data, which is transmitted to the address bus 17.
The data is transmitted to the second additional circuit 12 through the second additional circuit 12, and the second additional circuit 12 returns the specified address data to the original designated address data, performs a read access to the memory 11, and reads out the data. In this case, a third party can intervene only in the control bus 16, address bus 17, and data bus 18, and even if the address is specified from the address bus 17 and read access is made to the storage unit 1,
In this part, reading will be performed based on confidential address data, so the contents of the address that is the sum of [input address] + [random number] will be read.
The memory contents obtained by a third party will be a completely "random" sequence of words, making analysis impossible.

したがって、メモリ内容の完全な保護を図ることができ
る。その結果、前記従来公報記載の技術とは異なり、メ
モリ単体としての例えばパーソナルユースで使用される
ICカードそのものに対して個人情報の保護を完全に図
ることができる。
Therefore, complete protection of memory contents can be achieved. As a result, unlike the technology described in the above-mentioned prior art publication, personal information can be completely protected for the IC card itself, which is used as a single memory, for example, for personal use.

また、乱数発生器5.13はプログラマブルであるため
、例えば上記のような付加回路を内蔵したメモリ間の機
密性も保つことができる。
Furthermore, since the random number generator 5.13 is programmable, it is possible to maintain confidentiality between memories containing additional circuits as described above, for example.

なお、機密アドレスデータへの加工は上記実施例のよう
に乱数発生器を用いてもよいが、これに限らず、例えば
乱数発生器の代わりにカウンタを使用したり、あるいは
乗算器/除算器の組み合わせにより行ったりしてもよい
Note that processing into confidential address data may use a random number generator as in the above embodiment, but is not limited to this; for example, a counter may be used instead of a random number generator, or a multiplier/divider may be used. A combination may also be used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、第三者による記憶内容の解析を防ぐこ
とができ、メモリの記憶情報の完全な保護を図ることが
できる。
According to the present invention, it is possible to prevent a third party from analyzing the stored contents, and it is possible to completely protect the information stored in the memory.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1〜4図は本発明に係る半導体記憶装置の一実施例を
示す図であり、 第1図はその全体構成図、 第2図はその乱数発生器の回路図、 第3図はそのデータ書き込み時の動作を説明する図、 第4図はそのデータ読み出し時の動作を説明する図であ
る。 工・・・・・・記憶部、 2・・・・・・リード/ライト制御回路、3・・・・・
・メモリインターフェース、4・・・・・・第1の付加
回路、 5.13・・・・・・乱数発生器、 6・・・・・・減算器、 7.15・・・・・・セレクタ、 8a〜8n・・・・・・Dフリップフロップ回路、9a
、9b・・・・・・エクスクル−シブオア回路、11・
・・・・・メモリ、 12・・・・・・第2の付加回路、 14・・・・・・加算器、 16・・・・・・コントロールバス、 17・・・・・・アドレスバス、 18・・・・・・データバス。
1 to 4 are diagrams showing an embodiment of a semiconductor memory device according to the present invention, in which FIG. 1 is an overall configuration diagram thereof, FIG. 2 is a circuit diagram of its random number generator, and FIG. 3 is its data. FIG. 4 is a diagram explaining the operation when writing data, and FIG. 4 is a diagram explaining the operation when reading data. Engineering...Storage unit, 2...Read/write control circuit, 3...
・Memory interface, 4...First additional circuit, 5.13...Random number generator, 6...Subtractor, 7.15...Selector , 8a-8n...D flip-flop circuit, 9a
, 9b... Exclusive OR circuit, 11.
... Memory, 12 ... Second additional circuit, 14 ... Adder, 16 ... Control bus, 17 ... Address bus, 18...Data bus.

Claims (1)

【特許請求の範囲】  データを記憶するメモリに対し、アドレスに基づきデ
ータのリード/ライトが行われる記憶部と、リード/ラ
イトストローブ信号およびアドレススデータを記憶部に
出力し、該記憶部のデータのリード/ライトを制御する
リード/ライト制御回路と、 前記リード/ライト制御回路に、リードストローブ信号
の発生タイミングに応答して指定アドレスデータを加工
して機密アドレスデータを生成するアドレス加工手段と
、 前記記憶部に、リードストローブ信号の発生タイミング
に応答して生成された前記機密アドレスデータをもとの
アドレスデータに戻すアドレス復帰手段とを設けたこと
を特徴とする半導体記憶装置。
[Scope of Claims] A storage section that reads/writes data based on addresses to a memory that stores data; and a storage section that outputs read/write strobe signals and address data to the storage section, a read/write control circuit for controlling read/write of the read/write control circuit; and an address processing means for processing designated address data to generate confidential address data in response to the generation timing of a read strobe signal in the read/write control circuit; A semiconductor memory device, characterized in that the storage section is provided with address recovery means for returning the confidential address data generated in response to the timing of generation of a read strobe signal to the original address data.
JP1235942A 1989-09-12 1989-09-12 Semiconductor storage device Pending JPH0399346A (en)

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JP1235942A JPH0399346A (en) 1989-09-12 1989-09-12 Semiconductor storage device

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ID=16993510

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JP1235942A Pending JPH0399346A (en) 1989-09-12 1989-09-12 Semiconductor storage device

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