JPH0397281A - 磁気抵抗素子を用いたポテンショメータ - Google Patents
磁気抵抗素子を用いたポテンショメータInfo
- Publication number
- JPH0397281A JPH0397281A JP1235371A JP23537189A JPH0397281A JP H0397281 A JPH0397281 A JP H0397281A JP 1235371 A JP1235371 A JP 1235371A JP 23537189 A JP23537189 A JP 23537189A JP H0397281 A JPH0397281 A JP H0397281A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permanent magnet
- fixed
- magnetoresistive element
- elements
- ferromagnetic yoke
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 9
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Adjustable Resistors (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、交叉する磁束量に応じて抵抗値を変化させる
磁気抵抗素子を用いたポテンショメータ、すなわち無接
触型ポテンショメータに関するもので、更に詳言すれれ
ば、雰囲気温度の変化にもかかわらず正確な測定値を出
力する無接触型ポテンショメータに関する。
磁気抵抗素子を用いたポテンショメータ、すなわち無接
触型ポテンショメータに関するもので、更に詳言すれれ
ば、雰囲気温度の変化にもかかわらず正確な測定値を出
力する無接触型ポテンショメータに関する。
「従来の技術コ
従来の無接触型ポテンショメータは、第3図に示すよう
に、強磁性体材料から或るヨークに第1,第2の磁気抵
抗素子を固定したタイプのものと、第4図に示すように
、永久磁石に第1,第2の磁気抵抗素子を固定したもの
が知られていた。
に、強磁性体材料から或るヨークに第1,第2の磁気抵
抗素子を固定したタイプのものと、第4図に示すように
、永久磁石に第1,第2の磁気抵抗素子を固定したもの
が知られていた。
第3図に示されたタイプの無接触型ポテンショメータは
、合成樹脂等の絶縁性非磁性材により、下方中央にヨー
ク取付開口部31を備え、且つ該ヨーク取付開口部31
上に中空室32を設けると共に、該中空室32上方に回
転軸取付孔33を貫通して形或された保持体34を、四
角形状のケース35内に前記回転軸取付孔33を露出せ
しめて収納固定し、更に前記保持体34の回転軸取付孔
33に軸受36を介して非磁性材料から成る回転軸37
を回転自在に軸支すると共に、該回転軸37の下端部の
一方側を切欠した段部38に、断面平行四辺形状の永久
磁石39が回転軸37に対して一方に偏位して固定され
、且つ前記中空室32の下方のヨーク取付開口部31に
は強磁性体ヨーク40が嵌挿固定される一方、該強磁性
体ヨーク40上には、第1,第2の磁気抵抗素子41が
永久磁石39の下面との間に、空隙dを存して対向して
載置固定した構造より成っており、前記一方側に偏位し
て配設固定された永久磁石39を下面に備えた回転軸3
7の回転により、第1,第2の磁気抵抗素子41に作用
する磁束密度を変化させるのである。
、合成樹脂等の絶縁性非磁性材により、下方中央にヨー
ク取付開口部31を備え、且つ該ヨーク取付開口部31
上に中空室32を設けると共に、該中空室32上方に回
転軸取付孔33を貫通して形或された保持体34を、四
角形状のケース35内に前記回転軸取付孔33を露出せ
しめて収納固定し、更に前記保持体34の回転軸取付孔
33に軸受36を介して非磁性材料から成る回転軸37
を回転自在に軸支すると共に、該回転軸37の下端部の
一方側を切欠した段部38に、断面平行四辺形状の永久
磁石39が回転軸37に対して一方に偏位して固定され
、且つ前記中空室32の下方のヨーク取付開口部31に
は強磁性体ヨーク40が嵌挿固定される一方、該強磁性
体ヨーク40上には、第1,第2の磁気抵抗素子41が
永久磁石39の下面との間に、空隙dを存して対向して
載置固定した構造より成っており、前記一方側に偏位し
て配設固定された永久磁石39を下面に備えた回転軸3
7の回転により、第1,第2の磁気抵抗素子41に作用
する磁束密度を変化させるのである。
なお、前記第1,第2の磁気抵抗素子41は、実際上2
つの磁気抵抗素子がパターン化されて、直列に基板上に
配設されているため、図面上両者を一体のものとして図
示してある。
つの磁気抵抗素子がパターン化されて、直列に基板上に
配設されているため、図面上両者を一体のものとして図
示してある。
更に、第4図に示されたタイプの無接触型ポテンショメ
ータは、断面凹状をなした保持体42の上面および両側
面に、それぞれ上板43および側板44を固定し、前記
保持体42の底板42a上の中央部に、保持体42の横
方向中心線に対し、ある傾斜角をもって縦長の永久磁石
45が載置固定されており、該永久磁石45の磁極面上
には、抵抗膜面を上向きにした第1,第2の磁気抵抗素
子46が密着固定され、更に図示していない何等かの手
段によって左右方向に移動して変位を伝える断面平行四
辺形をなすシャフト47が、前記保持体42の両側壁4
2b,42cに穿設されたシャフトガイド孔4Bに貫挿
されて、これをガイドとしてシャフト47が前記保持体
42の横方向中心線に沿って左右方向に往復運動できる
ように配設されると共に、前記シャフト47の下面には
前記第1,第2の磁気抵抗素子46と直交する配列に、
強磁性体ヨーク49が埋込み固定ざれ、該強磁性体ヨー
ク49の下面も前記シャフト47の移動に伴って、第1
,第2の磁気抵抗素子46と平行で極めて接近した配列
のまま、左右方向に往復運動するように構成されており
、第1,第2の磁気抵抗素子46における2つの象限抵
抗膜簡に対する永久磁645と強磁性体ヨーク49との
間の磁束の移動に伴って、強磁性体ヨーク49の直線変
位量に対する信号を第1,第2の磁気抵抗素子46から
取出し、強磁性体ヨーク49の直線変位量を計測するの
である。
ータは、断面凹状をなした保持体42の上面および両側
面に、それぞれ上板43および側板44を固定し、前記
保持体42の底板42a上の中央部に、保持体42の横
方向中心線に対し、ある傾斜角をもって縦長の永久磁石
45が載置固定されており、該永久磁石45の磁極面上
には、抵抗膜面を上向きにした第1,第2の磁気抵抗素
子46が密着固定され、更に図示していない何等かの手
段によって左右方向に移動して変位を伝える断面平行四
辺形をなすシャフト47が、前記保持体42の両側壁4
2b,42cに穿設されたシャフトガイド孔4Bに貫挿
されて、これをガイドとしてシャフト47が前記保持体
42の横方向中心線に沿って左右方向に往復運動できる
ように配設されると共に、前記シャフト47の下面には
前記第1,第2の磁気抵抗素子46と直交する配列に、
強磁性体ヨーク49が埋込み固定ざれ、該強磁性体ヨー
ク49の下面も前記シャフト47の移動に伴って、第1
,第2の磁気抵抗素子46と平行で極めて接近した配列
のまま、左右方向に往復運動するように構成されており
、第1,第2の磁気抵抗素子46における2つの象限抵
抗膜簡に対する永久磁645と強磁性体ヨーク49との
間の磁束の移動に伴って、強磁性体ヨーク49の直線変
位量に対する信号を第1,第2の磁気抵抗素子46から
取出し、強磁性体ヨーク49の直線変位量を計測するの
である。
なお、前記第1,第2の磁気抵抗素子46は、実際上2
つの磁気抵抗素子がパターン化されて、直列に基板上に
配設されているため、図面上両者を一休のものとして図
示してある。
つの磁気抵抗素子がパターン化されて、直列に基板上に
配設されているため、図面上両者を一休のものとして図
示してある。
[発明が解決しようとする課題]
前記した構或より成る従来の2つのタイプの無接触型ポ
テンショメータは、その可動部分におけるl習勤抵抗が
極めて小さいことから微小変位を検出、測定するのに極
めて有利であり、優れた測定能力をもつものであるが、
磁気抵抗素子は抵抗温度係数をもつものであり、この抵
抗温度係数は磁気抵抗素子に磁界が与えられている時と
、与えられていない時で、または与えられている磁界の
大きさによって差異を生ずる。このため、磁気抵抗素子
を用いた無接触型ポテンショメータは雰囲気温度の変化
により、測定値に大きな誤差を生ずるという問題点があ
った。
テンショメータは、その可動部分におけるl習勤抵抗が
極めて小さいことから微小変位を検出、測定するのに極
めて有利であり、優れた測定能力をもつものであるが、
磁気抵抗素子は抵抗温度係数をもつものであり、この抵
抗温度係数は磁気抵抗素子に磁界が与えられている時と
、与えられていない時で、または与えられている磁界の
大きさによって差異を生ずる。このため、磁気抵抗素子
を用いた無接触型ポテンショメータは雰囲気温度の変化
により、測定値に大きな誤差を生ずるという問題点があ
った。
すなわち、磁気抵抗素子を用いた無接触型ポテンショメ
ータは、原理的には第5図に示す如く、直流定電圧IE
の両電極間に、第1の磁気抵抗素子MR,と第2の磁気
抵抗素子MR2との直列回路を挿入し、両磁気抵抗素子
MR1,MR2を往復動可能に組付けられた永久磁石M
CIか、または強磁性体ヨークに対向して配置し、第1
の磁気抵抗素子MR 1の両端子a,bを出力端子とし
て構或ざれている。
ータは、原理的には第5図に示す如く、直流定電圧IE
の両電極間に、第1の磁気抵抗素子MR,と第2の磁気
抵抗素子MR2との直列回路を挿入し、両磁気抵抗素子
MR1,MR2を往復動可能に組付けられた永久磁石M
CIか、または強磁性体ヨークに対向して配置し、第1
の磁気抵抗素子MR 1の両端子a,bを出力端子とし
て構或ざれている。
このような構或となったポテンショメータの出力特性は
、雰囲気温度下を一定に保って両磁気抵抗素子MR+
,MR2に対して永久磁石Mgか、あるいは強磁性体ヨ
ークを変位させると、第6図に示すような出力特性を描
き、ポテンショメータとして有効に使用できる検出可能
な変位量範囲は、直線性の良い点イから点口までの周囲
に設定される。
、雰囲気温度下を一定に保って両磁気抵抗素子MR+
,MR2に対して永久磁石Mgか、あるいは強磁性体ヨ
ークを変位させると、第6図に示すような出力特性を描
き、ポテンショメータとして有効に使用できる検出可能
な変位量範囲は、直線性の良い点イから点口までの周囲
に設定される。
今、両磁気抵抗素子MR1,MR2の抵抗温度特性がほ
ぼ等しいとすると、第6図に示された有効範囲の下限点
イ,上限点口,そして中点八の温度変化特性は第7図に
示すようになり、中点ハの特性曲線Cは温度軸に対して
平行となり、下限点イの特性曲線d1および上限点口の
特性曲線d2は、使用された両磁気抵抗素子MR1,M
R2の温度特性に応じて決定ざれる、ほぼ直線Cに関し
て線対称となった曲線となる。
ぼ等しいとすると、第6図に示された有効範囲の下限点
イ,上限点口,そして中点八の温度変化特性は第7図に
示すようになり、中点ハの特性曲線Cは温度軸に対して
平行となり、下限点イの特性曲線d1および上限点口の
特性曲線d2は、使用された両磁気抵抗素子MR1,M
R2の温度特性に応じて決定ざれる、ほぼ直線Cに関し
て線対称となった曲線となる。
すなわち、第7図に示された温度特性曲線から、使用ざ
れるポテンショメータは、永久磁石Mgが、あるいは強
磁性体ヨークが、中点ハから下限点イ、もしくは上限点
口の方向に変位するに従って、磁気抵抗素子の抵抗温度
係数が、磁界が与えられている時と与えられていない時
で、または与えられている磁界の大きざによって差異を
生ずるため、測定値中に温度誤差を含むことになる。
れるポテンショメータは、永久磁石Mgが、あるいは強
磁性体ヨークが、中点ハから下限点イ、もしくは上限点
口の方向に変位するに従って、磁気抵抗素子の抵抗温度
係数が、磁界が与えられている時と与えられていない時
で、または与えられている磁界の大きざによって差異を
生ずるため、測定値中に温度誤差を含むことになる。
上記した如く、従来の磁気抵抗素子を用いたポテンショ
メータは、雰囲気温度の変化により、温度誤差を生じる
ものとなっているので、常に設定ざれた一定温度雰囲気
内で使用されなければならず、このため温度管理が面倒
であったり、一定温度に保持するための機構が面倒とな
るという問題点を有していた。
メータは、雰囲気温度の変化により、温度誤差を生じる
ものとなっているので、常に設定ざれた一定温度雰囲気
内で使用されなければならず、このため温度管理が面倒
であったり、一定温度に保持するための機構が面倒とな
るという問題点を有していた。
また、このように使用できる雰囲気温度が一定値に制限
されているため、携帯用の機器に取付けることかできな
いばかりか、その設置場所に応じて機器を調整、設定す
る必要があり、このため利用範囲が極めて限定されると
共に、取扱いが面倒で専門的な技術を要するものとなっ
ていた。
されているため、携帯用の機器に取付けることかできな
いばかりか、その設置場所に応じて機器を調整、設定す
る必要があり、このため利用範囲が極めて限定されると
共に、取扱いが面倒で専門的な技術を要するものとなっ
ていた。
また、従来のボテンショメータにおいて、上記の雰囲気
温度の変化による、検出値中の温度誤差を小さくする為
の方法として、電気回路的に直並列抵抗や、サーミスタ
を使用するものもあったが、この方法では温度補償範囲
がせまく、出力電圧比感度が低下するという問題点があ
った。
温度の変化による、検出値中の温度誤差を小さくする為
の方法として、電気回路的に直並列抵抗や、サーミスタ
を使用するものもあったが、この方法では温度補償範囲
がせまく、出力電圧比感度が低下するという問題点があ
った。
本発明は、かかる従来の問題点を解決することを目的と
する磁気抵抗素子を用いた無接触型ポテンショメータを
提供しようとするものである。
する磁気抵抗素子を用いた無接触型ポテンショメータを
提供しようとするものである。
[課題を解決するための手段]
本発明は、直流定電圧源の両電極間に、第1の磁気抵抗
素子と第2の磁気抵抗素子との直列回路を挿入し、前記
両磁気抵抗素子を、対向配置した永久磁石か、または強
磁性体ヨークのいずれか一方に固定し、且つ他方をこれ
に対して往復動可能に配置し、前記第1の磁気抵抗素子
の両端子を出力端子として構或して、交叉する磁束量に
応じて抵抗値を変化させる磁気抵抗素子を用いたポテン
ショメータに於いて、雰囲気温度により、前記永久磁石
または強磁性体ヨークと、前記第1,第2の磁気抵抗素
子間の空隙を調整するべく、バイメタル板上に固設され
た強磁性体ヨークまたは永久磁石のいずれか一方に、第
1,第2の磁気抵抗素子を装置するいう手段を採用する
ことにより、上記問題点を解決した。
素子と第2の磁気抵抗素子との直列回路を挿入し、前記
両磁気抵抗素子を、対向配置した永久磁石か、または強
磁性体ヨークのいずれか一方に固定し、且つ他方をこれ
に対して往復動可能に配置し、前記第1の磁気抵抗素子
の両端子を出力端子として構或して、交叉する磁束量に
応じて抵抗値を変化させる磁気抵抗素子を用いたポテン
ショメータに於いて、雰囲気温度により、前記永久磁石
または強磁性体ヨークと、前記第1,第2の磁気抵抗素
子間の空隙を調整するべく、バイメタル板上に固設され
た強磁性体ヨークまたは永久磁石のいずれか一方に、第
1,第2の磁気抵抗素子を装置するいう手段を採用する
ことにより、上記問題点を解決した。
[作 用]
上記構成より或る本発明によれば、第7図に示された検
出有効範囲の下限点イ,上限点口の温度特性曲線d1,
d2の湾曲を取ることができ、雰囲気温度による温度誤
差を小さくすることが可能となる。またこの場合、出力
電圧比感度が低下することなく温度特性を改善すること
が可能となる。
出有効範囲の下限点イ,上限点口の温度特性曲線d1,
d2の湾曲を取ることができ、雰囲気温度による温度誤
差を小さくすることが可能となる。またこの場合、出力
電圧比感度が低下することなく温度特性を改善すること
が可能となる。
[実施例]
本発明に係る磁気抵抗素子を用いたポテンショメータの
実施例を図に就いて詳細に説明する。
実施例を図に就いて詳細に説明する。
第1図に図示したものが、本発明の第1実施例であって
、強磁性体ヨークに第1,第2の磁気抵抗素子を固定し
たタイプの無接触型ポテンショメータである。この第1
実施例の無接触型ポテンショメータは、次のように構成
ざれている。
、強磁性体ヨークに第1,第2の磁気抵抗素子を固定し
たタイプの無接触型ポテンショメータである。この第1
実施例の無接触型ポテンショメータは、次のように構成
ざれている。
合戒樹脂等の絶縁性非磁性材により、下方中央にヨーク
配置開口部1を備え、且つ該ヨーク配置開口部1上に中
空室2を設けると共に、該中空室2上方に回転軸取付孔
3を貫通して形或された保持体4を、四角形状のケース
5内に前記回転軸取付孔3を露出せしめて収納固定し、
更に前記保持体4の回転軸取付孔3に軸受6を介して非
磁性材料から或る回転軸7を回転自在に軸支すると共に
、該回転軸7の下端部の一方側を切欠した段部8に、断
面平行四辺形状の永久磁石9が回転軸7に対して一方に
偏位して固定され、且つ前記中空室2の下方のヨーク配
置開口部1には、前記保持体4の底而4aに一端を固定
されると共に、他端側をフリーとして、ヨーク配置開口
部]の他端の開口縁1a側に延在するバイメタル板10
上に、前記回転軸7の軸心とその中心線が一致するよう
にして強磁性体ヨーク11を載置固定し、且っ該強磁性
体ヨーク1]上には第1,第2の磁気抵抗索子12が、
その抵抗膜面を上向きに配置して永久磁石9の下面との
間に空隙dを存して対向して載置固定ざれている。
配置開口部1を備え、且つ該ヨーク配置開口部1上に中
空室2を設けると共に、該中空室2上方に回転軸取付孔
3を貫通して形或された保持体4を、四角形状のケース
5内に前記回転軸取付孔3を露出せしめて収納固定し、
更に前記保持体4の回転軸取付孔3に軸受6を介して非
磁性材料から或る回転軸7を回転自在に軸支すると共に
、該回転軸7の下端部の一方側を切欠した段部8に、断
面平行四辺形状の永久磁石9が回転軸7に対して一方に
偏位して固定され、且つ前記中空室2の下方のヨーク配
置開口部1には、前記保持体4の底而4aに一端を固定
されると共に、他端側をフリーとして、ヨーク配置開口
部]の他端の開口縁1a側に延在するバイメタル板10
上に、前記回転軸7の軸心とその中心線が一致するよう
にして強磁性体ヨーク11を載置固定し、且っ該強磁性
体ヨーク1]上には第1,第2の磁気抵抗索子12が、
その抵抗膜面を上向きに配置して永久磁石9の下面との
間に空隙dを存して対向して載置固定ざれている。
この際、バイメタル板10は雰囲気温度の変化により湾
曲し、強磁性体ヨーク11の軸方向の位置が変わり、第
1,第2の磁気抵抗素子12と永久磁石9との間の空隙
dが、雰囲気温度の変化に応じて、調整される構造とな
っている。
曲し、強磁性体ヨーク11の軸方向の位置が変わり、第
1,第2の磁気抵抗素子12と永久磁石9との間の空隙
dが、雰囲気温度の変化に応じて、調整される構造とな
っている。
なお、前記第1,第2の磁気抵抗素子12は、実際上は
2つの磁気抵抗素子がパターン化ざれて直列に基板上に
配設されているため、図面上両者を一体のものとして図
示してある。
2つの磁気抵抗素子がパターン化ざれて直列に基板上に
配設されているため、図面上両者を一体のものとして図
示してある。
而して、前記一方側に偏位して配設固定ざれた永久磁石
9を下面に備えた回転軸7の回転により、第1,第2の
磁気抵抗素子12に作用する磁束密度を変化させるので
ある。
9を下面に備えた回転軸7の回転により、第1,第2の
磁気抵抗素子12に作用する磁束密度を変化させるので
ある。
第2図に図示したものが、本発明の第2実施例であって
、永久磁石に第1,第2の磁気抵抗素子を固定したタイ
プの無接触型ポテンショメータである。この第2実施例
の無接触型ポテンショメータは、次のように構成されて
いる。
、永久磁石に第1,第2の磁気抵抗素子を固定したタイ
プの無接触型ポテンショメータである。この第2実施例
の無接触型ポテンショメータは、次のように構成されて
いる。
底板14aの中央に永久磁石配置開口部13を備えて断
面凹状に形成ざれた保持体14の上面および両側面に、
夫々上板15および側板16を固定して箱状とし、且つ
前記保持体]4の底面板14aの下面に一端を固定され
るとともに、他端側をフリーとして永久磁石配置開口部
13の他端の開口縁13a側に延在するバイメタル板1
7上に、保持体14の横方向中心線に対し、ある傾斜角
をもって縦長の永久磁石18が載置固定ざれており、該
永久磁石18の磁極面上には、抵抗膜面を上向きにした
第1,第2の磁気抵抗素子19が密着固定され、更に図
示していない何等かの手段によって左右方向に移動して
変位を伝える断面平行四辺形をなすシャフト20が、前
記保持体14の両側!14b,14cに穿設されたシャ
フトガイド孔21に貫挿されて、これをガイドとしてシ
ャフト20が前記保持体14の横方向中心線に沿って左
右方向に往復運動できるように配設されると共に、前記
シャフト20の下面には前記第1,第2の磁気抵抗素子
19と直交する配列に、強磁性体ヨーク22が、前記第
1,第2の磁気抵抗素子19の上面との間に空隙dを存
して対向して埋込み固定され、該強磁性体ヨーク22の
下面も前記シャフト20の移動に伴って、第1,第2の
磁気抵抗素子1つと平行で極めて接近した配列のまま、
左右方向に往復運動するように構成されている。
面凹状に形成ざれた保持体14の上面および両側面に、
夫々上板15および側板16を固定して箱状とし、且つ
前記保持体]4の底面板14aの下面に一端を固定され
るとともに、他端側をフリーとして永久磁石配置開口部
13の他端の開口縁13a側に延在するバイメタル板1
7上に、保持体14の横方向中心線に対し、ある傾斜角
をもって縦長の永久磁石18が載置固定ざれており、該
永久磁石18の磁極面上には、抵抗膜面を上向きにした
第1,第2の磁気抵抗素子19が密着固定され、更に図
示していない何等かの手段によって左右方向に移動して
変位を伝える断面平行四辺形をなすシャフト20が、前
記保持体14の両側!14b,14cに穿設されたシャ
フトガイド孔21に貫挿されて、これをガイドとしてシ
ャフト20が前記保持体14の横方向中心線に沿って左
右方向に往復運動できるように配設されると共に、前記
シャフト20の下面には前記第1,第2の磁気抵抗素子
19と直交する配列に、強磁性体ヨーク22が、前記第
1,第2の磁気抵抗素子19の上面との間に空隙dを存
して対向して埋込み固定され、該強磁性体ヨーク22の
下面も前記シャフト20の移動に伴って、第1,第2の
磁気抵抗素子1つと平行で極めて接近した配列のまま、
左右方向に往復運動するように構成されている。
この際、バイメタル板17は雰囲気温度の変化により湾
曲し、永久1’Eil8の上下方向の位置が変わり、第
1,第2の磁気抵抗素子19と強磁性体ヨーク22との
間の空隙dが、雰囲気温度の変化に応じて調整される構
造となっている。
曲し、永久1’Eil8の上下方向の位置が変わり、第
1,第2の磁気抵抗素子19と強磁性体ヨーク22との
間の空隙dが、雰囲気温度の変化に応じて調整される構
造となっている。
なお、前記第1,第2の磁気抵抗素子19は、実際上2
つの磁気抵抗素子がパターン化されて、直列に基板上に
配設されているため、図面上両者を一体のものとして図
示してある。
つの磁気抵抗素子がパターン化されて、直列に基板上に
配設されているため、図面上両者を一体のものとして図
示してある。
次に、本発明の実施例の作用に就いて説明する。
第1実施例のように、強磁性体ヨーク11に第1,第2
の磁気抵抗素子12を固定した場合は、回転軸7の回転
によって、第1,第2の磁気抵抗素子12に於ける2つ
の象限抵抗膜面に対する強磁性体ヨーク11と、回転軸
7に直接固定された永久磁石9との間の磁束の移動に伴
って、永久磁石9の回転角変位量に対する信号を第1,
第2の磁気抵抗素子12から取り出して、永久磁石9の
圓転角変位量を計測する。
の磁気抵抗素子12を固定した場合は、回転軸7の回転
によって、第1,第2の磁気抵抗素子12に於ける2つ
の象限抵抗膜面に対する強磁性体ヨーク11と、回転軸
7に直接固定された永久磁石9との間の磁束の移動に伴
って、永久磁石9の回転角変位量に対する信号を第1,
第2の磁気抵抗素子12から取り出して、永久磁石9の
圓転角変位量を計測する。
また、第2実施例のように、永久磁石18に第1,第2
の磁気抵抗素子を固定した場合は、シャフト20の往復
運動によって、第1,第2の磁気抵抗素子1つに於ける
2つの象限抵抗膜面に対する永久磁石1Bとシャフト2
0に埋め込み固定ざれた強磁性体ヨーク22との間の磁
束の移動に伴って、シャフト20の直線変位量に対する
信号を第1,第2の磁気抵抗素子19から取り出してシ
ャフト20の直線変位量を計測する。
の磁気抵抗素子を固定した場合は、シャフト20の往復
運動によって、第1,第2の磁気抵抗素子1つに於ける
2つの象限抵抗膜面に対する永久磁石1Bとシャフト2
0に埋め込み固定ざれた強磁性体ヨーク22との間の磁
束の移動に伴って、シャフト20の直線変位量に対する
信号を第1,第2の磁気抵抗素子19から取り出してシ
ャフト20の直線変位量を計測する。
また、本発明ポテンショメータでは、従来の第1,第2
の磁気抵抗素子を用いた無接触型ポテンショメータにお
ける雰囲気温度の変化による測定値中の大きな誤差をな
くすために、前記第1実施例の場合は、強磁性体ヨーク
11をバイメタル板10の上に載置固定し、また第2実
施例の場合は、永久磁石18をバイメタル板17の上に
載置固定してある。ここで、雰囲気温度の変化による前
記各バイメタル板10.17の湾曲により、空隙dを調
整し、これによって従来のポテンショメータでは取れな
かった第7図に示された検出有効範囲の下限点イ,上限
点口の温度特性曲線d,,d2の湾曲を取り、直線にす
ることができ、雰囲気温瓜による温度誤差をなくし、精
度を高めることができる。
の磁気抵抗素子を用いた無接触型ポテンショメータにお
ける雰囲気温度の変化による測定値中の大きな誤差をな
くすために、前記第1実施例の場合は、強磁性体ヨーク
11をバイメタル板10の上に載置固定し、また第2実
施例の場合は、永久磁石18をバイメタル板17の上に
載置固定してある。ここで、雰囲気温度の変化による前
記各バイメタル板10.17の湾曲により、空隙dを調
整し、これによって従来のポテンショメータでは取れな
かった第7図に示された検出有効範囲の下限点イ,上限
点口の温度特性曲線d,,d2の湾曲を取り、直線にす
ることができ、雰囲気温瓜による温度誤差をなくし、精
度を高めることができる。
[発明の効果]
本発明は、上述のようであるから、従来のポテンショメ
ータに比して、出力電圧比感度を低下ざ仕ることなく、
雰囲気温度による温度誤差をなくし、正確な検出値を得
ることができる。
ータに比して、出力電圧比感度を低下ざ仕ることなく、
雰囲気温度による温度誤差をなくし、正確な検出値を得
ることができる。
第1図は本発明の第1実施例を示す無接触型ポテンショ
メータで、強磁性体ヨークに第1,第2の磁気抵抗素子
を固定したタイプの縦断面図、第2図(1)は本発明の
第2実施例を示す無接触型ポテンショメータで、永久磁
石に第1,第2の磁気抵抗素子を固定した上板を省略し
た平面図、第2図(2〉は同側板を省略した正面図、第
2図(3)は同側面図、第3図は従来の無接触型ボテン
ショメータで、強磁性体ヨークに第1,第2の磁気抵抗
素子を固定したタイプの縦断面図、第4図(1)は従来
の無接触型ポテンショメータで、永久磁石に第1,第2
の磁気抵抗素子を固定したタイプの上板を省略した平面
図、第4図(2〉は同側板を省略した正面図、第4図{
3}は同側面図、第5図は第1,第2の磁気抵抗素子を
使用した無接触型ポテンショメータの基本的な回路図、
第6図は第5図に示された無接触型ポテンショメータの
永久磁石か、あるいは強磁性体ヨークの変位に伴う出力
変化曲線図、第7図は第1,第2の磁気抵抗素子を使用
した無接触型ポテンショメータの上限点,下限点,そし
て中点の温度特性曲線図である。 図中、9,18は永久磁石、10.17はバイメタル板
、11.22は強磁性体ヨ7ク、12.19は第1,第
2の磁気抵抗素子、dは空隙である。 平或 1年 9月11日 第 1 図 第6図 (3) 第 7 (2) 図
メータで、強磁性体ヨークに第1,第2の磁気抵抗素子
を固定したタイプの縦断面図、第2図(1)は本発明の
第2実施例を示す無接触型ポテンショメータで、永久磁
石に第1,第2の磁気抵抗素子を固定した上板を省略し
た平面図、第2図(2〉は同側板を省略した正面図、第
2図(3)は同側面図、第3図は従来の無接触型ボテン
ショメータで、強磁性体ヨークに第1,第2の磁気抵抗
素子を固定したタイプの縦断面図、第4図(1)は従来
の無接触型ポテンショメータで、永久磁石に第1,第2
の磁気抵抗素子を固定したタイプの上板を省略した平面
図、第4図(2〉は同側板を省略した正面図、第4図{
3}は同側面図、第5図は第1,第2の磁気抵抗素子を
使用した無接触型ポテンショメータの基本的な回路図、
第6図は第5図に示された無接触型ポテンショメータの
永久磁石か、あるいは強磁性体ヨークの変位に伴う出力
変化曲線図、第7図は第1,第2の磁気抵抗素子を使用
した無接触型ポテンショメータの上限点,下限点,そし
て中点の温度特性曲線図である。 図中、9,18は永久磁石、10.17はバイメタル板
、11.22は強磁性体ヨ7ク、12.19は第1,第
2の磁気抵抗素子、dは空隙である。 平或 1年 9月11日 第 1 図 第6図 (3) 第 7 (2) 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1直流定電圧源の両電極間に、第1の磁気 抵抗素子と第2の磁気抵抗素子との直列回路を挿入し、
前記両磁気抵抗素子を、空隙を存して対向配置した永久
磁石と強磁性体ヨークのうち、強磁性体ヨークの上面に
固定し、且つ永久磁石をこれに対して往復動可能に配置
し、前記第1の磁気抵抗素子の両端子を出力端子として
構成して、交叉する磁束量に応じて抵抗値を変化させる
磁気抵抗素子を用いたポテンショメータに於いて、雰囲
気温度により、前記永久磁石と、前記第1、第2の磁気
抵抗素子間の空隙を調整するべく、バイメタル板上に固
設された強磁性体ヨーク上面に、第1、第2の磁気抵抗
素子を装置したことを特徴とする磁気抵抗素子を用いた
ポテンショメータ。 2直流定電圧源の両電極間に、第1の磁気 抵抗素子と第2の磁気抵抗素子との直列回路を挿入し、
前記両磁気抵抗素子を、空隙を存して対向配置した永久
磁石と強磁性体ヨークのうち、永久磁石の上面に固定し
、且つ強磁性体ヨークをこれに対して往復動可能に配置
し、前記第1の磁気抵抗素子の両端子を出力端子として
構成して、交叉する磁束量に応じて抵抗値を変化させる
磁気抵抗素子を用いたポテンショメータに於いて、雰囲
気温度により、前記強磁性体ヨークと、前記第1、第2
の磁気抵抗素子間の空隙を調整するべく、バイメタル板
上に固設された永久磁石上面に、第1、第2の磁気抵抗
素子を装置したことを特徴とする磁気抵抗素子を用いた
ポテンショメータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1235371A JPH0695484B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 磁気抵抗素子を用いたポテンショメータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1235371A JPH0695484B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 磁気抵抗素子を用いたポテンショメータ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0397281A true JPH0397281A (ja) | 1991-04-23 |
JPH0695484B2 JPH0695484B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=16985096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1235371A Expired - Fee Related JPH0695484B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 磁気抵抗素子を用いたポテンショメータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0695484B2 (ja) |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1235371A patent/JPH0695484B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0695484B2 (ja) | 1994-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6304078B1 (en) | Linear position sensor | |
US7088096B2 (en) | Combination hall effect position sensor and switch | |
US6222359B1 (en) | Non-contacting position sensor using radial bipolar tapered magnets | |
US6211668B1 (en) | Magnetic position sensor having opposed tapered magnets | |
EP0419040B1 (en) | Speed/position sensor based upon magnetoresistive effect | |
JPS6349724Y2 (ja) | ||
US7268536B2 (en) | Magnetic linear position sensor | |
US20040201377A1 (en) | Magnetoresistive sensor | |
JPH0246901B2 (ja) | ||
JPH11304414A (ja) | 磁気検出装置 | |
EP1977207B1 (en) | Accurate pressure sensor | |
CN101395681B (zh) | 具有线性磁通密度的磁体 | |
US2903645A (en) | Magnetic thickness gauge | |
ES2024419B3 (es) | Transductor detector de angulos. | |
JPH0397281A (ja) | 磁気抵抗素子を用いたポテンショメータ | |
JPH05142246A (ja) | 加速度センサ | |
JPH04282481A (ja) | 磁電変換器 | |
JP2000055930A (ja) | 加速度センサ | |
JPS62148813A (ja) | 磁気センサ | |
JPH03226625A (ja) | 回転ポジショナ | |
JPH0414735B2 (ja) | ||
JPS625284B2 (ja) | ||
JPH0323872B2 (ja) | ||
JPH0536225Y2 (ja) | ||
KR920010840B1 (ko) | 자기저항소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |