JPH039539A - Metal mold for semiconductor resin sealing - Google Patents

Metal mold for semiconductor resin sealing

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Publication number
JPH039539A
JPH039539A JP14635589A JP14635589A JPH039539A JP H039539 A JPH039539 A JP H039539A JP 14635589 A JP14635589 A JP 14635589A JP 14635589 A JP14635589 A JP 14635589A JP H039539 A JPH039539 A JP H039539A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
gate
cavity
mold
gates
Prior art date
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Pending
Application number
JP14635589A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiaki Shirouchi
俊昭 城内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP14635589A priority Critical patent/JPH039539A/en
Publication of JPH039539A publication Critical patent/JPH039539A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To reduce the amount of resin flowing and passing the same wire bonding region, by forming and arranging a plurality of resin injection gates at symmetrical positions in a cavity part. CONSTITUTION:A semiconductor integrated circuit element mounted on a lead frame is wire-bonded and then resin-sealed by using a pair of an upper and a lower metal molds 1a, 1b. Resin injection gates 3a, 3b for cavities 2a, 2b are arranged at symmetrical positions with respect to the centers of the cavities 2a, 2b. The one 3a of the resin injection gates is formed in the top force 1a, and the other one 3b is formed in the bottom force 1b. By this constitution, the amount of resin passing the same wire bonding region at the time of resin sealing is reduced, so the deformation of wire can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路素子(以下ICと称す)を樹脂
封止するための封止用金型に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a mold for sealing a semiconductor integrated circuit element (hereinafter referred to as IC) with a resin.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、この種の半導体樹脂封止用金型は、上下金型で形
成されたキャビティ1個に対し、それぞれ樹脂注入ゲー
ト(以下ゲートと称す〉が1箇所設けられていた。
Conventionally, this type of mold for semiconductor resin encapsulation has been provided with one resin injection gate (hereinafter referred to as gate) for each cavity formed by the upper and lower molds.

又、キャビティ部空隙に密閉されたエアーを樹脂注入と
共に排出するための通気溝(以下エアーベントと称す)
を、ゲート部以外の箇所に設けた構造となっていた。
In addition, there is a ventilation groove (hereinafter referred to as an air vent) for discharging the air sealed in the cavity space along with resin injection.
was provided at a location other than the gate section.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述した従来の半導体樹脂封止用金型は、1個のキャビ
ティに対しゲートが1箇所であるため、パッケージを形
成する樹脂は、全てその1箇所のゲートよりキャビティ
内へ流入することとなる。
Since the conventional semiconductor resin sealing mold described above has one gate for one cavity, all the resin forming the package flows into the cavity through the one gate.

従って、キャビティ内へ最初に流入した樹脂は、まずゲ
ート側にボンディングされたワイヤ上を通過し、次にゲ
ートと反対側のワイヤ上を通過し、最後にゲートと反対
側のキャビティ端面へと流動する。その間、ゲートから
は順次樹脂が流入し、上記経路を経て最終的にキャビテ
ィ部が樹脂で充満される。
Therefore, the resin that first flows into the cavity first passes over the wire bonded to the gate side, then passes over the wire on the opposite side to the gate, and finally flows to the end face of the cavity on the opposite side to the gate. do. During this time, resin sequentially flows in from the gate, and the cavity portion is finally filled with resin via the above-mentioned path.

この場合、ゲート側のワイヤボンディング領域は、ゲー
トと反対側のワイヤボンディング領域に比べ、樹脂封入
時に通過する樹脂量が多くなるためワイヤの変形量が大
きくなる。すると、ボンディングされたワイヤの間隔が
狭かったり、あるいはワイヤ長さが長くなると、変形に
よるショート不良又はオープン不良等を発生し、歩留り
低下の要因となっていた。
In this case, the wire bonding region on the gate side has a larger amount of resin passed through during resin encapsulation than the wire bonding region on the opposite side to the gate, so the amount of deformation of the wire becomes larger. Then, if the distance between the bonded wires is narrow or the length of the wire is long, short-circuit defects or open defects due to deformation occur, which causes a decrease in yield.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明は、リードフレーム上に搭載された半導体集積回
路素子をワイヤボンディング後樹脂封止を行うための上
下一対の半導体樹脂封止用金型において、キャビティ部
への樹脂注入ゲートがキャビティ部のセンターに対し対
称位置に少なくとも一組以上配置して形成され、且つ前
記樹脂注入ゲートの一方は上型に形成され他方は下型に
形成される半導体樹脂封止用金型である。
The present invention provides a pair of upper and lower semiconductor resin molding molds for resin-sealing a semiconductor integrated circuit element mounted on a lead frame after wire bonding, in which a resin injection gate into a cavity is located at the center of the cavity. At least one set of the resin injection gates is arranged symmetrically with respect to each other, and one of the resin injection gates is formed in the upper mold, and the other is formed in the lower mold.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1の実施例における金型キャビティ
部周辺を示す斜視図である。以下、符号のサフィックス
aは止金型、bは下金型を示す。
FIG. 1 is a perspective view showing the vicinity of a mold cavity in a first embodiment of the present invention. Hereinafter, the suffix a in the symbols indicates a stopper die, and the suffix b indicates a lower die.

図示するように、la、Ibはベース、2a、2bはキ
ャビティ、3a、3bはゲート、4a、4bはサブラン
ナー、5a、5bはエアーベントである。
As shown in the figure, la and Ib are bases, 2a and 2b are cavities, 3a and 3b are gates, 4a and 4b are sub-runners, and 5a and 5b are air vents.

本実施例では、上型キャビティ2aの一コーナー部にゲ
ート3aを形成し、又、そのコーナ一部と隣接する二つ
のコーナ一部に、それぞれエアーベント5aを形成する
In this embodiment, a gate 3a is formed at one corner of the upper mold cavity 2a, and air vents 5a are formed at each of the corner and two adjacent corners.

又、下型については、上型でゲート3aが形成された位
置に対しキャビティのセンターと対称のコーナ一部にゲ
ー)3bを形成する。エアーベント5bは上型と相当す
る位置に設ける。
Further, regarding the lower mold, a gate 3b is formed at a part of the corner symmetrical to the center of the cavity with respect to the position where the gate 3a is formed in the upper mold. The air vent 5b is provided at a position corresponding to the upper mold.

従って、上型と下型とは常に同一数のゲートが形成され
ることになる。又、1個のキャビティに上ゲートと下ゲ
ートを形成したことによって、IC載置部の封入時の浮
き上がりを防止することができる。
Therefore, the same number of gates are always formed on the upper mold and the lower mold. Further, by forming the upper gate and the lower gate in one cavity, it is possible to prevent the IC mounting portion from lifting up when it is sealed.

本実施例の金型を用いてICを樹脂封止する際は、上型
ゲート3a及び下型ゲート3bから流入する樹脂のタイ
ミング、速度、流量等を全て等しくなるような条件で行
う。
When molding an IC with resin using the mold of this embodiment, the timing, speed, flow rate, etc. of the resin flowing from the upper mold gate 3a and the lower mold gate 3b are all set to be the same.

第2図に、本実施例の金型にてICを樹脂封止した後の
パッケージ(上型パッケージ6a及び下型パッケージ6
bからなる)の外観斜視図を示す。7は外部リードピッ
チ仮想線である。
FIG. 2 shows packages (upper package 6a and lower package 6) after IC is resin-sealed with the mold of this embodiment.
(b) shows a perspective view of the exterior. 7 is an external lead pitch virtual line.

第3図は本発明の第2の実施例における金型キャビティ
部周辺を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing the vicinity of a mold cavity in a second embodiment of the present invention.

本実施例では、上型キャビティ2aの対角両コーナーに
上型ゲート3aを形成し、又、キャビティ四辺のそれぞ
れの中央部にエアーベント5aを設けである。このエア
ーベント5aには、樹脂封入時に樹脂ばりが残ってリー
ドフレーム表面に付着するため、パッケージの外部リー
ドとなるリード部は避けて隣接するリード間をつなぐタ
イバ一部を通るようにエアーベント5aを設ける。
In this embodiment, upper mold gates 3a are formed at both diagonal corners of the upper mold cavity 2a, and air vents 5a are provided at the center of each of the four sides of the cavity. Since resin burrs remain in the air vent 5a during resin encapsulation and adhere to the surface of the lead frame, the air vent 5a is inserted so as to pass through a part of the tie bar that connects adjacent leads, avoiding the lead portion that becomes the external lead of the package. will be established.

又、下型については、下型キャビティ2bの対角両コー
ナーで、上型ゲート3aと対向しない位置に下型ゲート
3bを設ける。エアーベント5bは、それぞれ上型のエ
アーベント5aと対向する位置に設ける。
Regarding the lower mold, lower mold gates 3b are provided at both diagonal corners of the lower mold cavity 2b at positions not facing the upper mold gate 3a. The air vents 5b are provided at positions facing the air vents 5a of the upper mold.

本実施例によれば、ボンディングされたワイヤ上を通過
する樹脂量は第1の実施例より更に少なく押さえること
ができるため、ワイヤ変形量を最小限に押さえることが
できる。
According to this embodiment, the amount of resin that passes over the bonded wire can be kept smaller than in the first embodiment, so the amount of wire deformation can be kept to a minimum.

第4図に、本実施例による樹脂封止後のパッケージ外観
斜視図を示す。上金型にゲー)3aが2箇所、また下金
型にゲート3bが2箇所の計4箇所にゲートが設けられ
、それぞれのゲートから樹脂が注入された状態がわかる
FIG. 4 shows an external perspective view of the package after resin sealing according to this embodiment. Gates are provided at four locations, two gates 3a on the upper mold and two gates 3b on the lower mold, and it can be seen that resin is injected from each gate.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、1個のキャビティ部に複
数の樹脂注入ゲートを対称な位置に配置形成することに
より、同一ワイヤボンディング領域を流動し通過する樹
脂量を減少させることができる。
As described above, the present invention can reduce the amount of resin flowing and passing through the same wire bonding area by arranging and forming a plurality of resin injection gates at symmetrical positions in one cavity.

又、同じ流速で樹脂を流入させようとする場合、一つの
ゲートの場合に比ベニつゲートがある場合は、単純に計
算して注入時間は半分になり、四つゲートを設けると注
入時間は1/4になる。
Also, when trying to flow resin at the same flow rate, if there are two gates compared to one gate, the injection time will be halved by simple calculation, and if four gates are installed, the injection time will be It becomes 1/4.

このように、樹脂注入時間が短くなると、注入時の樹脂
粘度の経時変化を少なく押さえることが可能となるため
、封入条件のばらつき許容範囲は大きくなる。
As described above, when the resin injection time is shortened, it becomes possible to suppress changes over time in the resin viscosity during injection, and therefore the allowable range of variations in the encapsulation conditions becomes larger.

上記要因により、流動中の樹脂がボンディングワイヤに
与える応力を小さくすることができるので、樹脂封入時
のボンディングワイヤの変形を大幅に減少させることが
でき、信頼性の向上が図れる。又、極端にワイヤボンデ
ィングのピッチ間隔が狭くボンディング長さが長いIC
や大型パッケージICでも樹脂封入が容易となる。
Due to the above factors, the stress exerted by the flowing resin on the bonding wire can be reduced, so deformation of the bonding wire during resin encapsulation can be significantly reduced, and reliability can be improved. Also, ICs with extremely narrow wire bonding pitch intervals and long bonding lengths
Even large package ICs can be easily encapsulated in resin.

ャビティ、2b・・・下型キャビティ、3a・・・上型
ゲート、3b・・・下型ゲート、4a・・・上型サブラ
ンナー、4b・・・下型サブランナー、5a・・・上型
エアーベント、5b・・・下型エアーベント、6a・・
・上型パッケージ、6b・・・下型パッケージ、7・・
・外部リードピッチ仮想線。
cavity, 2b...lower die cavity, 3a...upper die gate, 3b...lower die gate, 4a...upper die sub-runner, 4b...lower die sub-runner, 5a...upper die Air vent, 5b...lower air vent, 6a...
・Upper package, 6b...Lower package, 7...
・External lead pitch virtual line.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] リードフレーム上に搭載された半導体集積回路素子をワ
イヤボンディング後樹脂封止を行うための上下一対の半
導体樹脂封止用金型において、キャビティ部への樹脂注
入ゲートがキャビティ部のセンターに対し対称位置に少
なくとも一組以上配置して形成され、且つ前記樹脂注入
ゲートの一方は上型に形成され他方は下型に形成される
ことを特徴とする半導体樹脂封止用金型。
In a pair of upper and lower semiconductor resin molding molds for resin-sealing semiconductor integrated circuit elements mounted on a lead frame after wire bonding, the resin injection gate into the cavity is positioned symmetrically with respect to the center of the cavity. 1. A mold for semiconductor resin encapsulation, characterized in that at least one set of the resin injection gates is arranged in the upper mold and the other resin injection gate is formed in the lower mold.
JP14635589A 1989-06-07 1989-06-07 Metal mold for semiconductor resin sealing Pending JPH039539A (en)

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