JPH0393899A - 洗浄剤および洗浄方法 - Google Patents
洗浄剤および洗浄方法Info
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Landscapes
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- Detergent Compositions (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は洗浄剤および洗浄方法に関し、さらに詳細には
、半導体製造工程で使用される基板等の洗浄に有効な洗
浄剤および洗浄方法に関する。
、半導体製造工程で使用される基板等の洗浄に有効な洗
浄剤および洗浄方法に関する。
ICやLSI等の半導体の製造に用いられるウエハー等
の基板、フォトリソグラフィー工程で使用されるマスク
やレチクルおよびその前關体とし?の石英基板等の基板
、ペリクルを製造する際に使用されるガラス基板等の基
板、ならびに光ディスクの製造に用いるスタンパーの製
造に使用される基板などは、その性質上極めてきれいに
洗浄されている必要がある。
の基板、フォトリソグラフィー工程で使用されるマスク
やレチクルおよびその前關体とし?の石英基板等の基板
、ペリクルを製造する際に使用されるガラス基板等の基
板、ならびに光ディスクの製造に用いるスタンパーの製
造に使用される基板などは、その性質上極めてきれいに
洗浄されている必要がある。
上記のような基板の洗浄方法としては、従来、洗剤水溶
液や超純水中に基板を浸して超音波振動で基板に付着し
ている異物を除去する方法、洗剤水溶液や超純水を用い
てPVA発泡体等のブラシでこすり洗いする方法、ある
いはH2So4−H20■、NH,OH−H,0■等の
溶液中に基板を浸して酸化反応で有機物を除去する方法
などにより大部分の汚れを除去した後、イソプロパノー
ルまたはフロン等の洗浄溶媒蒸気中に基板を置き、基板
表面で蒸気を凝縮させて基板表面を洗い流し、基板の温
度が蒸気の温度と等しくなった時点で乾燥状態となる蒸
気洗浄乾燥法が広く用いられている。
液や超純水中に基板を浸して超音波振動で基板に付着し
ている異物を除去する方法、洗剤水溶液や超純水を用い
てPVA発泡体等のブラシでこすり洗いする方法、ある
いはH2So4−H20■、NH,OH−H,0■等の
溶液中に基板を浸して酸化反応で有機物を除去する方法
などにより大部分の汚れを除去した後、イソプロパノー
ルまたはフロン等の洗浄溶媒蒸気中に基板を置き、基板
表面で蒸気を凝縮させて基板表面を洗い流し、基板の温
度が蒸気の温度と等しくなった時点で乾燥状態となる蒸
気洗浄乾燥法が広く用いられている。
しかし、上記の蒸気洗浄乾燥法でイソプロパノールを用
いた場合、インプロパノールが可燃性であるため、洗浄
工程中に火災、爆発等の事故が発生しやすいという問題
点がある。また、フロンは、近年代替物の使用が望まれ
ている。
いた場合、インプロパノールが可燃性であるため、洗浄
工程中に火災、爆発等の事故が発生しやすいという問題
点がある。また、フロンは、近年代替物の使用が望まれ
ている。
本発明の目的は、フロンを使用せず、安全でかつイソプ
ロパノールやフロンを使用した時と同等あるいはそれ以
上の洗浄乾燥性が得られる洗浄剤および洗浄方法を提案
することである。
ロパノールやフロンを使用した時と同等あるいはそれ以
上の洗浄乾燥性が得られる洗浄剤および洗浄方法を提案
することである。
本発明者らは不燃性で、かつ自然界で分解可能な洗浄溶
媒を探索した結果、五フッ化プロパノールがその条件を
満たすことを発見し、本発明を完成した。
媒を探索した結果、五フッ化プロパノールがその条件を
満たすことを発見し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は次の洗浄剤および洗浄方法である。
(1)五フッ化プロパノールおよび五フッ化プロパノー
ルと混和可能な他の溶媒の混合溶媒からなる洗浄剤。
ルと混和可能な他の溶媒の混合溶媒からなる洗浄剤。
(2)被洗浄物を,五フッ化プロパノールおよび五フッ
化プロパノールと混和可能な他の溶媒の混合溶媒の蒸気
中に入れて洗浄することを特徴とする洗浄方法。
化プロパノールと混和可能な他の溶媒の混合溶媒の蒸気
中に入れて洗浄することを特徴とする洗浄方法。
本発明において洗浄方法の対象となる被洗浄物としては
,五フッ化プロパノールに対して安定なものからなるも
のであれば特に限定されないが、特に基板の洗浄に適し
ている。基板としては、例えばガラス,石英またはこれ
らの表面にクロム等を蒸着させて被膜を形成したもの、
樹脂、あるいはこれらの上に回路パターン等を有してい
るものなどをあげることができる。このような被洗浄物
として具体的には,半導体の製造に用いられるウエハー
等の基板、フォトリソグラフィー工程で使用されるマス
クやレチクルおよびその前廓体としての石英基板等の基
板、ペリクルを製造する際に使用されるガラス基板等の
基板,ならびに光ディスクの製造に用いるスタンパーの
製造に使用される基板などをあげることができる。
,五フッ化プロパノールに対して安定なものからなるも
のであれば特に限定されないが、特に基板の洗浄に適し
ている。基板としては、例えばガラス,石英またはこれ
らの表面にクロム等を蒸着させて被膜を形成したもの、
樹脂、あるいはこれらの上に回路パターン等を有してい
るものなどをあげることができる。このような被洗浄物
として具体的には,半導体の製造に用いられるウエハー
等の基板、フォトリソグラフィー工程で使用されるマス
クやレチクルおよびその前廓体としての石英基板等の基
板、ペリクルを製造する際に使用されるガラス基板等の
基板,ならびに光ディスクの製造に用いるスタンパーの
製造に使用される基板などをあげることができる。
本発明において洗浄剤として使用する五フツ化プロパノ
ールは第1表に示す分子式を有し、不燃性であり、洗浄
乾燥工程での火災、爆発等の危険がなく、無毒であり、
かつ自然界において分解するため大気中に拡散しても環
境問題を誘発する心配はない。五フッ化プロパノールの
諸物性を第1表に示す。
ールは第1表に示す分子式を有し、不燃性であり、洗浄
乾燥工程での火災、爆発等の危険がなく、無毒であり、
かつ自然界において分解するため大気中に拡散しても環
境問題を誘発する心配はない。五フッ化プロパノールの
諸物性を第1表に示す。
第 l 表
本発明の洗浄剤を構成する他の溶媒としては、五フッ化
プロパノールと混和可能な溶媒(ハロゲン化炭素水素を
除く)であればよいが,水,アルコール類、エーテル類
、エステル類、ケトン類、炭化水素類などを使用するこ
とができる。
プロパノールと混和可能な溶媒(ハロゲン化炭素水素を
除く)であればよいが,水,アルコール類、エーテル類
、エステル類、ケトン類、炭化水素類などを使用するこ
とができる。
アルコール類としては、メタノール、エタノール、プロ
パノール、イソプロパノール、ブタノール,インブタノ
ール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、エ
チレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレ
ングリコール、1,2−ブタンジオール、1.3−ブタ
ンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタン
ジオール、インブチレングリコール、ベンジルアルコー
ル、シンナミルアルコール,シクロペンタノール、シク
ロヘキサノール等が例示できる。
パノール、イソプロパノール、ブタノール,インブタノ
ール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、エ
チレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレ
ングリコール、1,2−ブタンジオール、1.3−ブタ
ンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタン
ジオール、インブチレングリコール、ベンジルアルコー
ル、シンナミルアルコール,シクロペンタノール、シク
ロヘキサノール等が例示できる。
エーテル類としては、プロビルエーテル、ブチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル,エチレングリコールジ
エチルエーテル、ジオキサン等が例示できる。
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル,エチレングリコールジ
エチルエーテル、ジオキサン等が例示できる。
エステル類としては、酢酸メチル、酢酸エチル,酢酸n
−プロビル、酢酸イソプロビル、酢酸n−ブチル,酢酸
イソブチル、酢酸第二ブチル等が例示できる。
−プロビル、酢酸イソプロビル、酢酸n−ブチル,酢酸
イソブチル、酢酸第二ブチル等が例示できる。
ケトン類としては、ジメチルケトン、エチルメチルケト
ン、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、イソプロ
ビルメチルケトン、プチルメチルケトン、エチルプロピ
ルケトン、イソブチルメチルケトン、メチルーn−へキ
シルケトン、メチルーn−アミルケトン、エチル一〇一
プチルケトン、ジーn−プロビルケトン、ジイソブチル
ケトン、ジメチルオキシド、ホロン、イソホロン、シク
ロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノ
ン等が例示できる。
ン、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、イソプロ
ビルメチルケトン、プチルメチルケトン、エチルプロピ
ルケトン、イソブチルメチルケトン、メチルーn−へキ
シルケトン、メチルーn−アミルケトン、エチル一〇一
プチルケトン、ジーn−プロビルケトン、ジイソブチル
ケトン、ジメチルオキシド、ホロン、イソホロン、シク
ロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノ
ン等が例示できる。
炭化水素類としてはヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベ
ンゼン,トルエン、エチルベンゼン、プロビルベンゼン
、イソプロビルベンゼン、n−ブチルベンゼン、イソブ
チルベンゼン. see−ブチルベンゼン、tart−
ブチルベンゼン、キシレン、エチルメチルベンゼン,ジ
エチルベンゼン、シクロヘキサン等が例示できる. 特に後述する蒸気で洗浄する場合には、五フッ?プロパ
ノールの沸点より高い沸点を有する溶媒を混合するのが
望ましい。
ンゼン,トルエン、エチルベンゼン、プロビルベンゼン
、イソプロビルベンゼン、n−ブチルベンゼン、イソブ
チルベンゼン. see−ブチルベンゼン、tart−
ブチルベンゼン、キシレン、エチルメチルベンゼン,ジ
エチルベンゼン、シクロヘキサン等が例示できる. 特に後述する蒸気で洗浄する場合には、五フッ?プロパ
ノールの沸点より高い沸点を有する溶媒を混合するのが
望ましい。
五フッ化プロパノールと他の溶媒との混合割合は、洗浄
対象、洗浄方法等により異なるが,一般的には重量比で
50%以上が五フッ化プロパノールであることが望まし
い。可燃性の溶媒は火災等の危険性のない範囲とするの
が好ましい。
対象、洗浄方法等により異なるが,一般的には重量比で
50%以上が五フッ化プロパノールであることが望まし
い。可燃性の溶媒は火災等の危険性のない範囲とするの
が好ましい。
本発明の洗浄剤による洗浄方法は、洗浄剤中に被洗浄物
を浸漬したり、被洗浄物に洗浄剤をスプレーしたりする
方法など、一般の洗浄方法が採用できるが,特に洗浄剤
の蒸気中に被洗浄物を入れて被洗浄物表面を洗浄した後
乾燥させる方法が好ましい。
を浸漬したり、被洗浄物に洗浄剤をスプレーしたりする
方法など、一般の洗浄方法が採用できるが,特に洗浄剤
の蒸気中に被洗浄物を入れて被洗浄物表面を洗浄した後
乾燥させる方法が好ましい。
その具体的な洗浄方法としては、従来法と同様に、洗剤
水溶液や超純水中に被洗浄物を浸して超音波振動で被洗
浄物に付着している異物を除去する方法、洗剤水溶液や
超純水を用いてPVA発泡体等のブラシでこすり洗いす
る方法、あるいはH2S04−820,、NH401{
−H,O■等の溶液中に被洗浄物を浸して酸化反応で有
機物を除去する方法などの前処理法により大部分の汚れ
を除去した後、本発明の洗浄剤の蒸気中に被洗浄物を置
き、被洗浄物表面で蒸気を凝縮させて被洗浄物表面を洗
い流し、被洗浄物の温度が蒸気の温度と等しくなった時
点で乾燥状態となり,洗浄乾燥を終る。
水溶液や超純水中に被洗浄物を浸して超音波振動で被洗
浄物に付着している異物を除去する方法、洗剤水溶液や
超純水を用いてPVA発泡体等のブラシでこすり洗いす
る方法、あるいはH2S04−820,、NH401{
−H,O■等の溶液中に被洗浄物を浸して酸化反応で有
機物を除去する方法などの前処理法により大部分の汚れ
を除去した後、本発明の洗浄剤の蒸気中に被洗浄物を置
き、被洗浄物表面で蒸気を凝縮させて被洗浄物表面を洗
い流し、被洗浄物の温度が蒸気の温度と等しくなった時
点で乾燥状態となり,洗浄乾燥を終る。
以下、本発明の洗浄方法の好ましい例を図を用いて説明
する。
する。
第1図は蒸気洗浄乾燥装置lの概念図であり、2は洗浄
槽、3はヒーター、4は洗浄剤、5は被洗浄物としての
基板、6は熱媒、7は冷却水、8は支持体である。洗浄
槽2はヒーター3により熱媒6が加温されることにより
洗浄剤4が蒸発して、その蒸気により満たされる。この
ような洗浄槽2に前処理を行った基板5が置かれると、
基板5の温度は洗浄剤4の蒸気の温度より低いため、基
板5の表面上に洗浄剤4が凝縮して液化する。この液化
した洗浄剤4により基板5表面が洗い流されて洗浄され
る。
槽、3はヒーター、4は洗浄剤、5は被洗浄物としての
基板、6は熱媒、7は冷却水、8は支持体である。洗浄
槽2はヒーター3により熱媒6が加温されることにより
洗浄剤4が蒸発して、その蒸気により満たされる。この
ような洗浄槽2に前処理を行った基板5が置かれると、
基板5の温度は洗浄剤4の蒸気の温度より低いため、基
板5の表面上に洗浄剤4が凝縮して液化する。この液化
した洗浄剤4により基板5表面が洗い流されて洗浄され
る。
その後、基板5の温度が上昇するとともに凝縮する洗浄
剤4の量が減少し、基板5の温度と洗浄剤4の蒸気の温
度が等しくなった時点で凝縮は起らなくなり,基板5は
乾燥状態となる。洗浄剤4の蒸気は冷却水7により、洗
浄槽2からの散逸が防止される。
剤4の量が減少し、基板5の温度と洗浄剤4の蒸気の温
度が等しくなった時点で凝縮は起らなくなり,基板5は
乾燥状態となる。洗浄剤4の蒸気は冷却水7により、洗
浄槽2からの散逸が防止される。
このようにして洗浄乾燥された基板5表面には洗浄剤は
残留しない。また、洗浄後の乾燥にかがる時間も短く、
短時間で乾燥することができる。
残留しない。また、洗浄後の乾燥にかがる時間も短く、
短時間で乾燥することができる。
本発明によれば,洗浄剤として五フッ化プロパノールお
よび他の溶媒からなる混合溶媒を使用するようにしたの
で、五フッ化プロパノール単独の場合より優れた洗浄力
が得られる。またフロンを全く使用せず、従来の方法に
おいてイソプロパノールを洗浄溶媒として用いた場合に
問題となる火災や爆発の危険を回避でき、さらに従来の
方法と同等あるいはそれ以上の洗浄乾燥性で被洗浄物の
洗浄乾燥を行うことができる。
よび他の溶媒からなる混合溶媒を使用するようにしたの
で、五フッ化プロパノール単独の場合より優れた洗浄力
が得られる。またフロンを全く使用せず、従来の方法に
おいてイソプロパノールを洗浄溶媒として用いた場合に
問題となる火災や爆発の危険を回避でき、さらに従来の
方法と同等あるいはそれ以上の洗浄乾燥性で被洗浄物の
洗浄乾燥を行うことができる。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例1
洗浄剤として五フッ化プロパノール90重量%およびイ
ソプロパノールlO重量%の混合溶媒を用いてレチクル
用のガラス基板の洗浄@燥を行い、基板の洗浄乾燥状態
および水切れ状態を目視して観察した。なお、上記混合
溶媒を用いた洗浄乾燥に先立ち、基板の予備洗浄として
硫酸洗浄(120℃×5分)→水洗(5分)→水超音波
洗浄(3分)を行った。結果を第2表に示す。
ソプロパノールlO重量%の混合溶媒を用いてレチクル
用のガラス基板の洗浄@燥を行い、基板の洗浄乾燥状態
および水切れ状態を目視して観察した。なお、上記混合
溶媒を用いた洗浄乾燥に先立ち、基板の予備洗浄として
硫酸洗浄(120℃×5分)→水洗(5分)→水超音波
洗浄(3分)を行った。結果を第2表に示す。
比較例1および2
洗浄剤としてイソプロパノール(比較例1)またはフロ
ン(比較例2)を用いて実施例1と同様にして行った。
ン(比較例2)を用いて実施例1と同様にして行った。
結果を第2表に示す。
第2表
の混合溶媒が、従来のインプロパノールまたはフロンと
比較して、同等またはそれ以上の乾燥性および非残留性
を有していることがわかる。
比較して、同等またはそれ以上の乾燥性および非残留性
を有していることがわかる。
第1図は蒸気洗浄乾燥装置の概念図であり、1は蒸気洗
浄乾燥装置、2は洗浄槽、3はヒーター4は洗浄剤、5
は基板、6は熱媒、7は冷却水、8は支持体を示す。
浄乾燥装置、2は洗浄槽、3はヒーター4は洗浄剤、5
は基板、6は熱媒、7は冷却水、8は支持体を示す。
Claims (2)
- (1)五フッ化プロパノールおよび五フッ化プロパノー
ルと混和可能な他の溶媒の混合溶媒からなる洗浄剤。 - (2)被洗浄物を、五フッ化プロパノールおよび五フッ
化プロパノールと混和可能な他の溶媒の混合溶媒の蒸気
中に入れて洗浄することを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1231312A JPH0393899A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 洗浄剤および洗浄方法 |
CA002008882A CA2008882A1 (en) | 1989-02-01 | 1990-01-30 | Washing agent, washing method and process for preparing semiconductor integrated circuit device by use thereof |
EP19900301008 EP0389087A3 (en) | 1989-02-01 | 1990-01-31 | Washing agent and method |
KR1019900001193A KR930010054B1 (ko) | 1989-02-01 | 1990-02-01 | 세척제와 그를 이용한 세척방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1231312A JPH0393899A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 洗浄剤および洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0393899A true JPH0393899A (ja) | 1991-04-18 |
Family
ID=16921659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1231312A Pending JPH0393899A (ja) | 1989-02-01 | 1989-09-06 | 洗浄剤および洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0393899A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1900801A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-19 | FUJIFILM Corporation | Substrate water-removing agent, and water-removing method and drying method employing same |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP1231312A patent/JPH0393899A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1900801A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-19 | FUJIFILM Corporation | Substrate water-removing agent, and water-removing method and drying method employing same |
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