JPH0386722A - n―アルキル置換シクロヘキシリデンビスフエノールのポリカーボネート - Google Patents

n―アルキル置換シクロヘキシリデンビスフエノールのポリカーボネート

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JPH0386722A
JPH0386722A JP20829590A JP20829590A JPH0386722A JP H0386722 A JPH0386722 A JP H0386722A JP 20829590 A JP20829590 A JP 20829590A JP 20829590 A JP20829590 A JP 20829590A JP H0386722 A JPH0386722 A JP H0386722A
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bis
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methyl
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JP20829590A
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Volker Serini
フオルカー・ゼリニ
Dieter Freitag
デイーター・フライターク
Uwe Westeppe
ウベ・ベステツペ
Karsten-Josef Idel
カルステン‐ヨゼフ・イーデル
Ulrich Grigo
ウルリツヒ・グリゴ
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Bayer AG
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L69/00Compositions of polycarbonates; Compositions of derivatives of polycarbonates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G64/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbonic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G64/04Aromatic polycarbonates
    • C08G64/06Aromatic polycarbonates not containing aliphatic unsaturation

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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明の目的は、to、000ないし80,000、好
ましくは15.000ないし70,000、特に好まし
くは18.000ないし60,000及び殊に20.0
00ないし40.000の平均分子量Mwを有し、下記
式(I) k@ 式中、 RI  R2R3及びR4は、互いに独立して水素、C
I−CI 2=炭化水素基またはハロゲンを表しそして
、 R5及びR@は、水素またはC,−CB−n−アルキル
基であり、それぞれの場合RS及びR1基のどちらか一
方のみがC6〜C,−n−アルキル基である の2官能力−ボネート構造単位を、ポリカーボネートの
2官能力−ボネート構造単位の全量を基準として100
ないし10モル%、好ましくは100ないし20モル%
、特に好ましくは100ないし40モル%、極めて好ま
しくは100ないし70モル%の量含有する芳香族ポリ
カーボネートからの熱可塑的加工による成形品の製造で
ある。
日本国特許明細書第61062039号、第61062
040号及び第61105550号は、部分的にまたは
完全に下記式(IA) 式中、 X及びX′は、水素、ハロゲンまたはメチルでありそし
て Rは、水素、ハロゲン、OH%C0OH,アセチルまた
はC,−C,−アルキル(日本国特許第6106204
0号では、C,−C3−アルキルである) の構造単位からなるポリカーボネートを記述する。
式(IA)はまた、式(1)に該当する構造単位の幾つ
かを含む。前述の日本国特許明細書に記述されるポリカ
ーボネートは、電子写真の光受容体の電荷輸送層(ch
arge  transportation  1ay
ers)中のバインダーポリマーとして使用されている
。これらのポリカーボネートは、有機溶媒、例えば、塩
化メチレン中に溶解させることにより処理され、かくし
て得られたポリカーボネート溶液を注型し、その後電荷
輸送物質を導入し、そして有機溶媒を蒸発させ電荷輸送
層を生皮する。前述のポリカーボネートの成形品への熱
可塑加工としての使用は、前述の日本国特許明細書また
はその他にも記述されていない。このような使用は当業
者にも自明のことではない。なぜならシクロへキシリデ
ン環が置換されていないビスフェノール、例えば、l、
l−ビス−(4−巳ドロキシフェニル)−シクロヘキサ
ンを基礎とするポリカーボネートでさえ工業的に使用可
能な成形品を与える溶融体からの加工は、それらの高い
溶融粘度及び架橋及び分解に対する高い感受性のため困
難であるからである。
シクロヘキシリデン環をさらにメチル基で置換されてい
る例えば式(I)に記載されているものは、工業的に許
容できる熱可塑性加工を許容しないと考えられていた。
驚くべきことに、本発明に従って使用されるポリカーボ
ネートの熱可塑性加工が可能となりそして該加工により
得ることができる成形品は、良好な特性を示すことが見
いだされた。本発明に従って使用されるポリカーボネー
トの溶融体は、驚くほど好く流れそして架橋及び分解に
対して安定である。
式(I)のカーボネート構造単位は、下記式(n)R@ 式中、 R1,R2、R3、R4、R5及びR6は、式(I)と
同一の意味を有する、 のビスフェノールに基づく。
式(I)及び式(II)において、R1、R2、R1及
びR4は、好ましくは水素、メチル、エチル、フェニル
、シクロヘキシル、塩素又は臭素であり、特に好ましく
は水素、メチル及び臭素であり、殊に水素である。
もしRI  R2、R3及びR1基の1つ以上が水素で
ないならば、同一の置換基が好ましい。
もしRI  R2、R3及びR6基の2つが水素でない
ならば、カーボネート基(式(I))またはフェノール
のOH基を基準として、o、o’ −置換が、好ましい
。もしR1、R2Rff及びR4基のすべてが水素でな
いならば上記のようにo、o、。
O′−置換が、好ましい。
式(I)及び(II)において、R5またはR6基は、
C,−C6−n−アルキル基、例えば、メチル、エチル
、n−プロピル、n−ブチル及びn−ペンチルを表すこ
とができる。しかし、好ましくはメチル及びエチルを表
す。式(I)及び(n)においてR6基は、好ましくは
C,−C6−n−アルキル基である。
式(II)のビスフェノールの例は以下の通りである。
1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−4−メチ
ル−シクロヘキサン、 1.1−ビス−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル
)−4−メチル−シクロヘキサン、1.1−ビス−(3
,5〜ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−4−メチ
ル−シクロヘキサン、1.1−ビス−(3−クロロ−4
−ヒドロキシフェニル)−4−メチル−シクロへキサン
、1.1−ビス−(3,5−ジクロロ−4−とドロキシ
フェニル)−4−メチル−シクロヘキサン、1.1−ビ
ス−(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)−
4−メチル−シクロヘキ今ン、1.1−ビス−(3−7
エニルー4−ヒドロキシフェニル)−4−メチル−シク
ロヘキサン、1.1−ビス−(3,5−ジエチル−4−
ヒドロキシフェニル)−4−メチル−シクロヘキサン、
1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−3−メチ
ル−シクロヘキサン、 1、t−ビス−(3−メチル−4−ヒドロキシ7エ二ル
)−3−メチル−シクロヘキサン、1.1−ビス−(3
,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−メチ
ル−シクロヘキサン、1、i−ビス−(3−クロロ−4
−ヒドロキシフェニル)−3−メチル−シクロヘキサン
、1、l−ビス−(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシ
フェニル)−3−メチル−シクロヘキサン、1.1−ビ
ス−(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)−
3−メチル−シクロヘキサン、1.1−ビス−(3−フ
ェニル−4−ヒドロキシフェニル)−3−メチル−シク
ロへキサン、1.1−ビス=(3,5−ジエチル−4−
ヒドロキシフェニル)−3−メチル−シクロヘキサン、
1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−3−二チ
ルーシクロヘキサン、及び 1.1〜ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−4−エチ
ル−シクロヘキサンでアル。
特に好ましいビスフェノールは、: 1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−3−メチ
ル−シクロヘキサン、 1.1−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)−3−メチル−シクロへキサン及びl、I−ビ
ス−(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)−
3−メチル−シクロへキサン、である。
1、 1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)3−メチ
ル−シクロヘキサンが特に好ましい。
式(II)のビスフェノールは、式(II[)のシクロ
ヘキサノン、 及び式 () %式%) 式中、 R1,R2、R3R’  R’及びR’は、前述ノ意味
を有する、 のフェノールから、0−100℃で酸触媒(好ましくは
HCIまたは酸イオン交換体)、そしてもし適当ならば
硫黄含有助触媒例えば、3−メルカプトプロピオン酸の
存在下の製造することができる。
本発明のポリカーボネートは、式(I)のカーボネート
構造単位に加えて、それぞれの場合100モル%になる
ための蒲完的な量の2官能力−ポネート構造単位、例え
ば、 式(Vr)のビスフェノ ールを基礎とする式(v)を含有する。
HO−Z−OH−(VI) 式(Vl)のビスフェノールは、2が6ないし30個の
炭素原子を有し、1個またはそれ以上の芳香族環を含有
する芳香族基である式(Vl)のビスフェノールは、置
換されていることができ、式(n)のものの外に脂肪族
基または脂環式炭化水素基または架橋員としてヘテロ原
子を含有することができる。
式(Vl)のジフェノールの例は、以下の通りである。
ヒドロキノン レソルシノール ジヒドロキシジフェニル ビス−(ヒドロキシフェニル)−アルカンビス−(ヒド
ロキシフェニル)−シクロアルカンビス−(ヒドロキシ
フェニル)スルフィドビス−(ヒドロキシフェニル)エ
ーテルビス−(ヒドロキシフェニル)ケトン ビス−(ヒドロキシフェニル)スルホンビス−(ヒドロ
キシフェニル)スルホキシドσ、σ°−ビス−(ヒドロ
キシフェニル)−ジイソプロピルベンゼン 及びそれらの環アルキル化及び環ハロゲン化化合物であ
る。
これらの及びさらに適する他のジフェノールは、例えば
、米国特許明細書第3028365号、第299983
5号、第3148172号、第3275601号、第2
991273号、第3271367号、第306278
1号、第2970131号及び第2999846号、西
ドイツ国特許公開明細書第1570703号、第206
3050号、第2063052号及び第2211956
号、フランス国特許明細書第156 ]、 518号及
びモノグラフ「エイチ シュネル著、ポリカーボネート
の化学と物理(H,5chne I I、Chem+5
try   and   Physics   of 
  Po1ycarbonat、es)、  Inte
rscience出版社、ニューヨーク、1964午」
に記述される。
好ましい他のジフェノールの例は以下の通りである。
4.4′−ジヒドロキシジフェニル 2.2〜ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−プロパン 2.4−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−2メチル
ブタン 1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘ
キサン α、α′−ヒス−(4−ヒドロキシフェニル)−p−ジ
イソプロピルベンゼン 2.2−ビス−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル
)−プロパン 2.2−ビス−(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル
)−プロパン ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
−メタン 2.2−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)−プロパン ビス=(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
スルホン 2.4−ヒス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)−2−メチルブタン 1.1−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロヘキサン α、α′−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシ
フェニル)−p−ジイソプロピル−ベンゼン 2.2−ビス−(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフ
ェニル)−10パン及ヒ 2.2−ビス−(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフ
ェニル)−プロパン 特に好ま1−い式(Vl)のジフェノールの例は以下の
通りである。
2.2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−プロパン 2.2−ビス−(3,5〜ジメチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)−プロパン 2.2−ビス〜(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフ
ェニル)−プロパン 2.2−ビス−(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフ
ェニル)−プロパン及ヒ l、1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘ
キサン 2、2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−プロパン
が、特に好ましい。
他のジフェノールを単独でまたは混合物として用いるこ
とができる。
l官能化合物を、分子量の調節のため連鎖停止剤として
通常の濃度で使用することができる。適する化合物は、
例えば、第2級アミン、フェノール及び酸塩化物である
。フェノール、例えば、tert、−ブチルフェノール
または他のアルキル−置換フェノールが好ましい。少量
の下記式() 式中、Rは、枝別れしたC6−及び/又はC9〜アルキ
ル基を表す、 のフェノールが、分子量の調節のために特に適する。好
ましくはアルキル基RにおいてCH,プロトンの含有量
は47ないし89%の間であり、そしてCH及びCH2
プロトンの含有量は53ないし11%の間である。また
好ましくはRは、OH基と対比して〇−及び/又はp−
位でありモしてオルト含有量の上限は特に好ましくは2
0%である。
いくつかの特に適するフェノールは、フェノール、p−
tert、−ブチルフェノール、ヒドロキシジフェニル
、p−クミルフェノール、及び特にp−3+ 5−ジメ
チルへブチルフェノール及びm−及びp−1,1,3,
3−テトラメチルブチルフェノールである。p−1,1
,3,3−テトラメチルブチルフェノールが、殊に好ま
しい。連鎖停止剤は、一般に、使用されるジフェノール
の量を基準として0.1ないし10.好ましくは0゜5
ないし8モル%の量で用いられる。
成形品への熱可塑性加工のために本発明に従って使用さ
れるポリカーボネートは、式(1)及び(v)の2価の
カーボネート構造単位の性質及び割合及び平均分子量M
wの前述の要求を満足する限り、少なくとも2つのポリ
カーボネートの任意の混合物でよいと理解される。しか
しながら、合成により特定される組成を有するポリカー
ボネート、つまり後の混合により得ることができないも
のが好ましい。
本発明に従って使用されるポリカーボネートは、それ自
身既知の方法で相界面法(phase  1nterf
ace  process)により製造することができ
る(エイチ シュネル著、ポリカーボネートの化学と物
理(H,5chne l l。
Chemistry  and  Physicsof
  Po1ycarbonates)、P。
lymer  Reviews、  Vol、U、33
頁1nterscience  Publ、1964午
参照)。
この方法では、式(II)のジフェノールを水性のアル
カリ相に溶解する。式(II)のジフェノール及び他の
ジフェノール、例えば、式(Vl)のものの混合物を他
のジフェノールとのコーポリカーボネートの製造に使用
する。例えば式(■)の、連鎖停止剤を、分子量の調節
のために添加することができる。該反応は次にホスゲン
を用いて、好ましくはポリカーボネートを溶解する、不
活性有機相の存在下で相界面縮合法により行う。反応温
度は一般にO℃〜40°Cの間である。
使用される式(n)のジフェノール及び式(Vl)の他
のジフェノールに加えて、それらのモノ−及び/又はビ
ス−クロロカルボン酸エステルを共に使用することもで
き、それらは、有機溶媒中の溶液として添加される。つ
ぎに連鎖停止剤の量は式(n)のジフェノラート構造単
位及びもし適当ならば他のジフェノラート構造単位、例
えば、式1)のもののモル数による。もしクロロカルボ
ン酸エステルが用いられるならば、ホスゲンの量は同様
に既知の方法により対応して減少させることができる。
相界面重縮合のために使用することができる有機相及び
連鎖停止剤及びもし適当ならばクロロカルボン酸エステ
ルの溶液のために使用することができる有機溶媒は、例
えば、塩素化炭化水素、例えば、クロロホルム、ジクロ
ロエタン、ジー及びテトラクロロエチレン、テトラクロ
ロエチレン、テトラクロロエタン、塩化メチレン、クロ
ロベンゼン及びジクロロベンゼン、及び非塩素化炭化水
素、例えば、トルエン及びキシレン、並びにこれらの溶
媒の混合物、特に塩化メチレン及びクロロベンゼンの混
合物である。もし適当ならば、使用される連鎖停止剤は
、同一の溶媒に溶解させることができる。
相界面重縮合のために使用される有機相は、例えば、塩
化メチレン、クロロベンゼンまたはトルエン並びに塩化
メチレン及びクロロベンゼンの混合物である。
使用される水性のアルカリ相は、例えば、水性NaOH
溶液またはKOH溶液である。
本発明に従って使用されるポリカーボネートの相界面法
による製造は通常の方法により、触媒、例えば、ter
t、−アミン、相移動(p h a s etra、n
5fer)触媒、例えば、tert。
−脂肪族アミン、例えば、トリブチルアミン、トリエチ
ルアミン、N−エチル−ピペリジン及び特に第4級アン
モニウム及びホスホニウム化合物及びクラウンエーテル
、例えば、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化トリフ
ェニルベンジルホスホニウムにより反応させることがで
きる。該触媒は、一般に使用されるジフェノールを基準
として0゜05ないし30モル%の量使用される。該触
媒は、一般にホスゲン化の前またはホスゲン化の間また
はその後に添加される。
本発明により使用される該ポリカーボネートは、第1反
応生成物から既知の方法、例えば、相界面重縮合で得ら
れる有機相をその中にポリカーボネートを溶解したまま
分離しそして中性で電解質を含まないもので洗浄しそし
て次に例えば、脱蔵化押出機(devolatiliz
ation  extruder)を使用してグラニュ
レートとしてまたは非溶媒(non−so Iven 
t)の用いて沈殿させそして続いて乾燥させることによ
り、または噴霧気化により粉末またはペレットとしてポ
リカーボネートが得られるという手順により分離するこ
とができる。
熱可塑性ポリカーボネートのための通常の添加剤、例え
ば、安定剤、離型剤、顔料、防火剤、帯電防止剤、導電
性付与剤(conductivityadditive
s)、充填剤及び強化物質を、成形品への加工の前また
は加工中に本発明に従って使用されるポリカーボネート
に通常の量で添加することができる。
可能な防火剤は、以下の通りである。
1、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び脂肪族及び芳
香族スルホン酸、カルボン酸、及びホスホン酸のアンモ
ニウム塩。これらはおおくの方法で、例えば、F、CI
、Br、またはアルキルにより置換されることができる
。これらの塩状(satt−1ike)防火剤は、オリ
ゴマー及びポリマーであることができる。塩状(sal
t−1ike)防火剤は、特に以下の特許出願に記述さ
れている。
西ドイツ国特許公開第1694640号、第19302
57号、第2049358号、第2212987号、第
2149311号、第2253072号、第27037
10号、第2458527号、第2458968号、第
2460786号、第2460787号、第26407
88号、第2460935号、第2460937号、第
2460944号、第2460945号、第24609
46号、第2461063号、第2461077号、第
2461144号、第2461145号、第24611
46号、第22644114号、第2645415号、
第2646120号、第2647271号、第2648
128号、第2648131号、第2653327号、
第2744015号、第2744016号、第2744
017号、第2744018号、第2745592号、
第2948871号、第2948439号及び第300
2122号。
2、もし適当ならば相乗剤、例えば、ハロゲン化芳香族
と組み合わせた、有機ハロゲン化合物。このような物質
は特に以下の特許出願に記述されている。西ドイツ国特
許公開第2631756号、日本国特許出願第51−1
19059号、西ドイツ国特許公開第3342636号
、ヨーロッパ特許出願第31959号及び西ドイツ国特
許公開第3020375号及び第2631756号。
3、ハロゲン化フタルイミド及びフタルイミドスルホネ
ート 西ドイツ国特許公N第2703710号、第32039
05号、83322057号、第3337857号及び
第3023818号 4、ハロゲン含有複合酸の塩、例えば、氷晶石、テトラ
フルオロ硼酸の塩、及びフルオロケイ酸の塩であり、特
に西ドイツ国特許公開第2149311号及び第302
3818号に記載されている。
5、例えば、ドイツ国公開明細書第2535262号、
第2195563号、第2948439号及び第302
3818号に記載されている、部分的にまたは完全にフ
ッ素化されたポリオレフィン。
6、ヨーロッパ特許出願第71125号及び第1432
2号及びWO86/4911号のスルホンアミド、ジス
ルホンアミド及びその塩。
7、硫黄原子及び赤リン、西ドイツ国特許公開第243
5508号及び第2355211号8.7エロセンまた
はその誘導体西ドイツ国特許公開第2644437号 9、ジフェニルスルホン、西ドイツ国特許公開第212
9204号 10、ニッケル塩、西ドイツ国特許公開第191821
6号 Lz、ポリフェニレンスルフィド、西ドイツ国特許公開
第2503336J+及びヨーロッパ特許出@第870
38号 12、塩酸、硫酸、りん酸、硝酸、硫化水素、硼酸のア
ルカリ金属及びアルカリ土類金属並びに亜鉛の塩及びこ
れらの酸の酸塩、WO371542、米国特許第440
8005号及びヨーロッパ特許出願第174684号 13、シロキサン、西ドイツ国特許公開第253526
1号 防火のためlこ使用することができるコモノマーは、以
下の通りである。
11塩化及び臭化BPA及び4,4゛−ジヒドaキシ−
ジフェニルスルフィド、ヨーロッパ特許出願第3195
8号及び第61060号 2、シロキサンブロック、西ドイツ国特許公開第333
4782号 3、ジヒドロキシ−ジフェニルスルホン、米国特許第3
912688号 4、スルホアニリド末端基、ヨーロッパ特許出願第82
483号 防火方法は個々にまたは共に使用することができる。
防火剤は、個々に、または数種の添加剤を併せて、好ま
しくは押出機またはニーダ−中で、式(II)の共縮合
されたジフェノールを含有するポリカーボネートの中に
混和される。多くの場合、防火剤は、すでに製造中にポ
リカーボネート中にまたは出発物質中に添加される事が
できる。防火剤は、さらに、続いて乾燥するまで溶液を
濃縮することによりポリカーボネートの溶液中に添加す
る事ができる。防火剤添加物は、好ましくは0゜001
ないし50重量%、そして防火のためのコモノマーは、
好ましくは0.1ないし50モル%の量で使用すること
ができる。
特に、例えば、グラファイト、カーボンブラック、金属
繊維、金属粉、珪藻土、石英、カオリン、粘土、CaF
、、Ca CO,、酸化アルミニウム、ガラス繊維、炭
素繊維、セラミック繊維及び無機顔料を用いることがで
き、そしてまた、離型剤としては、例えば、多塩基性ア
ルコールと長鎖のカルボン酸とのエステル、例えば、グ
リセロールステアレート、ペンタエリトリトールアトラ
スデアレート及びトリメチロールプロパントリステアレ
ートを用いることができる。
本発明にしたがって使用されるポリカーポネ−トは、熱
可塑性加工の方法、例えば、噴射成形、押出、吹出成形
、回転式注型、ホットプレスまたは熱形成により成形品
へ熱可塑的に加工することができ、そして、例えば上記
添加剤を添加することができる。成形品は、例えば、噴
射成形された形状大きさを変えた成形品、押出成形され
た成形品例えば、形材、チューブ、シート、ファイバ及
びフィルム、吹き出し成形された製品、例えば、ボトル
、容器及び発光体、及び熱成形品として理解される。
本発明により使用されるポリカーボネートの成形品は、
例えば、電気部門及び建設部門において、もし高い熱変
形温度と同時に非常に明るい色が必要であるとき、有利
に用いることができる。さらにそれらは、もし高い耐熱
性及び高い光学的品質が必要であるとき、光学的データ
貯蔵の分野で、例えば、再書き込みのできる光学的貯蔵
ディスク(optical  storage  di
sk)においてさらに有利に用いることができる。
実施例1 1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−3メチル
−シクロヘキサンのポリカーボネート184g (4,
6モル)のNaOH及び282g(1モル)の1.l−
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−3−メチル−シク
ロヘキサンw031の水に溶解させた。3.1g (0
,033モル)のフェノールを溶解した31の塩化メチ
レンを添加した。148.5g (1,5モル)のホス
ゲンを次に激しく撹拌しながら25℃で30分間にわた
って該混き溶液中を通過させた。1.13g:0.01
モル)のN−エチルピリリジンを添加した後、該混合溶
液を25°Cで60分間激しく撹拌した。ビスフェルレ
ートを含まないアルカリ水性相が、分離除去された。希
リン酸を用いて酸性化した後、有機相を電解質を含まな
くなるまで水で洗浄し、そして蒸発させt;。結果とし
て得られたポリカーボネートを次に乾燥させることによ
り残った塩化メチレンを除去した。それは、無色で相対
粘度vrel=l−304(c−5g/I及び25℃で
塩化メチレン中で測定した)であった。
実施例2 ビスフェノールA及び1.h−ビス−(4−ヒドロキシ
フェニル)−3−メチル−シクロヘキサンのモル比l:
lでのコポリマー 使用されたビスフェノールの半分の量が114g(0,
5モル)の2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)
−フロパン(ビスフェノールA)により置き換えられた
以外は実施例1が繰り返されlこ。
結果として得られたポリカーボネートは、相対粘度ηr
el=1.306 (c=5g/l及び25℃で塩化メ
チレン中で測定した)であった。
実施例3 1、 1−ビス−(4−ヒドロキンフェニル)4−メチ
ル−シクロヘキサンのポリカーボネートビスフェノール
の代わりに282g (1モル)のl、l−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)4−メチル−シクロヘキサンが
使用された以外実施例1が繰り返された。結果として得
られたポリカーボネートは、相対粘度+yre!−1−
319(c−5g/I及び25°Cで塩化メチレン中で
測定した)であった。
実施例4 実施例1が繰り返されたが、しかし10モル%のジフェ
ノールが3.3″、5.5’ −テトラブロモ−ビスフ
ェノールAにより置き換えられた。
結果として得られたポリカーボネートは、相対粘度y+
tel=1.302であった。
実施例5〜37 防火剤により処理されたポリカーボネートの耐火試験の
結果を表1にまとめる。防火剤は、Werner  &
  PfleidererのZSK322スクリユ一押
出機により混和された。
燃焼特性は、ASTM−D  2863−70に従って
02インデツクスにより評価された。これらの試験のた
めに80x6x3mmの大きさの試験棒が噴射成形によ
り製造された。
本発明の主な態様と特徴は以下の通りである。
11下記式(I) 1 式中、 R1、R2、R3及びR4は、互いに独立して水素、C
1〜C1−炭化水素基またはハロゲンを表しそして、 R5及びR6は、水素またはC+−Cs−n−アルキル
基であり、それぞれの場合RS及びR・基のどちらか一
方のみがC1〜C,−n−アルキル基である の2官能力−ボネート構造単位を、ポリカーボネート中
の2官能力−ボネート構造単位の全量を基準として10
0ないし10モル%の量含有する、10.000ないし
ao、oooの平均分子量Mwを有する芳香族ポリカー
ボネートを熱可塑的に成形することを特徴とする成形品
の製造方法。
2、添加剤及び/又はコモノマーにより難燃化された上
記l記載の芳香族ポリカーボネートを熱可塑的に成形す
ることからなる上記lの方法。
3、上記l記載の芳香族ポリカーボネートから製造され
た成形品 4、熱可塑性成形による成形品製造のための上記l記載
の芳香族ポリカーボネートの使用。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、下記式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、 R^1、R^2、R^3及びR^4は、互いに独立して
    水素、C_1〜C_1_2−炭化水素基またはハロゲン
    を表しそして、 R^5及びR^6は、水素またはC_1〜C_5−n−
    アルキル基であり、それぞれの場合R^5及びR^6基
    のどちらか一方のみがC_1〜C_5−n−アルキル基
    である の2官能カーボネート構造単位を、ポリカーボネート中
    の2官能カーボネート構造単位の全量を基準として10
    0ないし10モル%の量含有する、10,000ないし
    80,000の平均分子量Mwを有する芳香族ポリカー
    ボネートを熱可塑的に成形することを特徴とする成形品
    の製造方法。
JP20829590A 1989-08-12 1990-08-08 n―アルキル置換シクロヘキシリデンビスフエノールのポリカーボネート Pending JPH0386722A (ja)

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DE19893926768 DE3926768A1 (de) 1989-08-12 1989-08-12 Verwendung von polycarbonaten aus n-alkyl-substituierten cyclohexylidenbisphenolen
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