JPH0384421A - Flow rate detecting method - Google Patents
Flow rate detecting methodInfo
- Publication number
- JPH0384421A JPH0384421A JP22093589A JP22093589A JPH0384421A JP H0384421 A JPH0384421 A JP H0384421A JP 22093589 A JP22093589 A JP 22093589A JP 22093589 A JP22093589 A JP 22093589A JP H0384421 A JPH0384421 A JP H0384421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow rate
- sensor
- gas
- fluid
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 238000010926 purge Methods 0.000 abstract description 22
- 239000003595 mist Substances 0.000 abstract description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 5
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は配管内を流れる流体の流量検出方法に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a method for detecting the flow rate of fluid flowing in a pipe.
[従来の技術及び発明が解決しようとする課題]従来か
ら、半導体製造工程において、薄膜の所望のパターンを
得るため、ウェハ上に形成された薄膜上に感光性レジス
トを塗布した後、所望のパターンに作成した金属薄膜等
でマスクをして露光後現像を行っている。このレジスト
を塗布する塗布工程は高品質な半導体を形成するために
均一な塗布膜を形成することが必要条件である。そのた
め、塗布装置や現像装置として被処理体である半導体ウ
ェハ上に高粘性の一定量のレジストあるいは現像液を滴
下させ、半導体ウェハを吸着したチャックを包囲するカ
ップ内で高速回転させて塗布を行うスピンコータやスピ
ンデベロッパ等がある。[Prior Art and Problems to be Solved by the Invention] Conventionally, in the semiconductor manufacturing process, in order to obtain a desired pattern of a thin film, a photosensitive resist is coated on a thin film formed on a wafer, and then the desired pattern is applied. After exposure, development is performed using a mask with a metal thin film created in the above. In the coating process of applying this resist, it is necessary to form a uniform coating film in order to form a high quality semiconductor. Therefore, a coating device or a developing device drips a certain amount of highly viscous resist or developer onto the semiconductor wafer, which is the object to be processed, and coats the semiconductor wafer by rotating it at high speed in a cup that surrounds the chuck. There are spin coaters, spin developers, etc.
このようなスピンコータやスピンデベロッパにおいては
、レジストや現像液等の処理液は高速回転により延伸さ
れるが、余分の処理液はカップ壁まで飛ばされ、反射し
て再度被処理体の半導体ウェハ上に戻され、汚染される
のを防ぐため、カップ底面からドレイン等で吸引され空
気と共に排出されるようになっている。この処理液はミ
スト状になっており、ミストを含んだ空気はカップ内か
ら所定の量の排気がなされるよう制御しながら行うため
、第4図に示すように排気管1内にフィルタ2を設け、
ミストを一応除去した後、流量センサ3の検出値により
制御装置4が流量制御手段5を開閉し、排気量制御を行
っていた。In such spin coaters and spin developers, processing liquids such as resist and developer are stretched by high-speed rotation, but the excess processing liquid is blown to the cup wall, reflected, and redirected onto the semiconductor wafer as the object to be processed. In order to prevent the liquid from being returned and contaminated, it is sucked in by a drain or the like from the bottom of the cup and discharged along with the air. This processing liquid is in the form of a mist, and in order to control the air containing the mist to be exhausted from the cup in a predetermined amount, a filter 2 is installed in the exhaust pipe 1 as shown in Fig. 4. established,
After removing the mist, the control device 4 opens and closes the flow rate control means 5 based on the detected value of the flow rate sensor 3, thereby controlling the exhaust amount.
しかし、この時フィルタ2によるミストの除去は完全な
ものではなく、センサ3のセンス部にミストが付着し、
溶剤やレジスト液あるいは現像液が固化して検出誤差が
発生したり、検出不能となリセンサの寿命が著しく短く
なってしまう等の欠点があった。However, at this time, the removal of the mist by the filter 2 is not complete, and the mist adheres to the sensing part of the sensor 3.
There have been drawbacks such as solidification of the solvent, resist solution, or developer, which may cause detection errors, and the life of the resensor, which cannot be detected, is significantly shortened.
本発明の流量検出方法は上記欠点を解消するためになさ
れたものであって、本発明の目的はセンサに処理液のミ
ストが付着するのを防止し、センサの耐久性の向上を簡
単に企ることかできる流量検出方法を提供するものであ
る。The flow rate detection method of the present invention has been made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks, and the purpose of the present invention is to prevent the mist of processing liquid from adhering to the sensor, and to easily improve the durability of the sensor. The present invention provides a flow rate detection method that allows the flow rate to be measured.
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するため1本発明の流量検出方法は、配
管中に設置されたセンサで配管内を流れる第1の流体の
流量を検出するに際し、前記センサの前面に所定量の第
2の流体を注入し、前記センサが前記第1の流体に接触
することなく、前記第1の流体の流量を検出する。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, 1 the flow rate detection method of the present invention provides a method for detecting a flow rate of a first fluid flowing in a pipe with a sensor installed in the pipe. A predetermined amount of the second fluid is injected into the front surface, and the sensor detects the flow rate of the first fluid without contacting the first fluid.
[作用]
本発明は配管中を流れる異物を含んだ流体あるいはセン
サを腐食したりする流体の流量をセンサで検出し、検出
値により流量制御手段を動作させる装置において、被検
出物の流量を測定するセンサの前方に異物を含まない別
のパージ流体を予め定められた量だけ注入し、センサが
被検出物である異物を含んだ流体や腐食性のある流体に
直接接触することなく、被検出物の流量を知るようにし
たものである。そのため、センサに被検出物中に含まれ
る異物が付着するために生じる誤検出等による誤動作を
防止し、センサの耐久性の向上を企ることかできる。[Operation] The present invention is a device that uses a sensor to detect the flow rate of a fluid containing foreign matter or a fluid that corrodes the sensor flowing through piping, and operates a flow rate control means based on the detected value, in which the flow rate of the detected object is measured. A predetermined amount of another purge fluid that does not contain foreign matter is injected in front of the sensor to be detected. It is designed to know the flow rate of material. Therefore, it is possible to prevent malfunctions due to erroneous detection caused by foreign matter contained in the object to be detected adhering to the sensor, and to improve the durability of the sensor.
[実施例]
本発明の流量検出方法を半導体製造のレジスト塗布工程
に使用されるコータに適用した一実施例を図面を参照し
て説明する。[Example] An example in which the flow rate detection method of the present invention is applied to a coater used in a resist coating process of semiconductor manufacturing will be described with reference to the drawings.
第1図に図示のコータは真空吸着等によって半導体ウェ
ハWを載置固定しモータ6の回転軸に固定される上面円
板状チャック7が設けられ、チャック7の円板中心部の
上方にレジスト液を半導体ウェハW上に滴下するための
吐出ノズル8が備えられる。吐出ノズル8はロフトの切
れ目等で吐出ノズル8からのディスペンスが所定時間実
行されない場合、吐出ノズル8先端でレジスト液が長時
間空気と接触されることにより固まってしまうことがあ
るのでダミーディスペンスを実行する必要があり、吐出
ノズル8をチャック7上方から外側位置に退避させるた
め、スキャナー9により移動自在となっている。The coater shown in FIG. 1 is provided with an upper disc-shaped chuck 7 which is fixed to the rotating shaft of a motor 6 on which a semiconductor wafer W is placed and fixed by vacuum suction or the like. A discharge nozzle 8 for dropping liquid onto the semiconductor wafer W is provided. If dispensing from the dispensing nozzle 8 is not performed for a predetermined period of time due to a break in the loft, etc., the resist liquid at the tip of the dispensing nozzle 8 may harden due to contact with air for a long period of time, so dummy dispensing is performed. Therefore, in order to retract the discharge nozzle 8 from above the chuck 7 to a position outside the chuck 7, it is movable by the scanner 9.
この吐出ノズル8が接続されるレジストの供給装置であ
るレジスト供給系10は図示しないレジスト収納容器か
ら所望の一定量のレジストを供給するポンプ、吐出ノズ
ル8から吐出後レジストを吐出ノズル8内に引き戻し、
レジストの液だれあるいは固化を防止するためのサック
バックバルブ等が設けられる。また、レジスト塗布時に
レジストが装置外部へ飛散するのを防止するため処理容
器としてカップ11がチャック7を包囲して設けられる
。カップ11は上下動可能であって半導体ウェハWの搬
出入時には図示の位置より下降し。A resist supply system 10 which is a resist supplying device to which this discharge nozzle 8 is connected includes a pump that supplies a desired fixed amount of resist from a resist storage container (not shown), and a pump that draws the resist back into the discharge nozzle 8 after being discharged from the discharge nozzle 8. ,
A suckback valve or the like is provided to prevent the resist from dripping or solidifying. Further, a cup 11 is provided surrounding the chuck 7 as a processing container to prevent the resist from scattering outside the apparatus during resist application. The cup 11 is movable up and down, and is lowered from the illustrated position when loading and unloading the semiconductor wafer W.
チャック7が露出して搬入出を容易にする。カップ11
の下部にはドレインボックス12を設け、真空装′t1
(図示せず)に連結された排気管13に接続される。排
気管13には第2図に示すように第1の流体である排気
ガスG中のレジスト液のミストを除去するトラップ14
が設けられ、トラップ14を通過した排気ガスGはセン
サ15で流量測定される。センサ15の前方には本発明
の特徴である第2の流体であるパージガスPGの供給体
のパージガス供給系16に接続されたパージガス注入管
17が配置され、パージガスコントローラ18によりバ
ルブ19を自動的に操作されることによりパージガスP
Gの注入量をコントロールされてセンサ15の周囲に注
入するよう備えられる。The chuck 7 is exposed to facilitate loading and unloading. cup 11
A drain box 12 is provided at the bottom of the vacuum chamber 't1.
(not shown). As shown in FIG. 2, the exhaust pipe 13 is provided with a trap 14 for removing the resist liquid mist in the exhaust gas G, which is the first fluid.
is provided, and the flow rate of the exhaust gas G that has passed through the trap 14 is measured by a sensor 15. In front of the sensor 15, a purge gas injection pipe 17 connected to a purge gas supply system 16 of a supply body for purge gas PG, which is a second fluid, which is a feature of the present invention, is arranged, and a purge gas controller 18 automatically closes a valve 19. The purge gas P is
It is provided so that the amount of G to be injected is controlled and injected around the sensor 15.
センサ15は熱線流速計等が使用され、センサ15から
の出力がマスフローコントローラ20に入力され流量調
整が行われる。センサ15は第3図の構成図に示すよう
に例えば毛細管22に2つの自己発熱抵抗体23が巻か
れたもので、排気ガスGの総流量のセンサ15の検出値
はマスフローコントローラ20に入力される。マスフロ
ーコントローラ20には、ブリッジ回路24が設けられ
測定ガスがセンサの毛細管22に流れると熱の移動に伴
いブリッジ回路24のバランスがくずれ、質量流量に比
例した電気信号が出力される。この電気信号を増幅回路
25で増幅し、パージガス流量に関する補正回路27に
より排気ガスの流量を検出するようになっている。さら
に、検出値の出力電圧と予め設定された電圧とを比較す
る比較制御回路28が設けられ、2つの電圧差がOにな
るようダンパ21をコントロールしてフィードバック制
御して流量検出を行うようになっている。このように、
マスフローコントローラ20でパージガスPGの成分量
を調整し、実際の排気ガスGの流量を求めてその値によ
りダンパ21を動作させ、開閉を!ll整して排気ガス
Gの流量を制御するようになっている。また、センサ1
5としては、被検出物のもつ誘電係数を利用して検出す
る静電容量形近接センサ等も好適に使用される。静電容
量形近接センサに組込まれるトランジスタやオシレータ
はシリコン製を使用すれば広域な温度変化に適用可能で
ある。A hot wire current meter or the like is used as the sensor 15, and the output from the sensor 15 is input to a mass flow controller 20 to adjust the flow rate. The sensor 15 is, for example, a capillary tube 22 with two self-heating resistors 23 wound around it, as shown in the configuration diagram of FIG. Ru. The mass flow controller 20 is provided with a bridge circuit 24, and when the measurement gas flows into the capillary tube 22 of the sensor, the balance of the bridge circuit 24 is lost due to the movement of heat, and an electrical signal proportional to the mass flow rate is output. This electric signal is amplified by an amplifier circuit 25, and a correction circuit 27 regarding the purge gas flow rate detects the flow rate of exhaust gas. Furthermore, a comparison control circuit 28 is provided to compare the output voltage of the detected value with a preset voltage, and the damper 21 is controlled so that the difference between the two voltages becomes O, and the flow rate is detected by feedback control. It has become. in this way,
The mass flow controller 20 adjusts the component amount of the purge gas PG, determines the actual flow rate of the exhaust gas G, operates the damper 21 according to that value, and opens and closes it! The flow rate of the exhaust gas G is controlled by adjusting the flow rate of the exhaust gas G. Also, sensor 1
As the sensor 5, a capacitance type proximity sensor or the like which detects by utilizing the dielectric coefficient of the object to be detected is also suitably used. If the transistors and oscillators incorporated in the capacitive proximity sensor are made of silicon, they can be applied to a wide range of temperature changes.
以上のような構成のコータにおいて、本発明の流量検出
方法を説明する。The flow rate detection method of the present invention will be explained in the coater configured as above.
半導体ウェハWが図示しない搬送機構によりチャック7
上に載置され、吸着により固定されるとカップ11は第
1図のように上昇し、レジスト供給系10から一定量の
レジストが吐出ノズル8より半導体ウェハWの中心部上
に滴下される。チャック7はモータ6の回転に伴い例え
ば4000回/分で回転し、レジストは半導体ウェハW
の周辺部にまで延伸される。そして、余分なレジストは
半導体ウェハから飛散し、カップ11の壁面に当すミス
ト状になる。しかし、この時真空装置に連結された排気
管13がら空気と共に吸引され、再び半導体ウェハW上
に戻るのを防いでいる。排気管13に吸引された排気ガ
スG中のレジストのミストは、メツシュ状のトラップ1
4で大部分捕集されるが、僅かな量のレジストミストは
トラップ14を通過し排気ガスG中に残留する。ここで
、パージガス供給系16からパージガスPG例えば洗浄
した空気やN2がパージガスコントローラ18によりバ
ルブ19を制御して供給量をコントロールされセンサ1
5の前方に供給される。パージガスPGの供給量は、排
気ガスGの流量及び排気管13及びパージガス注入管1
7の内径により適宜調整されればよいが1例えば排気管
13の内径50〜60+n+、パージガス注入管17の
内径4〜61IIll、排気ガスGの流量がおよそ1
rrr / win、ならばI Q /l1in、が好
適である。このようにすることでパージガスPGがセン
サ15を覆い保護し、センサ15は排気ガスGに接触す
ることなく排気ガスG及びパージガスPGの流量を測定
し、マスフローコントローラ20に入力して、マスフロ
ーコントローラ20はダンパ21を動作させて排気ガス
Gの流量をフィードバック制御する。The semiconductor wafer W is transferred to the chuck 7 by a transport mechanism (not shown).
When placed on top and fixed by suction, the cup 11 rises as shown in FIG. 1, and a certain amount of resist is dropped from the resist supply system 10 onto the center of the semiconductor wafer W from the discharge nozzle 8. The chuck 7 rotates at a rate of, for example, 4000 times/min as the motor 6 rotates, and the resist is formed on the semiconductor wafer W.
The area is extended to the periphery of the area. Then, the excess resist scatters from the semiconductor wafer and forms a mist that hits the wall surface of the cup 11. However, at this time, the exhaust pipe 13 connected to the vacuum device is sucked together with air, preventing it from returning onto the semiconductor wafer W again. The resist mist in the exhaust gas G sucked into the exhaust pipe 13 is trapped in a mesh-like trap 1.
Most of the resist mist is collected by the exhaust gas G, but a small amount of the resist mist passes through the trap 14 and remains in the exhaust gas G. Here, a purge gas PG such as cleaned air or N2 is supplied from a purge gas supply system 16 by a purge gas controller 18 controlling a valve 19 to control the supply amount to the sensor 1.
It is supplied to the front of 5. The supply amount of purge gas PG is determined by the flow rate of exhaust gas G, exhaust pipe 13 and purge gas injection pipe 1.
For example, the inner diameter of the exhaust pipe 13 is 50 to 60+n+, the inner diameter of the purge gas injection pipe 17 is 4 to 61IIll, and the flow rate of the exhaust gas G is approximately 1.
rrr/win, then IQ/l1in is suitable. In this way, the purge gas PG covers and protects the sensor 15, and the sensor 15 measures the flow rates of the exhaust gas G and purge gas PG without coming into contact with the exhaust gas G, and inputs the flow rates to the mass flow controller 20. operates the damper 21 to feedback control the flow rate of the exhaust gas G.
ここで、センサ15の測定値からパージガスPGの供給
量が差し引かれた排気ガスGの実際の流量を求めるには
、予め求めておいた関係を利用する。センサ15が圧力
センサの場合は排気ガスGの流量がOl一定量のパージ
ガスPGを供給した時センサ15に作用する圧力P0を
予め求めておけば、排気ガスGの流量Uにより付加され
る圧力P′をP’=f(U)とするとき、センサ15に
より圧力P が測定されれば、
p =p、+p’
が成り立つから、即ち
p’=p −p。Here, in order to obtain the actual flow rate of the exhaust gas G, which is obtained by subtracting the supply amount of the purge gas PG from the measured value of the sensor 15, a predetermined relationship is used. If the sensor 15 is a pressure sensor, if the pressure P0 that acts on the sensor 15 when a constant amount of purge gas PG is supplied is determined in advance, the pressure P0 applied by the flow rate U of the exhaust gas G can be determined in advance. When ' is P'=f(U), if the pressure P is measured by the sensor 15, p = p, +p' holds, that is, p' = p - p.
となり、排気ガスGの流量が求められる。Then, the flow rate of exhaust gas G can be determined.
以上の説明はパージガスPGを常時注入し、センサ15
を常に覆うようにしたものであるが、センサ15が断続
的に排気ガスGの流量を測定するものであるならば、セ
ンサ15の測定時にはパージガスPGの供給を中断し、
センサ15の測定時点外にパージガスPGを供給し、セ
ンサ15を被覆させるようにしてもよい、この場合はセ
ンサ15の測定値が実際の排気ガスGの流量になり。In the above explanation, the purge gas PG is constantly injected, and the sensor 15
However, if the sensor 15 measures the flow rate of the exhaust gas G intermittently, the supply of the purge gas PG is interrupted when the sensor 15 measures,
The purge gas PG may be supplied outside the measurement time of the sensor 15 to cover the sensor 15. In this case, the measured value of the sensor 15 becomes the actual flow rate of the exhaust gas G.
調整手段は不必要になり、より簡単である。Adjustment means are no longer necessary and are simpler.
以上の説明は本発明の一実施例であって本発明はこれに
限定されるものではなく、デベロッパ等、他の半導体製
造装置にも適用できるし、また、半導体製造に限らず、
異物を含んだものや、腐食性、反応性を有する気体、液
体等の流体の流量測定に好適に適用することができる。The above description is an example of the present invention, and the present invention is not limited thereto, and can be applied to other semiconductor manufacturing equipment such as a developer, and is not limited to semiconductor manufacturing.
It can be suitably applied to measuring the flow rate of fluids such as those containing foreign substances, corrosive or reactive gases, liquids, etc.
[発明の効果]
以上の説明からも明らかなように、本発明の流量検出方
法によれば、流体の流量センサのセンス部にレジスト、
溶剤等の含有したガスや、腐食性。[Effects of the Invention] As is clear from the above description, according to the flow rate detection method of the present invention, resist,
Gases containing solvents, etc., and corrosive properties.
反応性を有する流体が直接接触することがないので、セ
ンサに異物が付着することなく、誤測定等がなく、セン
サの寿命を大幅に延ばし、耐久性があって信頼性の高い
流量検出ができる。Since there is no direct contact with reactive fluids, there is no foreign matter adhering to the sensor, no erroneous measurements, etc., greatly extending the life of the sensor, and providing durable and reliable flow rate detection. .
第1図は本発明の流量検出方法を適用した一実施例の概
略構成図、第2図は第1図に示す一実施例の要部を示す
図、第3図は第2図に示す要部の構成図、第4図は従来
例を示す図である。
13・・・・・・排気管(配管)
15・・・・・・センサ
20・・・・・・・マスフローコントローラ21・・・
・・・ダンパFIG. 1 is a schematic configuration diagram of an embodiment to which the flow rate detection method of the present invention is applied, FIG. 2 is a diagram showing the main parts of the embodiment shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a diagram showing a conventional example. 13... Exhaust pipe (piping) 15... Sensor 20... Mass flow controller 21...
···damper
Claims (1)
の流量を検出するに際し、前記センサの前面に所定量の
第2の流体を注入し、前記センサが前記第1の流体に接
触することなく、前記第1の流体の流量を検出すること
を特徴とする流量検出方法。When detecting the flow rate of the first fluid flowing in the pipe with a sensor installed in the pipe, a predetermined amount of the second fluid is injected in front of the sensor, and the sensor comes into contact with the first fluid. A flow rate detection method characterized in that the flow rate of the first fluid is detected without detecting the flow rate of the first fluid.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22093589A JPH0384421A (en) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | Flow rate detecting method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22093589A JPH0384421A (en) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | Flow rate detecting method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0384421A true JPH0384421A (en) | 1991-04-10 |
Family
ID=16758865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22093589A Pending JPH0384421A (en) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | Flow rate detecting method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0384421A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008270255A (en) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | Resist pipe and resist coating device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5565117A (en) * | 1978-11-12 | 1980-05-16 | Nippon Steel Corp | Detection method of gas flow rate |
JPS5854668U (en) * | 1981-10-07 | 1983-04-13 | 内田 軌一 | label |
JPS603617A (en) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Back projection screen |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP22093589A patent/JPH0384421A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5565117A (en) * | 1978-11-12 | 1980-05-16 | Nippon Steel Corp | Detection method of gas flow rate |
JPS5854668U (en) * | 1981-10-07 | 1983-04-13 | 内田 軌一 | label |
JPS603617A (en) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Back projection screen |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008270255A (en) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | Resist pipe and resist coating device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5127362A (en) | Liquid coating device | |
JP4040697B2 (en) | High efficiency photoresist coating | |
US5254367A (en) | Coating method and apparatus | |
JP2002373843A (en) | Coating system and method for controlling thickness of coating film | |
JPH0431173B2 (en) | ||
KR100221698B1 (en) | Substrate developing method and apparatus | |
JP2901089B2 (en) | Liquid supply device | |
JPH0384421A (en) | Flow rate detecting method | |
US5905656A (en) | Method and apparatus for dispensing a liquid | |
JP3704054B2 (en) | Method for changing treatment liquid concentration and treatment liquid supply apparatus | |
JP2806626B2 (en) | Coating device | |
JP3559394B2 (en) | Developer injection amount inspection system and developer measurement method using the same | |
JP3960633B2 (en) | Film thickness control method and apparatus | |
JPH04158510A (en) | Semiconductor processing equipment | |
JP2922921B2 (en) | Coating device and coating method | |
JP3093215B2 (en) | Developing method and developing device | |
JPH0574698A (en) | Resist applicator | |
JP2007329165A (en) | Liquid supply device and method of inspecting amount of liquid discharge thereof | |
JP2952626B2 (en) | Processing equipment | |
JPH0346518A (en) | Flow velocity measuring device | |
JP2784042B2 (en) | Coating device | |
JP3017762B2 (en) | Resist coating method and apparatus | |
KR100481556B1 (en) | Develop water dispense apparatus | |
JPH0319317A (en) | Processing device | |
JP2845402B2 (en) | Processing equipment |