JP2845402B2 - Processing equipment - Google Patents
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- JP2845402B2 JP2845402B2 JP3352890A JP3352890A JP2845402B2 JP 2845402 B2 JP2845402 B2 JP 2845402B2 JP 3352890 A JP3352890 A JP 3352890A JP 3352890 A JP3352890 A JP 3352890A JP 2845402 B2 JP2845402 B2 JP 2845402B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の効果〕 （産業上の利用分野） 本発明は、例えばレジストや現像処理液の塗布処理の
ような処理を行う処理装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Effects of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to a processing apparatus for performing a process such as a coating process of a resist or a developing solution.
（従来の技術） 半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）にフォトレ
ジスト膜を形成する場合、塗布装置が使用されている。
この場合、まず、ウエハを処理室（以下、単にスピンナ
カップと記す）内の載置台に吸着固定する。この状態で
回転機構によりウエハを載置台と共に回転させる。そし
て、載置台の上方に移動自在に設けられたノズルから、
ウエハの表面にフォトレジスト液を滴下する。次に、ス
ピンナカップ内の雰囲気ガスを排気しながら、載置台の
回転数及び回転時間を調節して、所望厚さのレジスト膜
をウエハ上に形成する。(Prior Art) When a photoresist film is formed on a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer), a coating apparatus is used.
In this case, first, the wafer is suction-fixed to a mounting table in a processing chamber (hereinafter, simply referred to as a spinner cup). In this state, the rotating mechanism rotates the wafer together with the mounting table. Then, from a nozzle movably provided above the mounting table,
A photoresist solution is dropped on the surface of the wafer. Next, while the atmospheric gas in the spinner cup is exhausted, the number of rotations and the rotation time of the mounting table are adjusted to form a resist film having a desired thickness on the wafer.
このようにして形成されるレジスト膜を均一な膜厚を
有して微小突起の付着がない良好なものにするには、ウ
エハの回転速度と排気流量の調整を高い精度で行う必要
がある。すなわち、排気流量があまりに多すぎるとウエ
ハ周辺の雰囲気ガスの流れが速くなる過ぎる。このた
め、レジスト膜が波打を起こし、レジスト膜に筋ができ
てしまったりして、均一な膜厚が得られない。また、排
気流量が少ないと、回転によりウエハから振り切られた
フォトレジストの噴霧がウエハ表面に再付着する。この
ため、レジスト膜の表面に微小突起が発生する。In order to make the resist film thus formed to have a uniform thickness and good adhesion of fine projections, it is necessary to adjust the rotation speed of the wafer and the exhaust flow rate with high accuracy. That is, if the exhaust gas flow rate is too large, the flow of the atmospheric gas around the wafer becomes too fast. For this reason, the resist film is wavy, streaks are formed in the resist film, and a uniform film thickness cannot be obtained. If the exhaust flow rate is low, the spray of the photoresist shaken off from the wafer by the rotation adheres again to the wafer surface. For this reason, minute projections occur on the surface of the resist film.
（発明が解決しようとする課題） このような問題が解消するために、排気流量を塗布処
理動作に応じて変更することが提案されている（特開昭
59−82975号）。この場合に、従来、排気量調節機構と
して、電磁バルブのような排気調整弁や、排気吸引用ポ
ンプのような排風機を用いたり、排気管中に設けたフラ
ップの開度を調節すること等が提案されている（特開昭
58−178522号、特開昭62−102854号、特開昭60−139363
号）。(Problems to be Solved by the Invention) In order to solve such a problem, it has been proposed to change the exhaust gas flow rate in accordance with the coating processing operation (Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-139,197).
No. 59-82975). In this case, conventionally, as an exhaust amount adjusting mechanism, an exhaust adjusting valve such as an electromagnetic valve, an exhaust fan such as an exhaust suction pump is used, or an opening degree of a flap provided in an exhaust pipe is adjusted. Has been proposed (Japanese Unexamined Patent Publication
58-178522, JP-A-62-102854, JP-A-60-139363
issue).
しかしながら、このような排気量調整機構は、排気量
制御を高精度に行うことができないとともに、応答性が
悪い欠点があった。However, such an exhaust amount adjusting mechanism has a drawback that the exhaust amount control cannot be performed with high accuracy and the response is poor.
本発明の目的は、排気流量を高精度で調節することが
でき、高精度で安定した処理を行うことができる処理装
置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a processing apparatus capable of adjusting the exhaust flow rate with high accuracy and performing high-accuracy and stable processing.
本発明の他の目的は、処理状態に応じて排気流量を変
化させることができる処理装置を提供することにある。It is another object of the present invention to provide a processing apparatus capable of changing an exhaust flow rate according to a processing state.
（課題を解決するための手段） 本発明は、上記課題を解決するために、被処理体に対
して所定の処理を施すための処理室と、 前記処理室内の被処理体に処理流体を供給する手段
と、 前記処理室内を排気する排気配管と、 この排気配管の途中に設けられ、開口径を変化させる
ことにより排気量を調節する虹彩絞り機構と、 前記排気管の排気流量を測定するための排気量測定手
段と、 この排気量測定手段の測定値に基づいて前記虹彩絞り
機構を制御する制御手段と、 前記排気管に接続されたバイパス管と を具備し、排気量測定手段は、前記排気配管内の気体の
流れによって前記バイパス管を通って前記排気配管内に
流入する気体の流量を検出することにより排気量を測定
することを特徴とする処理装置を提供する。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention provides a processing chamber for performing a predetermined process on a processing target, and supplying a processing fluid to the processing target in the processing chamber. An exhaust pipe for exhausting the inside of the processing chamber; an iris diaphragm mechanism provided in the middle of the exhaust pipe for adjusting an exhaust amount by changing an opening diameter; and measuring an exhaust flow rate of the exhaust pipe. Exhaust gas measuring means, control means for controlling the iris diaphragm mechanism based on the measurement value of the exhaust gas measuring means, and a bypass pipe connected to the exhaust pipe. A processing apparatus is provided, wherein the amount of exhaust gas is measured by detecting the flow rate of gas flowing into the exhaust pipe through the bypass pipe based on the flow of gas in the exhaust pipe.
（作 用） 本発明によれば、処理室内を排気する排気配管の途中
に開口径を変化させることにより排気量を調節する虹彩
絞り機構を設け、排気量測定手段の測定値に基づいて虹
彩絞り機構を制御手段により制御するに際し、排気量測
定手段は、排気配管内の気体の流れによってバイパス管
を通って排気配管内に流入する気体の流量を検出するの
で、排気量を高精度で調節することができるとともに、
その流量を高精度で把握することができるので、処理状
態に応じて排気流量を変化させることができ、高精度で
安定した処理を行うことができる。(Operation) According to the present invention, an iris diaphragm mechanism is provided in the middle of an exhaust pipe for evacuating the processing chamber to adjust the amount of exhaust by changing the opening diameter, and the iris diaphragm is controlled based on the measurement value of the exhaust amount measuring means. In controlling the mechanism by the control means, the displacement measuring means detects the flow rate of the gas flowing into the exhaust pipe through the bypass pipe by the flow of the gas in the exhaust pipe, so that the displacement is adjusted with high precision. While being able to
Since the flow rate can be grasped with high precision, the exhaust flow rate can be changed according to the processing state, and highly accurate and stable processing can be performed.
（実施例） 以下、本発明の処理装置の一実施例に係る塗布装置に
ついて図面を参照して説明する。(Embodiment) Hereinafter, a coating apparatus according to an embodiment of the processing apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は、レジスト塗布装置の構成を示す説明図であ
る。図中（１）は、スピンナカップ（以下、単にカップ
と記す）である。カップ（１）内には、回転機構（２）
によって所定の回転数で回転するウエハ載置台（３）が
設けられている。ウエハ載置台（３）には、ウエハ
（４）が吸着固定されるようになっている。ウエハ載置
台（３）の上方には、これに対向してノズル（５）が設
けられている。ノズル（５）からウエハ（４）の表面
に、フォトレジストが滴下されるようになっている。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration of a resist coating apparatus. (1) in the figure is a spinner cup (hereinafter simply referred to as a cup). In the cup (1), a rotating mechanism (2)
A wafer mounting table (3) that rotates at a predetermined number of rotations is provided. The wafer (4) is fixed to the wafer mounting table (3) by suction. A nozzle (5) is provided above the wafer mounting table (3) to face the same. A photoresist is dropped from the nozzle (5) onto the surface of the wafer (4).
また、カップ（１）の底部の隅部には環状に排気管
（６）が形成されている。排気口（６）と連通して200m
mφ〜100mmφの排気管（７）が導出されている。排気管
（７）には、ブロワオ（排気風）（８）が接続されてい
る。ブロワー（８）によってカップ（１）の上方から取
り入れられた雰囲気気体をクリーンルーム外（図示せ
ず）に強制排気するようになっている。An exhaust pipe (6) is formed annularly at a corner at the bottom of the cup (1). 200m in communication with exhaust port (6)
An exhaust pipe (7) of mφ to 100 mmφ is led out. A blower (exhaust air) (8) is connected to the exhaust pipe (7). Atmospheric gas taken in from above the cup (1) by the blower (8) is forcibly exhausted to the outside of the clean room (not shown).
カップ（１）と底部のブロワー（８）との間の排気管
（７）の部分には、排気量を調節するために虹彩絞り機
構（９）が設けられている。An iris diaphragm mechanism (9) is provided in the portion of the exhaust pipe (7) between the cup (1) and the blower (8) at the bottom to adjust the amount of exhaust.
この虹彩絞り機構（９）は、その中央部分の開口の大
きさを連続的に変化させることがでいる機構である。This iris diaphragm mechanism (9) is a mechanism capable of continuously changing the size of the opening at the center.
第２図は、虹彩絞り機構（９）の一例を示す平面図で
ある。図中（10）は、巴形の金属片である。この虹彩絞
り機構（９）は、８枚の金属片（10）を夫々の一端部で
互い重ね合せて、中央部にほぼ円形の開口（11）を形成
している。重ね合せられた８枚の金属片（10）の一端部
は、これらの金属片（10）をその表裏面でサンドイッチ
状に挟持するように設けられた２枚の金属環（12A），
（12B）の一方（12Aまたは12B）に取付けられている。
同様に、８枚の金属片（10）の他端部は、他方の金属環
（12Bまたは12A）に取付けられている。この場合、各金
属片（10）は、夫々の取付け点（ａ），（ｂ）を回転軸
にして自在に回転できるようになっている。すなわち、
一方の金属環（12A）を固定し、他方の金属（12B）を回
転させると、金属片（10）が回転して中央部の開口（1
1）の大きさが変化するようになっている。FIG. 2 is a plan view showing an example of the iris diaphragm mechanism (9). (10) in the figure is a Tomoe-shaped metal piece. In the iris diaphragm mechanism (9), eight metal pieces (10) are overlapped with each other at one end to form a substantially circular opening (11) at the center. One end of the superposed eight metal pieces (10) has two metal rings (12A), which are provided so as to sandwich these metal pieces (10) in a sandwich manner on the front and back surfaces thereof.
(12B) is attached to one side (12A or 12B).
Similarly, the other ends of the eight metal pieces (10) are attached to the other metal ring (12B or 12A). In this case, each metal piece (10) can be freely rotated about the respective mounting points (a) and (b) as a rotation axis. That is,
When one metal ring (12A) is fixed and the other metal (12B) is rotated, the metal piece (10) rotates and the central opening (1
The size of 1) changes.
この例では、金属環（12B）の外周側部には、周方向
に沿って多数個の噛が形成されている。この噛と噛合す
るようにしてギヤ（15）が設けられている。ギヤ（15）
は、例えばステッピングモータ（14）の回転軸（14a）
に装着されている。つまり、ステッピングモータ（14）
の駆動により金属環（12B）が回転し、その結果、虹彩
絞り機構（９）の開口（11）の大きさを制御できるよう
になっている。ステッピングモータ（14）は、システム
コントローラ（20）から供給される駆動制御信号によっ
て、その回転方向及び回転角度を制御できるようになっ
ている。In this example, a large number of teeth are formed on the outer peripheral side of the metal ring (12B) along the circumferential direction. A gear (15) is provided so as to mesh with the mesh. Gear (15)
Is the rotation axis (14a) of the stepping motor (14)
It is attached to. That is, the stepping motor (14)
The metal ring (12B) is rotated by the drive of, and as a result, the size of the opening (11) of the iris diaphragm mechanism (9) can be controlled. The rotation direction and the rotation angle of the stepping motor (14) can be controlled by a drive control signal supplied from a system controller (20).
虹彩絞り機構（９）とウエハ載置台（３）間の排気管
（７）の部分には、比較的細管状の例えば10mmφ〜4mm
φが好適なバイパス管（17）が分岐接続されている。バ
イパス管（17）の先端部は、外部の大気中に開放されて
いる。バイパス管（17）には、外部からバイパス管（1
7）を介して排気管（７）内に流入する雰囲気ガスの流
量を測定する流量計（18）が取付けられている。流量計
（18）、バイパス管（17）によって排気量測定手段（1
6）が構成されている。すなわち、排気管（７）内は、
スピンナカップ（１）の排気口（６）から所定の流速で
排気気体が流れる。このため排気管（７）内の圧力が大
気圧より低くなっている。この結果、バイパス管（17）
を介して排気管（７）内に外部の大気が吸引される。The portion of the exhaust pipe (7) between the iris diaphragm mechanism (9) and the wafer mounting table (3) has a relatively thin tubular shape, for example, 10 mmφ to 4 mm.
A bypass pipe (17) having a suitable φ is branched and connected. The tip of the bypass pipe (17) is open to the outside atmosphere. The bypass pipe (17) has an external bypass pipe (1
A flow meter (18) for measuring the flow rate of the atmospheric gas flowing into the exhaust pipe (7) via the (7) is attached. Displacement measurement means (1) by flow meter (18) and bypass pipe (17)
6) is configured. That is, the inside of the exhaust pipe (7)
Exhaust gas flows at a predetermined flow rate from the exhaust port (6) of the spinner cup (1). For this reason, the pressure in the exhaust pipe (7) is lower than the atmospheric pressure. As a result, the bypass pipe (17)
The outside air is sucked into the exhaust pipe (7) through the air.
このとき、バイパス管（17）内に流入する大気の吸引
量は、排気管（７）内の圧力Ｐと大気圧P0との差（Ｐ−
P0）と、バイパス管（17）の内部の流れ状態が、層流ま
たは乱流であるとかいうことに応じて下記のように関係
付けられる。ただし、K1,K2は定数である。At this time, the suction amount of air flowing into the bypass pipe (17) in the difference between the pressure P and the atmospheric pressure P 0 in the exhaust pipe (7) (P-
The relationship between P 0 ) and the flow state inside the bypass pipe (17) is laminar or turbulent as follows. Here, K 1 and K 2 are constants.
したがって、バイパス管（17）の流量（／分）を計
測することにより、排気管（７）内の流量を知ることが
できる。 Therefore, by measuring the flow rate (/ min) of the bypass pipe (17), the flow rate in the exhaust pipe (7) can be known.
バイパス管（17）内を通る大気の流量は、流量計（1
8）に接続された排気量検出回路（19）に供給されて、
排気管（７）内の排気流量に換算される。その換算結果
が、排気量検出回路（19）に接続されたシステムコント
ローラ（20）に供給されるようになっている。The flow rate of the atmosphere passing through the bypass pipe (17) is
8) is supplied to the displacement detection circuit (19) connected to
It is converted into an exhaust flow rate in the exhaust pipe (7). The result of the conversion is supplied to a system controller (20) connected to the displacement detection circuit (19).
システムコントローラ（20）は、排気量検出回路（1
9）からの入力信号に応じた所定の出力信号を、回転機
構（２）及びステッピングモータ（14）に出力するよう
になっている。The system controller (20) has a displacement detection circuit (1
A predetermined output signal corresponding to the input signal from 9) is output to the rotation mechanism (2) and the stepping motor (14).
このように構成された塗布装置の動作を第３図を参照
して説明する。The operation of the coating apparatus configured as described above will be described with reference to FIG.
排気量は、ウエハ（４）の回転速度に応じて制御され
る。ウエハ（４）の回転数及び排気流量は、システムコ
ントローラ（20）で予め、レシピによって定められてい
る。このレシピに従って、システムコントローラ（20）
により回転機構（２）が制御されてウエハ（４）の回転
数が調節される。また、虹彩絞り機構（９）のステッピ
ングモータ（14）の回転角及び回転方向もシステムコン
トローラ（20）の出力を受けて制御される。この場合、
ブロワー（８）は一定流量で排気管（７）内を吸引して
いる。The displacement is controlled according to the rotation speed of the wafer (4). The rotation speed and the exhaust flow rate of the wafer (4) are determined in advance by a recipe in the system controller (20). According to this recipe, the system controller (20)
Controls the rotation mechanism (2) to adjust the rotation speed of the wafer (4). The rotation angle and rotation direction of the stepping motor (14) of the iris diaphragm mechanism (9) are also controlled by receiving the output of the system controller (20). in this case,
The blower (8) sucks the inside of the exhaust pipe (7) at a constant flow rate.
先ず、レジストをウエハ（４）上へ滴下した後、第３
図に示すように、回転機構（２）により載置台（３）の
回転数が0.1秒間の間に1000rpmになるように加速制御す
る。これとともに、排気流量が同じ時間の間に0.1〜1m3
/分となるように虹彩絞り機構（９）の開口（11）の大
きさを制御する。First, after a resist is dropped on the wafer (4), the third
As shown in the figure, acceleration is controlled by the rotation mechanism (2) so that the rotation speed of the mounting table (3) becomes 1000 rpm in 0.1 seconds. At the same time, the exhaust flow rate is 0.1 to 1 m 3 during the same time.
The size of the aperture (11) of the iris diaphragm mechanism (9) is controlled so as to be / min.
次に２〜４秒間は、これらの回転数及び排気流量の状
態で維持する。Next, for 2 to 4 seconds, the rotation speed and the exhaust flow rate are maintained.
この期間に、レジストをウエハ（４）の表面全面に広
げる。そこで、ウエハ（４）を比較的低速で回転させて
いる。排気流量もこれに応じて小さくする。排気量が多
すぎると、拡げられたレジストにすじが生じたりして面
内均一性が悪化してしまう。During this period, the resist is spread over the entire surface of the wafer (4). Therefore, the wafer (4) is rotated at a relatively low speed. The exhaust flow rate is correspondingly reduced. If the amount of exhaust is too large, stripes may be formed in the spread resist and in-plane uniformity may be deteriorated.
この期間の後、ウエハ（４）の回転数を2000〜5000rp
mの高回転数に設定する。この高回転数を10〜30秒間保
持する。これに伴い、排気量は１〜5m3/分に高め、この
流量で10〜30秒間保持する。After this period, the rotation speed of the wafer (4) is increased to 2000 to 5000 rp.
Set to high rotation speed of m. This high rotation speed is maintained for 10 to 30 seconds. Accordingly, the displacement is increased to 1 to 5 m 3 / min, and the flow rate is maintained for 10 to 30 seconds.
この期間にレジストは所望の膜厚に設定される。 During this period, the resist is set to a desired film thickness.
この期間に、排気流量が少ないとウエハ（４）の表面
から出たレジストミストがウエハ表面に再付着してしま
う。そこで、ウエハ（４）の回転数に応じて排気流量を
多く設定している。During this period, if the exhaust gas flow rate is small, the resist mist coming out of the surface of the wafer (4) will adhere again to the wafer surface. Therefore, the exhaust gas flow rate is set to be large according to the rotation speed of the wafer (4).
この期間後は、ウエハ（４）の回転数を2000〜3000rp
mに下げて５〜10秒間保持する。また、排気流量に応じ
て少なく設定する。この期間にウエハ（４）の周縁に溶
剤を滴下し、ウエハ（４）の表面の周縁の余分のレジス
トを除去する。これは、このウエハ（４）の周縁部のレ
ジストが搬送中にはがれたりして、ゴミ付着の原因にな
るのを防ぐためである。After this period, the number of rotations of the wafer (4) is increased to 2000 to 3000 rp.
m and hold for 5-10 seconds. Also, it is set to a small value according to the exhaust flow rate. During this period, a solvent is dropped on the periphery of the wafer (4) to remove the excess resist on the periphery of the surface of the wafer (4). This is to prevent the resist on the peripheral portion of the wafer (4) from peeling off during transportation and causing dust to adhere.
この後、ウエハ（４）の回転数を3000〜4000rpmに高
める。排気流量も、これに応じて高くし、５〜10秒間こ
の状態を保つ。そして、周縁部に滴下した溶剤を遠心力
によりウエハ（４）から除去する。Thereafter, the rotation speed of the wafer (4) is increased to 3000 to 4000 rpm. The exhaust flow rate is also increased accordingly, and this state is maintained for 5-10 seconds. Then, the solvent dropped on the peripheral portion is removed from the wafer (4) by centrifugal force.
上述の動作プロセスは、予め上記プロセスをメモリに
記憶し、CPUの制御により回転数、排気流量を自動的に
制御しながら行なう。The above-mentioned operation process is performed while storing the above-mentioned process in a memory in advance and automatically controlling the rotation speed and the exhaust gas flow rate under the control of the CPU.
このようにして行う排気流量制御により、排気量測定
手段（16）による排気量の検出が連続的に行われ、上述
のような流量になるように虹彩絞り機構（９）の開口
（11）の大きさの制御が行われる。By the exhaust flow rate control performed in this manner, the exhaust amount is continuously detected by the exhaust amount measuring means (16), and the opening (11) of the iris diaphragm mechanism (9) is adjusted so that the flow rate becomes as described above. Size control is performed.
以上のように、ウエハ（４）の回転数に応じて流量を
制御したことにより、回転数に応じて最も高い塗布性能
が得られ、良好なレジスト膜塗布を行なうことができ
る。As described above, by controlling the flow rate according to the rotation speed of the wafer (4), the highest coating performance can be obtained according to the rotation speed, and good resist film coating can be performed.
なお、実施例ではこの発明をレジスト塗布装置に適用
した。しかし、この発明は現像処理液やその他の処理液
を排気しながら塗布する装置、さらには処理流体を用い
て被処理体に処理を施す処理装置すべてに適用可能であ
る。In the embodiment, the present invention is applied to a resist coating apparatus. However, the present invention is applicable to all apparatuses for applying a processing liquid while exhausting a developing processing liquid and other processing liquids, and to all processing apparatuses for performing processing on an object to be processed using a processing fluid.
以上説明したように、本発明によれば、処理室内を排
気する排気配管の途中に開口径を変化させることにより
排気量を調節する虹彩絞り機構を設け、排気量測定手段
の測定値に基づいて虹彩絞り機構を制御手段により制御
するに際し、排気量測定手段は、排気配管内の気体の流
れによってバイパス管を通って排気配管内に流入する気
体の流量を検出するので、排気量を高精度で調節するこ
とができるとともに、その流量を高精度で把握すること
ができるので、処理状態に応じて排気流量を変化させる
ことができ、高精度で安定した処理を行うことができ
る。本発明は、特に、レジスト塗布処理のような排気の
影響を受けやすい処理に有用である。As described above, according to the present invention, an iris diaphragm mechanism that adjusts the amount of exhaust by changing the opening diameter is provided in the middle of the exhaust pipe that exhausts the inside of the processing chamber, and based on the measurement value of the exhaust amount measurement unit. In controlling the iris diaphragm mechanism by the control means, the exhaust amount measuring means detects the flow rate of the gas flowing into the exhaust pipe through the bypass pipe by the gas flow in the exhaust pipe, so that the exhaust amount can be accurately determined. Since the flow rate can be adjusted and the flow rate can be grasped with high accuracy, the exhaust flow rate can be changed according to the processing state, and highly accurate and stable processing can be performed. The present invention is particularly useful for a process susceptible to exhaust such as a resist coating process.
第１図は本発明の処理装置の一実施例に係る塗布装置の
一実施例を示す図、第２図は虹彩絞り機構の構成の一例
を示す図、第３図は実施例の動作説明のための図であ
る。 １……スピナカップ、３……ウエハ載置台 ４……半導体ウエハ、５……ノズル ７……排気管、８……ブロワー ９……虹彩絞り機構、11……開口 16……排気量測定手段FIG. 1 is a view showing an embodiment of a coating apparatus according to an embodiment of the processing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a view showing an example of a configuration of an iris diaphragm mechanism, and FIG. FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Spinner cup, 3 ... Wafer mounting table 4 ... Semiconductor wafer, 5 ... Nozzle 7 ... Exhaust pipe, 8 ... Blower 9 ... Iris diaphragm mechanism, 11 ... Opening 16 ... Exhaust amount measuring means
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹熊 貴志 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−89329（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−141314（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−129643（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−77569（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−25017（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−11727（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−156231（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B05C 7/00 - 21/00 H01L 21/30──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Takashi Takekuma 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Inside Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. (56) References JP-A-64-89329 (JP, A) JP-A Sho 63-141314 (JP, A) JP-A-2-129643 (JP, A) JP-A-63-77569 (JP, A) JP-A-2-25017 (JP, A) U) Real opening 61-156231 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) B05C 7/00-21/00 H01L 21/30
Claims (1)
処理室と、 前記処理室内の被処理体に処理流体を供給する手段と、 前記処理室内を排気する排気配管と、 この排気配管の途中に設けられ、開口径を変化させるこ
とにより排気量を調節する虹彩絞り機構と、 前記排気管の排気流量を測定するための排気量測定手段
と、 この排気量測定手段の測定値に基づいて前記虹彩絞り機
構を制御する制御手段と、 前記排気管に接続されたバイパス管と を具備し、排気量測定手段は、前記排気配管内の気体の
流れによって前記バイパス管を通って前記排気配管内に
流入する気体の流量を検出することにより排気量を測定
することを特徴とする処理装置。A processing chamber configured to perform a predetermined process on the processing target; a unit configured to supply a processing fluid to the processing target in the processing chamber; an exhaust pipe configured to exhaust the processing chamber; An iris diaphragm mechanism provided in the middle of the pipe and adjusting the exhaust amount by changing the opening diameter, an exhaust amount measuring unit for measuring the exhaust flow rate of the exhaust pipe, and a measurement value of the exhaust amount measuring unit. Control means for controlling the iris diaphragm mechanism based on the exhaust gas, and a bypass pipe connected to the exhaust pipe. A processing apparatus for measuring an exhaust amount by detecting a flow rate of a gas flowing into a pipe.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3352890A JP2845402B2 (en) | 1989-09-25 | 1990-02-14 | Processing equipment |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-250066 | 1989-09-25 | ||
| JP25006689 | 1989-09-25 | ||
| JP3352890A JP2845402B2 (en) | 1989-09-25 | 1990-02-14 | Processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03186379A JPH03186379A (en) | 1991-08-14 |
| JP2845402B2 true JP2845402B2 (en) | 1999-01-13 |
Family
ID=26372234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3352890A Expired - Fee Related JP2845402B2 (en) | 1989-09-25 | 1990-02-14 | Processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2845402B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101838927B1 (en) * | 2017-10-31 | 2018-03-15 | 동주에이피 주식회사 | Assessment System of Residual Life on Valve |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW418452B (en) * | 1997-10-31 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Ltd | Coating process |
| JP4736938B2 (en) * | 2006-05-08 | 2011-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
-
1990
- 1990-02-14 JP JP3352890A patent/JP2845402B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101838927B1 (en) * | 2017-10-31 | 2018-03-15 | 동주에이피 주식회사 | Assessment System of Residual Life on Valve |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03186379A (en) | 1991-08-14 |
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