JP2952626B2 - Processing equipment - Google Patents

Processing equipment

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JP2952626B2
JP2952626B2 JP30663192A JP30663192A JP2952626B2 JP 2952626 B2 JP2952626 B2 JP 2952626B2 JP 30663192 A JP30663192 A JP 30663192A JP 30663192 A JP30663192 A JP 30663192A JP 2952626 B2 JP2952626 B2 JP 2952626B2
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昭浩 藤本
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体ウエハの
ような被処理体の上面に処理液を供給する処理装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for supplying a processing liquid to an upper surface of an object such as a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の処理装置において、一般に、半
導体ウエハ(以下にウエハという)のような被処理体に
レジストのような処理液を塗布する場合、均一な塗布を
実現するために、ウエハ近傍の気流の流速を厳密に管理
することが必要である。そのためウエハ上面近傍に、熱
線式センサ又は差圧センサ(ピトー管)を配設してウエ
ハ近傍の気流をモニタしている。
2. Description of the Related Art In this type of processing apparatus, generally, when a processing liquid such as a resist is applied to an object to be processed such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), a wafer is required to realize uniform coating. It is necessary to strictly control the flow velocity of the nearby airflow. Therefore, a hot-wire sensor or a differential pressure sensor (Pitot tube) is disposed near the upper surface of the wafer to monitor the airflow near the wafer.

【0003】特開昭64−69012号公報に記載の装
置によれば、図4に示すように、ウエハWは、処理室2
2内に配置された回転保持手段であるチャック23上に
載置されている。処理室22を形成するカップ21には
排気管24が結合されており、排気量の管理のため、こ
こにダンパ27が設けられる。この排気管24内に風速
測定器25が設けられており、この風速測定器25の測
定値に基づいて、コントローラ26がモータ28を制御
すると共に、ダンパ27を駆動して最終的にウエハW近
傍の気流を制御するように構成されている。
According to the apparatus described in JP-A-64-69012, as shown in FIG.
2 is mounted on a chuck 23 which is a rotation holding means disposed in the inside 2. An exhaust pipe 24 is connected to the cup 21 that forms the processing chamber 22, and a damper 27 is provided here for controlling the amount of exhaust. A wind speed measuring device 25 is provided in the exhaust pipe 24. Based on the measurement value of the wind speed measuring device 25, a controller 26 controls a motor 28 and drives a damper 27 to finally move the vicinity of the wafer W. It is configured to control the airflow.

【0004】また、特開平3−15721号公報に記載
の装置によれば、図5に示すように、排気装置28に通
じる排気管24に支流配管30が取付けられており、こ
の支流配管30はマスフローメータ29に接続されてい
る。それによりこの支流配管30内の気流の流速を求め
ることができ、この流速からウエハW近傍の気流の流速
が推定でき、従ってこの気流を制御することができる。
According to the device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-15721, a tributary pipe 30 is attached to an exhaust pipe 24 leading to an exhaust device 28, as shown in FIG. It is connected to a mass flow meter 29. Thereby, the flow velocity of the air flow in the branch pipe 30 can be obtained, and the flow velocity of the air flow in the vicinity of the wafer W can be estimated from the flow velocity, so that the air flow can be controlled.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわち図4に示す公知の装置において、測定センサはミ
ストを含む気流中に配置されているので、センサは処理
液のミストによって汚れ、性能が低下する。そのため測
定精度が低下して、厳密な気流の管理が不可能になる。
このことは、センサを熱線式として構成した場合にも、
差圧式として構成した場合にも生じる。
However, in the former, that is, in the known device shown in FIG. 4, the measurement sensor is disposed in an air flow containing mist, so that the sensor is contaminated by the mist of the processing liquid, and the performance is deteriorated. . For this reason, the measurement accuracy is reduced, and strict airflow management becomes impossible.
This is true even if the sensor is configured as a hot wire sensor.
This also occurs when a differential pressure type is used.

【0006】また、後者すなわち図5に示す公知の装置
においては、カップから排気装置28に通じる排気管2
4がミストによって汚れ、その断面積が小さくなった場
合、ウエハ表面近傍の気流は減少するが、ミストによっ
て汚れることのない支流配管30内の気流は増大する。
支流配管30に設けられたマスフローメータ29は、こ
の時実際にはウエハ近傍の気流が減少しているにもかか
わらす、気流が増大していると判断し、その結果ウエハ
近傍の気流をますます減少するような制御が行われる。
そのため気流の管理は不可能になるという問題が生じ
る。
Further, in the latter case, that is, in the known device shown in FIG.
When the surface area 4 is contaminated by mist and its cross-sectional area is reduced, the airflow near the wafer surface is reduced, but the airflow in the branch pipe 30 that is not contaminated by mist is increased.
At this time, the mass flow meter 29 provided in the branch pipe 30 judges that the airflow near the wafer is increasing although the airflow near the wafer is actually decreasing, and as a result, the airflow near the wafer is further increased. The control is performed so as to decrease.
For this reason, there is a problem that the airflow cannot be managed.

【0007】この欠点を解消するため、センサをメッシ
ュでカバーすることも提案されているが、いずれにせ
よ、処理液ミストが付着した部分は定期的にクリーニン
グしなければならず、装置の保守には手間がかかるとい
う問題があった。
[0007] In order to solve this drawback, it has been proposed to cover the sensor with a mesh, but in any case, the portion to which the processing liquid mist has adhered must be periodically cleaned, and maintenance of the apparatus is required. Had a problem that it was troublesome.

【0008】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、例えば半導体ウエハ用の処理液塗布装置において、
流量センサ及び流量測定に関する管路が処理液ミストに
よって汚れ、測定結果に影響を及ぼすことがないように
構成した処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and for example, in a processing liquid coating apparatus for a semiconductor wafer,
It is an object of the present invention to provide a processing apparatus configured such that a flow sensor and a conduit for measuring flow rate are not contaminated by a processing liquid mist and do not affect measurement results.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の処理装置は、被処理体を保持する
回転保持手段と、この回転保持手段を包囲するカップ
と、上記被処理体の上面に処理液を供給する処理液供給
手段と、上記被処理体から飛散した処理液を排出する排
気系とを有する処理装置を前提とし、上記カップ底部に
吸気口を設け、この吸気口と上記回転保持手段の下面側
とを連通する通路に排気量検出手段を配置することを特
徴とするものである。
In order to achieve the above object, a first processing apparatus according to the present invention comprises: a rotation holding means for holding an object to be processed; a cup surrounding the rotation holding means; Assuming a processing apparatus having a processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the upper surface of the processing object, and an exhaust system for discharging the processing liquid scattered from the processing object ,
An intake port is provided, and the intake port and the lower surface side of the rotation holding means are provided.
The arrangement of the displacement detection means in the passage communicating with the
It is a sign.

【0010】また、この発明の第2の処理装置は、上記
第1の処理装置と同様に被処理体を保持する回転保持手
段と、この回転保持手段を包囲するカップと、上記被処
理体の上面に処理液を供給する処理液供給手段と、上記
被処理体から飛散した処理液を排出する排気系とを有す
る処理装置を前提とし、上記被処理体の上面近くにおけ
る排気系の上流側と排気系外間に移動可能に排気量検出
手段を配設し、排気系外に上記排気量検出手段の洗浄部
を設けることを特徴とするものである。
A second processing apparatus according to the present invention comprises, like the first processing apparatus, a rotation holding means for holding an object to be processed, a cup surrounding the rotation holding means, Assuming a processing apparatus having a processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the upper surface, and an exhaust system for discharging the processing liquid scattered from the object, an upstream side of an exhaust system near the upper surface of the object to be processed. An exhaust amount detecting means is movably provided outside the exhaust system, and a cleaning unit of the exhaust amount detecting means is provided outside the exhaust system.

【0011】この発明において、上記排気量検出手段
を、カップ内の排気量検出位置と、カ ップ外の洗浄部へ
切換え移動可能に形成する方が好ましい。また、上記排
気量検出手段からの検出信号に基づいて排気量調節手段
の制御及び又は警報を発するコントローラを具備する方
が好ましい。
In the present invention, the displacement detecting means is provided.
And a discharge amount detection position in the cup, the mosquito-up out of the cleaning section
It is preferable to form it so that it can be switched. In addition,
Displacement control means based on a detection signal from the flow rate detection means
Those who have a controller that controls and / or issues an alarm
Is preferred.

【0012】[0012]

【作用】被処理体表面の近くを流れる気流は、カップ上
部の開口から流入するが、カップ底部のベースに吸気口
を設ければ、ここからも気流が流入する。この気流は、
被処理体の近くを流れるものではないが、表面近くの気
流と一定の比例関係を有することは明らかである。しか
も、この吸気口は、被処理体のいわば裏側にあり、しか
も排気流の上流側にあるので、処理液ミストによって排
気量検出手段が汚れることはない。
The airflow flowing near the surface of the workpiece flows in through the opening at the top of the cup, but if a suction port is provided in the base at the bottom of the cup, the airflow also flows from here. This airflow is
Although it does not flow near the object to be processed, it clearly has a certain proportional relationship with the air flow near the surface. In addition, since the suction port is located on the back side of the object to be processed and on the upstream side of the exhaust flow, the exhaust amount detecting means is not contaminated by the processing liquid mist.

【0013】また、排気量検出手段を移動可能に構成す
ることにより、排気量検出手段は、被処理体の表面の近
くに配置することができ、この付近の気流を直接測定す
ることができる。一定期間ごとに、又は何等かの手段に
より処理液の付着が検出された場合、排気量検出手段は
洗浄部へ移動され、ここで洗浄される。
[0013] Further, by arranging the displacement detection means so as to be movable, the displacement detection means can be arranged near the surface of the object to be processed, and the air flow in the vicinity can be directly measured. At regular time intervals, or when the adhesion of the processing liquid is detected by any means, the exhaust amount detection means is moved to the cleaning unit, where it is cleaned.

【0014】[0014]

【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0015】図1は、この発明による半導体ウエハ用処
理装置の全体を示している。この処理装置は、被処理
体、例えば半導体ウエハ(以下ウエハという)Wに種々
の処理を施す処理機構ユニット10と、処理機構ユニッ
ト10にウエハWを搬入・搬出する搬入・搬出機構1と
で主要部が構成されている。
FIG. 1 shows an entire semiconductor wafer processing apparatus according to the present invention. This processing apparatus mainly includes a processing mechanism unit 10 that performs various types of processing on an object to be processed, for example, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) W, and a loading / unloading mechanism 1 that loads / unloads the wafer W into / from the processing mechanism unit 10. Unit is configured.

【0016】搬入・搬出機構1は、処理前のウエハWを
収納するウエハキャリア2と、処理後のウエハWを収納
するウエハキャリア3と、ウエハWを吸着保持するアー
ム4と、このアーム4をX(図1の左右方向)、Y(前
後)、Z(垂直)及びθ(回転)方向に移動させる移動
機構5と、ウエハWがアライメントされかつ処理機構ユ
ニット10との間でウエハWの受渡しがなされるアライ
メントステージ6とを有する。
The loading / unloading mechanism 1 includes a wafer carrier 2 for storing the unprocessed wafer W, a wafer carrier 3 for storing the processed wafer W, an arm 4 for holding the wafer W by suction, and Transfer mechanism 5 for moving in X (horizontal direction in FIG. 1), Y (front and rear), Z (vertical) and θ (rotation) directions, and transfer of wafer W between processing apparatus unit 10 and alignment of wafer W And an alignment stage 6 for performing the following.

【0017】処理機構ユニット10には、アライメント
ステージ6よりX方向に形成された搬送路11に沿って
移動自在な搬送機構12が設けられている。搬送機構1
2には、Y、Z及びθ方向に移動自在なメインアーム1
3が設けられている。
The processing mechanism unit 10 is provided with a transport mechanism 12 movable along a transport path 11 formed in the X direction from the alignment stage 6. Transport mechanism 1
2 is a main arm 1 movable in Y, Z and θ directions.
3 are provided.

【0018】搬送路11の一方の側には、ウエハWとレ
ジスト液膜との密着性を向上させるためにアドヒージョ
ン処理を行うアドヒージョン処理機構14と、ウエハW
に塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発させ
るプリベーク機構15と、加熱処理されたウエハWを冷
却する冷却機構16とが配置されている。搬送路11の
他方の側には、ウエハWの表面にレジストを塗布する処
理液塗布機構17と、露光工程時に光乱射を防止するた
めにウエハWのレジスト上にCEL膜などを塗布形成す
る表面被覆層塗布機構18とが配置されている。
On one side of the transfer path 11, an adhesion processing mechanism 14 for performing an adhesion process for improving the adhesion between the wafer W and the resist liquid film, and a wafer W
A pre-bake mechanism 15 for heating and evaporating the solvent remaining in the resist applied to the wafer and a cooling mechanism 16 for cooling the wafer W after the heat treatment are arranged. On the other side of the transfer path 11, a processing liquid application mechanism 17 for applying a resist to the surface of the wafer W, and a surface for applying and forming a CEL film or the like on the resist of the wafer W in order to prevent light scatter during the exposure process A coating layer application mechanism 18 is provided.

【0019】以上のように構成された処理装置におい
て、ウエハキャリア2に収納された処理前のウエハW
は、搬入・搬出機構1のアーム4によってここから搬出
され、アライメントステージ6上に載置される。次に、
このウエハWは、搬送機構12のメインアーム13に保
持され、各処理機構14〜18へと搬送される。そして
処理後のウエハWは、メインアーム13によってアライ
メントステージ6に戻され、さらにアーム4によってウ
エハキャリア3に搬送され、ここに収納される。
In the processing apparatus configured as described above, the unprocessed wafer W stored in the wafer carrier 2 is processed.
Is carried out from here by the arm 4 of the carry-in / carry-out mechanism 1 and mounted on the alignment stage 6. next,
The wafer W is held by the main arm 13 of the transfer mechanism 12 and transferred to each of the processing mechanisms 14 to 18. Then, the processed wafer W is returned to the alignment stage 6 by the main arm 13, further transferred to the wafer carrier 3 by the arm 4, and stored therein.

【0020】図2及び図3は、この発明による処理装置
の2つの構成を示している。被処理体であるウエハW
は、回転保持手段であるスピンチャック31に吸着保持
されており、モータ31aによって駆動されるスピンチ
ャック31により水平回転(自転)させられる。ウエハ
Wの上方には、処理液供給手段である処理液供給ノズル
32が配置されている。ウエハWを保持したスピンチャ
ック31は外カップ33a及び内カップ33bからなる
カップ33によって包囲されている。この場合、外カッ
プ33aは、スピンチャック31の周辺部を包み込み、
処理液の外部への飛散を防止し、内カップ33bは、2
つの同心的な円筒部材、例えばスピンチャック31に近
接して設けられた内筒部33c、ウエハWの周辺部より
垂下して設けられた外筒部33dとからなり、この両者
の間にカップ33の底部より突出して設けた円筒部材3
3eにより排気流の迂回路を形成している。
FIGS. 2 and 3 show two configurations of the processing apparatus according to the present invention. Wafer W to be processed
Is held by suction on a spin chuck 31 serving as a rotation holding means, and is horizontally rotated (self-rotated) by a spin chuck 31 driven by a motor 31a. Above the wafer W, a processing liquid supply nozzle 32 as processing liquid supply means is arranged. The spin chuck 31 holding the wafer W is surrounded by a cup 33 including an outer cup 33a and an inner cup 33b. In this case, the outer cup 33a wraps around the spin chuck 31 and
The processing liquid is prevented from scattering to the outside, and the inner cup 33b is
And a concentric cylindrical member, for example, an inner cylindrical portion 33c provided close to the spin chuck 31 and an outer cylindrical portion 33d provided hanging down from a peripheral portion of the wafer W. Cylindrical member 3 protruding from the bottom of
3e forms an exhaust gas detour.

【0021】外カップ33aは、上部に大きな開口を有
し、ここからウエハWの出し入れが行われる。また、外
カップ33aの底部のベース部には、円筒部材33eの
内側に排気口35が2個設けられており、ここには排気
系の排気管36の一端が接続されている。排気管36
は、他端は図示しない排気装置に接続されており、その
途中に、排気量調節手段であるバタフライバルブ37が
開口度調節可能に設けられている。このバタフライバル
ブ37は、コントローラ38によって駆動されて排気量
すなわちウエハW上面近くの気流の流速を制御すること
ができるようになっている。
The outer cup 33a has a large opening in the upper part, through which the wafer W is taken in and out. In addition, two exhaust ports 35 are provided inside the cylindrical member 33e at the base portion at the bottom of the outer cup 33a, and one end of an exhaust pipe 36 of an exhaust system is connected here. Exhaust pipe 36
The other end is connected to an exhaust device (not shown) , and a butterfly valve 37 serving as an exhaust amount adjusting means is provided in the middle of the exhaust device so as to adjust the opening degree. The butterfly valve 37 is driven by a controller 38 to control the amount of exhaust gas, that is, the flow velocity of the airflow near the upper surface of the wafer W.

【0022】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、スピンチャック31に吸着保持されたウエ
ハWが回転駆動されると、処理液供給ノズル32から処
理液例えばレジスト液が散布(滴下)され、同時に排気
装置が駆動されてウエハWの表面近くにウエハW中心か
ら周辺部に向う一定の気流が形成される。気流の管理
は、排気管36に設けられたバタフライバルブ37によ
って行われる。それにより処理液は、ウエハW表面に均
一に塗布される。処理液の乾燥後の膜厚は、例えば1
0,000オングストローム±30オングストローム程
度の均一性を持たなければならず、ミスト状のレジスト
液のウエハW表面への付着により乾燥後にパーティクル
を形成してはいけないので、この気流の管理は極めて重
要である。
In the processing apparatus of the present invention configured as described above, when the wafer W sucked and held by the spin chuck 31 is driven to rotate, a processing liquid, for example, a resist liquid is sprayed (dropped) from the processing liquid supply nozzle 32. At the same time, the exhaust device is driven to form a constant airflow from the center of the wafer W to the peripheral portion near the surface of the wafer W. The air flow is managed by a butterfly valve 37 provided in the exhaust pipe 36. Thereby, the processing liquid is uniformly applied to the surface of the wafer W. The film thickness of the treatment liquid after drying is, for example, 1
This air flow control is extremely important because it must have a uniformity of about 000 angstroms ± 30 angstroms and must not form particles after drying by adhering a mist-like resist solution to the surface of the wafer W. is there.

【0023】図2の構成においては、外カップ33aの
底部のスピンチャック31周辺に吸気口39が設けられ
ており、これら吸気口39の1つの縁に、排気量検出手
段であるセンサ40が取付けられており、このセンサ4
0からの検出信号がコントローラ38に伝達されるよう
になっている。このセンサ40は、吸気口39を通って
ウエハW裏面に向う気流の流速又は流量を測定するよう
になっている。この場合、外カップ33aの開口から流
入する気流と吸気口39から流入する気流は共通の排気
口35により排気されるため、吸気口39を通る気流の
流量とウエハW表面近くの気流の流量とが所定の比例関
係を有することは明らかであるので、この吸気口39を
通る気流の流速又は流量を測定(検出)することによ
り、ウエハW表面近くの気流の流速又は流量が推測(算
出)でき、この検出信号に基づいてバタフライバルブ3
7の開度を制御すれば、ウエハW表面近くの気流を一定
に維持(設定)することができる。また、気流が異常に
低下するような場合には、コントローラ38によって警
報を発すると共に、バタフライバルブ37を閉鎖するな
どの処置を講ずることによってウエハW表面近くの気流
を厳密に管理することができる。しかも、このセンサ4
0は、レジスト液が飛散して来ない領域のウエハWの裏
面側に配置され、また、ミスト状のレジスト液が存在す
る気流部分よりも上流側の領域に配置されているので、
処理液によって汚されることもない。なお、上記実施例
では、センサ40が吸気口39の近傍に配置される場合
について説明したが、センサ40を必ずしも吸気口39
の近傍位置に配置する必要はなく、吸気口39とスピン
チャック31の下面側とを連通する通路中のいずれかに
配置してもよい。
In the configuration shown in FIG. 2, an intake port 39 is provided around the spin chuck 31 at the bottom of the outer cup 33a, and a sensor 40 serving as a displacement detection means is attached to one edge of the intake port 39. This sensor 4
The detection signal from 0 is transmitted to the controller 38. The sensor 40 measures the flow velocity or flow rate of the airflow passing through the air inlet 39 toward the back surface of the wafer W. In this case, the airflow flowing from the opening of the outer cup 33a and the airflow flowing from the intake port 39 are exhausted by the common exhaust port 35, so that the flow rate of the airflow passing through the intake port 39 and the flow rate of the airflow near the wafer W surface are reduced. Has a predetermined proportional relationship, it is possible to estimate (calculate) the flow velocity or flow rate of the air flow near the surface of the wafer W by measuring (detecting) the flow velocity or flow rate of the air flow passing through the intake port 39. , Based on this detection signal, the butterfly valve 3
By controlling the opening of 7, the airflow near the surface of the wafer W can be kept constant (set). If the airflow is abnormally reduced, an alarm is issued by the controller 38 and the airflow near the wafer W surface can be strictly controlled by taking measures such as closing the butterfly valve 37. Moreover, this sensor 4
0 is disposed on the back surface side of the wafer W in a region where the resist liquid does not scatter, and is disposed in a region upstream of the airflow portion where the mist-like resist liquid is present.
There is no contamination by the processing liquid. In the above embodiment, the case where the sensor 40 is disposed in the vicinity of the intake port 39 has been described.
Need not be disposed in the vicinity of the spin chuck 31, and may be disposed in any of the passages communicating the intake port 39 and the lower surface side of the spin chuck 31.

【0024】図3はこの発明の別の実施例の断面図が示
されている。図3の構成においては、センサ41は、外
カップ33aの上部開口の縁の上方に配置されたピボッ
ト42にアーム43を介して取付けられており、図示し
ない切換駆動機構によって排気系の上流側の外カップ3
3a内の排気量検出位置と、排気系外すなわち外カップ
33a外の後述する洗浄部との間を手動又は自動にて移
動可能に配設されている。排気系外のピボット42の近
くには洗浄部である洗浄容器44が配置されている。こ
の洗浄容器内には、例えばレジスト溶剤等の洗浄液が収
容されており、この洗浄容器44内にセンサ41が挿入
されて洗浄液によって洗浄されるようになっている。
FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the present invention. In the configuration shown in FIG. 3, the sensor 41 is attached to a pivot 42 disposed above the edge of the upper opening of the outer cup 33a via an arm 43, and is provided with a switching drive mechanism (not shown) on the upstream side of the exhaust system. Outer cup 3
It is manually or automatically movable between an exhaust amount detection position in 3a and a cleaning unit, which will be described later, outside the exhaust system, that is, outside the outer cup 33a. A cleaning container 44 as a cleaning unit is disposed near the pivot 42 outside the exhaust system. A cleaning liquid such as a resist solvent is contained in the cleaning container, and a sensor 41 is inserted into the cleaning container 44 to be cleaned by the cleaning liquid.

【0025】なお、図3においてその他の部分は上記第
一実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を付
してその説明は省略する。
The other parts in FIG. 3 are the same as those in the first embodiment, and the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0026】上記のように構成することにより、上記セ
ンサ41は、ウエハW表面近くの気流を直接測定するこ
とができ、それに基づいてバタフライバルブ37を制御
し、この気流を厳密に管理することができる。この場
合、センサ41は処理液によって汚され易いので、定期
的に又は測定に異常があった場合、切換駆動機構によっ
て手動又は自動的にピボット42の回りで揺動され、洗
浄液に漬けられる。それによりセンサ41は洗浄される
ので、センサ41を再び元の位置へ戻し、再び測定を維
持することができる。
With the above configuration, the sensor 41 can directly measure the air flow near the surface of the wafer W, control the butterfly valve 37 based on the measured air flow, and strictly manage this air flow. it can. In this case, since the sensor 41 is easily contaminated by the processing liquid, the switching drive mechanism swings the sensor 41 around the pivot 42 manually or automatically when the measurement is abnormal, and the sensor 41 is immersed in the cleaning liquid. As a result, the sensor 41 is washed, so that the sensor 41 can be returned to the original position again and the measurement can be maintained again.

【0027】なお、上記実施例では被処理体が半導体ウ
エハの場合について述べたが、半導体ウエハ以外の例え
ばガラス基板,LCD,CD,金属板等にも適用するこ
とができる。また、上記実施例では処理液がレジストの
場合について説明したが、レジスト以外の処理液例え
ば、洗浄液,現像液,エッチング液,その他の薬液等に
ついても適用できる。
In the above embodiment, the case where the object to be processed is a semiconductor wafer has been described. However, the present invention can also be applied to glass substrates, LCDs, CDs, metal plates, etc. other than semiconductor wafers. In the above embodiment, the case where the processing liquid is a resist has been described. However, a processing liquid other than the resist, such as a cleaning liquid, a developing liquid, an etching liquid, and other chemical liquids, can be applied.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば上記のように構成されているので、以下の
ような効果を得ることができる。
As described above, according to the processing apparatus of the present invention, since it is configured as described above, the following effects can be obtained.

【0029】1)請求項1記載の処理装置によれば、セ
ンサは処理液によって汚されることがなく、気流が高精
度で測定できる。それによって処理液の均一な塗布を可
能にすると共に、パーティクルの発生を防止することが
でき、しかもメンテナンスフリーが達成できる。
1) According to the processing apparatus of the first aspect , the sensor is not polluted by the processing liquid, and the air flow can be measured with high accuracy. This enables uniform application of the processing liquid, prevents generation of particles, and achieves maintenance-free operation.

【0030】2)請求項2記載の処理装置によれば、セ
ンサは処理液によって汚されても、すぐに洗浄できるの
で、気流が高精度で測定できる。それにより上記1)と
同様に処理液の均一な塗布を可能にすると共に、パーテ
ィクルの発生を防止することができ、しかもメンテナン
スフリーが達成できる。
According to the second aspect of the present invention , even if the sensor is contaminated with the processing liquid, it can be washed immediately, so that the air flow can be measured with high accuracy. As a result, a uniform application of the processing liquid is enabled as in 1), the generation of particles can be prevented, and maintenance-free operation can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の処理装置を有する半導体ウエハ用処
理装置の全体を示す概略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing an entire processing apparatus for a semiconductor wafer having the processing apparatus of the present invention.

【図2】この発明の処理装置の構成を示す側断面図であ
る。
FIG. 2 is a side sectional view showing a configuration of the processing apparatus of the present invention.

【図3】この発明の処理装置の別の構成を示す側断面図
である。
FIG. 3 is a side sectional view showing another configuration of the processing apparatus of the present invention.

【図4】公知の処理液塗布装置を示す側断面図である。FIG. 4 is a side sectional view showing a known processing liquid application device.

【図5】公知の処理液塗布装置を示す側断面図である。FIG. 5 is a side sectional view showing a known processing liquid application device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W 半導体ウエハ(被処理体) 17 処理液塗布機構 31 スピンチャック(回転保持手段) 32 処理液供給ノズル(処理液供給手段) 33 カップ 33a 外カップ 33b 内カップ 35 排気口 36 排気管 37 バタフライバルブ(排気量調節手段) 38 コントローラ 39 吸気口 40 センサ(排気量検出手段) 41 センサ(排気量検出手段) 42 ピボット 43 アーム 44 洗浄容器(洗浄部)W Semiconductor wafer (object to be processed) 17 Processing liquid coating mechanism 31 Spin chuck (rotation holding means) 32 Processing liquid supply nozzle (processing liquid supply means) 33 Cup 33a Outer cup 33b Inner cup 35 Exhaust port 36 Exhaust pipe 37 Butterfly valve ( Exhaust amount adjusting means) 38 Controller 39 Inlet 40 Sensor (Exhaust amount detecting means) 41 Sensor (Exhaust amount detecting means) 42 Pivot 43 Arm 44 Cleaning container (Washing part)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 被処理体を保持する回転保持手段と、こ
の回転保持手段を包囲するカップと、上記被処理体の上
面に処理液を供給する処理液供給手段と、上記被処理体
から飛散した処理液を排出する排気系とを有する処理装
置において、上記カップ底部に吸気口を設け、この吸気口と上記回転
保持手段の下面側とを連通する通路に排気量検出手段を
配置することを特徴とする 処理装置。
1. A rotation holding means for holding an object to be processed, a cup surrounding the rotation holding means, a processing liquid supply means for supplying a processing liquid to an upper surface of the object to be processed, and a scattering from the object to be processed. A processing apparatus having an exhaust system for discharging the processed processing liquid, wherein an intake port is provided at the bottom of the cup, and the intake port and the rotation
Displacement detection means is provided in a passage communicating with the lower side of the holding means.
A processing device characterized by being arranged .
【請求項2】 被処理体を保持する回転保持手段と、こ
の回転保持手段を包囲するカップと、上記被処理体の上
面に処理液を供給する処理液供給手段と、上記被処理体
から飛散した処理液を排出する排気系とを有する処理装
置において、 上記被処理体の上面近くにおける排気系の上流側と排気
系外間に移動可能に排気量検出手段を配設し、排気系外
に上記排気量検出手段の洗浄部を設けることを特徴とす
る処理装置。
2. A rotation holding means for holding an object to be processed, a cup surrounding the rotation holding means, a processing liquid supply means for supplying a processing liquid to an upper surface of the object to be processed, and a scattering from the object to be processed. An exhaust system for discharging the treated liquid, wherein an exhaust amount detecting means is movably disposed between the upstream side of the exhaust system and the outside of the exhaust system near the upper surface of the object to be processed, and the exhaust system is provided outside the exhaust system. A processing apparatus comprising a cleaning unit of an exhaust amount detection means.
【請求項3】 上記排気量検出手段を、カップ内の排気
量検出位置と、カップ外の洗浄部へ切換え移動可能に形
成することを特徴とする請求項2記載の処理装置。
3. The method according to claim 2, wherein said exhaust amount detecting means is provided with an exhaust gas in a cup.
Switchable to the quantity detection position and the washing section outside the cup
3. The processing apparatus according to claim 2, wherein the processing is performed.
【請求項4】 上記排気量検出手段からの検出信号に基
づいて排気量調節手段の制御及び又は警報を発するコン
トローラを具備することを特徴とする請求項1又は2記
載の処理装置。
4. A method according to claim 1, wherein said detection means outputs a detection signal from said displacement detection means.
Control of the displacement control means and / or a warning
3. The device according to claim 1, further comprising a trawler.
On-board processing equipment.
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