JPH0377385A - 磁気抵抗素子の製造方法 - Google Patents
磁気抵抗素子の製造方法Info
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- JPH0377385A JPH0377385A JP1213888A JP21388889A JPH0377385A JP H0377385 A JPH0377385 A JP H0377385A JP 1213888 A JP1213888 A JP 1213888A JP 21388889 A JP21388889 A JP 21388889A JP H0377385 A JPH0377385 A JP H0377385A
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Landscapes
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気抵抗素子の製造方法に係り、詳しくは基板
上に強磁性金属薄膜で抵抗パターンを形成した磁気抵抗
素子の製造方法に関するものである。。
上に強磁性金属薄膜で抵抗パターンを形成した磁気抵抗
素子の製造方法に関するものである。。
［従来の技術］
磁気抵抗素子の感磁原理は、強磁性金属を磁化した場合
、磁化の方向と金属を流れる電流の方向のなす角度によ
り、金属の抵抗値が変化する性質、すなわち磁気抵抗効
果を利用している。磁気抵抗効果は次式（Ｖ ｏｉｇｔ
−Ｔ ｈｏｍｓｏｎの式）で示される。
、磁化の方向と金属を流れる電流の方向のなす角度によ
り、金属の抵抗値が変化する性質、すなわち磁気抵抗効
果を利用している。磁気抵抗効果は次式（Ｖ ｏｉｇｔ
−Ｔ ｈｏｍｓｏｎの式）で示される。
ρ（θ）＝ρｖ−３ＩＮ’θ＋ρｈ−ＣＯ８２θθ：磁
化方向と電流方向とがなす角度 ρＶ：磁化方向と電流方向とがなす角度が直角の時の金
属の抵抗値 ρｈ：磁化方向とｔ流方向とが互いに平行の時の金属の
抵抗値 そして、前記磁気抵抗素子は通常ガラス基板上に形成さ
れた約１０００オングストローム（Ａ）の膜厚のニッケ
ル合金薄膜に、写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）で
抵抗パターンを形成するこヒにより製造され、大きさは
数（至）四方である。又、１００ガウスの低磁場でも出
力が取り出せる。
化方向と電流方向とがなす角度 ρＶ：磁化方向と電流方向とがなす角度が直角の時の金
属の抵抗値 ρｈ：磁化方向とｔ流方向とが互いに平行の時の金属の
抵抗値 そして、前記磁気抵抗素子は通常ガラス基板上に形成さ
れた約１０００オングストローム（Ａ）の膜厚のニッケ
ル合金薄膜に、写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）で
抵抗パターンを形成するこヒにより製造され、大きさは
数（至）四方である。又、１００ガウスの低磁場でも出
力が取り出せる。
従来、磁気抵抗素子の製造に際して基板上に薄膜を形成
する方法として、目的とする物質の薄膜を真空中の蒸着
によって基板表面に付着させる真空蒸着法の中から、電
子ビーム蒸発源を使用した真空蒸着法（以下、ＥＢ蒸着
法と言う、）と、スパッタ法とが採用されている。
する方法として、目的とする物質の薄膜を真空中の蒸着
によって基板表面に付着させる真空蒸着法の中から、電
子ビーム蒸発源を使用した真空蒸着法（以下、ＥＢ蒸着
法と言う、）と、スパッタ法とが採用されている。
［発明が解決しようとする課！！］
ところが、ＥＢ蒸着法は電子を加速するための直流高電
圧大電流電源を必要とし、しかも真空チャンバー内に高
電圧を導入する必要があり、蒸発物からの放出ガスや蒸
気流密度が高くなるヒ真空放電が起こる危険がある。
圧大電流電源を必要とし、しかも真空チャンバー内に高
電圧を導入する必要があり、蒸発物からの放出ガスや蒸
気流密度が高くなるヒ真空放電が起こる危険がある。
一方、スパッタ法の場合にはターゲット材料の表面原子
を叩き出すために真空チャンバー内に導入される不活性
ガスのガス圧が高いため、基板に付着した薄膜中に不活
性ガスが含有されるという問題がある。又、磁気抵抗素
子のように基板が絶縁物の場合には印加電界ヒして直流
が使用できず、装置が高価になるという問題もある。
を叩き出すために真空チャンバー内に導入される不活性
ガスのガス圧が高いため、基板に付着した薄膜中に不活
性ガスが含有されるという問題がある。又、磁気抵抗素
子のように基板が絶縁物の場合には印加電界ヒして直流
が使用できず、装置が高価になるという問題もある。
さらに、ＥＢ蒸着法及びスパッタ法に上り形成されたニ
ラゲル合金運屋について調べたεころ、薄膜内部に酸素
の混入が確認された。薄膜内部に酸素が混入すると、磁
気抵抗素子の磁気特性が悪くなるばかりか信頼性が低く
なるという問題がある。
ラゲル合金運屋について調べたεころ、薄膜内部に酸素
の混入が確認された。薄膜内部に酸素が混入すると、磁
気抵抗素子の磁気特性が悪くなるばかりか信頼性が低く
なるという問題がある。
本発明は前記の問題点に鑑みてなされたものであって、
その目的は磁気特性に優れしかも信頼性の高い磁気抵抗
素子の製造方法を提供することにある。
その目的は磁気特性に優れしかも信頼性の高い磁気抵抗
素子の製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
前記の目的を遠戚するため本発明においては、クラスタ
イオンビーム蒸着により基板上に強磁性金属の薄膜を形
成し、該強磁性金属の薄膜にフォトリソグラフィにより
抵抗パターン及びパッドを形成するようにした。
イオンビーム蒸着により基板上に強磁性金属の薄膜を形
成し、該強磁性金属の薄膜にフォトリソグラフィにより
抵抗パターン及びパッドを形成するようにした。
［作用］
るつぼ内で溶融された強磁性金属から生じた金属蒸気が
るつぼの小孔から高真空中に飛び出す際、蒸気同士で衝
突を練り返すとともに断熱膨脹にもとずく過冷却現象に
より、１００〜２０００個の原子が緩（結合した塊状原
子集団（クラスタ）となる、そして、このクラスタがイ
オン化されるとともに加速電極で加速された後、基板に
衝突して薄膜となる。クラスタが基板表面に衝突すると
、クラスタがもつエネルギーは基板表面をスパッタクリ
ーニングにより清浄化する作用をなし、基板表面に形成
される薄膜に酸素が混入するのが防止される０表面に所
定の厚さで薄膜が形成された基板は、フォトリソグラフ
ィにより薄膜が抵抗パターン及びパッドに加工されて磁
気抵抗素子となる。
るつぼの小孔から高真空中に飛び出す際、蒸気同士で衝
突を練り返すとともに断熱膨脹にもとずく過冷却現象に
より、１００〜２０００個の原子が緩（結合した塊状原
子集団（クラスタ）となる、そして、このクラスタがイ
オン化されるとともに加速電極で加速された後、基板に
衝突して薄膜となる。クラスタが基板表面に衝突すると
、クラスタがもつエネルギーは基板表面をスパッタクリ
ーニングにより清浄化する作用をなし、基板表面に形成
される薄膜に酸素が混入するのが防止される０表面に所
定の厚さで薄膜が形成された基板は、フォトリソグラフ
ィにより薄膜が抵抗パターン及びパッドに加工されて磁
気抵抗素子となる。
［実施Ｓ］
以下、本発明を具体化した一実施例を図面に従って説明
する。
する。
■、クラスタイオンビーム蒸着
クラスタイオンビーム蒸着装置は公知の構成であり、第
１図に示すように、真空チャンバー１内の下部に蒸着材
料を収容するるつぼ２が配設されている。るつぼ２はそ
の周囲に加熱用フｄラメント３が配設されるとともに、
るつぼ用ＩＥ源４により高電圧が印加されるようになっ
ている。真空チャンバー１内の上部、るつぼ２ヒ対向す
る位置には基板ホルダー５が配設され、るつぼ２の上方
にはるつぼ２の小孔２ａから飛び出したクラスタをイオ
ン化する電子線シャワー用のイオン化フィラメント６及
びグリッドｔ［ｔ７が配設されている。
１図に示すように、真空チャンバー１内の下部に蒸着材
料を収容するるつぼ２が配設されている。るつぼ２はそ
の周囲に加熱用フｄラメント３が配設されるとともに、
るつぼ用ＩＥ源４により高電圧が印加されるようになっ
ている。真空チャンバー１内の上部、るつぼ２ヒ対向す
る位置には基板ホルダー５が配設され、るつぼ２の上方
にはるつぼ２の小孔２ａから飛び出したクラスタをイオ
ン化する電子線シャワー用のイオン化フィラメント６及
びグリッドｔ［ｔ７が配設されている。
グリッド電４１ｉ７の上方には加速電極８が配設されて
いる。
いる。
そして、るつぼ２内の蒸気圧を１０−２〜′ｔ！ＬＴｏ
ｒｒの状態に、るつぼ２外の蒸気圧を１０″′’Ｔｏｒ
ｒ以下の高真空の状態に保持して蒸着を行うと、蒸気の
平均目出行程がるつぼ２の小孔２ａの直径より短くなり
、小孔２ａから飛び出す蒸気が蒸気同士で衝突を繰り返
すとともに断熱膨脹にもとすく過冷却現象により、１０
０〜２０００個の原子が緩（結合した塊状原子集団（ク
ラスタ）Ｃとなって基板ホルダー５に保持された基板Ｐ
に向かって移動する１、クラスタＣはイオン化フィラメ
ント６及びグリッド電極７と対応する位置を通過する際
に電子線シャワーによりイオン化され、加速ＩＫＮ！８
の作用により加速された後、前記基板Ｐに衝突して薄膜
となる。クラスタＣの原子同士はファンデアワールス力
で結合しており、その結合エネルギーが小さいため、基
板Ｐに衝突したクラスタＣは分解して基板Ｐに付着する
が、クラスタイオンは大きな運動エネルギーを持った状
態で基板Ｐに衝突するため、蒸着膜の基板Ｐへの付着力
が強くなり１．シかも付着粒子が基板表面で移動拡散（
マイグレーシゴン）し易くなるので均質な膜が得られる
。
ｒｒの状態に、るつぼ２外の蒸気圧を１０″′’Ｔｏｒ
ｒ以下の高真空の状態に保持して蒸着を行うと、蒸気の
平均目出行程がるつぼ２の小孔２ａの直径より短くなり
、小孔２ａから飛び出す蒸気が蒸気同士で衝突を繰り返
すとともに断熱膨脹にもとすく過冷却現象により、１０
０〜２０００個の原子が緩（結合した塊状原子集団（ク
ラスタ）Ｃとなって基板ホルダー５に保持された基板Ｐ
に向かって移動する１、クラスタＣはイオン化フィラメ
ント６及びグリッド電極７と対応する位置を通過する際
に電子線シャワーによりイオン化され、加速ＩＫＮ！８
の作用により加速された後、前記基板Ｐに衝突して薄膜
となる。クラスタＣの原子同士はファンデアワールス力
で結合しており、その結合エネルギーが小さいため、基
板Ｐに衝突したクラスタＣは分解して基板Ｐに付着する
が、クラスタイオンは大きな運動エネルギーを持った状
態で基板Ｐに衝突するため、蒸着膜の基板Ｐへの付着力
が強くなり１．シかも付着粒子が基板表面で移動拡散（
マイグレーシゴン）し易くなるので均質な膜が得られる
。
前記のクラスタイオンビーム蒸着装置を使用し、基板と
して厚さ０．７噛のガラス基板、蒸着材料の強磁性金属
ヒしてニッケル合金（８３Ｎｉ −１７Ｆｅ ｗｔ％、
８ＯＮｉ −２０Ｃｏ ｗｔ％）を使用して、次の条件
でクラスタイオンビーム蒸着に上り厚さがほぼ１００Ｏ
Ａの薄膜を基板上に形成した。
して厚さ０．７噛のガラス基板、蒸着材料の強磁性金属
ヒしてニッケル合金（８３Ｎｉ −１７Ｆｅ ｗｔ％、
８ＯＮｉ −２０Ｃｏ ｗｔ％）を使用して、次の条件
でクラスタイオンビーム蒸着に上り厚さがほぼ１００Ｏ
Ａの薄膜を基板上に形成した。
排気到達真空度： ８．６ ｘ １０−’Ｔｏｒｒｔｊ
、ｌＩＩ真空度： ２ 、 ＯＸ １０−’Ｔｏ「ｒ基
板加熱温度＝３００℃ 成膜速度： ４５ Ａ／ｎｉｎ イオン化電圧：４００Ｖ イオン化＠流：５００ｙｎＡ 加速電圧：３ｋＶ なお、比較のためＥＢ蒸着装置及びスパッタ装置を使用
し、次の条件で厚さがほぼ１００ＯＡの薄膜を基板上に
形成した。
、ｌＩＩ真空度： ２ 、 ＯＸ １０−’Ｔｏ「ｒ基
板加熱温度＝３００℃ 成膜速度： ４５ Ａ／ｎｉｎ イオン化電圧：４００Ｖ イオン化＠流：５００ｙｎＡ 加速電圧：３ｋＶ なお、比較のためＥＢ蒸着装置及びスパッタ装置を使用
し、次の条件で厚さがほぼ１００ＯＡの薄膜を基板上に
形成した。
（ＥＢ蒸着）
排気到達真空度：８゜６ ｘ １０−’Ｔｏｒ「成膜真
空度： ２ 、 ＯＸ １０−’ＴＯｒｒ基板加熱温度
８３００℃ 成膜速度： １００ Ａ／１ｉｎ （スパッタ） 排気到達真空度： ８．６ ｘ １０−”Ｔｏｒｒ成膜
真空度： ５ 、 Ｏｘ １０−”Ｔｏｒｒ基板加熱温
度８３００℃ 成膜速度： １３．３Ａ／ｗｉｎ Ａｒガス量：４２ｍ１／ｗｉｎ ■、 Ｅ Ｓ ＣＡ （Ｅ Ｉｅｃｔｒｏｎ ５ｐｅｃ
ｔｒｏｓｅｏｐｙ ｆｏｒＣｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌ
ｙｓｉｓ ）による薄膜の分析ＥＳＣＡを使用して１０
０ＯＡの薄膜の膜圧方向の組成を測定した。
空度： ２ 、 ＯＸ １０−’ＴＯｒｒ基板加熱温度
８３００℃ 成膜速度： １００ Ａ／１ｉｎ （スパッタ） 排気到達真空度： ８．６ ｘ １０−”Ｔｏｒｒ成膜
真空度： ５ 、 Ｏｘ １０−”Ｔｏｒｒ基板加熱温
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ｙｓｉｓ ）による薄膜の分析ＥＳＣＡを使用して１０
０ＯＡの薄膜の膜圧方向の組成を測定した。
結果を第３図（ａ）〜（ｃ）に示す。
第３図（ａ）から明らかなように、クラスタイオンビー
ム蒸着により形成された薄膜では表面からほぼｘｏｏＸ
の深さまでは酸素（０）が存在するが、１００Ａ〜ｘｏ
ｏｏＡの部分では酸素はほとんど無く、薄膜の岨或は蒸
着材料のＮｉ −Ｆｅ合金の成分比率に近い優を示した
。なお、表面部分に酸素が存在するのは成膜後、基板が
真空チャンバー外に出されたときに、薄膜の表面が酸化
されるためである。又、１００ＯＡより厚い部分の酸素
はガラス基板の成分としてのものである。
ム蒸着により形成された薄膜では表面からほぼｘｏｏＸ
の深さまでは酸素（０）が存在するが、１００Ａ〜ｘｏ
ｏｏＡの部分では酸素はほとんど無く、薄膜の岨或は蒸
着材料のＮｉ −Ｆｅ合金の成分比率に近い優を示した
。なお、表面部分に酸素が存在するのは成膜後、基板が
真空チャンバー外に出されたときに、薄膜の表面が酸化
されるためである。又、１００ＯＡより厚い部分の酸素
はガラス基板の成分としてのものである。
これに対して、第３図、（ｂ）から明らかなように、Ｅ
Ｂ蒸着膜の場合は表面近傍（深さ１００Ａ付近）では薄
膜の組成は蒸着材料のＮｉ−Ｆｅ合金の成分比率に近い
鎧であるが、深さ２００Ａ以上の薄層内部ではほぼ１２
％程度の酸素の混入がみられる。又、スパッタ膜の場合
も第３図（ｅ）から明らかなように、薄膜の成分に酸素
の混入（１２％程度）がみられる。
Ｂ蒸着膜の場合は表面近傍（深さ１００Ａ付近）では薄
膜の組成は蒸着材料のＮｉ−Ｆｅ合金の成分比率に近い
鎧であるが、深さ２００Ａ以上の薄層内部ではほぼ１２
％程度の酸素の混入がみられる。又、スパッタ膜の場合
も第３図（ｅ）から明らかなように、薄膜の成分に酸素
の混入（１２％程度）がみられる。
クラスタイオンビーム蒸着により形成された薄膜に酸素
が混入されない理由としては、クラスタイオンが基板表
面に衝突する際に持っているエネルギーが、ＥＢ蒸着や
スパッタの際に基板に衝突する粒子がもつエネルギーよ
り大きく、クラスタが分解して基板に付着した眉に酸素
が混入した場合でも、次のクラスタがその層に衝突した
ときに原子量がニッケルや鉄に比較して小さい酸素がク
ラスタのスパッタクリーニング作用により薄膜層から叩
き出されるためと考えられる。
が混入されない理由としては、クラスタイオンが基板表
面に衝突する際に持っているエネルギーが、ＥＢ蒸着や
スパッタの際に基板に衝突する粒子がもつエネルギーよ
り大きく、クラスタが分解して基板に付着した眉に酸素
が混入した場合でも、次のクラスタがその層に衝突した
ときに原子量がニッケルや鉄に比較して小さい酸素がク
ラスタのスパッタクリーニング作用により薄膜層から叩
き出されるためと考えられる。
■フォトリソグラフィによる薄膜の加工前記のように基
板上に形成された厚さ１０００Ａの薄膜に、公知のフォ
トリソグラフィにより抵抗パターンを形成して磁気抵抗
素子を製作した。
板上に形成された厚さ１０００Ａの薄膜に、公知のフォ
トリソグラフィにより抵抗パターンを形成して磁気抵抗
素子を製作した。
磁気抵抗素子９にはｆｌ！１６μｍの細い線を何度も折
り曲げて形成された２個の抵抗パターン１０がその折り
曲げ方向が互いに直交するように配置されるとともに、
電気信号を外部に出力するための３個のバッド１１が抵
抗パターン１０に接続されている。なお、３個のバッド
１１も抵抗パターン１０と同時に形成される。又、抵抗
パターン１０は表面保護のためポリイミド樹脂製の保護
膜１２で環われている。
り曲げて形成された２個の抵抗パターン１０がその折り
曲げ方向が互いに直交するように配置されるとともに、
電気信号を外部に出力するための３個のバッド１１が抵
抗パターン１０に接続されている。なお、３個のバッド
１１も抵抗パターン１０と同時に形成される。又、抵抗
パターン１０は表面保護のためポリイミド樹脂製の保護
膜１２で環われている。
■磁気抵抗素子の磁気特性の評価
クラスタイオンビーム蒸着法による薄膜から形成した磁
気抵抗素子について、磁気抵抗変化量を測定した結果、
市販品のほぼ１．８倍となった。
気抵抗素子について、磁気抵抗変化量を測定した結果、
市販品のほぼ１．８倍となった。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、磁気抵抗素子の抵
抗パターンを形成する強磁性金属の薄膜層に酸素の混入
が無いため、磁気特性に優れしかも信頼性の高い磁気抵
抗素子を得ることができる。
抗パターンを形成する強磁性金属の薄膜層に酸素の混入
が無いため、磁気特性に優れしかも信頼性の高い磁気抵
抗素子を得ることができる。
第１図はクラスタイオンビーム蒸着装置の概略図、第２
図は磁気抵抗素子の平面図、第３図（ａ）°はクラスタ
イオンビーム蒸着膜のＥＳＣＡによる測定データを示す
線図、第３図（ｂ）はＥＢ蒸着膜のＥＳＣＡによる測定
データを示す線図５第３図（Ｃ）はスパッタ膜のＥＳＣ
Ａによる測定データを示す線図である。 磁気抵抗素子９、抵抗パターン１０、バッド１１、基板
Ｐ。 特許出顆人 シーゲーディ株式会社 代 理 人 弁理土 恩田博宣（ほか１名）簿ｎ！＆
面ｈ・もの距離（大） 薄ｎ１＆面な・らの遊漬畝大トーーーーー。 薄膜表面幻・もの距離（大）
図は磁気抵抗素子の平面図、第３図（ａ）°はクラスタ
イオンビーム蒸着膜のＥＳＣＡによる測定データを示す
線図、第３図（ｂ）はＥＢ蒸着膜のＥＳＣＡによる測定
データを示す線図５第３図（Ｃ）はスパッタ膜のＥＳＣ
Ａによる測定データを示す線図である。 磁気抵抗素子９、抵抗パターン１０、バッド１１、基板
Ｐ。 特許出顆人 シーゲーディ株式会社 代 理 人 弁理土 恩田博宣（ほか１名）簿ｎ！＆
面ｈ・もの距離（大） 薄ｎ１＆面な・らの遊漬畝大トーーーーー。 薄膜表面幻・もの距離（大）
Claims (1)
- １．クラスタイオンビーム蒸着により基板（Ｐ）上に強
磁性金属の薄膜を形成し、該強磁性金属の薄膜にフォト
リソグラフィにより抵抗パターン（１０）及びパッド（
１１）を形成することを特徴とする磁気抵抗素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213888A JP2524410B2 (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213888A JP2524410B2 (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0377385A true JPH0377385A (ja) | 1991-04-02 |
| JP2524410B2 JP2524410B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=16646680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1213888A Expired - Lifetime JP2524410B2 (ja) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2524410B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0729733A (ja) * | 1993-05-13 | 1995-01-31 | Nec Corp | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674836A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPS5736436A (en) * | 1980-08-14 | 1982-02-27 | Sekisui Chem Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPS5837981A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-05 | Nippon Denso Co Ltd | 磁気抵抗素子およびその製法 |
| JPS6081814A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 磁性薄膜の製造方法 |
| JPS61144893A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPS63142689A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果膜形成用材料 |
| JPH0160561U (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-17 |
-
1989
- 1989-08-19 JP JP1213888A patent/JP2524410B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| JPH0729733A (ja) * | 1993-05-13 | 1995-01-31 | Nec Corp | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2524410B2 (ja) | 1996-08-14 |
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