JPH0377044B2 - - Google Patents

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JPH0377044B2
JPH0377044B2 JP62083437A JP8343787A JPH0377044B2 JP H0377044 B2 JPH0377044 B2 JP H0377044B2 JP 62083437 A JP62083437 A JP 62083437A JP 8343787 A JP8343787 A JP 8343787A JP H0377044 B2 JPH0377044 B2 JP H0377044B2
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JP
Japan
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ceramic
mold
mold release
release agent
film
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JP62083437A
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JPS63247002A (ja
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Takeshi Fukuda
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NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 本発明はセラミツクス鋳込成形法に関する。 〔従来技術〕 セラミツクス泥漿を成形型に鋳込んで所定のセ
ラミツクス成形体を得るセラミツクス鋳込成形法
においては、セラミツクス泥漿を前記成形型に鋳
込むに先立つて同成形型の型面に離型剤を塗布す
るのが一般であり、従来は離型剤の種類に応じて
3つの手段が採られている。 その第1の手段は成形原料として用いるセラミ
ツクス泥漿と同じセラミツクス成分を有し焼成し
てなるセラミツクス粉体と水との混合物を離型剤
として塗布する手段、その第2の手段はオリーブ
油、各種石ケン液、ワツクスエマルジヨン等を離
型剤として塗布する手段、その第3の手段は成形
原料として窒化珪素、炭化珪素等の泥漿を使用す
る場合にカーボン粉末を塗布する手段である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、セラミツクス鋳込成形法におい
て上記した第1の手段、第3の手段を採用する場
合には離型剤の塗布状態が不均一になりやすく、
型面には離型剤が厚く付着している部分と付着し
ていない部分が生じて成形体の離型不良が生じ
る。また、第2の手段を採用する場合は離型剤の
膜厚が薄くなりすぎて、特に複雑な形状の成形体
においては離型不良が生じる。 従つて、本発明の目的は、単純な形状の成形体
を成形する場合においては勿論のこと複雑な形状
の成形体を成形する場合においても、成形体の離
型が良好な鋳込成形法を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は上記したセラミツクス鋳込成形法にお
いて、セラミツクス泥漿を成形型に鋳込むに先立
つて同成形型の型面に下記(a)、(b)の組成を有する
離型剤を塗布することを特徴とするものである。 (a):成形原料として用いるセラミツクス泥漿と同
じセラミツクス成分を有し800〜1400℃で熱処
理してなるセラミツクス粉体10〜50部 (b):造膜性有機物を含有する水90〜50部 本発明において、成形原料として用いるセラミ
ツクスはジルコニア、アルミナ、シリカーアルミ
ナ、ムライト、コーデエライト、炭化珪素、窒化
珪素等鋳込成形法に用いられる公知のものを挙げ
ることができ、特にジルコニア、アルミナ、炭化
珪素等が好ましい。従つて、離型剤を構成するセ
ラミツクス粉体はこれらに対応するものであり、
使用すべき成形用原料であるセラミツクス泥漿を
800〜1400℃で焼成し粉砕して形成される。セラ
ミツクス粉体の粒径は45〜125μmが好ましい。
また、離型剤を構成する造膜性有機物としては水
透過性の膜を形成する特性を有していることが必
要で、カルボキシメチルセルロース、メチルセル
ロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリア
クリル酸ソーダ、ポリビニルアルコール、アルギ
ン酸ソーダ、アルギン酸アンモニウム等が好まし
い。これらの水中への添加量は、0.5〜3.0wt%で
あることが好ましい。 本発明においては、セラミツクス泥漿を成形型
に鋳込むに先立つて成形型面に上記した離型剤を
塗布し、同型面に離型薄膜を形成する。離型剤を
塗布する手段としては、離型剤を成形型内に流込
んで所定時間後排出する方法、刷毛により塗布す
る方法、スプレーにより塗布する方法等公知の適
宜の方法が採用される。 〔発明の作用・効果〕 本発明の鋳込成形法によれば、離型剤を構成す
るセラミツクス成分と造膜性成分との協働作用に
て同離型剤が成形型の複雑な型面にまでほぼ均等
に塗布され、型面全面にほぼ均一な厚みの離型薄
膜が形成される。このため、成形体の型面からの
離型が良好で、成形体の外部に亀裂や欠如部が発
生することがなく、損傷のない優れた成形体が得
られる。 しかして、本発明における離型剤を構成するセ
ラミツクス成分は800〜1400℃で熱処理してなる
セラミツクス粉体である。ジルコニア、アルミ
ナ、炭化珪素等一般のセラミツクスは850℃で収
縮を開始しかつ1400℃の範囲で収縮を完了する
が、かかる熱処理を施したセラミツクス成分はス
ラリー化せず、かつ離型剤として用いた場合成形
体とは異なる収縮挙動を示すため、離型効果が極
めて高い。また、離型剤中のセラミツクス粉体は
10〜50部であるが、離型剤の有効な膜厚は100〜
200μmであり、これを1〜2層で形成するには
セラミツクス粉体の上記範囲にあることが必要で
ある。 なお、セラミツクス粉体の粒径は40〜125μm
であることが好ましく、粒径がこれより小さくま
たは大きい場合には上記範囲の膜厚が得がたい。
上記粒径の範囲にあれば、型面に1〜2層で100
〜200μmの有効膜が得られる。 実施例 セラミツクス泥漿としてアルミナ(Al2O3)、
部分安定化ジルコニア(PSZ)、炭化珪素(SiC)
の泥漿を採用するとともに、離型剤としてこれら
に対応するセラミツクス粉体および造膜性有機物
であるカルボキシメチルセルロース(CMC)、ポ
リビニルアルコール(PVA)、アルギン酸ソーダ
(ARA)の水溶液の混合物を採用した。また、成
形型としては第1図に示す試験用の石膏型10を
採用し、セラミツクス泥漿の鋳込みに先立つて同
型10の各型面11,12に上記した離型剤を塗
布して離型薄膜を形成し、その後同型10内に各
離型剤に対応するセラミツクス泥漿を鋳込んで成
形し、乾燥後成形体を同型10から離型させた。
成形体の離型時、同型10の型面11における各
部位11a,11bに対する付着状態を観察し
た。この結果を第1表に示す。 なお、各離型剤の調整に用いたセラミツクス粉
体のうち、Al2O3粉体およびPSZ粉体は泥漿をス
プレードライヤで乾燥後1200℃で2時間焼成し粉
砕したもの、SiC粉体は泥漿をスプレードライヤ
で乾燥後N2雰囲気中1200℃で2時間焼成し粉砕
したものである。また、水溶液の造膜性有機物の
含有率はwt.%である。
【表】 第1表を参照すると、試験No.1〜No.3、No.6、
No.7、No.11の場合を除いては離型状態は良好であ
り、従つて成形体は損傷のない良好なものであ
る。かかる良好な結果が得られる条件は全て本発
明の要旨の範囲内にある。 実施例 実施例における試験No.1〜No.4およびNo.6〜
No.8の条件にて第2図a,bに示すバタフライ弁
20を鋳込成形した。バタフライ弁20は筒状の
軸支部21と同軸支部21から側方に延びる弁体
部22からなり、本実施例においては成形体であ
るバタフライ弁20における最も付着しやすくか
つ亀裂の発生しやすい弁体部22でのこれらの発
生の有無を観察した。この結果を第2表に示す。
【表】 本実施例においては、試験No.4およびNo.8の条
件で成形した場合に好結果が得られ、またかかる
成形条件により得られた成形体を十分に加熱乾燥
しても亀裂の発生はなかつた。 実施例 実施例における試験No.2〜No.4、No.7および
No.8の条件にて第3図a,bに示すポンプ用イン
ペラー30を鋳込成形した。インペラー30はバ
タフライ弁20に比し複雑な形状を呈しており、
筒状ボス部31,ボス部31から外方へ延びる円
板状プレート部32、プレート部32の一側面に
突出し径内外方向へ屈曲して延びる複数の羽根部
33、プレート部32の他側面に突出し径外方向
へ放射状に延びる複数の突起部34からなる。本
実施例においては、成形体であるインペラー30
における最も付着しやすくかつ亀裂の発生しやす
い羽根部33でのこれらの有無、およびボス部3
1とプレート部32との境界部における形状歪を
観察した。この結果を第3表に示す。
【表】
【表】 本実施例においては、試験No.4およびNo.8の条
件で成形した場合に好結果が得られ、またかかる
成形条件により得られた成形体は実施例の場合
と同様、十分に加熱乾燥しても亀裂の発生はなか
つた。
【図面の簡単な説明】
第1図は試験用石膏型の概略的縦断面図、第2
図a,bは実施例にて成形したバタフライ弁の
一側面図および平面図、第3図a,bは実施例
にて成形したインペラーの平面図および縦断面図
である。 符号の説明、10……石膏型、20……バタフ
ライ弁、30……インペラー。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 セラミツクス泥漿を成形型に鋳込んで所定の
    セラミツクス成形体を得るセラミツクス鋳込成形
    法において、セラミツクス泥漿を前記成形型に鋳
    込むに先立つて同成形型の型面に下記(a)、(b)の組
    成を有する離型剤を塗布することを特徴とするセ
    ラミツクス鋳込成形法。 (a):成形原料として用いるセラミツクス泥漿と同
    じセラミツクス成分を有し800〜1400℃で熱処
    理してなるセラミツクス粉体10〜50部 (b):造膜性有機物を含有する水90〜50部 2 セラミツクス泥漿の主成分がジルコニア、ア
    ルミナ、シリカーアルミナ、ムライト、コーデイ
    エライト、炭化珪素、窒化珪素のいずれかである
    特許請求の範囲第1項に記載のセラミツクス鋳込
    成形法。 3 造膜性有機物がカルボキシメチルセルロー
    ス、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルセル
    ロース、ポリアクリル酸ソーダ、ポリビニルアル
    コール、アルギン酸ソーダ、アルギン酸アンモニ
    ウムのいずれかである特許請求の範囲第1項また
    は第2項に記載のセラミツクス鋳込成形法。 4 水中に造膜性有機物を0.5〜3.0wt%含有して
    いる特許請求の範囲第1項、第2項または第3項
    に記載のセラミツクス鋳込成形法。
JP8343787A 1987-04-03 1987-04-03 セラミックス鋳込成形法 Granted JPS63247002A (ja)

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JP8343787A JPS63247002A (ja) 1987-04-03 1987-04-03 セラミックス鋳込成形法

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JPS63247002A JPS63247002A (ja) 1988-10-13
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JP4960618B2 (ja) * 2005-10-21 2012-06-27 株式会社ブリヂストン 炭化ケイ素焼結体からなる立体成形体及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56161106A (en) * 1980-05-19 1981-12-11 Toyota Motor Co Ltd Molding method for gyps mold

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