JPH0370732A - 改良された酸素遮断性をもつ熱可塑性ポリカーボネート組成物 - Google Patents
改良された酸素遮断性をもつ熱可塑性ポリカーボネート組成物Info
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-
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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- C07C255/01—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C255/32—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to acyclic carbon atoms having cyano groups bound to acyclic carbon atoms of a carbon skeleton containing at least one six-membered aromatic ring
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G63/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08G63/685—Polyesters containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen containing nitrogen
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G64/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbonic ester link in the main chain of the macromolecule
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- C08G64/06—Aromatic polycarbonates not containing aliphatic unsaturation
- C08G64/08—Aromatic polycarbonates not containing aliphatic unsaturation containing atoms other than carbon, hydrogen or oxygen
- C08G64/12—Aromatic polycarbonates not containing aliphatic unsaturation containing atoms other than carbon, hydrogen or oxygen containing nitrogen
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は熱可塑性芳香族ポリカーボネート組成物に関す
る。特に本発明は改良された酸素遮断性を有する熱可塑
性芳香族ポリカーボネート組成物に関するものである。
る。特に本発明は改良された酸素遮断性を有する熱可塑
性芳香族ポリカーボネート組成物に関するものである。
従来の技術
ビスフェノール類から製造され・た芳香族ポリカーボネ
ートは高い衝撃強さ、光学的透明度、靭性、良好な耐ク
リープ性、良好な寸法安定性、広い温度限界等を包含す
る多くの魅力のある性質をもつ点で重要な既知の一群の
重合体である。この性質面に基づいて、これらの芳香族
ポリカーボネートは広範囲の用途に使用し得る。しかし
ながら、これらの重合体はまた高いガス透過性を有し、
したがってこれらの重合体の有用性は良好ないし適度の
遮断性を要求される用途、特にたとえば食品及び飲料工
業において腐敗性食品用として使用される農用容器及び
食品包装材における有用性に制限を受ける。
ートは高い衝撃強さ、光学的透明度、靭性、良好な耐ク
リープ性、良好な寸法安定性、広い温度限界等を包含す
る多くの魅力のある性質をもつ点で重要な既知の一群の
重合体である。この性質面に基づいて、これらの芳香族
ポリカーボネートは広範囲の用途に使用し得る。しかし
ながら、これらの重合体はまた高いガス透過性を有し、
したがってこれらの重合体の有用性は良好ないし適度の
遮断性を要求される用途、特にたとえば食品及び飲料工
業において腐敗性食品用として使用される農用容器及び
食品包装材における有用性に制限を受ける。
したがってかへる用途における使用のために改良された
酸素遮断性をもつ芳香族ポリカーボネートを提供するこ
とが望まれている。
酸素遮断性をもつ芳香族ポリカーボネートを提供するこ
とが望まれている。
発明の要旨
本発明はビスフェノール八から誘導されるポリカーボネ
ートのごとき慣用のポリカーボネートが有する望ましい
物理的及び機械的性質の大部分を実質的な程度まで保有
しつつ、か\る慣用のポリカーボネートよりも優れた酸
素遮断性をもつ熱可塑性芳香族ポリカーボネート樹脂を
提供するものである。
ートのごとき慣用のポリカーボネートが有する望ましい
物理的及び機械的性質の大部分を実質的な程度まで保有
しつつ、か\る慣用のポリカーボネートよりも優れた酸
素遮断性をもつ熱可塑性芳香族ポリカーボネート樹脂を
提供するものである。
本発明のポリカーボネート組成物は、
(A)−収装:
によって表わされる反復構造単位約50〜約100モル
%、又は−収装: によって表わされる反復構造単位約1〜約100モル%
、及び (B)−収装: によって表わされる反復構造単位(ただし上記式中、R
1は二価脂肪族炭化水素基、二価芳香族基及び二価脂肪
族エーテル基から選んだ基であり;R2,R3,R4及
びR5はそれぞれ独立的に一価炭化水素基及びハロゲン
基から選んだ基であり;R6は二価炭化水素基又は−〇
−−S−II II II−
5−S−−C−−5−1又は−S−基であす;Xは三価
炭化水素基であり;m及びnはそれぞれ0〜約4の範囲
の数であり;そしてkは0又は1である)を含有してな
り、しかも式(I)の構造111位を含有する組成物は
さらに式(III)の構造単位を約0〜50モル%の割
合で含有し、一方式(rl)の構造単位を含有する組成
物はさらに式(I[I)の構造単位を約0〜約99モル
%の割合で含有する(ただしモル%表示はいずれも全反
復構造単位に基づくものとする)ものである。
%、又は−収装: によって表わされる反復構造単位約1〜約100モル%
、及び (B)−収装: によって表わされる反復構造単位(ただし上記式中、R
1は二価脂肪族炭化水素基、二価芳香族基及び二価脂肪
族エーテル基から選んだ基であり;R2,R3,R4及
びR5はそれぞれ独立的に一価炭化水素基及びハロゲン
基から選んだ基であり;R6は二価炭化水素基又は−〇
−−S−II II II−
5−S−−C−−5−1又は−S−基であす;Xは三価
炭化水素基であり;m及びnはそれぞれ0〜約4の範囲
の数であり;そしてkは0又は1である)を含有してな
り、しかも式(I)の構造111位を含有する組成物は
さらに式(III)の構造単位を約0〜50モル%の割
合で含有し、一方式(rl)の構造単位を含有する組成
物はさらに式(I[I)の構造単位を約0〜約99モル
%の割合で含有する(ただしモル%表示はいずれも全反
復構造単位に基づくものとする)ものである。
本発明はさらに、−収装:
(式中、R2,R3,X、m及びnは前記定義したとお
りである)の新規シアノ置換ビスフェノール単量体を提
供するものである。これらの単量体は式(n)のポリカ
ーボネート組成物の製造に有用でありこれらのポリカー
ボネートに酸素透過に対する改良された遮断性を付与す
る。
りである)の新規シアノ置換ビスフェノール単量体を提
供するものである。これらの単量体は式(n)のポリカ
ーボネート組成物の製造に有用でありこれらのポリカー
ボネートに酸素透過に対する改良された遮断性を付与す
る。
発明の詳細な開示
本発明は改良された酸素遮断性をもつポリカーボネート
樹脂を提供するものである。
樹脂を提供するものである。
好ましい実施態様においては、RIは二価アルキレン、
シクロアルキレン、二価アルキレンエーテル又はシクロ
アルキレンエーテル基である。好ましいアルキレン基は
約1〜約20個の炭素原子を含むものでありかつ直鎖又
は分枝鎖アルキレン基であり得る。好ましいシクロアル
キレン基は約4〜約7個の環炭素原子を含有する。もっ
とも好ましくは、R1は直鎖状二価エチレン基、すなわ
ち−〇ab −C112−1又は直鎖状二価ブチレン基
、すなわち−CI+2−C112−C0z−C112−
である。
シクロアルキレン、二価アルキレンエーテル又はシクロ
アルキレンエーテル基である。好ましいアルキレン基は
約1〜約20個の炭素原子を含むものでありかつ直鎖又
は分枝鎖アルキレン基であり得る。好ましいシクロアル
キレン基は約4〜約7個の環炭素原子を含有する。もっ
とも好ましくは、R1は直鎖状二価エチレン基、すなわ
ち−〇ab −C112−1又は直鎖状二価ブチレン基
、すなわち−CI+2−C112−C0z−C112−
である。
R1によって表わされる二価芳香族エーテル基は一般式
: %式% (式中、R′及びR′はそれぞれ独立的にアルキレン又
はシクロアルキレン基であり、そしてpは約1〜約10
の平均値をもつ正の数である)を有する。R′及びR′
によって表わされる好ましいアルキレン基は約1〜約2
0個の炭素原子を含むものであり分枝鎖又は直鎖アルキ
レン基であり得る。R′及びR′によって表わされる好
ましいシクロアルキレン基は約4〜約7個の環炭素原子
を含有するものである。R′及びR′がともに直鎖エチ
レン基でありそしてpが1であることが好ましい。 式
(n)の好ましい実施態様においては、m及びnは0又
は1であり、そしてR2及、びR3はそれぞれ独立的に
一価脂肪族基、好ましくはアルキル及びシクロアルキル
基である。好ましいアルキル基は1〜10個の炭素原子
を含むものである。好ましいアルキル基の例はメチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第3級ブチ
ル、ペンチル及びネオペンチル基を包含するが、メチル
基がもっとも好ましい。好ましいシクロアルキル基は約
4〜約7個の環炭素原子を含むものである。好ましいシ
クロアルキル基の例はシクロブチル、シクロペンチル、
シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル及びシクロヘプ
チル基を包含する。
: %式% (式中、R′及びR′はそれぞれ独立的にアルキレン又
はシクロアルキレン基であり、そしてpは約1〜約10
の平均値をもつ正の数である)を有する。R′及びR′
によって表わされる好ましいアルキレン基は約1〜約2
0個の炭素原子を含むものであり分枝鎖又は直鎖アルキ
レン基であり得る。R′及びR′によって表わされる好
ましいシクロアルキレン基は約4〜約7個の環炭素原子
を含有するものである。R′及びR′がともに直鎖エチ
レン基でありそしてpが1であることが好ましい。 式
(n)の好ましい実施態様においては、m及びnは0又
は1であり、そしてR2及、びR3はそれぞれ独立的に
一価脂肪族基、好ましくはアルキル及びシクロアルキル
基である。好ましいアルキル基は1〜10個の炭素原子
を含むものである。好ましいアルキル基の例はメチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第3級ブチ
ル、ペンチル及びネオペンチル基を包含するが、メチル
基がもっとも好ましい。好ましいシクロアルキル基は約
4〜約7個の環炭素原子を含むものである。好ましいシ
クロアルキル基の例はシクロブチル、シクロペンチル、
シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル及びシクロヘプ
チル基を包含する。
1個よりも多いR2及びR3置換基が存在する場合、こ
れらの置換基は同一でも異なってもよい。
れらの置換基は同一でも異なってもよい。
R2及びR3はともにメチル基であることが好ましく、
Xに対して芳香族環の3.3′−位にあるメチル基であ
ることがもっとも好ましい。
Xに対して芳香族環の3.3′−位にあるメチル基であ
ることがもっとも好ましい。
Xは1〜約6個の炭素原子を含有する脂肪族三価の基で
あることが好ましい。もっとも好ましくは、Xは5個の
炭素原子を含む脂肪族三価の基又は6個の炭素原子を含
む脂肪族三価の基である。
あることが好ましい。もっとも好ましくは、Xは5個の
炭素原子を含む脂肪族三価の基又は6個の炭素原子を含
む脂肪族三価の基である。
一般に、式(II)における芳香族環はXによって表わ
される炭素鎖中の同一の炭素原子に結合されそしてシア
ノ越はXの末端炭素原子の一方に結合される。
される炭素鎖中の同一の炭素原子に結合されそしてシア
ノ越はXの末端炭素原子の一方に結合される。
式(n)の構造単位の好ましい実施態様はつぎの構造の
ものを包含する。
ものを包含する。
C三N
CH2
CミN
CH。
EN
量
CH2
式(m)の好ましい実施態様においては、m及びnは0
又は1であり、R4及びR5はそれぞれ独立的にアルキ
ル、シクロアルキル、アリール1アリールアルキル及び
アルキルアリール基のような一価炭化水素基である。好
ましいアルキル基は1〜約10個の炭素原子を含むもの
、たとえばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、第3級ブチル、ペンチル及びネオペンチル基で
あるが、メチル基がもっとも好ましい。好ましいシクロ
アルキル基は4〜約7個の環炭素原子を含むもの、たと
えばシクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、
メチルシクロヘキシル及びシクロへブチル基である。好
ましいアリール基は6個〜12個の環炭素原子を含むも
の、たとえばフェニル、ビフェニル及びナフチル基であ
る。好ましいアリールアルキル及びアルキルアリール基
は約7〜約14個の炭素原子を含むものである。芳香族
環上に1個より多いR4又はR5置換基が存在する場合
、これらの置換基は同一でも異なってもよい。R4及び
R5は好ましくはともにメチル基であり、もっとも好ま
しくはR6に対して芳香族環の3,3′ −位にあるメ
チル基である。
又は1であり、R4及びR5はそれぞれ独立的にアルキ
ル、シクロアルキル、アリール1アリールアルキル及び
アルキルアリール基のような一価炭化水素基である。好
ましいアルキル基は1〜約10個の炭素原子を含むもの
、たとえばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、第3級ブチル、ペンチル及びネオペンチル基で
あるが、メチル基がもっとも好ましい。好ましいシクロ
アルキル基は4〜約7個の環炭素原子を含むもの、たと
えばシクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、
メチルシクロヘキシル及びシクロへブチル基である。好
ましいアリール基は6個〜12個の環炭素原子を含むも
の、たとえばフェニル、ビフェニル及びナフチル基であ
る。好ましいアリールアルキル及びアルキルアリール基
は約7〜約14個の炭素原子を含むものである。芳香族
環上に1個より多いR4又はR5置換基が存在する場合
、これらの置換基は同一でも異なってもよい。R4及び
R5は好ましくはともにメチル基であり、もっとも好ま
しくはR6に対して芳香族環の3,3′ −位にあるメ
チル基である。
R6は好ましくはアルキレン、シクロアルキレン、アル
キリデン及びシクロアルキリデン基のような二価炭化水
素基を表わす。好ましいアルキレン及びアルキリデン基
は約1〜約10個の炭素原子を含むものである。好まし
いシクロアルキレン及びシクロアルキリデン基は約4〜
約7′個の環炭素原子を含むものである。kが0である
場合には、芳香族核残基は何等介在するアルキレン又は
その他の架橋基なしに直接相互に連結される。R6は好
ましくはイソプロピリデン基である。
キリデン及びシクロアルキリデン基のような二価炭化水
素基を表わす。好ましいアルキレン及びアルキリデン基
は約1〜約10個の炭素原子を含むものである。好まし
いシクロアルキレン及びシクロアルキリデン基は約4〜
約7′個の環炭素原子を含むものである。kが0である
場合には、芳香族核残基は何等介在するアルキレン又は
その他の架橋基なしに直接相互に連結される。R6は好
ましくはイソプロピリデン基である。
本発明のポリカーボネート組成物は式(I)又は式(n
)の構造単位を酸素遮断性を改善する有効量で含存する
。本明細書において酸素遮断性を改善する有効量とはビ
スフェノールAポリカーボネートによって与えられる酸
素遮断性よりも高い酸素遮断性を与えるに足る量として
定義される。
)の構造単位を酸素遮断性を改善する有効量で含存する
。本明細書において酸素遮断性を改善する有効量とはビ
スフェノールAポリカーボネートによって与えられる酸
素遮断性よりも高い酸素遮断性を与えるに足る量として
定義される。
式(I)の構造単位を含°むポリカーボネート組成物は
約50〜約100モル%、好ましくは約65〜約100
モル%の式(I)の構造単位を含有しかつ約0〜約50
モル%、好ましくは約0〜約35モル%の式(III)
の構造単位を含有する。式(n)の構造111位を含有
するポリカーボネート組成物は約1〜約100モル%、
好ましくは約50〜約100モル%の式(II)の構造
単位を含有しかつ約0〜約99モル%、好ましくは約0
〜約50モル%の式(DI)の構造単位を含有する。
約50〜約100モル%、好ましくは約65〜約100
モル%の式(I)の構造単位を含有しかつ約0〜約50
モル%、好ましくは約0〜約35モル%の式(III)
の構造単位を含有する。式(n)の構造111位を含有
するポリカーボネート組成物は約1〜約100モル%、
好ましくは約50〜約100モル%の式(II)の構造
単位を含有しかつ約0〜約99モル%、好ましくは約0
〜約50モル%の式(DI)の構造単位を含有する。
式(I)によって表わされる構造単位は一般式:(I,
2−ビスオキシカルボニルエチレン)ジフェノールを包
含する。
2−ビスオキシカルボニルエチレン)ジフェノールを包
含する。
式(IV)のジエステルビスフェノール化合物はp−ア
セトキシベンゾイルクロライドと対応するジヒドロキシ
脂肪族化合物又はジヒドロキシ脂肪族エーテル化合物と
を反応させて該ジオールをエステル化し、ついでこれを
加水分解して式(IV)の対応するジエステルビスフェ
ノールを形成する方法によって好都合に製造することが
できる。これらの反応はつぎの反応式によって表わされ
る。
セトキシベンゾイルクロライドと対応するジヒドロキシ
脂肪族化合物又はジヒドロキシ脂肪族エーテル化合物と
を反応させて該ジオールをエステル化し、ついでこれを
加水分解して式(IV)の対応するジエステルビスフェ
ノールを形成する方法によって好都合に製造することが
できる。これらの反応はつぎの反応式によって表わされ
る。
(式中、R1は前記の意義を有する)をもつジエステル
ビスフェノール化合物から誘導される。
ビスフェノール化合物から誘導される。
本発明において有用なジエステルビスフェノール化合物
の特定の例は4.4’ −[2,2’ −オキシビス(
エチレン−1−オキシカルボニル)ジフェノール、4.
4’ −(I,4−ビスオキシカルボニルブチレン)ジ
フェノール及び4.4′1、MeC12/ピリジン 2、アセトン/10%MCl (IV) 本発明において使用するに適当なジエステルビスフェノ
ール化合物及びそれらの製造についてはこ\に参考文献
として引用する米国特許第4,476.294号明細書
中にも記載されている。
の特定の例は4.4’ −[2,2’ −オキシビス(
エチレン−1−オキシカルボニル)ジフェノール、4.
4’ −(I,4−ビスオキシカルボニルブチレン)ジ
フェノール及び4.4′1、MeC12/ピリジン 2、アセトン/10%MCl (IV) 本発明において使用するに適当なジエステルビスフェノ
ール化合物及びそれらの製造についてはこ\に参考文献
として引用する米国特許第4,476.294号明細書
中にも記載されている。
式(II)によって表わされる構造単位は一般式:(式
中、R2+ R3r X+ m及びnは前記の意義を有
する)をもつ新規シアノ置換ビスフェノール化合物から
誘導される。
中、R2+ R3r X+ m及びnは前記の意義を有
する)をもつ新規シアノ置換ビスフェノール化合物から
誘導される。
適当なシアノ置換ビスフェノールの特定の例は5.5−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサンニトリル、4
.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタンニトリ
ル及び4,4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェ
ニル)ペンタンニトリルを包含する。
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサンニトリル、4
.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタンニトリ
ル及び4,4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェ
ニル)ペンタンニトリルを包含する。
式(V)のシアノ置換ビスフェノール化合物はいくつか
の適当な方法の任意のものによって製造することができ
る。一方法によれば、か\る化合物はシアノ置換ケトン
と対応する置換フェノールとを酸触媒の存在下で縮合反
応させてシアノ−ビスフェノールを形成させることによ
って製造される。この方法の一例として、5−オキソヘ
キサンニトリルとフェノールとをつぎの反応式に従って
縮合させて5,5−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘ
キサンニトリルを製造する方法をあげることができる。
の適当な方法の任意のものによって製造することができ
る。一方法によれば、か\る化合物はシアノ置換ケトン
と対応する置換フェノールとを酸触媒の存在下で縮合反
応させてシアノ−ビスフェノールを形成させることによ
って製造される。この方法の一例として、5−オキソヘ
キサンニトリルとフェノールとをつぎの反応式に従って
縮合させて5,5−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘ
キサンニトリルを製造する方法をあげることができる。
C1h −C−CH2−C11! −CL−C112−
C三NC=N CH2 CH2 CH2 れを無水酢酸とともに還流させることによって対応する
ジアセテートを形威し、ついでこれを加水分解して前記
式(V)によって表わされるシアノ置換ビスフェノール
を製造する。たとえば、4゜4−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)ペンタン酸エチルはつぎの反応式に従って対
応するアミド及びニトリルビスフェノールに転化される
。
C三NC=N CH2 CH2 CH2 れを無水酢酸とともに還流させることによって対応する
ジアセテートを形威し、ついでこれを加水分解して前記
式(V)によって表わされるシアノ置換ビスフェノール
を製造する。たとえば、4゜4−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)ペンタン酸エチルはつぎの反応式に従って対
応するアミド及びニトリルビスフェノールに転化される
。
水の存在はシアノ基の加水分解を導き、その結果望まし
くないフェニルエステル含有生成物の混合物を生ずるの
で、この方法では無水の条件を保持することが重要であ
る。上記に示したごとく、種々の置換フェノールと種々
の置換ケトンとの反応によって広範囲の対応する反応生
成物が得られるであろう。
くないフェニルエステル含有生成物の混合物を生ずるの
で、この方法では無水の条件を保持することが重要であ
る。上記に示したごとく、種々の置換フェノールと種々
の置換ケトンとの反応によって広範囲の対応する反応生
成物が得られるであろう。
シアノビスフェノール化合物を製造する別の方法におい
ては、エステル官能基をもつビスフェノールをまず製造
し、ついでこれを水酸化アンモニウム水溶液と反応させ
て対応するアミドを得、こC−0−CH2−CHI CHz CH2 醤 CHz C−0−NH。
ては、エステル官能基をもつビスフェノールをまず製造
し、ついでこれを水酸化アンモニウム水溶液と反応させ
て対応するアミドを得、こC−0−CH2−CHI CHz CH2 醤 CHz C−0−NH。
CHz
CH。
る場合をあげることができる。
C−0−CH2−CHz
CH2
」
CH2
CミN
H2
CH2
「
CH2
C)11
この方法の別の一例として、上記と同じ反応順序を用い
て4.4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル
)ペンタン酸エチルをつぎの反応式に従って対応するア
ミド及びニトリルに転化す■ C−0−NH2 CH2 CH2 H3 CミN CH。
て4.4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル
)ペンタン酸エチルをつぎの反応式に従って対応するア
ミド及びニトリルに転化す■ C−0−NH2 CH2 CH2 H3 CミN CH。
CH2
この方法は広範囲のシアノ置換ビスフェノールを対応す
るエステルから製造するために適当である。
るエステルから製造するために適当である。
式(III)によって表わされる構造単位は芳香族ポリ
カーボネート及びポリアリ−レートの製造に使用するた
めに周知の二価フェノールから誘導される。適当な二価
フェノールは一般式:(式中、R4* Rs −+ R
s + m* n及びkは前記の意義を有する)によ
って表わすことができる。
カーボネート及びポリアリ−レートの製造に使用するた
めに周知の二価フェノールから誘導される。適当な二価
フェノールは一般式:(式中、R4* Rs −+ R
s + m* n及びkは前記の意義を有する)によ
って表わすことができる。
適当な二価フェノールの例及びそれらの製造法はたとえ
ばこ〜に参考文献として引用する米国特許第2,999
,835号、同第3,028,365号及び同第3,3
34,154号明細書に開示されている。特に有用なか
つ好ましい二価フェノールは2.2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン(すなわちビスフェノールA)
及び2゜2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニ
ル)プロパンである。
ばこ〜に参考文献として引用する米国特許第2,999
,835号、同第3,028,365号及び同第3,3
34,154号明細書に開示されている。特に有用なか
つ好ましい二価フェノールは2.2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン(すなわちビスフェノールA)
及び2゜2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニ
ル)プロパンである。
本発明のポリカーボネート樹脂組成物は式(IV)のジ
エステルビスフェノール又は式(V)のシアノ置換ビス
フェノールとカーボネート前駆体とを、式(I)又は(
II)の構造単位を含む高分子量ポリカーボネートを形
成するに有効な反応条件下で反応させることによって製
造される。
エステルビスフェノール又は式(V)のシアノ置換ビス
フェノールとカーボネート前駆体とを、式(I)又は(
II)の構造単位を含む高分子量ポリカーボネートを形
成するに有効な反応条件下で反応させることによって製
造される。
カーボネート単独重合体よりもカーボネート共重合体が
望まれる場合には、式(IV)のジエステルビスフェノ
ール又は式(V)のシアノ置換ビスフェノールを、式(
Vl)のビスフェノール型の二価フェノールとの混合物
の形で、カーボネート前駆体と反応させることができる
。この反応は式(I)及び式(m)の構造単位を含む又
は式(II)及び式(III)の構造単位を含む高分子
量ポリカーボネートを形成するに有効、適切な反応条件
下で行なわれる。さらに、本発明の実施に際して二種又
はそれ以上のたとえば前述したごとき種々の二価フェノ
ール又は二価フェノールとグリコールとの又はヒドロキ
シ−又はカルボキシル−末端ポリエステルとの又は二塩
基酸との共重合体を使用することもできる。
望まれる場合には、式(IV)のジエステルビスフェノ
ール又は式(V)のシアノ置換ビスフェノールを、式(
Vl)のビスフェノール型の二価フェノールとの混合物
の形で、カーボネート前駆体と反応させることができる
。この反応は式(I)及び式(m)の構造単位を含む又
は式(II)及び式(III)の構造単位を含む高分子
量ポリカーボネートを形成するに有効、適切な反応条件
下で行なわれる。さらに、本発明の実施に際して二種又
はそれ以上のたとえば前述したごとき種々の二価フェノ
ール又は二価フェノールとグリコールとの又はヒドロキ
シ−又はカルボキシル−末端ポリエステルとの又は二塩
基酸との共重合体を使用することもできる。
慣用のポリカーボネートの製造に典型的に使用される不
均質界面重合法は本発明において使用されるジエステル
ビスフェノールから誘導される高分子量ポリカーボネー
トの製造には使用し得ない。
均質界面重合法は本発明において使用されるジエステル
ビスフェノールから誘導される高分子量ポリカーボネー
トの製造には使用し得ない。
これはか\る方法において本発明で使用するような高割
合のジエステルビスフェノールが存在すると低分子量の
ポリカーボネートの生成をもたらすことが認められ、か
\る低分子m1fi合体は脆化する傾向があって延性フ
ィルムを形成し得ないので本発明の目的のためには望ま
しくないからである。
合のジエステルビスフェノールが存在すると低分子量の
ポリカーボネートの生成をもたらすことが認められ、か
\る低分子m1fi合体は脆化する傾向があって延性フ
ィルムを形成し得ないので本発明の目的のためには望ま
しくないからである。
何等かの理論によって拘束されることを意図するもので
はないが、かへる低分子ff1ffr合体は単量体及び
オリゴマーが溶剤中に不溶性である結果か\る方法にお
いて形成されるものと考えられる。
はないが、かへる低分子ff1ffr合体は単量体及び
オリゴマーが溶剤中に不溶性である結果か\る方法にお
いて形成されるものと考えられる。
ポリカーボネートの製造に慣用的に使用されるその他の
方法、たとえば溶液法も本発明のジエステルビスフェノ
ール含有ポリカーボネートの製造のために使用し得る。
方法、たとえば溶液法も本発明のジエステルビスフェノ
ール含有ポリカーボネートの製造のために使用し得る。
ジエステルビスフェノールからポリカーボネートを製造
する一方法においては、塩化メチレンのような有機溶剤
中に溶解したジエステルビスフェノール、ピリジンのよ
うな混和性の有機酸受容体、二価フェノール(所望なら
ば)及び分子ff131節剤を含有する反応混合物を調
製し、ついでカーボネート前駆体、たとえばホスゲンの
ようなカルボニルハライドを該混合物に添加する。
する一方法においては、塩化メチレンのような有機溶剤
中に溶解したジエステルビスフェノール、ピリジンのよ
うな混和性の有機酸受容体、二価フェノール(所望なら
ば)及び分子ff131節剤を含有する反応混合物を調
製し、ついでカーボネート前駆体、たとえばホスゲンの
ようなカルボニルハライドを該混合物に添加する。
反応温度は0℃以下から約100℃までの範囲で変動し
得る。この反応ははり室温(25℃)から約50℃まで
の温度で満足に進行する。
得る。この反応ははり室温(25℃)から約50℃まで
の温度で満足に進行する。
不均質界面法を含めた慣用の方法をシアノ置換ビスフェ
ノール単量体から本発明のポリカーボネートを製造する
ために使用することができる。この界面法においては、
一方が水性溶剤系であり、他方が水と非混和性の有機溶
剤系、たとえば塩化メチレンである二つの相互に非混和
性である溶剤系を反応剤用の溶剤として使用する。二価
フェノール(所望ならば使用される)はアルカリ性の水
性溶剤系中に溶解し、一方シアノ置換ビスフェノールは
有機溶剤系中に溶解する。カーボネート前駆体、たとえ
ばホスゲンのようなカルボニルハライドの添加はpHを
塩基性領域に保持するために苛性アルカリ水溶液を使用
することによって塩基性条件下で行なわれる。触媒及び
分子量調節剤も反応混合物中に存在させる。
ノール単量体から本発明のポリカーボネートを製造する
ために使用することができる。この界面法においては、
一方が水性溶剤系であり、他方が水と非混和性の有機溶
剤系、たとえば塩化メチレンである二つの相互に非混和
性である溶剤系を反応剤用の溶剤として使用する。二価
フェノール(所望ならば使用される)はアルカリ性の水
性溶剤系中に溶解し、一方シアノ置換ビスフェノールは
有機溶剤系中に溶解する。カーボネート前駆体、たとえ
ばホスゲンのようなカルボニルハライドの添加はpHを
塩基性領域に保持するために苛性アルカリ水溶液を使用
することによって塩基性条件下で行なわれる。触媒及び
分子量調節剤も反応混合物中に存在させる。
二価ビスフェノールからのポリカーボネートの製造にお
けると同様に、シアノ置換ビスフェノールを使用する方
法の反応温度は0℃以下から100℃以上までの範囲で
変動し得るが、はり室温から約50℃までの温度範囲の
使用が好ましい。
けると同様に、シアノ置換ビスフェノールを使用する方
法の反応温度は0℃以下から100℃以上までの範囲で
変動し得るが、はり室温から約50℃までの温度範囲の
使用が好ましい。
本発明に従えば、ジエステルビスフェノール又はシアノ
置換ビスフェノールの使用量は芳香族ポリカーボネート
樹脂の酸素遮断性を改善するに有効であるが、該ポリカ
ーボネート樹脂の他の有利な性質に認め得る悪影響を与
えるには不十分であるような量である。
置換ビスフェノールの使用量は芳香族ポリカーボネート
樹脂の酸素遮断性を改善するに有効であるが、該ポリカ
ーボネート樹脂の他の有利な性質に認め得る悪影響を与
えるには不十分であるような量である。
本発明のポリカーボネートの製造に有用なカーボネート
前駆体はカルボニルハライド、カーボネートエステル又
はハロホルメートのいずれであってもよい。適当なカル
ボニルハライドはカルボニルクロライド(ホスゲン)、
カルボニルブロマイド及びそれらの混合物を包含する。
前駆体はカルボニルハライド、カーボネートエステル又
はハロホルメートのいずれであってもよい。適当なカル
ボニルハライドはカルボニルクロライド(ホスゲン)、
カルボニルブロマイド及びそれらの混合物を包含する。
本発明において使用し得るカーボネートエステルの典型
的な例はジフェニルカーボネート;ジー(ハロフェニル
)カーボネート、たとえばジー(クロルフェニル)カー
ボネート、ジー(トリクロルフェニル)カーボネート、
ジー(トリブロムフェニル)カーボネート等;ジー(ア
ルキルフェニル)カーボネート、たとえばジー(トリル
)力〜ボネート等;ジー(ナフチル)カーボネート;ジ
ー(クロルナフチル)カーボネート;フェニルトリルカ
ーボネート、クロルフェニルクロルナフチルカーボネー
ト等、又はそれらの混合物である。本発明で使用するに
適当なハロホルメートは二価フェノールのビスハロホル
メート(たとえばハイドロキノンのビスクロルホルメー
ト)又はグリコールのビスハロホルメート(たとえばエ
チレングリコール、ネオペンチルグリコール、ポリエチ
レングリコールのビスハロホルメート)等を包含する。
的な例はジフェニルカーボネート;ジー(ハロフェニル
)カーボネート、たとえばジー(クロルフェニル)カー
ボネート、ジー(トリクロルフェニル)カーボネート、
ジー(トリブロムフェニル)カーボネート等;ジー(ア
ルキルフェニル)カーボネート、たとえばジー(トリル
)力〜ボネート等;ジー(ナフチル)カーボネート;ジ
ー(クロルナフチル)カーボネート;フェニルトリルカ
ーボネート、クロルフェニルクロルナフチルカーボネー
ト等、又はそれらの混合物である。本発明で使用するに
適当なハロホルメートは二価フェノールのビスハロホル
メート(たとえばハイドロキノンのビスクロルホルメー
ト)又はグリコールのビスハロホルメート(たとえばエ
チレングリコール、ネオペンチルグリコール、ポリエチ
レングリコールのビスハロホルメート)等を包含する。
本発明で使用するに好ましいカーボネート前駆体はホス
ゲンである。
ゲンである。
ポリカーボネートの製造において、カーボネート前駆体
はジエステルビスフェノール又はシアノ置換ビスフェノ
ールの量又はこれらのいずれかとビスフェノール型二価
フェノールとの混合物の量に少なくとも等しい量で使用
することが好ましい。
はジエステルビスフェノール又はシアノ置換ビスフェノ
ールの量又はこれらのいずれかとビスフェノール型二価
フェノールとの混合物の量に少なくとも等しい量で使用
することが好ましい。
一般に過剰量のカーボネート前駆体を使用することがも
っとも好ましい。
っとも好ましい。
本発明のポリカーボネートの製造においては、分子量調
節剤及び触媒を使用することが好ましい。
節剤及び触媒を使用することが好ましい。
本発明において使用し得る分子は調節剤は一価フエノー
ル又はそれらの誘導体、たとえばフェノール、p−フェ
ニルフェノール、パラー第3級ブチルフェノール、p−
ブロムフェノール等;第1級及び第2級アミン;及び単
官能性カルボン酸又はそれらの誘導体、たとえば安息香
酸のアリールエステルを包含する。こ〜で使用するに好
ましい分子if節剤はフェノールである。
ル又はそれらの誘導体、たとえばフェノール、p−フェ
ニルフェノール、パラー第3級ブチルフェノール、p−
ブロムフェノール等;第1級及び第2級アミン;及び単
官能性カルボン酸又はそれらの誘導体、たとえば安息香
酸のアリールエステルを包含する。こ〜で使用するに好
ましい分子if節剤はフェノールである。
本発明において有用な触媒はビスフェノールAとホスゲ
ンとの重合を促進ないし助長し得る任意の触媒であり得
る。適当な触媒は第3級アミン、たとえばトリメチルア
ミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ジエチ
ルプロピルアミン、トリブチルアミン等:アルキルアリ
ールアミン、たとえばN、 N−ジメチルアニリン、N
、N−ジエチルアニリン、N、N−ジメチルナフチルア
ミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジ
メチルアミン;複素環式アミン、たとえばピリジン及び
4−ジメチルアミノピリジン;第4級アンモニウム化合
物、たとえばテトラエチルアンモニウムブロマイド、セ
チルトリエチルアンモニウムブロマイド、テトラ−n−
ヘプチルアンモニウムヨーダイト、テトラ−n−プロピ
ルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウム
クロライド、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラ−n−ブチルアンモニウムヨーダイト、ベンジル
トリメチルアンモニウムクロライド、トリオクチルアン
モニウムクロライド;及び第4級ホスホニウム化合物、
たとえばn−ブチルトリフェニルホスホニウムブロマイ
ド及びメチルトリフェニルホスホニウムブロマイドを包
含する。本発明の目的にとって好ましい触媒はトリエチ
ルアミンである。
ンとの重合を促進ないし助長し得る任意の触媒であり得
る。適当な触媒は第3級アミン、たとえばトリメチルア
ミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ジエチ
ルプロピルアミン、トリブチルアミン等:アルキルアリ
ールアミン、たとえばN、 N−ジメチルアニリン、N
、N−ジエチルアニリン、N、N−ジメチルナフチルア
ミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジ
メチルアミン;複素環式アミン、たとえばピリジン及び
4−ジメチルアミノピリジン;第4級アンモニウム化合
物、たとえばテトラエチルアンモニウムブロマイド、セ
チルトリエチルアンモニウムブロマイド、テトラ−n−
ヘプチルアンモニウムヨーダイト、テトラ−n−プロピ
ルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウム
クロライド、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラ−n−ブチルアンモニウムヨーダイト、ベンジル
トリメチルアンモニウムクロライド、トリオクチルアン
モニウムクロライド;及び第4級ホスホニウム化合物、
たとえばn−ブチルトリフェニルホスホニウムブロマイ
ド及びメチルトリフェニルホスホニウムブロマイドを包
含する。本発明の目的にとって好ましい触媒はトリエチ
ルアミンである。
一般に、触媒の使用量は存在するビスフェノールの量に
基づいて約0,05〜約10,0モル%、好ましくは約
0. 8〜約2.0モル%の範囲である。
基づいて約0,05〜約10,0モル%、好ましくは約
0. 8〜約2.0モル%の範囲である。
本発明のボリカーボネ〜ト及び共ポリカーボネートは一
般にゲル透過クロマトグラフィーによって測定して約1
0,000〜約300,000の範囲、好ましくは約2
5,000〜約100,000の範囲の重量平均分子量
を有する。
般にゲル透過クロマトグラフィーによって測定して約1
0,000〜約300,000の範囲、好ましくは約2
5,000〜約100,000の範囲の重量平均分子量
を有する。
本発明のポリカーボネート及び共ポリカーボネートは、
所望ならば、普通に知られている添加剤及び充填剤、た
とえばガラス、タルク、雲母及びクレー;耐衝撃性改良
剤;紫外線吸収剤、たとえばベンゾフェノン類及びベン
ゾトリアゾール類;色相安定剤及び難燃化剤の任意のも
のと混合し得る。
所望ならば、普通に知られている添加剤及び充填剤、た
とえばガラス、タルク、雲母及びクレー;耐衝撃性改良
剤;紫外線吸収剤、たとえばベンゾフェノン類及びベン
ゾトリアゾール類;色相安定剤及び難燃化剤の任意のも
のと混合し得る。
本発明はさらに式(V)の新規のシアノ置換ビスフェノ
ール単量体を提供するものである。
ール単量体を提供するものである。
これらの単量体は本明細書中にさきに記載したごとき方
法に従って製造することができる。一般に、改善された
酸素遮断性をもつポリカーボネートを堤供するためにも
っとも有用なシアノ置換単量体はつぎの式をもつもので
ある。
法に従って製造することができる。一般に、改善された
酸素遮断性をもつポリカーボネートを堤供するためにも
っとも有用なシアノ置換単量体はつぎの式をもつもので
ある。
CミN
CH2
CI。
CミN
Hz
CH2
CH2
CH。
(■〉
CミN
CH2
CH2
CH2
CH。
(■)
式(■)、(■)及び(IX)はそれぞれ4.4−ビス
(4−ヒドロキシ−3−メチル)ペンタンニトリル、4
.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタンニトリ
ル及び5,5−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサ
ンニトリルを表わす。
(4−ヒドロキシ−3−メチル)ペンタンニトリル、4
.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタンニトリ
ル及び5,5−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサ
ンニトリルを表わす。
つぎに本発明を実施例によって説明するが、これらの実
施例は何等本発明を限定するものではない。
施例は何等本発明を限定するものではない。
実施例1−3は本発明のポリカーボネートの製造に有用
である3FIf類のジエステルビスフェノールの製造を
説明するものである。各々のビスフェノールの特性デー
タは後記第1表に示す。
である3FIf類のジエステルビスフェノールの製造を
説明するものである。各々のビスフェノールの特性デー
タは後記第1表に示す。
実施例1
4.4’ −[2,2’−オキシビス(エチレン−1−
オキシカルボニル)]ジフェノールの製造 ピリジン(I50ml)をp−アセトキシベンゾイルク
ロライド(79,4g、0.4モル)、2−ヒドロキシ
エチルエーテル(21,2g、0゜2モル)及び塩化メ
チレン(450ml)の溶液に0、 5時間をかけて添
加した。室温で2時間攪拌した後、この溶液をまず10
%HCj溶液で、ついで水で洗滌した。この溶液を硫酸
マグネシウム上で乾燥しそして溶剤を真空下で溶液から
除去して粗製のベージュ−白色の固体生成物(72,5
5g、収率84%)を得た。
オキシカルボニル)]ジフェノールの製造 ピリジン(I50ml)をp−アセトキシベンゾイルク
ロライド(79,4g、0.4モル)、2−ヒドロキシ
エチルエーテル(21,2g、0゜2モル)及び塩化メ
チレン(450ml)の溶液に0、 5時間をかけて添
加した。室温で2時間攪拌した後、この溶液をまず10
%HCj溶液で、ついで水で洗滌した。この溶液を硫酸
マグネシウム上で乾燥しそして溶剤を真空下で溶液から
除去して粗製のベージュ−白色の固体生成物(72,5
5g、収率84%)を得た。
この粗生成物をメタノールから再結晶化してビスフェノ
ールのジアセテートを微細白色針状晶(54,84g、
収率64%)として得た。ついでこのビスフェノールの
ジアセテート(54,4g、 0.128モル)、アセ
トン(600ml)及び10%HCI溶液(200ml
)の溶液を5時間還流しそして冷却した溶液に水及び酢
酸エチルを二相が分離するまで添加した。水層を別置の
酢酸エチルで抽出した。−緒にした有機部分を飽和炭酸
水素ナトリウム溶液及び水で洗滌し、硫酸マグネシウム
上で乾燥しそして回転蒸発器を用いて濃縮して4.4’
−[2,2’−オキシビス(エチレン−1−オキシカ
ルボニル)]ジフェノールを白色固体(36,26g、
収率:理論値の69゜2%)として得た。
ールのジアセテートを微細白色針状晶(54,84g、
収率64%)として得た。ついでこのビスフェノールの
ジアセテート(54,4g、 0.128モル)、アセ
トン(600ml)及び10%HCI溶液(200ml
)の溶液を5時間還流しそして冷却した溶液に水及び酢
酸エチルを二相が分離するまで添加した。水層を別置の
酢酸エチルで抽出した。−緒にした有機部分を飽和炭酸
水素ナトリウム溶液及び水で洗滌し、硫酸マグネシウム
上で乾燥しそして回転蒸発器を用いて濃縮して4.4’
−[2,2’−オキシビス(エチレン−1−オキシカ
ルボニル)]ジフェノールを白色固体(36,26g、
収率:理論値の69゜2%)として得た。
実施例2
4.4’ −(I,4−ビスオキシカルボニルブチレン
)ジフェノールの製造 実施例1に示した方法を、ただし2−ヒドロキシエチル
エーテルの代りに1,4−ブタンジオールを用いて反復
してジエステルビスフェノール生成物、4. 4’ −
(I,4−ビスオキシカルボニルブチレン)ジフェノー
ルを得た。
)ジフェノールの製造 実施例1に示した方法を、ただし2−ヒドロキシエチル
エーテルの代りに1,4−ブタンジオールを用いて反復
してジエステルビスフェノール生成物、4. 4’ −
(I,4−ビスオキシカルボニルブチレン)ジフェノー
ルを得た。
実施例3
4.4’ −(I,2−ビスオキシカルボニルエチレン
)ジフェノールの製造 実施fllに述べた方法を、ただし2−ヒドロキシエチ
ルエーテルの代りに1. 2−エタンジオールを用いて
反復してジエステルビスフェノール生成物、4.4’
−(I,2−ビスオキシカポニルエチレン)ジフェノー
ルを得た。
)ジフェノールの製造 実施fllに述べた方法を、ただし2−ヒドロキシエチ
ルエーテルの代りに1. 2−エタンジオールを用いて
反復してジエステルビスフェノール生成物、4.4’
−(I,2−ビスオキシカポニルエチレン)ジフェノー
ルを得た。
第1表
融点; 13B、0〜137.0℃
lII NMR:δ7.92(d、411.J=8Hz
)、 8.89(d、411.J=8Hz)。
)、 8.89(d、411.J=8Hz)。
4.42(t、411.J=511z)、 3.89(
t、411.J−511z)13CMMR:δ1flB
、5. IB2.B、 132.5.122.5.11
B、0. B9.7.84.3実施例2:4. 4’−
(I,4−ビスオキシカルボニルブチレン)ジフェノー
ル 融点: 1B0.0〜183.0℃ lII )OIR:δ7.81(d、411.J−8,
811z)、 6.84.(d、411.J−8,81
1z)。
t、411.J−511z)13CMMR:δ1flB
、5. IB2.B、 132.5.122.5.11
B、0. B9.7.84.3実施例2:4. 4’−
(I,4−ビスオキシカルボニルブチレン)ジフェノー
ル 融点: 1B0.0〜183.0℃ lII )OIR:δ7.81(d、411.J−8,
811z)、 6.84.(d、411.J−8,81
1z)。
4.26(s、411)、 1.82(s、411)1
3CN)4R:δ1B5.8.1B1.8.131.4
.120.5.115.3. B3.7.25.1実施
例3:4,4’−(I,2−ビスオキシカルボニルエチ
レン)ジフェノール 融点: 242.0〜244.0℃ ’)l NMR:δ7.fll(d、4H,J−8,7
11z)、 BJ4.(d、41!、J−8,8)Iz
)。
3CN)4R:δ1B5.8.1B1.8.131.4
.120.5.115.3. B3.7.25.1実施
例3:4,4’−(I,2−ビスオキシカルボニルエチ
レン)ジフェノール 融点: 242.0〜244.0℃ ’)l NMR:δ7.fll(d、4H,J−8,7
11z)、 BJ4.(d、41!、J−8,8)Iz
)。
4.54(s、4H)
13CNMR:δ1B5.4.162.1.131.5
.120.1.115.4. B2.4゜実施例4−1
2は実施例1−3で製造されたジエステルビスフェノー
ル単量体からのポリカーボネート及び共ポリカーボネー
トの製造を例証するものであり、これらの実施例におい
ては単量体のモル%を存在するビスフェノール単量体の
全モル数に基づいて50〜100%の範囲で変動させた
。
.120.1.115.4. B2.4゜実施例4−1
2は実施例1−3で製造されたジエステルビスフェノー
ル単量体からのポリカーボネート及び共ポリカーボネー
トの製造を例証するものであり、これらの実施例におい
ては単量体のモル%を存在するビスフェノール単量体の
全モル数に基づいて50〜100%の範囲で変動させた
。
比較実施例13はビスフェノールA単独からのポリカー
ボネートの製造例である。実施例4−13において製造
されたポリカーボネートの特性データ及び酸素透過性測
定値を第■表に示す。
ボネートの製造例である。実施例4−13において製造
されたポリカーボネートの特性データ及び酸素透過性測
定値を第■表に示す。
実施例4−6
4、 4’−[2,2’−オキシビス(エチレン−1−
オキシカルボニル)]ジフェノールからポリカーボネー
トの製造 適当な寸法のフラスコに、ビスフェノールA(ただし実
施例4を除く;実施例4ではジエステルビスフェノール
のみを使用した)及び4.4′−[2,2’−オキシビ
ス(エチレン−1−オキシカルボニル)]ジフェノール
(前記実施例1で製造したごとき)を後記箱■表に示し
たごとき稲々のモル割合で、たWL谷計で0.062モ
ルのビスフェノールの使用割合になるように装入しかつ
塩化メチレン(90ml)、ピリジン(30ml)及び
5重量/容量%フェノール/塩化メチレン溶W< (2
,9ml; 2.5モル%)を装入した。ついでホスゲ
ンをこの溶液中に約20分間(流速−〇。
オキシカルボニル)]ジフェノールからポリカーボネー
トの製造 適当な寸法のフラスコに、ビスフェノールA(ただし実
施例4を除く;実施例4ではジエステルビスフェノール
のみを使用した)及び4.4′−[2,2’−オキシビ
ス(エチレン−1−オキシカルボニル)]ジフェノール
(前記実施例1で製造したごとき)を後記箱■表に示し
たごとき稲々のモル割合で、たWL谷計で0.062モ
ルのビスフェノールの使用割合になるように装入しかつ
塩化メチレン(90ml)、ピリジン(30ml)及び
5重量/容量%フェノール/塩化メチレン溶W< (2
,9ml; 2.5モル%)を装入した。ついでホスゲ
ンをこの溶液中に約20分間(流速−〇。
4g1分)吹込んだ。反応終了時に、窒素を吹込んで過
剰の未反応ホスゲンを追出した。ついで重合体溶液をメ
タノール(約500m1)中に沈澱させ、枦遇しそして
塩化メチレン中、に再溶解した。
剰の未反応ホスゲンを追出した。ついで重合体溶液をメ
タノール(約500m1)中に沈澱させ、枦遇しそして
塩化メチレン中、に再溶解した。
この溶液をついで稀HCI溶液で洗滌しそしてさらに水
で反復洗滌してから再びメタノール中に沈澱させた。こ
れを濾過しかつ真空乾燥して共ポリカーボネート生成物
をオフホワイトの粉末として得た。
で反復洗滌してから再びメタノール中に沈澱させた。こ
れを濾過しかつ真空乾燥して共ポリカーボネート生成物
をオフホワイトの粉末として得た。
実施例7−9
4.4’ −(I,4−ビスオキシカルボニルブチレン
)ジフェノールからポリカーボネートの製造 実施例7−9においては、実施例4−6に示した方法を
反復したが、た’−’L4,4’ −[2゜2′−オキ
シビス(エチレン−1−オキシカルボニル)]ジフェノ
ールの代りに後記箱■表に示した割合の4.4’ −(
I,4−ビスオキシカポニルブチレン)ジフェノールを
使用した。
)ジフェノールからポリカーボネートの製造 実施例7−9においては、実施例4−6に示した方法を
反復したが、た’−’L4,4’ −[2゜2′−オキ
シビス(エチレン−1−オキシカルボニル)]ジフェノ
ールの代りに後記箱■表に示した割合の4.4’ −(
I,4−ビスオキシカポニルブチレン)ジフェノールを
使用した。
実施例10−12
4.4’ −(I,2−ビスオキシカルボニルエチレン
〉ジフェノールからポリカーボネートの製造 実施例10−12においては、実施例4−6に示した方
法を反復したが、たVL4.4’ −[2゜2′−オキ
シビス(エチレン−1−オキシカルボニル)]ジフェノ
ールの代りに後記箱■表に示した割合の4.4’ −(
I,2−ビスオキシカルボニルエチレン)ジフェノール
を使用した。
〉ジフェノールからポリカーボネートの製造 実施例10−12においては、実施例4−6に示した方
法を反復したが、たVL4.4’ −[2゜2′−オキ
シビス(エチレン−1−オキシカルボニル)]ジフェノ
ールの代りに後記箱■表に示した割合の4.4’ −(
I,2−ビスオキシカルボニルエチレン)ジフェノール
を使用した。
前記実施例で製造されたポリカーボネートの酸素透過性
を測定するために、塩化メチレン(30ml)中のポリ
カーボネート又は共ポリカーボネート(2,0g)の溶
液を0,5マイクロメーターのフィルターを通じて直径
4インチのガラス製キャスチングリングをとりつけたガ
ラス板上に′f3過した。溶剤をこのカバーされた試料
から48時間拡散させ、その後に得られるフィルムを真
空炉中で40℃で最低96時間乾燥した。酸素透過性の
測定はオフストラン(Oxtran) 1000型測定
器(Modern Controls、Inc、製)上
で行ないそして後記節■表中に分子量及びガラス転移温
度とともに示す。
を測定するために、塩化メチレン(30ml)中のポリ
カーボネート又は共ポリカーボネート(2,0g)の溶
液を0,5マイクロメーターのフィルターを通じて直径
4インチのガラス製キャスチングリングをとりつけたガ
ラス板上に′f3過した。溶剤をこのカバーされた試料
から48時間拡散させ、その後に得られるフィルムを真
空炉中で40℃で最低96時間乾燥した。酸素透過性の
測定はオフストラン(Oxtran) 1000型測定
器(Modern Controls、Inc、製)上
で行ないそして後記節■表中に分子量及びガラス転移温
度とともに示す。
この比較実施例では、実施例4−12に示した方法に従
って、ただしジエステルビスフェノールを使用せずにポ
リカーボネートを製造した。
って、ただしジエステルビスフェノールを使用せずにポ
リカーボネートを製造した。
第■表
ポリカーボネート及び共ポリカーボネートの性状肱(a
)(%) ジエステル ビスフエ ビスフェノール ノールA Mv(b)Tg(℃) 44.900 51 413.800 44.500 81 53.000 70 ao、oo。
)(%) ジエステル ビスフエ ビスフェノール ノールA Mv(b)Tg(℃) 44.900 51 413.800 44.500 81 53.000 70 ao、oo。
37.500 72
20.100
19.900 90
28.900 96
54.000 145
(a)存在するビスフェノールの合計モルに基づくモル
% (b)分子量はポリスチレン標準に対して検量した二つ
の線形ウルトラスチラゲル(ultrastyrage
s >カラムを使用するcpcによって測定した。
% (b)分子量はポリスチレン標準に対して検量した二つ
の線形ウルトラスチラゲル(ultrastyrage
s >カラムを使用するcpcによって測定した。
(c)酸素透過性は25℃、相対温度0%で測定しそし
て(em”Q2)(ミル)/(I00in2)(24時
間)(気圧)の単位で記録した。
て(em”Q2)(ミル)/(I00in2)(24時
間)(気圧)の単位で記録した。
(d)は得られるフィルムが酸素透過性を測定し得ない
ほどきわめて脆化し易いことを示す。
ほどきわめて脆化し易いことを示す。
上記第■表に示されたデータから認め得るごとく、ジエ
ステルビスフェノールに基づくポリカーボネートの酸素
透過性はビスフェノールAに基づくポリカーボネートよ
りも著しく改良される。ジエステルビスフェノール単量
体の配合量を増加するほど酸素輸送速度は累進的に低下
し、この点で4.4’ −[2,2’−オキシビス(エ
チレン−1−オキシカルボニル)]ジフェノールに基づ
く単独重合体は現在までに報告されたすべての芳香族ポ
リカーボネート中で最低の酸素透過速度を示した。
ステルビスフェノールに基づくポリカーボネートの酸素
透過性はビスフェノールAに基づくポリカーボネートよ
りも著しく改良される。ジエステルビスフェノール単量
体の配合量を増加するほど酸素輸送速度は累進的に低下
し、この点で4.4’ −[2,2’−オキシビス(エ
チレン−1−オキシカルボニル)]ジフェノールに基づ
く単独重合体は現在までに報告されたすべての芳香族ポ
リカーボネート中で最低の酸素透過速度を示した。
実施例14−16は本発明において有用なシアノ置換ビ
スフェノールの製造を例証するものである。
スフェノールの製造を例証するものである。
実施例14
5.5−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサンニト
リルの製造 5−オキソヘキサンニトリル(23,62g。
リルの製造 5−オキソヘキサンニトリル(23,62g。
0.213モル)、フェノール(I00,Og。
1.06モル)、塩化カルシウム粉末(I51’)及び
メルカプトプロピオン酸(I,0g>をフラスコに装入
し、この混合物をそれにガス状HCJを通送することに
よって55℃に15分間加熱した。得られる橙色混合物
をLC分析が反応の完結を示すまで(72時間)50〜
60℃に保持した。
メルカプトプロピオン酸(I,0g>をフラスコに装入
し、この混合物をそれにガス状HCJを通送することに
よって55℃に15分間加熱した。得られる橙色混合物
をLC分析が反応の完結を示すまで(72時間)50〜
60℃に保持した。
冷却した混合物を酢酸エチルで稀釈しそして水、飽和炭
酸水素ナトリウム溶液、水及び飽和塩化ナトリウム溶液
で順次洗滌した。ついで混合物を硫酸マグネシウム上で
乾燥しそして濾過した。溶剤及び過剰のフェノールを除
去して所望のシアノビスフェノール、すなわち5,5−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサンニトリル(3
9,2g1収率65%)を橙色的として得た。
酸水素ナトリウム溶液、水及び飽和塩化ナトリウム溶液
で順次洗滌した。ついで混合物を硫酸マグネシウム上で
乾燥しそして濾過した。溶剤及び過剰のフェノールを除
去して所望のシアノビスフェノール、すなわち5,5−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサンニトリル(3
9,2g1収率65%)を橙色的として得た。
実施例15
4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタンニト
リルの製造 4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン酸エ
チル(249,0g、0.792モル)を水酸化アンモ
ニウム水溶液(29%、2000m1)とともに室温で
96時間攪拌した。得られる透明褐色溶液を水で稀釈し
そして酢酸エチル(3X1000ml)で抽出した。有
機部分を合し、ついで水、飽和炭酸水素ナトリウム溶液
及び水で順次洗滌し、ついで硫酸マグネシウム上で乾燥
し、枦遇しそして回転蒸発によって濃縮した。残渣を真
空乾燥して黄褐色粉末(I25,0g)を得た。これは
95%がアミドであった(LC分析により)。水酸化ア
ンモニウム部分を再抽出(酢酸エチル、2X1000m
l)Lそして前記したごとく仕上げ処理して別、136
.0gの生成物を得た(合計収率71%)。水から再結
晶化して所望のアミドビスフェノール、すなわち4,4
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタンアミドをオ
フホワイトの結晶として得た。
リルの製造 4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタン酸エ
チル(249,0g、0.792モル)を水酸化アンモ
ニウム水溶液(29%、2000m1)とともに室温で
96時間攪拌した。得られる透明褐色溶液を水で稀釈し
そして酢酸エチル(3X1000ml)で抽出した。有
機部分を合し、ついで水、飽和炭酸水素ナトリウム溶液
及び水で順次洗滌し、ついで硫酸マグネシウム上で乾燥
し、枦遇しそして回転蒸発によって濃縮した。残渣を真
空乾燥して黄褐色粉末(I25,0g)を得た。これは
95%がアミドであった(LC分析により)。水酸化ア
ンモニウム部分を再抽出(酢酸エチル、2X1000m
l)Lそして前記したごとく仕上げ処理して別、136
.0gの生成物を得た(合計収率71%)。水から再結
晶化して所望のアミドビスフェノール、すなわち4,4
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタンアミドをオ
フホワイトの結晶として得た。
ついでこのアミドビスフェノール(I20g。
0.421モル)及び無水酢酸(600ml)の溶液を
14時間還流した。得られる赤/橙色溶液を室温まで冷
却してそして揮発性物質を真空下で除去して粘稠な橙色
油状物を得た。この油状物をアセトン(500co1)
及び10%HCi)(I00ml)とともに1.25時
間還流した。別置の10%HC1(I00ml)を添加
しそしてこの溶液をさらに3時間還流した。ついで冷却
した溶液を水で稀釈しそして酢酸エチル(2X600m
l)で抽出した。有機相を合し、これを水、飽和炭酸水
素ナトリウム溶液、再び水そして飽和塩化ナトリウム溶
液で順次洗滌し、ついで硫酸マグネシウム上で乾燥し、
)濾過そして真空下で濃縮して赤/橙色半固体を得た。
14時間還流した。得られる赤/橙色溶液を室温まで冷
却してそして揮発性物質を真空下で除去して粘稠な橙色
油状物を得た。この油状物をアセトン(500co1)
及び10%HCi)(I00ml)とともに1.25時
間還流した。別置の10%HC1(I00ml)を添加
しそしてこの溶液をさらに3時間還流した。ついで冷却
した溶液を水で稀釈しそして酢酸エチル(2X600m
l)で抽出した。有機相を合し、これを水、飽和炭酸水
素ナトリウム溶液、再び水そして飽和塩化ナトリウム溶
液で順次洗滌し、ついで硫酸マグネシウム上で乾燥し、
)濾過そして真空下で濃縮して赤/橙色半固体を得た。
これをメタノール/水から再結晶化して所望のニトリル
ビスフェノール、すなわち4゜4−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)ペンタンニトリルを微黄色結晶(86,5
g、アミドビスフェノールからの収率77%)として得
た。メタノール/水からの再結晶中に脱色用木炭を用い
ると無色の結晶が得られた。
ビスフェノール、すなわち4゜4−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)ペンタンニトリルを微黄色結晶(86,5
g、アミドビスフェノールからの収率77%)として得
た。メタノール/水からの再結晶中に脱色用木炭を用い
ると無色の結晶が得られた。
実施例16
4.4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)
ペンタンニトリルの製造 4.4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)
ペンタン酸エチル(69,0Og、 0゜201モル)
及び29%水酸化アンモニウム水溶液(I500ml)
の溶液を室温で144時間攪拌した。得られる僅かに曇
りを帯びたエメラルド緑色の溶液を水で稀釈しそして酢
酸エチル(4×500m1)で抽出した。有機相を合し
そして水、飽和炭酸水素ナトリウム溶液及び飽和塩化す
トリウム溶液で順次洗滌した。@酸マグネシウム上で乾
燥した後、溶剤を真空下で除去して所望のアミド即ち4
,4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)ペ
ンタンアミド、を黄褐色粉末(45゜1「、収率72%
)として得た。
ペンタンニトリルの製造 4.4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)
ペンタン酸エチル(69,0Og、 0゜201モル)
及び29%水酸化アンモニウム水溶液(I500ml)
の溶液を室温で144時間攪拌した。得られる僅かに曇
りを帯びたエメラルド緑色の溶液を水で稀釈しそして酢
酸エチル(4×500m1)で抽出した。有機相を合し
そして水、飽和炭酸水素ナトリウム溶液及び飽和塩化す
トリウム溶液で順次洗滌した。@酸マグネシウム上で乾
燥した後、溶剤を真空下で除去して所望のアミド即ち4
,4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)ペ
ンタンアミド、を黄褐色粉末(45゜1「、収率72%
)として得た。
上記のごとく製造したアミドビスフェノール(45,O
g、0.143モル)及び無水酢酸(250ml)の溶
液をついで8時間還流した。過剰の無水酢酸を真空下で
除去して輝橙色油状物を得た。粗製ジアセテートを回収
しそしてアセトン(250ml)及び10%Hei(5
0ml)とともに1.5時間還流し、こ\で別m 50
mlの10%HCJを添加して還流をさらに2,5時
間続けた。
g、0.143モル)及び無水酢酸(250ml)の溶
液をついで8時間還流した。過剰の無水酢酸を真空下で
除去して輝橙色油状物を得た。粗製ジアセテートを回収
しそしてアセトン(250ml)及び10%Hei(5
0ml)とともに1.5時間還流し、こ\で別m 50
mlの10%HCJを添加して還流をさらに2,5時
間続けた。
冷却した反応溶液を水で稀釈しそして酢酸エチル(2X
350ml)で抽出した。有機相を合し、これを水、飽
和炭酸水素ナトリウム溶液及び飽和塩化ナトリウム溶液
で順次洗滌し、ついで硫酸マグネシウム上で乾燥しそし
て真空下で濃縮して橙色油状物(45,Og)を得た。
350ml)で抽出した。有機相を合し、これを水、飽
和炭酸水素ナトリウム溶液及び飽和塩化ナトリウム溶液
で順次洗滌し、ついで硫酸マグネシウム上で乾燥しそし
て真空下で濃縮して橙色油状物(45,Og)を得た。
フラッシュカラムクロマトグラフィー(40%酢酸エチ
ル/ヘキザン、Rf−0,40)により所望のシアノビ
スフェノール、すなわち4.4−ビス(4−ヒドロキシ
−3−メチルフェニル)ペンタンニトリル(24,5g
、収率58%)を得た。このニトリルをトルエン/ヘプ
タンから再結晶化することができる。
ル/ヘキザン、Rf−0,40)により所望のシアノビ
スフェノール、すなわち4.4−ビス(4−ヒドロキシ
−3−メチルフェニル)ペンタンニトリル(24,5g
、収率58%)を得た。このニトリルをトルエン/ヘプ
タンから再結晶化することができる。
実施例14−16で得られたシアノビスフェノールの特
性値を第■表に示す。
性値を第■表に示す。
第■表
実&[IJI4: 5. 5−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)ヘキサンニトリルlII N勲δ9.20(s
、211)、 [95(d、411.J−8,411z
)、 8.66(d、411J−8,411z)。
ェニル)ヘキサンニトリルlII N勲δ9.20(s
、211)、 [95(d、411.J−8,411z
)、 8.66(d、411J−8,411z)。
2.43(m、211)、 2.08(m、211)、
1.49(s、311)、 121(a+、211)
13cN肚δ155.1.139.G、 127.9.
120.8.114.8.44.0.40.6゜27、
li、 21.0. IQ、8 実施例15:4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
ペンタンニトリル融点: 15G、0〜157.5℃ lHNMI?:δ 9.22(s、211)−0,95
(d、4H,ノー8.2 Hz)、 8.88(d
、4H,J−8,2flz)。
1.49(s、311)、 121(a+、211)
13cN肚δ155.1.139.G、 127.9.
120.8.114.8.44.0.40.6゜27、
li、 21.0. IQ、8 実施例15:4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
ペンタンニトリル融点: 15G、0〜157.5℃ lHNMI?:δ 9.22(s、211)−0,95
(d、4H,ノー8.2 Hz)、 8.88(d
、4H,J−8,2flz)。
2.35(t、211.J−7,311z)、2.14
(t、2H,J−7,311z)、 1.49(s、3
11)13CNMR:δ155.3. 138.4.1
27.9. 121.0. 114.9.44.1.3
B、9゜28、9.12.8 実施例18:4,4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチ
ルフェニル)ペンタンニトリル 融点: 133.0〜134.5℃ ’11 N胴δ9.09(s、211)、 8.84(
s、211)、 8.77(d、2H,J−8,4!l
z)。
(t、2H,J−7,311z)、 1.49(s、3
11)13CNMR:δ155.3. 138.4.1
27.9. 121.0. 114.9.44.1.3
B、9゜28、9.12.8 実施例18:4,4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチ
ルフェニル)ペンタンニトリル 融点: 133.0〜134.5℃ ’11 N胴δ9.09(s、211)、 8.84(
s、211)、 8.77(d、2H,J−8,4!l
z)。
6.85(d、2+1.J−8,4112)、 2.2
3(t、2!!、J−8,111z)。
3(t、2!!、J−8,111z)。
2.12(t、211.J=8.1IIz)、 2.0
5(s、811)、 1.48(s、 311z)13
c N肛δL53.3.1311.4.129.9.1
25.0.123.1.121.1゜114.2.43
.9.313.9.2ft、9.18.4.12.8実
施例17及び18は実施例15及び16で製造されたシ
アノ置換ビスフェノールからポリカーボネートの製造を
例証するものである。
5(s、811)、 1.48(s、 311z)13
c N肛δL53.3.1311.4.129.9.1
25.0.123.1.121.1゜114.2.43
.9.313.9.2ft、9.18.4.12.8実
施例17及び18は実施例15及び16で製造されたシ
アノ置換ビスフェノールからポリカーボネートの製造を
例証するものである。
実施例17
4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ペンタンニト
リルのポリカーボネートの製造実施例15で製造された
4、4−ビス(4〜ヒドロキシフエニル)ペンタンニト
リル(I7,36f、0.065モル)、塩化メチレン
(35ml)、水(30ml)、5%トリエチルアミン
/塩化メチレン溶液(I,3mL 1. 0モル%)及
び5%フェノール/塩化メチレン溶液(4,2ml 3
゜5モル%)をフラスコに装入した。この混合物のpH
を50%水酸化ナトリウム溶液の添加によっては’−’
11に保持しながらホスゲンを20分間添加した(流速
−0,4g/分)。窒素で15分間パージした後、反応
混合物を塩化メチレンで稀釈し、HCfで洗滌し、続い
て蒸留水で反復洗滌した。この重合体溶液をついで硫酸
マグネシウム上で乾燥し、濾過しそしてメタノール中に
沈澱させた。真空下70℃で14時間乾燥して綿毛様白
色の粉末15.6gを得た。GPC分析は分子量92.
600を示した。
リルのポリカーボネートの製造実施例15で製造された
4、4−ビス(4〜ヒドロキシフエニル)ペンタンニト
リル(I7,36f、0.065モル)、塩化メチレン
(35ml)、水(30ml)、5%トリエチルアミン
/塩化メチレン溶液(I,3mL 1. 0モル%)及
び5%フェノール/塩化メチレン溶液(4,2ml 3
゜5モル%)をフラスコに装入した。この混合物のpH
を50%水酸化ナトリウム溶液の添加によっては’−’
11に保持しながらホスゲンを20分間添加した(流速
−0,4g/分)。窒素で15分間パージした後、反応
混合物を塩化メチレンで稀釈し、HCfで洗滌し、続い
て蒸留水で反復洗滌した。この重合体溶液をついで硫酸
マグネシウム上で乾燥し、濾過しそしてメタノール中に
沈澱させた。真空下70℃で14時間乾燥して綿毛様白
色の粉末15.6gを得た。GPC分析は分子量92.
600を示した。
実施例18
4.4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)
ペンタンニトリルのポリカーボネートの製造 実施例16で製造された4、4−ビス(4−ヒドロキシ
−3−メチルフェニル)ペンタンニトリル(I1,82
g%o、o4モル)、塩化メチレン(33ml)、水(
27ml)及び5%トリエチルアミン/塩化メチレン溶
液(I,6ml、 ’1モル%)をフラスコに装入した
。この混合物のpHを50%水酸化ナトリウム溶液の添
加によってはゾ1165〜12に保持しtlがら、ホス
ゲンを20分間添加した(流速−0,3g1分)。ホス
ゲンの添加期間中の5分及び10分の時点の間に5%フ
ェニルクロルホルメート/塩化メチレン溶液(4,5m
1s4モル%)を添加した。窒素でパージした後、反応
混合物を塩化メチレンで稀釈し、3%HCIで洗滌し、
ついで蒸留水全反復洗滌した。この重合体溶液を硫酸マ
グネシウム上で乾燥し、¥J5遇しそしてメタノール中
に沈澱させた。60℃で18時間真空乾燥して白色固体
10.21gを得た。
ペンタンニトリルのポリカーボネートの製造 実施例16で製造された4、4−ビス(4−ヒドロキシ
−3−メチルフェニル)ペンタンニトリル(I1,82
g%o、o4モル)、塩化メチレン(33ml)、水(
27ml)及び5%トリエチルアミン/塩化メチレン溶
液(I,6ml、 ’1モル%)をフラスコに装入した
。この混合物のpHを50%水酸化ナトリウム溶液の添
加によってはゾ1165〜12に保持しtlがら、ホス
ゲンを20分間添加した(流速−0,3g1分)。ホス
ゲンの添加期間中の5分及び10分の時点の間に5%フ
ェニルクロルホルメート/塩化メチレン溶液(4,5m
1s4モル%)を添加した。窒素でパージした後、反応
混合物を塩化メチレンで稀釈し、3%HCIで洗滌し、
ついで蒸留水全反復洗滌した。この重合体溶液を硫酸マ
グネシウム上で乾燥し、¥J5遇しそしてメタノール中
に沈澱させた。60℃で18時間真空乾燥して白色固体
10.21gを得た。
GPC分析は分子ff139.000を示した。
実施例17及び18で製造されたポリカーボネートの各
々のフィルムを塩化メチレンからキャストし又はホット
プレスしそして得られた各フィルムについてガラス転移
温度及び酸素透過性を測定した。
々のフィルムを塩化メチレンからキャストし又はホット
プレスしそして得られた各フィルムについてガラス転移
温度及び酸素透過性を測定した。
酸素透過性の測定は前記した方法に従って、ただし溶剤
を、カバーした試料から24時間拡散させ、しかもその
後に得られるフィルムをそれらの予め測定したガラス転
移温度よりも20℃低い温度の真空炉中で24〜36時
間乾燥するという条件にて行なった。
を、カバーした試料から24時間拡散させ、しかもその
後に得られるフィルムをそれらの予め測定したガラス転
移温度よりも20℃低い温度の真空炉中で24〜36時
間乾燥するという条件にて行なった。
比較実施例19及び20
ビスフェノールA及び2.2−ビス(4−ヒドロキシ−
3−メチルフェニル)プロパンのポリカーボネートの製
造 比較実施例19及び20においては、それぞれ慣用のビ
スフェノール、すなわちビスフェノールA及び2,2−
ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン
からポリカーボネートを製造した。
3−メチルフェニル)プロパンのポリカーボネートの製
造 比較実施例19及び20においては、それぞれ慣用のビ
スフェノール、すなわちビスフェノールA及び2,2−
ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン
からポリカーボネートを製造した。
実施例17及び18及び比較実施例19及び20から得
られたデータを下記第■表に示す。
られたデータを下記第■表に示す。
第■表
4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−ペンタンニ
トリル 4.4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチル−フェニル
)ペンタンニトリル 19(比較) ビスフェノールA 20(比較)2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチ
ル−フェニル)プロパン シアノ官能性重合体のガラス転移温度は非置換同族体の
それよりも高くそしてシアノ置換ポリカーボネートにつ
いての酸素透過率の測定は同等の、ただしシアノ置換さ
れない重合体の酸素輸送速度と比較してきわめて顕著な
輸送速度の低下を示した。
トリル 4.4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチル−フェニル
)ペンタンニトリル 19(比較) ビスフェノールA 20(比較)2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチ
ル−フェニル)プロパン シアノ官能性重合体のガラス転移温度は非置換同族体の
それよりも高くそしてシアノ置換ポリカーボネートにつ
いての酸素透過率の測定は同等の、ただしシアノ置換さ
れない重合体の酸素輸送速度と比較してきわめて顕著な
輸送速度の低下を示した。
以上本発明を特定の代表的な実施態様について説明した
が、本発明の技術思想及び特許請求の範囲に規定した本
発明の範囲を逸脱することなしに多数の修正及び変形を
なし得ることは当業者によって理解されるであろう。
が、本発明の技術思想及び特許請求の範囲に規定した本
発明の範囲を逸脱することなしに多数の修正及び変形を
なし得ることは当業者によって理解されるであろう。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(A)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) によって表わされる反復構造単位約50〜約100モル
%、又は一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼(II) によって表わされる反復構造単位約1〜約100モル%
、及び (B)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼(III) によって表わされる反復構造単位(ただし上記式中、R
_1は二価脂肪族炭化水素基、二価芳香族基及び二価脂
肪族エーテル基から選んだ基であり;R_2、R_3、
R_4及びR_5はそれぞれ独立的に一価炭化水素基及
びハロゲン基から選んだ基であり;R_6は二価炭化水
素基又は−O−、−S−、−S−S−、▲数式、化学式
、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
▼、又は▲数式、化学式、表等があります▼であり;X
は三価炭化水素基であり;m及びnはそれぞれ0〜約4
の範囲の数であり;そしてには0又は1である)を含有
してなり、しかも式( I )の構造単位を含有する組成
物はさらに式(III)の構造単位を約0〜約50モル%
の割合で含有し、一方式(II)の構造単位を含有する組
成物はさらに式(III)の構造単位を約0〜約99モル
%の割合で含有する(ただしモル%表示はいずれも全反
復構造単位に基づくものとする)ものである改良された
酸素遮断性を示す高分子量熱可塑性芳香族ポリカーボネ
ート樹脂組成物。 2、R_1が二価アルキレン、シクロアルキレン、アル
キレンエーテル又はシクロアルキレンエーテル基である
請求項1記載のポリカーボネート組成物。 3、R_1が約1〜約20個の炭素原子を含む分枝鎖又
は直鎖状二価アルキレン基又は約4〜約7個の環炭素原
子を含む二価シクロアルキレン基である請求項2記載の
ポリカーボネート組成物。 4、R_1が直鎖状二価エチレン又はブチレン基である
請求項3記載のポリカーボネート組成物。 5、R_1が一般式: −(R′−O)_p−R″− (式中、R′及びR″はそれぞれ独立的に約1〜約20
個の炭素原子を含む分枝鎖又は直鎖アルキレン基又は約
4〜約7個の環炭素原子を含むシクロアルキレン基であ
りそしてpは約1〜約10の範囲の整数である)をもつ
請求項2記載のポリカーボネート組成物。 6、R′及びR″ともに直鎖エチレン基でありそしてp
が1である請求項5記載のポリカーボネート組成物。 7、Xが1〜約6個の炭素原子をもつ脂肪族三価の基で
ある請求項6記載のポリカーボネート組成物。 8、Xが5個の炭素原子を含む脂肪族三価の基である請
求項7記載のポリカーボネート組成物。 9、Xが6個の炭素原子を含む脂肪族三価の基である請
求項7記載のポリカーボネート組成物。 10、R_2及びR_3が1〜約10個の炭素原子をも
つアルキル基でありそしてm及びnは1である請求項1
記載のポリカーボネート組成物。 11、R_2及びR_3がメチル基である請求項10記
載のポリカーボネート組成物。 12、R_2及びR_3がXに対して芳香族環の303
’位にあるメチル基である請求項11記載のポリカーボ
ネート組成物。 13、m及びnが0である請求項1記載のポリカーボネ
ート組成物。 14、式(II)の構造単位が式: ▲数式、化学式、表等があります▼ をもつ請求項1記載のポリカーボネート組成物。 15、式(II)の構造単位が式: ▲数式、化学式、表等があります▼ をもつ請求項1記載のポリカーボネート組成物。 16、式(II)の構造単位が式: ▲数式、化学式、表等があります▼ をもつ請求項1記載のポリカーボネート組成物。 17、R_4及びR_5がそれぞれ独立的にアルキル、
シクロアルキル、アリール、アリールアルキル又はアル
キルアリール基でありそしてR_6がアルキレン、シク
ロアルキレン、アルキリデン又はシクロアルキリデン基
である請求項1記載のポリカーボネート組成物。 18、R_4及びR_5がそれぞれ独立的に約1〜約1
0個の炭素原子を含むアルキル基、約4〜約7個の環炭
素原子を含むシクロアルキル基、6〜12個の環炭素原
子を含むアリール基又は約7〜約14個の炭素原子を含
むアリールアルキルもしくはアルキルアリール基であり
、そしてR_6が約1〜約10個の炭素原子を含むアル
キレンもしくはアルキリデン基又は約4〜約7個の環炭
素原子を含むシクロアルキレンもしくはシクロアルキリ
デン基であり、式(III)中のm及びnは1でありそし
てkは1である請求項17記載のポリカーボネート組成
物。 19、R_4及びR_5がメチル基でありそしてR_6
がイソプロピリデン基である請求項18記載のポリカー
ボネート組成物。 20、R_4及びR_5がR_6に対して芳香族環の3
,3′位にあるメチル基である請求項19記載のポリカ
ーボネート組成物。 21、式(III)中のm及びnが0である請求項20記
載のポリカーボネート組成物。 22、式( I )の反復構造単位が全反復構造単位に基
づいて約65〜約100モル%の範囲の量で存在する請
求項1記載のポリカーボネート組成物。 23、式(II)の反復構造単位が全反復構造単位に基づ
いて約50〜約100モル%の範囲の塁で存在する請求
項1記載のポリカーボネート組成物。 24、一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (式中、Xは三価炭化水素基であり;R_2及びR_3
はそれぞれ独立的に一価炭化水素基及びハロゲン基から
選んだ基であり;そしてm及びnはそれぞれ独立的に0
〜約4の範囲の数である)をもつシアノ置換ビスフェノ
ール単量体。 25、Xが1〜約6個の炭素原子をもつ脂肪族三価の基
である請求項24記載のシアノ置換ビスフェノール単量
体。 26、Xが5個の炭素原子を含む脂肪族三価の基である
請求項25記載のシアノ置換ビスフェノール単量体。 27、Xが6個の炭素原子を含む脂肪族三価のの基であ
る請求項25記載のシアノ置換ビスフェノール単量体。 28、R_2及びR_3が1〜約10個の炭素原子をも
つアルキル基であり、そしてm及びnが1である請求項
24記載のシアノ置換ビスフェノール単量体。 29、R_2及びR_3がともにメチル基である請求項
28記載のシアノ置換ビスフェノール単量体。 30、R_2及びR_3がXに対して芳香族環の3,3
′−位にあるメチル基である請求項29記載のシアノ置
換ビスフェノール単量体。 31、m及びnが0である請求項24記載のシアノ置換
ビスフェノール単量体。 32、単量体が式: ▲数式、化学式、表等があります▼ をもつ請求項24記載のシアノ置換ビスフェノール単量
体。 33、単量体が式: ▲数式、化学式、表等があります▼ をもつ請求項24記載のシアノ置換ビスフェノール単量
体。 34、単量体が式: ▲数式、化学式、表等があります▼ をもつ請求項24記載のシアノ置換ビスフェノール単量
体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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