JPH0369012A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0369012A JPH0369012A JP20311789A JP20311789A JPH0369012A JP H0369012 A JPH0369012 A JP H0369012A JP 20311789 A JP20311789 A JP 20311789A JP 20311789 A JP20311789 A JP 20311789A JP H0369012 A JPH0369012 A JP H0369012A
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Landscapes
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、例えば、磁気ディスク装置に使用される磁
気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
[従来の技術]
近年、コンピュータシステムにおける磁気ディスク装置
などの外部記憶装置の重要性が増大し、高記録密度に対
する要求が高まっている。磁気ディスク装置は記録再生
ヘッド及び磁気ディスクのt構成部から構成されている
。iB気ディスクは高速で回転し、記録再生ヘッド、即
ち磁気ヘッドは磁気ディスクより微小間隔で浮ヒしてい
る。磁気ディスクの高記録密度化、及び高性能化を図る
ためには、磁気記録媒体の薄層化、均一−−様化、保磁
力や角形比の向上などの磁気特性の改良、磁気ヘッドの
低浮上化などが挙げられる。
などの外部記憶装置の重要性が増大し、高記録密度に対
する要求が高まっている。磁気ディスク装置は記録再生
ヘッド及び磁気ディスクのt構成部から構成されている
。iB気ディスクは高速で回転し、記録再生ヘッド、即
ち磁気ヘッドは磁気ディスクより微小間隔で浮ヒしてい
る。磁気ディスクの高記録密度化、及び高性能化を図る
ためには、磁気記録媒体の薄層化、均一−−様化、保磁
力や角形比の向上などの磁気特性の改良、磁気ヘッドの
低浮上化などが挙げられる。
これまで、磁気ディスクは塗布形といい、バインダーな
どの高分子材料とγ−Fe*Os磁気記録媒体粒子を混
合して塗布して製作していた。しかしこの方法では、磁
気記録媒体のi11層化、均一−−一様化に限界がある
。このため最近では、磁気記録媒体をスパッタリングな
どの方法により連続薄膜として基材に設けるようになっ
てきた。
どの高分子材料とγ−Fe*Os磁気記録媒体粒子を混
合して塗布して製作していた。しかしこの方法では、磁
気記録媒体のi11層化、均一−−一様化に限界がある
。このため最近では、磁気記録媒体をスパッタリングな
どの方法により連続薄膜として基材に設けるようになっ
てきた。
現在、磁気ディスク装置では、起動及び停止時に磁気デ
ィスクと磁気ヘッドが接触するコンタクト・スタート・
ストップ(CSS)方式を採用しており、起動及び停止
時には磁気ヘッドと磁気ディスク表面が接触したまま回
転する。この接触摩擦状態における磁気ヘッドと磁気デ
ィスクの間に生じる摩擦力は、磁気ヘッドと磁気ディス
ク表面を厚比させ、ついには磁気ヘッド及び磁気記録媒
体層に傷を作ることがある。磁気記録媒体に連続薄膜を
用いた場合、わずかな傷であっても記録媒体の欠如とな
り、記録信号の消失につながる。このことは、磁気ディ
スク装置の外部記憶装置としての信頼性に関わる重大な
問題である。
ィスクと磁気ヘッドが接触するコンタクト・スタート・
ストップ(CSS)方式を採用しており、起動及び停止
時には磁気ヘッドと磁気ディスク表面が接触したまま回
転する。この接触摩擦状態における磁気ヘッドと磁気デ
ィスクの間に生じる摩擦力は、磁気ヘッドと磁気ディス
ク表面を厚比させ、ついには磁気ヘッド及び磁気記録媒
体層に傷を作ることがある。磁気記録媒体に連続薄膜を
用いた場合、わずかな傷であっても記録媒体の欠如とな
り、記録信号の消失につながる。このことは、磁気ディ
スク装置の外部記憶装置としての信頼性に関わる重大な
問題である。
そこで、磁気ヘッドと磁気記録媒体との接触摩擦及び接
触破壊から磁気記録媒体を保護するために、磁気ディス
クの表面にSift膜、カーボン膜、Altos膜のよ
うな保護膜を設けることが提案されている1例えば、第
8回日本応用磁気学会学術講演概要集(1984年11
月)、第222頁、「磁気ディスク用カーボン保護膜」
(田子章男他):昭和61年度電子通信学会総合全国大
会予稿集(1986年)、第1−166頁、「磁気ディ
スク用酸化物保護膜の検討」 (本町良弘他)二日本潤
滑学会第30期存期研究発表会予稿’J(+91’!6
年)、第141頁(刈本博保他)などに記載されている
。また、磁気記録媒体が金属の場合、この保護膜は金属
膜の腐食を防ぐ保護も兼ねる役目がある。
触破壊から磁気記録媒体を保護するために、磁気ディス
クの表面にSift膜、カーボン膜、Altos膜のよ
うな保護膜を設けることが提案されている1例えば、第
8回日本応用磁気学会学術講演概要集(1984年11
月)、第222頁、「磁気ディスク用カーボン保護膜」
(田子章男他):昭和61年度電子通信学会総合全国大
会予稿集(1986年)、第1−166頁、「磁気ディ
スク用酸化物保護膜の検討」 (本町良弘他)二日本潤
滑学会第30期存期研究発表会予稿’J(+91’!6
年)、第141頁(刈本博保他)などに記載されている
。また、磁気記録媒体が金属の場合、この保護膜は金属
膜の腐食を防ぐ保護も兼ねる役目がある。
[発明が解決しようとする課題]
従来のスパッタリングなどによって成膜される酸化膜や
カーボン膜は、強度的には優れたものができる(例えば
、昭和61年度電子通信学会総合全国大会予稿集(19
86年)、第[−166頁、「磁気ディスク用酸化物保
護膜の検討」 (本町良弘他)参照)、シかし、多くの
学会発表例にみられるようなSift膜、Altos膜
などの保護膜では、硬いが脆く潤滑性能をほとんど有し
ないという問題点があった。即ち、保、JPA単独では
摩擦力が非常に大きく磁気ディスクの耐久性を満足でき
ないため、液体潤滑剤をさらに保護膜」、に塗布して使
用せざるを得す、この液体潤滑剤によるヘッド吸着が生
じるという問題点があった。また、カーボン膜ではこれ
ら酸化膜に比べて潤滑性が若干高いが、硬いヘッドスラ
イダに対しては削れてしまい、潤滑剤を使用している例
が多い。
カーボン膜は、強度的には優れたものができる(例えば
、昭和61年度電子通信学会総合全国大会予稿集(19
86年)、第[−166頁、「磁気ディスク用酸化物保
護膜の検討」 (本町良弘他)参照)、シかし、多くの
学会発表例にみられるようなSift膜、Altos膜
などの保護膜では、硬いが脆く潤滑性能をほとんど有し
ないという問題点があった。即ち、保、JPA単独では
摩擦力が非常に大きく磁気ディスクの耐久性を満足でき
ないため、液体潤滑剤をさらに保護膜」、に塗布して使
用せざるを得す、この液体潤滑剤によるヘッド吸着が生
じるという問題点があった。また、カーボン膜ではこれ
ら酸化膜に比べて潤滑性が若干高いが、硬いヘッドスラ
イダに対しては削れてしまい、潤滑剤を使用している例
が多い。
この発明は上記のような問題点を解決するためのなされ
たもので、磁気ヘッドによる磁気ディスクへの損傷を防
ぎ、保護膜の剥離を防止でき、かつ潤滑性を有する保護
膜を形成して、信頼性の高い磁気記録媒体及びその製造
方法を得ることを目的とする。
たもので、磁気ヘッドによる磁気ディスクへの損傷を防
ぎ、保護膜の剥離を防止でき、かつ潤滑性を有する保護
膜を形成して、信頼性の高い磁気記録媒体及びその製造
方法を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係る磁気記録媒体は、基Hに設けた磁気記録
媒体層、及び磁気記録媒体層に100〜1000人の厚
さで設けた。#2素を含有するAl−Si合金保護潤滑
膜を備えたことものである。
媒体層、及び磁気記録媒体層に100〜1000人の厚
さで設けた。#2素を含有するAl−Si合金保護潤滑
膜を備えたことものである。
また、この発明の別の発明に係る磁気記録媒体の製造方
法は、炭化水素系ガス雰囲気あるいはフッ素化炭素ガス
雰囲気で、磁気記録媒体層が設けられた基Hにクラスタ
ーイオンビーム法を弛し、磁気記録媒体層に100〜1
000人の厚さで炭素を含有するAI −Si合金保護
潤滑膜を形成したものである。
法は、炭化水素系ガス雰囲気あるいはフッ素化炭素ガス
雰囲気で、磁気記録媒体層が設けられた基Hにクラスタ
ーイオンビーム法を弛し、磁気記録媒体層に100〜1
000人の厚さで炭素を含有するAI −Si合金保護
潤滑膜を形成したものである。
また、この発明のさらに別の発明に係る磁気記録媒体の
製造方法は、炭化水素ガスイオン源あるいはフッ素化炭
素ガスイオン源によって励起、解離及びイオン化した雰
囲気で、磁気記録媒体層が設けられた基材にクラスター
イオンビーム法を施し、磁気記録媒体層に100〜10
00Åの厚さで炭素を含有するAl−Si合金保護潤滑
膜を形成したものである。
製造方法は、炭化水素ガスイオン源あるいはフッ素化炭
素ガスイオン源によって励起、解離及びイオン化した雰
囲気で、磁気記録媒体層が設けられた基材にクラスター
イオンビーム法を施し、磁気記録媒体層に100〜10
00Åの厚さで炭素を含有するAl−Si合金保護潤滑
膜を形成したものである。
[作用]
この発明に係る磁気記録媒体は、表面に硬度と潤滑性に
富む炭素を含むAl−Si合金保護潤滑膜を設けること
により、磁気ディスク表面の保護膜の耐久性が従来の酸
化アルミニウムなど酸化物膜やカーボン膜に比べ格段に
強化され、信頼性が増加する。
富む炭素を含むAl−Si合金保護潤滑膜を設けること
により、磁気ディスク表面の保護膜の耐久性が従来の酸
化アルミニウムなど酸化物膜やカーボン膜に比べ格段に
強化され、信頼性が増加する。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の・一実施例による磁気記録媒体としての
磁気ディスクを示す断面図である。
図はこの発明の・一実施例による磁気記録媒体としての
磁気ディスクを示す断面図である。
図において、(1)はAl−Mg合金基材、(2)は磁
気記録媒体層の下地層、(3)は磁気記録媒体層、(4
)は炭素を含有したAl−Si合金保護潤滑膜である。
気記録媒体層の下地層、(3)は磁気記録媒体層、(4
)は炭素を含有したAl−Si合金保護潤滑膜である。
Al−Mg合金基材(1)の表面にN1−PあるいはN
1−Cu−Pメツキ膜を下地層(2)として成膜し鏡面
加工する。この基Hに対して、テープ研磨機を用い、ラ
ッピングテープW A # 6000、押し圧IKg、
基板回転数200rpm、テープ送り速度20mm/w
inの条件でテクスチャ加工を行った。この加J二によ
りRmax 500 A程度の基材(1)が得られる。
1−Cu−Pメツキ膜を下地層(2)として成膜し鏡面
加工する。この基Hに対して、テープ研磨機を用い、ラ
ッピングテープW A # 6000、押し圧IKg、
基板回転数200rpm、テープ送り速度20mm/w
inの条件でテクスチャ加工を行った。この加J二によ
りRmax 500 A程度の基材(1)が得られる。
実施例1
上記に示した基材(+)に磁気記録媒体層(3)として
、γ−Fetusをスパッタリング法により成膜した。
、γ−Fetusをスパッタリング法により成膜した。
さらに、この磁気記録媒体層(3)の上に保護潤滑膜(
4)を以下のような方法で形成した。 Al−Si合金
のターゲットと炭素のターゲットの2 fllをスパッ
タ装置内に配置し、スパッタリング法により磁気記録媒
体層(3)上にAl−Si合金と炭素を文′I′Lにシ
ャッタを開閉して積層した。この侍、磁気デ、fスク基
板を回転して積層させて成膜してちまい。Al−Si合
金ターゲ・ノドのSi含有量は11.7原子%である。
4)を以下のような方法で形成した。 Al−Si合金
のターゲットと炭素のターゲットの2 fllをスパッ
タ装置内に配置し、スパッタリング法により磁気記録媒
体層(3)上にAl−Si合金と炭素を文′I′Lにシ
ャッタを開閉して積層した。この侍、磁気デ、fスク基
板を回転して積層させて成膜してちまい。Al−Si合
金ターゲ・ノドのSi含有量は11.7原子%である。
炭素ターゲットはグラフフィトの焼結体を用いた。スパ
ッタ条件はRFパワーを300W/8インチ、A「圧力
3 mTorrで基板加熱は150℃にした。Al−S
iの膜厚は50(+入であった。炭素の含イイ率は20
原子%であった。
ッタ条件はRFパワーを300W/8インチ、A「圧力
3 mTorrで基板加熱は150℃にした。Al−S
iの膜厚は50(+入であった。炭素の含イイ率は20
原子%であった。
実施例2
1、記に示した基材(1)に磁気記録媒体層(3)とし
て、C0−Ni−Crをスパッタリング法により成膜し
た。さらに、この磁気記録媒体層(3)のEに保護潤滑
膜(4)を以下のような方法で形成した。 Al−Si
合金のターゲットと炭素のターゲットを用いて、2充電
子ビーム蒸着により同時に成膜した。
て、C0−Ni−Crをスパッタリング法により成膜し
た。さらに、この磁気記録媒体層(3)のEに保護潤滑
膜(4)を以下のような方法で形成した。 Al−Si
合金のターゲットと炭素のターゲットを用いて、2充電
子ビーム蒸着により同時に成膜した。
Al−Si合金ターゲットのSi含有量は11.7原子
%である。炭素ターゲットはグラファイトの焼結体を用
いた。蒸着条件は加速電圧10kV、電流100mA
。
%である。炭素ターゲットはグラファイトの焼結体を用
いた。蒸着条件は加速電圧10kV、電流100mA
。
基板温度150℃、Ar圧力1 mTorrにした。A
l−Si合金の膜厚は600Åであった。炭素の含有率
の制御は炭素ターゲットのシャッタの開閉によって行っ
た。供試ディスクのAI −Si!IQの炭素の含有率
は40原子%であった。
l−Si合金の膜厚は600Åであった。炭素の含有率
の制御は炭素ターゲットのシャッタの開閉によって行っ
た。供試ディスクのAI −Si!IQの炭素の含有率
は40原子%であった。
実施例3
L記に示した基材(+1に磁気記録媒体層(3) とし
て、Co−Ni−Crをスパッタリング法により成膜し
た。さらに、この磁気記録媒体層(3)の上に保護潤滑
膜(4)をCVD装置により形成した。 AI供給源と
してトリメチルアルミニウム(AI (C113) s
)、Si供給源としてシランガス(SiH4)、炭素供
給源としてメタンを用いた。基板な250℃に加熱し、
真空槽内を1.OX In−’Torr以下の真空度に
なるまで排気した後、反応性ガスとしてAI (C1(
,1,、シラン(SiH< )ガス、メタン(C1,)
ガスを導入した。
て、Co−Ni−Crをスパッタリング法により成膜し
た。さらに、この磁気記録媒体層(3)の上に保護潤滑
膜(4)をCVD装置により形成した。 AI供給源と
してトリメチルアルミニウム(AI (C113) s
)、Si供給源としてシランガス(SiH4)、炭素供
給源としてメタンを用いた。基板な250℃に加熱し、
真空槽内を1.OX In−’Torr以下の真空度に
なるまで排気した後、反応性ガスとしてAI (C1(
,1,、シラン(SiH< )ガス、メタン(C1,)
ガスを導入した。
ガス流に比は、(AI) : (Si) : (C)
=6 : 3:lにし、全圧力を5X 10−’To
rrにした。さらにIFパワーをIW/c−にした。以
上のような条件で基板(11上に炭素を含有するAI
−Si合金保護潤滑膜(4)を300人の膜厚で成膜し
た。この場合の酎−Si合金保護潤滑膜(4)中のSi
含グイ1績12原子%、炭素含有量は15原子%であっ
た。
=6 : 3:lにし、全圧力を5X 10−’To
rrにした。さらにIFパワーをIW/c−にした。以
上のような条件で基板(11上に炭素を含有するAI
−Si合金保護潤滑膜(4)を300人の膜厚で成膜し
た。この場合の酎−Si合金保護潤滑膜(4)中のSi
含グイ1績12原子%、炭素含有量は15原子%であっ
た。
実施例4
第2図は磁気記録媒体層(3)上に炭素を含有するAI
−Si合金保護潤滑膜(4)を形成するために用いる
イオンビーム蒸着装置の一実施例の概要を示す構成内で
ある0図において、(5)はクラスターイオンビーム発
生源であり、蒸気発生a(51)、イオン化手段(52
) 、及びイオンビーム加速手段(53)等を備えてい
る。蒸気発生源(5I)は、ルツボ(51a) 、この
ルツボ(51a)に収容されたAI −Si合金等の蒸
着物質(51b)をイイしている。
−Si合金保護潤滑膜(4)を形成するために用いる
イオンビーム蒸着装置の一実施例の概要を示す構成内で
ある0図において、(5)はクラスターイオンビーム発
生源であり、蒸気発生a(51)、イオン化手段(52
) 、及びイオンビーム加速手段(53)等を備えてい
る。蒸気発生源(5I)は、ルツボ(51a) 、この
ルツボ(51a)に収容されたAI −Si合金等の蒸
着物質(51b)をイイしている。
(6) はガスイオンビーム発生源であり、例えばメタ
ン(CH,) 、エチレン(CtlL) 、CF4等を
含むガスなどの反応性ガスを噴射するガス噴射ノズル(
61) 、この噴射ノズル(61)から噴射した反応性
ガスを励起、解離及びイオン化するイオン化手G (6
2) 、このイオン化手段(62)によって生成したガ
スイオンを、磁気記録媒体層(3)が形成されたディス
ク基板(7)の方向に加速するイオンビーム加速量4
(63) 、及びガスイオン源の内部をその回りの空間
よりも高いガス圧に保つシールド板(64)等を備えて
いる。また、イオン化手段(62)は電子ビーム引出し
電子4 (62a)と電子ビーム放出フィラメント(6
2b)を何している。このクラスターイオンビーム発生
源(5)、ガスイオンビーム発生源(6)及びディスク
基板(7)は、所定の真空度に保持された真空槽(図示
せず)内に納められている。
ン(CH,) 、エチレン(CtlL) 、CF4等を
含むガスなどの反応性ガスを噴射するガス噴射ノズル(
61) 、この噴射ノズル(61)から噴射した反応性
ガスを励起、解離及びイオン化するイオン化手G (6
2) 、このイオン化手段(62)によって生成したガ
スイオンを、磁気記録媒体層(3)が形成されたディス
ク基板(7)の方向に加速するイオンビーム加速量4
(63) 、及びガスイオン源の内部をその回りの空間
よりも高いガス圧に保つシールド板(64)等を備えて
いる。また、イオン化手段(62)は電子ビーム引出し
電子4 (62a)と電子ビーム放出フィラメント(6
2b)を何している。このクラスターイオンビーム発生
源(5)、ガスイオンビーム発生源(6)及びディスク
基板(7)は、所定の真空度に保持された真空槽(図示
せず)内に納められている。
次に上記のように構成されたイオンビーム蒸着装置によ
り、炭素を含有するAl−Si合金保護潤滑膜(4)を
形成する場合について説明する。Al−Si合金は例え
ばSi含有1911.7原子%としている。
り、炭素を含有するAl−Si合金保護潤滑膜(4)を
形成する場合について説明する。Al−Si合金は例え
ばSi含有1911.7原子%としている。
図示されていない真空排気系によって真空槽内が 1.
OX 10−’Torr以下の真空度になるまで排気
した後、反応性ガスとしてのメタンガスをガス噴射ノズ
ル(61)より導入し、電子ビーム放出フィラメント(
62a)からガス噴射ノズル(61)の下°流に配置さ
れている電子ビーム引出し電W4(グリッド) (6
2b)に電子を放出して、メタン(CH,)ガスを励起
、解離及びイオン化して非常に活性化された状態とする
。イオン化手段(62)とイオンビーム加速手段(63
)の間にバイアス電圧を印加して、イオンを引出しさら
に加速して、励起及び解離したメタン(CH,)ガスと
共に、ディスク基板(7)に照射する。一方、ルツボ(
51a)に充填された蒸着物質であるAl−Si合ft
(51b)を、蒸気発生1ll(51)内に設けられた
フィラメントにより加熱して、蒸気及びクラスターとし
て噴出させる。この蒸気及びクラスターは、イオン化手
段(52)で一部イオン化された後、イオンビーム加速
「0段(53)によって加速され、イオン化されていな
い中性の蒸気及びクラスターと共にディスク基板(7)
に運ばれ、ディスク基板(7)近傍に仔在する励起、解
離及びイオン化したメタンガスと化学反応を起こし、デ
ィスク基板(1)上に炭素を含有するAl−Si合金保
護潤滑膜(4)が形成される。
OX 10−’Torr以下の真空度になるまで排気
した後、反応性ガスとしてのメタンガスをガス噴射ノズ
ル(61)より導入し、電子ビーム放出フィラメント(
62a)からガス噴射ノズル(61)の下°流に配置さ
れている電子ビーム引出し電W4(グリッド) (6
2b)に電子を放出して、メタン(CH,)ガスを励起
、解離及びイオン化して非常に活性化された状態とする
。イオン化手段(62)とイオンビーム加速手段(63
)の間にバイアス電圧を印加して、イオンを引出しさら
に加速して、励起及び解離したメタン(CH,)ガスと
共に、ディスク基板(7)に照射する。一方、ルツボ(
51a)に充填された蒸着物質であるAl−Si合ft
(51b)を、蒸気発生1ll(51)内に設けられた
フィラメントにより加熱して、蒸気及びクラスターとし
て噴出させる。この蒸気及びクラスターは、イオン化手
段(52)で一部イオン化された後、イオンビーム加速
「0段(53)によって加速され、イオン化されていな
い中性の蒸気及びクラスターと共にディスク基板(7)
に運ばれ、ディスク基板(7)近傍に仔在する励起、解
離及びイオン化したメタンガスと化学反応を起こし、デ
ィスク基板(1)上に炭素を含有するAl−Si合金保
護潤滑膜(4)が形成される。
この実施例の場合、Al−Si合金保護潤滑膜(4)の
含有炭素量はzoRP%であり、膜厚は400八であっ
た。
含有炭素量はzoRP%であり、膜厚は400八であっ
た。
比較例1
上記に示した基材(1)に磁気記録媒体層(3)として
、γ−Fearsをスパッタリング法により成膜した。
、γ−Fearsをスパッタリング法により成膜した。
この磁気記録媒体層(3)の土に酸化アルミニウム膜を
スパッタリング法により成膜した。スパッタリング法の
条件はほぼ実施例1と同様である。酸化アルミニウムの
膜厚は500八にした。
スパッタリング法により成膜した。スパッタリング法の
条件はほぼ実施例1と同様である。酸化アルミニウムの
膜厚は500八にした。
比較例2
上記に示した基材(1)に磁気記録媒体層(3)として
、Co−Ni−Crをスパッタリング法により成膜した
。この磁気記録媒体層(3)の土にカーボン膜をスパッ
タリング法により成膜した。スパッタリングの条件はR
Fパワー3110 W75.26インチ、 Ar圧力5
mTorrで基板加熱は行わなかった。
、Co−Ni−Crをスパッタリング法により成膜した
。この磁気記録媒体層(3)の土にカーボン膜をスパッ
タリング法により成膜した。スパッタリングの条件はR
Fパワー3110 W75.26インチ、 Ar圧力5
mTorrで基板加熱は行わなかった。
これらの比較例を含めた磁気ディスクの初期特性を表に
示す、実施例1.2.3.4による磁気ディスクと比較
例1.2による磁気ディスクの表面に、3370形フエ
ライトヘツトを接触させ静摩擦係数を測定した。実施例
1による磁気ディスクでは0.I8、実施例2による磁
気ディスクでは0.20、実施例3による磁気ディスク
では0.22、実施例4による磁気ディスクでは0.2
0、比較例1による磁気ディスクでは0.58、比較例
2による磁気ディスクでは019であった。比較例1を
除いて良好な特性を示した。
示す、実施例1.2.3.4による磁気ディスクと比較
例1.2による磁気ディスクの表面に、3370形フエ
ライトヘツトを接触させ静摩擦係数を測定した。実施例
1による磁気ディスクでは0.I8、実施例2による磁
気ディスクでは0.20、実施例3による磁気ディスク
では0.22、実施例4による磁気ディスクでは0.2
0、比較例1による磁気ディスクでは0.58、比較例
2による磁気ディスクでは019であった。比較例1を
除いて良好な特性を示した。
表
また、磁気ディスクの耐久試験であるC3S試験を行っ
た。ヘッドとしてはスライダ材料がサファイアである3
370形ヘツドを使用した。第3図はC5S試験を行っ
た結果を示しており、縦軸は初期再生出力を1とした規
格化再生出力、横軸はC8S回数(XIO’)をとっで
ある。図中○印を結ぶ線はこの発明の実施例I、2,3
.4によるディスクの場合、×印を結ぶ線は比較例1に
よるディスクの場合、Δ印を結ぶ線は比較例2によるデ
ィスクの場合を示している。
た。ヘッドとしてはスライダ材料がサファイアである3
370形ヘツドを使用した。第3図はC5S試験を行っ
た結果を示しており、縦軸は初期再生出力を1とした規
格化再生出力、横軸はC8S回数(XIO’)をとっで
ある。図中○印を結ぶ線はこの発明の実施例I、2,3
.4によるディスクの場合、×印を結ぶ線は比較例1に
よるディスクの場合、Δ印を結ぶ線は比較例2によるデ
ィスクの場合を示している。
この発明の実施例【、2,3.4によるディスクの場合
には、C3S 20000回においても再生出力の低下
は認められなかった。これに対し、比較例1.2では当
初再生出力の低下は認められないものの、比較例1では
CS S 1500回前後から次第に再生出力が低トし
始め、C3S 10000回前後でヘッドクラッシュ
を起こした。比較例2ではヘッドクラッシュを起こさな
かったが、再生出力の低下が太きくC3812000回
では初期の50%になった、 以上のように、従来の保護膜では実現できなかった硬度
と潤滑性を備えた保護膜がこの実施例における炭素を含
有するAI Si合金保護潤滑膜(4)によって達成
できた。
には、C3S 20000回においても再生出力の低下
は認められなかった。これに対し、比較例1.2では当
初再生出力の低下は認められないものの、比較例1では
CS S 1500回前後から次第に再生出力が低トし
始め、C3S 10000回前後でヘッドクラッシュ
を起こした。比較例2ではヘッドクラッシュを起こさな
かったが、再生出力の低下が太きくC3812000回
では初期の50%になった、 以上のように、従来の保護膜では実現できなかった硬度
と潤滑性を備えた保護膜がこの実施例における炭素を含
有するAI Si合金保護潤滑膜(4)によって達成
できた。
なお、Al−Si合金保護潤滑膜の膜厚は100人以f
fは均一・な膜にはなっておらず、1000人以−ヒで
は磁気ヘッドと磁気ディスクの磁気記録媒体までの距離
が広がりif¥生出力出力下するという悪影響が出てく
る。このため、Al−Si合金保護潤滑膜の膜厚は【0
0〜1000人が適している。特に成膜のしやすさ、均
一性、再生出力からは300〜800人が望ましい。
fは均一・な膜にはなっておらず、1000人以−ヒで
は磁気ヘッドと磁気ディスクの磁気記録媒体までの距離
が広がりif¥生出力出力下するという悪影響が出てく
る。このため、Al−Si合金保護潤滑膜の膜厚は【0
0〜1000人が適している。特に成膜のしやすさ、均
一性、再生出力からは300〜800人が望ましい。
上記実施例ではAI −Si合金保護潤滑膜のSi含有
率は目〜12原子%の場合について説明したが、5〜3
0原子%の範囲であればよく上記実施例と同様の効果を
奏する。
率は目〜12原子%の場合について説明したが、5〜3
0原子%の範囲であればよく上記実施例と同様の効果を
奏する。
また、上記実施例では炭素含有率が15原子%、20原
子%、40原子%の場合について説明したが、5〜50
原子%の範囲であればよく上記実施例と同様の効果を奏
する。
子%、40原子%の場合について説明したが、5〜50
原子%の範囲であればよく上記実施例と同様の効果を奏
する。
上記実施例では反応ガスとしてメタンの場合について説
明したが、他のエタン、エチレン、アセチレンなどの炭
化水素系ガス、CF4、ClIF5なとのフッ素化炭素
系ガス、ベンゼン、トルエンなどのス化しやすい炭化水
素系液体などであってもよく上記実施例と同様の効果を
奏する。
明したが、他のエタン、エチレン、アセチレンなどの炭
化水素系ガス、CF4、ClIF5なとのフッ素化炭素
系ガス、ベンゼン、トルエンなどのス化しやすい炭化水
素系液体などであってもよく上記実施例と同様の効果を
奏する。
また、上記実施例では反応ガスとしてシランくSiHn
)ガスの場合に−)いて説明したが、他のテトラメチル
シラン(Si(CHa)4)−テトラエチルシランなど
の気体状、あるいは減圧状態で気体化するシリコン化合
物であってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
)ガスの場合に−)いて説明したが、他のテトラメチル
シラン(Si(CHa)4)−テトラエチルシランなど
の気体状、あるいは減圧状態で気体化するシリコン化合
物であってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
上記実施例では磁気記録媒体がγ−Fe、O,の場合に
ついて説明したが、他のCr0tのような金属酸化物媒
体であってもよ< 、1−記実施例と同様の効果を奏す
る。
ついて説明したが、他のCr0tのような金属酸化物媒
体であってもよ< 、1−記実施例と同様の効果を奏す
る。
また、上記実施例では磁気記録媒体がCo−Ni−Cr
の場合について説明したが、他のCo−Ni、Go−C
r、 Co−P 、 Co−N1−P 、 Fe−N
、 Fcなどの合金媒体、金属媒体であってもよ<−h
記実施例と同様の効果を奏する。
の場合について説明したが、他のCo−Ni、Go−C
r、 Co−P 、 Co−N1−P 、 Fe−N
、 Fcなどの合金媒体、金属媒体であってもよ<−h
記実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例ではN1−Pメツキ膜、N1−Cu−
Pメツキ膜の場合について説明したが、他のアルマイト
膜などであってもよく上記実施例と同様の効果を奏する
。
Pメツキ膜の場合について説明したが、他のアルマイト
膜などであってもよく上記実施例と同様の効果を奏する
。
[′9S明の効果]
以にのように、この発明によれば、基Hに設けた磁気記
録媒体層、及び磁気記8媒体層に100〜1000入の
厚さで設けた、炭素を含有する酎−Si合金保護潤滑膜
を備えたことにより、磁気記録媒体を保護し、磁気ディ
スクと磁気へラドスライダ間の摩擦力を低く抑えること
ができ、十分に耐久性および信頼性の高い磁気記録媒体
が得られる効果がある。
録媒体層、及び磁気記8媒体層に100〜1000入の
厚さで設けた、炭素を含有する酎−Si合金保護潤滑膜
を備えたことにより、磁気記録媒体を保護し、磁気ディ
スクと磁気へラドスライダ間の摩擦力を低く抑えること
ができ、十分に耐久性および信頼性の高い磁気記録媒体
が得られる効果がある。
また、この発明の別の発明によれば、炭化水素系ガス雰
囲気あるいはフッ素化炭素ガス雰聞気中で、磁気記録媒
体層が設けられた基材にクラスターイオンビーム法を施
し、磁気記録媒体層に100〜100DAの厚さで炭素
を含有するAl−Si合金保護潤滑膜金属合金を形成し
たことにより、十分に61久性および信頼性の高い磁気
記録媒体が得られる製造方法が提供できる効果がある。
囲気あるいはフッ素化炭素ガス雰聞気中で、磁気記録媒
体層が設けられた基材にクラスターイオンビーム法を施
し、磁気記録媒体層に100〜100DAの厚さで炭素
を含有するAl−Si合金保護潤滑膜金属合金を形成し
たことにより、十分に61久性および信頼性の高い磁気
記録媒体が得られる製造方法が提供できる効果がある。
また、この発明のさらに別の発明によれば、炭化水素ガ
スイオン源あるいはフッ素化炭素ガスイオン源によって
励起、解離及びイオン化した雰囲スで、fa rA記録
媒体層が設けられた基材にクラスターイオンビーム法を
施し、磁気記録媒体層に1no−111[10人の厚さ
で炭素を含44するAl−Si合金保護潤滑膜金属合金
を形成したことにより、十分に耐久性および信頼性の高
い磁気記録媒体が得られる製造方法が提供できる効果が
ある。
スイオン源あるいはフッ素化炭素ガスイオン源によって
励起、解離及びイオン化した雰囲スで、fa rA記録
媒体層が設けられた基材にクラスターイオンビーム法を
施し、磁気記録媒体層に1no−111[10人の厚さ
で炭素を含44するAl−Si合金保護潤滑膜金属合金
を形成したことにより、十分に耐久性および信頼性の高
い磁気記録媒体が得られる製造方法が提供できる効果が
ある。
第1図はこの発明の一実施例による磁気記録媒体を示す
断面図、第2図はその製造装置の一実施例を示す構成図
、第3図はこの発明により得られた磁気ディスクと、従
来の磁気ディスクそれぞれに加速試験を行った結果を示
し、C8S回数と再生出力の関係を示す特性図である。 (1)・・・Al−Mg合金基材、(3)・・・磁気記
録媒体層、(4)・・・炭素を含有するAl−Si合金
保護潤滑膜金属合金、(5)・・・クラスターイオンビ
ーム発生源、(6)・・・ガスイオンビーム発生源。 第2図 第 図 1:基材 2:磁気記録媒体層 3:炭素を含有したA/−Si合金 保護潤滑膜
断面図、第2図はその製造装置の一実施例を示す構成図
、第3図はこの発明により得られた磁気ディスクと、従
来の磁気ディスクそれぞれに加速試験を行った結果を示
し、C8S回数と再生出力の関係を示す特性図である。 (1)・・・Al−Mg合金基材、(3)・・・磁気記
録媒体層、(4)・・・炭素を含有するAl−Si合金
保護潤滑膜金属合金、(5)・・・クラスターイオンビ
ーム発生源、(6)・・・ガスイオンビーム発生源。 第2図 第 図 1:基材 2:磁気記録媒体層 3:炭素を含有したA/−Si合金 保護潤滑膜
Claims (3)
- (1)基材に設けた磁気記録媒体層、及び上記磁気記録
媒体層に100〜1000Åの厚さで設けた、炭素を含
有するAl−Si合金保護潤滑膜を備えたことを特徴と
する磁気記録媒体。 - (2)炭化水素系ガス雰囲気あるいはフッ素化炭素ガス
雰囲気で、磁気記録媒体層が設けられた基材にクラスタ
ーイオンビーム法を施し、上記磁気記録媒体層に100
〜1000Åの厚さで炭素を含有するAl−Si合金保
護潤滑膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。 - (3)炭化水素ガスイオン源あるいはフッ素化炭素ガス
イオン源によって励起、解離及びイオン化した雰囲気で
、磁気記録媒体層が設けられた基材にクラスターイオン
ビーム法を施し、上記磁気記録媒体層に100〜100
0Åの厚さで炭素を含有するAl−Si合金保護潤滑膜
を形成したことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20311789A JPH0369012A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20311789A JPH0369012A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0369012A true JPH0369012A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16468684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20311789A Pending JPH0369012A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0369012A (ja) |
-
1989
- 1989-08-05 JP JP20311789A patent/JPH0369012A/ja active Pending
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