JPH0368671A - シード層生成組成物 - Google Patents

シード層生成組成物

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JPH0368671A
JPH0368671A JP11497690A JP11497690A JPH0368671A JP H0368671 A JPH0368671 A JP H0368671A JP 11497690 A JP11497690 A JP 11497690A JP 11497690 A JP11497690 A JP 11497690A JP H0368671 A JPH0368671 A JP H0368671A
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JP11497690A
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Michael George Firmstone
マイケル・ジョージ・ファムストーン
Andrew Lindley
アンドリュー・リンドレイ
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AMP AKZO JV Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は金属回路部材の基板への接着性を促進するシー
ド(種)層を生成するための組成物に関するものである
実質的に1種の不活性金属のシード層を用いて、高密度
電気回路の金属部材の基板への接着性、例えばセラミッ
ク基板への銅導電路の接着性、を促進させることは知ら
れている。そのような層は、微量(く2%w / w 
)のビスマスおよびロジウムのような金属、および極微
Iの白金および銀のような金属を含有する金よりなるも
のである。そのようなシード層は、有機金化合物、微量
金属の有機化合物、樹脂誘導体および液体ベヒクルより
なる液体組成物を、好ましいパターンで基板に施しく例
えば、スクリーン印刷によって)、次に被覆した基板を
燃焼して前記組成物を熱分解し、そして基板に密着して
いる対応するパターンの金のシード層を得ることによっ
て製造することも知られている。
このようにして製造された一般的なシード層は、それら
の物性に悪い影響を及ぼす傾向がある。これらの−殻内
なシード層の欠点の1つは、緩やかに上昇させた一般的
な操作温度で使用し、そして十分に回路の操作耐用年数
内であっても、この層と基板との間の接着性が極端に弱
くなる傾向にあることである。この効果は、導電路とそ
のシード層が基板から結合したままそっくり簡単に剥離
してしまうほど著しいことがある。
予想外にも我々はこのたび、基板上に生成するシード層
の物理特性をすぐれたものにする組成物を提供すること
が可能であることを見出だした。
特に、そのような組成物は、接着性が弱まるという不都
合なことが上記のように生じないシード層の生成を可能
にするものである。
従って、第1の態様において、本発明は、金のシード層
を電気回路用の基板上に生成するための液体組成物を提
供するのもであり、この組成物は、有機金化合物および
、金100重量部当たり0.5〜10重量部の銀を含む
有機銀化合物よりなるものである。金100重量部当た
り、0.8〜6重量部の銀を含む組成物が好ましい。
銀含有物を別にすると、本発明の組成物は全く一般的な
ものである1本発明の組成物は、上記のように基板表面
で燃焼すると、基板への接着性が特にすぐれ、そしてこ
の後でシード層上に施す回路導電路に一般的に用いられ
るどのような金属、例えば銅または金(特に銅)、にも
良好に接着することができるシード層を生成する。ここ
に詳しく記載する組成物、すなわちここに詳しく記載す
る成分よりなる組成物は特にこの種のすぐれた特性を有
する。              ′従来の組成物と
同じように、本組成物は一般に金属化合物の他に樹脂ま
たは重合体よりなる。化合物および/または樹脂または
重合体の分子量は十分に小さく、関連成分は周囲温度で
液体(すなわち液体またはゲル)であり、そして組成物
に対して液体ベヒクルとして作用する。しかしながら、
このような場合は一般にはあまりなく、組成物はさらに
他の組成物成分のための液体マトリックスとしての液体
有機ベヒクルよりなる。そのような組成物成分は全て相
互に可溶性であるのが特に好ましい。
全成分が相互に可溶性である組成物は、都合のよいこと
に均質性となりやすく、好ましい物理特性が高められた
シード層を生じる。
本組成物では、樹脂または重合体および任意のベヒクル
を、相溶性、および本組成物を被覆する無機基板との適
合性がすぐれたものとなるよう選択しなければならない
、ここに詳しく記載する組成物の成分およびここに詳し
く記載する組成物はそのようなすぐれた相溶性および適
合性を有する。
同様な本組成物、および成分化合物、樹脂または重合体
およびベヒクルはまた、異なる基板材料との必要とされ
る適合性を有するばかりでなく、そのような広い範囲の
材料で転用できるものである。後で述べるように、基板
表面を構成するのに適した材料の1種は、セラミック、
ガラスまたはガラス−セラミックよりなる。他の適当な
種類は高融点プラスチックよりなるものである。
上記および下記の一般的なガイドライン内で、適した組
成物、および成分化合物、樹脂または重合体および任意
のベヒクルは目常的試験によって決めることができる。
前記の適合性基準を満たしていれば、本発明の被覆組成
物中の有機銀化合物の正確な性質は重要ではない。
そのような種類の1つは、鎖部分が(一般にはチオ、ポ
リチオまたはカルボキシレート橋を経て)炭化水素部分
に結合しているものである。炭化水素部分はかなり大き
い炭化水素部分、例えばCa−16炭化水素のような0
8−4゜炭化水素、であるのが好ましい。
組成物成分の好ましい相互適合性および/または相互可
溶性を高めるためには、そのような炭化水素はかなり大
きなものとなる他に、分岐の多いおよび/または(多)
環状構造を含むものとなる傾向がある。これらはまた不
飽和のものでもよい。
そのような化合物は、銀、スルホレジネート、銀テルペ
ンメルカプチドとしても知られている銀テルペンスルフ
ィド、および銀のアリールメルカプチドよりなる。好ま
しいアリール部分は、この種の化合物について前に記し
た通りである6さらに適した化合物は、銀のアルカノエ
ート、詳しくは銀の多分岐長鎖アルカノエート、特にカ
ルボキシレート官能基が第2または第3炭素原子(特に
第3炭素原子)に付いているもの、例えばC8−16第
3アルカノエートのようなもの(例えば銀ネオデカノエ
ート)よりなる。そのようなアルカノエート部分は、例
えばデカノイル部分では、ノナノイルおよびウンデカノ
イル部分が存在するが、デカノイル部分が過半量である
分子量カットとして存在する傾向にある。同様に、ネオ
デカノイル部分は、他の異性体が存在するが、これが過
半量となる傾向にある。
前記の記載から、そのような化合物の適したものは、銀
スルホレジネートおよび銀ネオデカノエートよりなる。
前記の適合性基準が満たされれば、本被覆組戒物中の有
機金化合物の正確な性質は重要ではない そのような種類のものは、金(1)部分が(−般に、チ
オまたはポリチオ橋を経て)炭化水素部分に結合してい
るものである。
組成物成分の好ましい相互適合性および/または相互可
溶性を高める傾向にあるので、炭化水素部分はかなり大
きい炭化水素部分、例えばCS−+a炭化水素(特にC
、、,6炭化水素)のようなCa−4o炭化水素である
のが好ましい。
同じ理由で、そのような炭化水素は多分岐のものおよび
/または(多)環状構造を含むものになる傾向にある。
これらはまた、不飽和のものでもよい。
上記のことから、そのような化合物の適したものは、金
テルペンメルカプチドとしても知られている金(T)テ
ルペンスルフィドであることは明らかであろう。
金テルペンスルフィドの例には、金ジペンテンスルフィ
ド、特に(多)環状テルペンの金スルフィド、例えば金
α−ピネンスルフィド、金β−ピネンスルフィド、金テ
ルピルンスルフイド、金メンテンスルフィド、金カンフ
エンスルフィドおよび金Δ3−カレンスルフィドがある
この種の化合物にはα−チオテルピネオール、β−チオ
テルピネオールおよびチオボルネオールの金メルカプチ
ドも含まれる。
他の適した種類は金のアルキルメルカプチド、特に金の
多分岐長鎖アルキルメルカプチド、特にメルカプチド官
能基が第2または第3炭素原子(特に第3炭素原子)に
付いているもの、例えばCa−16第3アルキルまたは
CI2−16第3アルキルメルカプチドのようなもの、
例えば金第3ドデシル、テトラデシルおよびヘキサデシ
ルメルカプチドよりなる。そのようなアルキル部分は例
えばドデシル部分では、ウンデシルおよびトリデシル部
分が存在するが、ドデシル部分が過半量である分子量カ
ットとして存在する傾向にある。
アルキル部分がドデシルである場合、過半量のドデシル
部分は、2.2.4.6.6−ペンタメチルヘプト−4
−イル(2,2−ビスネオペンチルエチル)および2.
4.4.6.6−ペンタメチル−ヘプト−2−イル異性
体物質が過半量と思われる異性体混合物として公知の製
造法で得られる。
第3の適した種類のそのような化合物は、金(T)のア
リールメルカプチドよりなる。好ましいアリール部分は
、この種の炭化水素について前に記した通りである。
別の適したそのような化合物には、有機酸アニオンとの
金(T T T)複合体、例えばアルカン酸アニオンお
よび/または窒素を含んだ塩基、例えば芳香族塩基アニ
オンが含まれる。この種のものはビス(2−エチル−4
−メチル−イミダゾール)−テトラキス−(2−エチル
−ヘキサノエト)ジゴールド(T T T)のような化
合物よりなる。
第3の適した種類の化合物には、金(T)部分が(一般
に直接)複素環部分のCまたはN原子に結合している化
合物、例えばビリジ−2−イルゴールド(丁)および1
.2.3−トリアゾイルゴルド(T)が含まれる。
特に有用な化合物には、金第3ドデシルメルカプチドが
ある。
木組酸物のあるものでは、金化合物は、樹脂または重合
体の熱分解温度よりも少なくとも200℃低い、好まし
くは少なくとも250℃低い熱分解温度を有する。(こ
こで使用する「分解温度」とは、材料中の全有機物質の
90重量%が失われるTGAトレース時点を意味し、そ
のようなT0Aトレースは全て、できるだけ同一の条件
下で測定する)。本発明の組成物は主に空気中での燃焼
で得られるので、分解温度は空気中で測定したものであ
る。
しかしながら、組成物および基板の加熱または燃焼は、
場合によっては窒素のような不活性雰囲気中で行なうこ
とがあり、この場合、分解温度は空気中におけるよりも
高くなる傾向にある。
金属化合物はどのような媒体中においても100〜35
0’Cの範囲の分解温度、好ましくは樹脂または重合体
の分解温度より少なくとも200℃下、さらに好ましく
は少なくとも250℃下の分解温度を有しているのが好
ましい。
上記の基準を満たしかつ他の組成物成分および基板材料
と適合する適当な化合物は、前に挙げた化合物である。
前記の適合性基準を満たしていれば、本発明の第1の態
様の被覆組成物中の樹脂または重合体の正確な性質は重
要ではない。
上記のことから、「樹脂または重合体」という語の範囲
には、あらゆる種類の天然樹脂および合成樹脂および樹
脂誘導体が含まれることは明らかであろう1合成樹脂の
あるものは重合体であるということも明らかであろう、
また、この語の範囲には、単独重合体および共重合体、
オリゴマf[1合体およびオリゴ縮合体も含まれる。
「共重合体」はどのような種類(ランダム、ブロックま
たはグラフト)のものでもよい。樹脂誘導体または重合
体は架橋性のものまたは架橋したものまたはどちらでも
ないものでもよく、そして硬化剤を含有していてもよい
金の化合物と同様に、樹脂または重合体は純粋であるの
はめずらしく、しばしば同種の混合物の分子量カットの
ものよりなる。
使用しつる物質には、ロジンおよびアスファルト(ギル
ソナイト)、そして熱可塑性エポキシ樹脂(エビクロロ
ヒドリンとビスフェノールAとを硬化剤と共に反応させ
た反応生成物)およびアクリル樹脂のような合成樹脂が
ある。他の物質にはエチルセルロースのようなセルロー
ス誘導体がある。
樹脂または重合体は、同じ周囲媒体中で、有機金属化合
物の熱分解温度より少なくとも200℃上の、好ましく
は少なくとも250℃上の熱分解温度を有するものが好
ましいが、これらについて前に述べたように、媒体は変
えてもよい。
樹脂または重合体は、どのような媒体中でも、150〜
1000℃、好ましくは400〜550℃の範囲の熱分
解温度を有するものが好ましい。
好ましい樹脂または重合体についての上記基準を満たし
、かつここで挙げた他の組成物成分および基板材料と適
合しつる材料からなる適した種類の樹脂または重合体に
は、以下の単独重合体および相互共重合体そしてこれら
とスチレンのような芳香族ビニル化合物との共重合体が
含まれる。
(これらの重合体のあるものは、合成樹脂である)ニ ジエン類、例えばブタジェン、イソプレン、1.5−シ
クロオクタジエンおよびこれらの混合物; コロホニー ロジン;および アスファルト類、例えばギルソナイト。
有用な重合体には、ポリ(ブタジェン)のようなポリジ
エン類がある。
特に有用な重合体には、例えばこれらのジエン類と1.
5−シクロオクタジエンとの共重合体、ブタジェン−ア
クリロニトリル共重合体、およびアクリル系誘導体との
、特にスチレンとの共重合体がある。
ポリ(ブタジェン)およびブタジェン−スチレン共重合
体、例えばカリフレックス系(シェル社)、が最も好ま
しい重合体である。
別の好ましい種類の樹脂または重合体には、ポリフェニ
レンのようなポリ芳香族類のものが考えられる。さらに
適したものには、芳香族ポリアミドおよび類似のボリイ
政ドを含めた高融点または高分解温度ポリアミドがある
と考えられる。さらに適したものは、エーテル、ケトン
および/またはスルホン橋で中断されたポリ芳香族主鎖
を含有する他の樹脂または重合体、例えば101社で販
売されているPEEK、PEKおよびP F、 Sが考
えられる。
適した種類の樹脂には、合成樹脂、例えば熱硬化性エポ
キシ樹脂(例えば、エピクロルヒドリンとビスフェノー
ルAとを硬化剤と共に反応させた反応生成物)およびア
クリル樹脂が含まれると考えられる。
この分野に詳しい人であれば、適した有機金属化合物の
(公知の)分解温度と比べた分解温度の範囲および下記
の処理条件から、さらに適したそして好ましい樹脂また
は重合体は明らかになるであろう。
樹脂または重合体はまたしばしば、例えばスクリーン印
刷によって好ましい(保持)パターンで基板に施すのに
適した粘性を組成物に与える能力(ベヒクルと共に)と
いう点でも選択されるが、これは−殻内な増粘剤および
シキソトロープ剤、例えば他の樹脂または重合体(さら
に後記するような)、を含有させることによっても得ら
れる。
主要樹脂または重合体のみを用いて粘度を調整するなら
ば、この性質は、この分野に詳しい人に公知の方法で、
樹脂または重合体の平均分子量によって判定するのが一
般的である。
スクリーン印刷によって塗布する場合のシード層組成物
は、2.5rpmにて20〜2000ps1好ましくは
200〜1. OOOp sの粘度を有するものが好ま
しい。
様々な種類のこれらの材料の場合、重合体は存在するど
のようなベヒクルおよび/または有機金化合物(あるい
はこの逆も同じ)にも可溶性であるのが好ましい。
前記樹脂または重合体は公知の種類の材料に属する。前
述の大部分の樹脂または重合体は、組成物成分として単
独にあるいは混合物として使用しつる。組成物のレオロ
ジーを調整する上で都合がよいため、同族混合物がしば
しば用いられる。
組成物の流動学的パラメーターはまた(樹脂または重合
体の分子量と共に変化する他に)、組成物中に存在する
液体の量、従って存在する任意の有機ベヒクル、と共に
この分野に詳しい人には明らかな様子で変化する。ベヒ
クルは本発明の組成物中に通常は存在させる。これはし
ばしば有機液体混合物である。
そのようなベヒクルは普通、化学的に不活性なものであ
り、好ましくは低毒性のものにすべきである。かなり高
沸点のものあるいは高沸点を有するものの混合物が好ま
しく、沸点は、燃焼工程の初期段階に基板上の組成物か
らベヒクルを除去するというなくてはならない工程をコ
ントロールする上で重要である。150〜250℃の範
囲の沸点であるのが好ましい。
適当なベヒクルには以下のものおよびこれらの適した混
合物がある: 芳香族化合物、例えばキシレンおよび高沸点石油留分、
例えばアロマゾールH(Te3社);置換芳香族系誘導
体、例えばニトロベンゼンおよび0−ニトロトルエン;
脂肪族系誘導体および精油、例えば高沸点石油留分、テ
ルペン、例えばα−およびβ−ピネン、ジピネンおよび
酸化ジペンテン、およびローズマリー ラベンダー フ
ェンネル、サツサフラス、ウィンターグリーンおよびア
ニス油および樟脳およびテレピン;アルコールおよびア
ルコール混合物、例えばイソデカノール、ブチルカルピ
トール(ユニオン・カーバイド社)、テルペンアルコー
ル(例えばα−テルピネオールおよびα、β−テルピネ
オール、シネオール)およびセロソルブ(ユニオン・カ
ーバイド社); エステルおよびエステル混合物、例えばブチルカルピト
ールアセテート(ユニオン・カーバイド社)、ブチルオ
キザレート、ジブチルフタレート、ジブチルベンゾエー
トおよびブチルセロソルブアセテート(ユニオン・カー
バイド社)。
好ましいベヒクルまたはベヒクル成分には、α−テルピ
ネオール、ブチルカルピトールおよびアロマゾールHが
ある。
しかしながら、上記材料よりなるベヒクルは他の組成物
成分全部を十分に溶解しない。
化合物および/または樹脂または重合体の溶液を改善す
るには、良溶媒ではあるが沸点が比較的低いので好まし
くない他のベヒクル成分を含める必要がある。
そのような低沸点ベヒクルの例は、ジクロロメタン、ク
ロロホルムおよび四塩化炭素のような塩素化溶媒、メチ
ルエチルケトンのようなケトン類、エチル、ブチルおよ
びアミルアセテートのようなエステル類、イソプロパノ
ールおよびブタノールのようなアルコール類、トルエン
のような芳香族系誘導体、およびC5−8留分のような
低沸点石油エーテル類である。
本発明の組成物では、樹脂または重合体に対するおよび
任意のベヒクルに対する有機金化合物の割合を変えるこ
とができ、0常的試験によって最適なものを選んで、組
成物の物理特性を好ましいものにすることができる。
そのような好ましい特性とは、例えば生成シード層のす
ぐれた被覆および/または結合性、例えば層中の金の構
造および表面特性である。
組成物中の金化合物の割合は20〜50%、例えば25
〜30%W / Wであり、銀化合物の割合は、金10
0重量部当たり、銀が0.5〜10重量部である。銀は
、金100重量部当たり、0゜8〜6重量部の量で存在
するのが好ましい、金は一般には、組成物の5〜25、
好ましくは10〜20%w/Wで存在させる。
一般的には同化合物は各金属を個々に15〜55%、例
えば25〜55%w / wで含有し、その結果(前記
基準に従って)銀化合物は一般に0゜025〜0.5%
w / w 、好ましくは0.04〜0.3%w / 
wで存在する1両金属は全て通常は各化合物の熱分解で
放たれる。
樹脂または重合体の割合は1〜55%、好ましくは5〜
20%W/Wであり、ベヒクルの割合は50%w / 
w以下である。
固体成分のベヒクル中での分散性は、上記の範囲内で、
それらが適切にかつ均一に分散するのに十分なものでな
ければならない、この分野に詳しい人であれば、このパ
ラメーターから上記材料の好ましい割合は明らかになる
であろう。
本発明の組成物は通常、空気中で燃焼させる。
従って、空気中で燃焼させるシード層組酸物において一
般的な他の成分、例えばシード層の仕上がりを改良する
ための微量の他の金属の有機金属化合物(いわゆる金フ
ラックス)を含有させる。
そのような物質は、相当する金属と、前に金および銀化
合物について記した種類の有機部分との、あるいはロジ
ンとの化合物である。存在させつる一般的な金フラック
スには以下のものがある一般に7%w / w以下のビ
スマスフラックス(例えば、いわゆるビスマスカルボキ
シレートまたはビスマスサブニトレートとロジンとの反
応生成物); 一般に2%W / W以下のロジウムフラックスまたは
レジネート(例えば、いわゆるロジウムカルボキシレー
ト、またはレジネート、すなわち塩化ロジウムとテルペ
ンスルフィドとの反応生成物)一般に1%W / W以
下のクロムフラックス(例えばジケトネート複合体とし
て)、一般にそれぞれ】%W/W以下の鉛、カドミウム
、錫、銅、コバルト、アンチモンおよびバナジウムフラ
ックス(例えば関連する金属酸化物とロジンとの反応生
成物)、および珪素フラックス;および一般に少なくと
も0.1%未満のパラジウムおよび白金フラックス。
本発明の組成物には他の一般的な成分、例えば一般に1
0%w/w以下の酢酸酪酸セルロース、ニトロセルロー
ス、バーチエム(Perchem) X T(バーチエ
ム社)およびシキサトロール(ThixaLrol)S
 T (N Lインダストリーズ社)のようなシキソト
ロープ剤または増粘剤;白色石油ゼリーおよび白色鉱油
、ジオクチルフタレート、サフラワー油およびシリコー
ン油のような粘着防止剤(−般に、]0%w/w以下)
;一般に5%w/w以下のシリコーン系誘導体およびア
クリル系誘導体[例えば、モダフロー(Modaflo
w) 、マルチフロー(モンサント社)]のような流動
性補助剤;および溶媒可溶性染料、例えばジスバーゾル
レッド4G−PCおよびネイビー5R−PC(TCT社
)のような目に見えるようにする可視化補助剤(一般に
0,1%w/w以下)を含有させてもよい。
第2の態様において、本発明は、本発明の組成物の製法
を提供するものであり、その方法は、有機金化合物、金
100重量部当たり、0.8〜10重量部の銀が組成物
中に存在するような有機銀化合物、樹脂または重合体、
および任意の有機液体ベヒクルを均質に混合することよ
りなるものである。
以下の実施例でさらに説明するように、混合工程は、一
般には成分を例えば攪拌、高剪断混合または遊星形真空
ミキサーを使用した混合によって、あるいは(互いにあ
まり可溶性でない成分の場合)例えばボールミルまたは
マルチロールミルを用いる混線によって行なう。
混合工程ではいくらか加熱するのがよい。
般に、適当な温度は、いずれの成分にも有害なあるいは
これを蒸発させる範囲以外の温度で変化さうる。−数的
には15〜65℃である;例えば周FM温度が適してい
る。操作時間は一般に1〜20分である。
本発明で使用する基板はどのような適した形でもよく、
様々な形およびサイズのものを使用しつる0例えば、シ
ード層の製造工程で前に詳しく述べた形のものでもよい
本発明の組成物を施す基板は、組成物のあるいは後で施
す燃焼成分(例えば空気中で燃焼させる誘電体絶縁物)
の燃焼温度より高い温度で軟化するセラミック、ガラス
またはガラス−セラミック材料が適している。
基板がセラミックである場合、ベリリア、アルミナ、ジ
ルコニア、シリカ、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化
珪素、窒化ストロンチウム、チタン酸バリウム、テトラ
チタン酸バリウムおよびジルコチタン酸バリウムよりな
る群から選ばれるものが好ましい。
適したガラスには高融点バリウム、ボロシリケート、ア
ルミノシリケート、他のバリウムガラスおよび溶解した
金属酸化物を含有する高融点ガラスが含まれる。適した
ガラス−セラミックには上に挙げた分散した粒状セラミ
ックを含有するシリケルトガラスが含まれる。
基板はまた、1種以上のそのような材料をセラミックシ
ート上に、例えば1〜500ミクロンの厚さに被覆した
ものも適している。適当なシートセラミックには上に挙
げたセラミックがある。
前に述べた全ての材料の他の混合物も使用しつる。
基板はまた、1種以上のそのような材料を金属シート上
に、例えば1〜500ミクロンの厚さに被覆したものも
適している。適当なシート金属には鉄、コバルト、ニッ
ケル、チタン、銅およびこれらの合金があり、ステンレ
ス鋼および低炭素鋼が含まれる。
シード層組成物中の有機金属化合物が下記の好ましい種
類(低分解温度)のものであり、そして全ての他の成分
が同じような低分解温度を有している場合、基板はソー
ダガラスのような低融点ガラスにしつる。
そのような場合、基板は、成形回路板または一般的な回
路板に用いられるような高融点プラスチックまたはプラ
スチック複合体でもよい。
本発明の組成物を上記の一般的な材料の基板表面上で燃
焼することによって得たシード層は、その表面に十分に
結合している。
本発明の化合物および組成物の製造については以下の説
明および実施例で記す。
説コ堀」− 一 ノ二一  Dl アンモニア液(SG  0.88.36m1.0゜6モ
ル)を、水冷蒸留水(200ml)中のネオデカン酸(
95%、103.2g、0.6モル;EXXOn%真空
蒸留によって精製した)に滴加した。得られたアンモニ
ウムネオデカノエートソーブを周囲温度で90分間攪拌
し、次に蒸留水(120ml)中の硝酸銀(101,9
4g、0.6モル)を滴加した。得られた白色半固体を
4回それぞれ冷および温(50℃)蒸留水を用いてつき
砕き、メタノール(400ml)中でスラリー化し、濾
過し、40℃にて真空下−晩乾燥した。。30重量%の
銀が含まれていた;銀の収率は64%W。
r、t、であった。
実施例1 以下の成分のシード層組成物(1)を次のように構成し
た: (a)フラックス溶液         gビスマスカ
ルボキシレート (Heraeus社)    o、sr+gロジウムカ
ルボキシレート (Heraeus社) クロムジケトネート (Heraeus社) 銀スルホレジネート (Heraeus社) Tego G11de 101 00(Te Chemie社) Ryk 07? (Byk Chemie社)ジクロロ
メタン 0.0538 0.0346 0.1119 0.10 0.10 2.0 (b)貯蔵染料溶液 2.27 w/w テルピネオール318 (パーキュリーズ社) 19.8% アロマゾール H (701社)      79.2% ジスパーゾルレッド (701社>        0.5%ジスバーゾルネ
イビー (701社) 0.5χ (C)金第3ドデシルメルカプチド (46%銀) 8.523 (d)貯蔵樹脂溶液 13.30 w/w エチルセルロース N300 (パーキュリーズ社)  2.2% カリフレックスRR1202R (ブタジェン−スチレン 共重合体) (シェル社)15.4% テルピネオール318 (パーキュリーズ社) 17.2% アロマゾール H (701社)  65.2$ (a)および(b)を合わせて、濾過し、そしてジクロ
ロメタン全部を熱風で除いた。(C)は攪拌しながら生
成物中に溶解させた。(d)を添加し、生成物を10分
間、機械的攪拌機で均質化した。
金100部当たりの微量金属の重量部:Ag  2.0
;Bi  1.5;Rh  0゜3;Cr  O,15 実施例2 以下の成分のシード層組酸物(1)を次のように構成し
た: (a)フラックス溶液 (2)    (3)    (4)    (5)g
          g        g     
     gビスマス カルホキ シレート  0.5118 ()leraeus社) ロジウム カルホキ シレート  0.0538 0.5118 0.5118 0.0538  0.0538 0.5118 0.0538 (Heraeus社) クロムジ ケトネート0.0346 0.034B  0.034
6()leraeus社) 銀ネオデカ ノエート (r)、1) 0、0987 Tego Flow ZFS 460  (Teg。
ChemiB社)   0.05  0.05  0.
05ジクロロ メタン   2.0  2.8  2.0(b)染料 溶液    2.0−  2.0  2.0テルピネオ
ール318 (パーキュリーズ社)19.8部 アロマゾールH (TCT社)      79.2部 0.0346 0.05 2.0 2.0 ジスバーゾルレッド (TCT社) 0.75部 (C)金弟4ドデシルメルカプチド (46%Au) 8.15  8,15  8.15 8.15 (d)貯蔵樹脂溶液 14.09 13.89 13.69   13.69 w/w エチルセルロース T2O0 (パーキュリーズ社) カリフレックス RR 1202E(ブタジェン 一スチレン共重合体) (シェル社) テルピネオール 318 (パーキュリーズ社) アロマゾール H (TCT社) 2工 6z 21% 1z 金100部当たりの微量金属の重量部::(2)  A
g  0.81;Ri  ]、5;Rh0.3:Cr 
 O,14 (3)  Ag  2,43;Bi  1.5;RhO
,3:Cr  O,14 (4)  Ag  4.05;Bi  1.5;RhO
,3:Cr  0014 (3)  Ag  5.O;Bi  1.5;Rh0.
3:Cr  O,14 実施例3 以下の成分のシード層組成物(6)を次のように構成し
た: 金レジネート組成物 718001X (エンゲルハート社) 銀レジネート組成物 A2515 (エンゲルハート社) 19.6 0゜4 2成分をガラスプレート上でへらで十分に混合した。よ
り大きな規模では、機械ミキサー内で混合してもよい。
金100部当たりの微量金属の重量部:Ag  4.6
;Ri  1.5;Rh  O,5:Cr   O,1
;Sn、  Pd、  Pt   <   0. 0本
発明の第3の態様では、本発明は本質的に金のシード層
を基板上に生成する方法を提供するものであり、この方
法は、本発明の組成物の層を基板に施し、組成物の層が
本質的に金の層に変わるように被覆基板を加熱するもの
である。(層には、銀および通常はまた上記の金フラッ
クスからの微量な金属も含まれるでいることは明らかで
ある)。
本発明の第4の態様では、本発明は本発明の第3の態様
の方法によって得られるシード層を基板上に提供するも
のである。
本発明における基板は単一層でもよく、そのためシード
層は単一周回路のためのシード層となることは明らかで
ある。また多層回路における基板層でもよく、これは前
記基板層上の回路層上の誘電体組成物を燃焼するごとに
よって製造することができる。従って、本発明の第3の
態様の方法は、単一周回路におけるシード層、および多
層回路の連続段階の上部回路層におけるシード層の両者
の製造に関するものである。後者の回路層はその後誘電
体組成物で覆う、この組成物は燃焼すると、次の回路層
のための基板となる。
本発明の第3の態様の方法および第4の態様の生成物に
ついて、添付図面を参照して説明する。
第1〜4図は様々な製造段階での、シード層よりなる回
路の断面図である。
第1aおよびlb図に示すように、金シード層4を施す
基板2は一般的に前記のように耐熱および/または耐火
性材料、例えば、純度96%のアルミナの平らな長方形
のプレート(任意にスルーホールまたは切りぬきのある
、例えば厚さ0.5〜1m■の100m■XX100a
の正方形のプレート)である。
第1aおよびlb図に示すように、シード層4(一般的
には金の)は、シード層4の液体先駆体組成物を基板2
へ付着させることによって、基板2表面に施し、結合さ
せる。基板2上の組成物の層3は、一般的な印刷、コー
ティングまたは他の転写法により形成する。
たいていの目的には、最終金属シード層4が0.1〜2
■/(1)2の量となるのに十分な液体先駆体組成物を
付着させるのが適している。この量のシード層4にする
のに適した先駆体組成物層3の量(通常は0.4〜30
■/(7)2)は、この分野に詳しい人であれば、よけ
いな実験を行なうことなく、日常的試験によって容易に
決めることができる。
第1a図の示す第1の態様では、先駆体を、基板2全体
を覆う連続層3として、例えばスクリーン印刷、スプレ
ー、流し塗りまたはローラー塗り、あるいは転写法によ
って施し、連続シートの金の層4にする。
この層4は、導電路8を塗布した後、一部取り除かれ、
好ましい最終回路導電路パターン8の下のかつこれに対
応するシード層となる。
第1b図の示す第2の態様では、金の層4を一般に最終
導電体導電路パターンに対応して施す。
ある変形法では、先駆体を、例えばスクリーン印刷また
はデカルコマニア法または転写法により、通常は好まし
い最終回路に対応する好ましいパターン3で塗布する。
第2の変形法では、先駆体を、具体例1aのように基板
2全体を覆う連続層3として、例えばスクリーン印刷、
スプレー、流し塗りまたはローラー塗り、あるいは転写
法によって施し、連続シートの金の層4にする。この層
4はその後、導電体導電路8をこれに施す前に、一部取
り除かれて、好ましい最終回路導電体導電路パターン8
に対応するパターン化シー1層4となる。
これらの2つの具体例はもちろん極端な2つの例である
;両方の特徴を組合せた方法となることはよくあること
である。すなわち、シード層先駆体3を施し、シード層
4を、パターン全体にわたって電気的な連続性をもたら
す特別な領域を有するその回路層の最終導電路パターン
に対応するパターンの形で製造する。
そのような連続性は、その後導電路8をシード層4上に
メツキする際、便宜状必要であるが、最終回路層では不
必要なので、余分な領域は除いて本質的に回路導電体導
電路に対応するシード層パターンにする。
いったん、シード層組成物の層3をいずれかの方法で施
したら、被覆基板2を一般的には400〜1000℃で
燃焼する。
そのような燃焼で、先駆体シード層3中の有機金および
有機銀化合物は分解して、金および銀は放出され、樹脂
または重合体(任意に硬化剤)は焼きつくされ、金と銀
は溶融して固体で凝集性の本質的には金のシード層4(
たいていの目的には0.1〜2■/ an ”が適して
いる)が形成される。
燃焼は900℃位で行なうのが好ましく、任意にまず滞
留時間、約500℃で行なう。
前に述べたように、組成物の中にはシード層をより低い
温度で(例えば500〜700℃)生成でき、そしてよ
り低い融点または軟化点を有する基板に用いるのに適し
ているものがある。そのような場合の適した温度および
加熱分布は、この分野に詳しい人には明らかである。
どの場合も、被覆および燃焼工程は好ましいだけ繰り返
すことができる。
第2(第1b図)の2番目の変形法では、シート金シー
ド層4を光硬化または先回溶化電気レジスト5(図示さ
れていない)で被覆する。レジスト5を好ましい導電体
パターンまたはパターンのネガに相当する光パターンに
曝す1次に、レジスト5の非硬化または可溶化部分を、
一般的な液体で選択的に溶解して、好ましいパターンに
対応するレジストで選択的に限定された下のシード層4
を露出させる。
次に、レジスト5で覆われていないシード層4を、シー
ド層に適した溶媒、例えばスーパーストリップ100(
リー・ローナル社)、ヨウ化カリウム/ヨウ素溶液また
はエンドリート100Cエンゲルハード社)のような芳
香族スルホネート/シアン化物溶液、で攻撃してレジス
ト5で覆われていない連続シード層4を除去する。
この除去を行なうことにより、第2の具体例の1番目の
変形法の生成物と本質的に同じものが得られる。
第3および4図のどちらの具体例においても、次に、適
した金属(前に述べたような)、好ましくは銅また金、
の導電体パターン8をシード層上に形成する。
導電体パターン8はその場で、例えば第1a図に示すパ
ターンシード層4をメツキすることによって、あるいは
第1b図に示すシートシード層4をマスクしそしてメツ
キすることによって、形成すると都合がよいが、固体バ
ター8を別の場所で形成してこれをシード層4に施すこ
とも包含される。
本発明の両具体例における導電体パターン8をその場で
形成する方法では、次にシード層4を固体鋼で電気メツ
キして、いずれの個所における厚さおよび幅もシード層
4の厚さを十分に越える、例えば3〜75:%クロン、
特に5〜20ミクロンにして、好ましい導電体パターン
を得る。
第2図はl l a図の具体例に適用する本方法のメツ
キ部分における第1工程を示すものである。
この具体例では、シート金層4をまず光硬化また先回溶
化電気レジストで被覆して、一般に3〜75ミクロンの
厚さにするが、いずれの場合も、その後施す金属(例え
ば銅)導電路の目的とする厚さと少なくとも同じである
のが好ましい。
レジスト6を好ましい導電体パターンのネガまたはパタ
ーンそれ自体に対応する光パターンに曝す、レジスト6
の非硬化または可溶化部分を次に、一般的な液体(第2
図も参照)で選択的に溶解する。
この溶液は、好ましいパターンのネガに対応するレジス
トによって選択的に限定された下のシード4を露出する
レジスト6をこのように部分的に除去した後、生成物を
電気メツキまたは無電解メツキするのが一般的である。
第1 (第1a図)の本発明の具体例では、例えばスク
リーン印刷またはデカルコマニアまたは転写法によって
液体先駆体パターンを施すような他の一般的な方法によ
って導電体パターン8をシートシード層4に施しすこと
もでき、その後これを好ましい固体導電体パターン8に
変える。
しかしながら、いずれの場合においても、電気メツキ導
電体パターン8は、主にこのように施した層の結合性が
増すという理由で、スクリーン印刷した導電体パターン
に比べて、通常かつ都合のよいことにはより緻密であり
、よりすぐれた強度特性を有する。
変形法では、マスクしそしてメツキし、その後これらの
工程を繰り返して、より広い導電路、または基板スルー
ホールによる接続のための領域を作って、高鮮明度の導
電路を得る。
第2(第1b図)の本発明の具体例では、好ましいメツ
キパターンが、シード層パターン4によってすでに得ら
れ、従って前記のレジスト処理工程は必要ではない、す
なわち、第1b図に示すシード層4は直接メツキしても
、あるいは(あまり一般的ではないが)導電体パターン
を上記のように施してもよい。
メツキ工程(または導電体パターン8を施すための他の
方法)および必要なレジストの除去(第3および4図に
示す)の結果、厚い導電体パターン8が薄いシード層4
の上に連続シートとして、あるいは導電体パターンに対
応するパターンで付着する。
本発明の第1の具体例では、次に、導電体パターン8で
覆われておらずかつこれに付着していないシード層4表
面を、シード暦月の適当な溶媒、例えばスーパーストリ
ップ100(リー・ロナール社)、ヨウ化カリウム/ヨ
ウ素溶液およびエンドリート100(エンゲルハード社
)のような芳香族スルホネート/シアン化物溶液、で攻
撃する。溶媒は導電体パターン8で覆われていない連続
シード層4を全て除去し、その結果、第2の具体例の直
接メツキの生成物と本質的に同じ生成物が得られる。
また、金の導電路を金シード層上にメツキしうることも
明らかである0本方法の第1の具体例をやはり使用しつ
るが、すぐ上で述べたような金シード層4の除去の際に
、金の導電路8を一般に保護する必要があることは、こ
の分野に詳しい人には明らかなことであろう。
前記方法のさらに別の変形法では(図示されていない)
、シード層を(通常は)長方形の窓のパターン状に、別
の一般的には連続した層で施す。
そのような変形法では、次に、厚いフィルム抵抗体組成
物を一般的には善意を横切って(例えばスクリーン印刷
により)施して、シード層に重ね、焼き付けて抵抗体を
形成する0次に、導電体導電路8を上記のように施す。
この分野に詳しい人であれば、一般に、メツキ工程の間
、抵抗体を保護する必要があることは分かるであろう。
前に記載したように、本発明で製造される回路は多層回
路における回路層でもよい。従って、そのような回路層
はその後誘電体組成物で覆い、これを焼き付けて次の回
路層用の基板12を得る。
製品回路のある変形では(図示されていない)、銅パタ
ーン8を少なくともその上面に、(−殻内には)空気中
で行なうその後の焼付は中の導電体パターン8内への酸
素の拡散および導電体パターン8の酸化を抑制する金属
フィルム9を被覆する。このフィルム9はニッケル、パ
ラジウム、金、銀、クロム、ロジウム、またはこれらの
合金である。このフィルム9は、(酸化性)銅が空気に
曝されている領域、例えばスルーホールまたは多層回路
内の隣接層間の管(via)内またはこれに沿った領域
、に特に有用である。
さらにまた別の変形では(図示されていない)、フィル
ム9を銅の薄いフィルムで被覆して、酸化し、そしてフ
ィルム9とその後に施す焼付は誘電体12との間の接着
層として作用させる。
左隻1羞1 純度96%のアルミナ上の本発明のシード層上に上記の
ように施した銅導電体に、デュポン試験要項A−746
72に記載の引っ張り剥離試験法の変形試験を行なった
。用いた変形法は上記要項に記載の2 u+ X 2 
目の銅バッドを浸漬はんだ付けしそしてパッドの列にで
はなく各パッドに個々の導線をはんだ付けした。導電体
は初期に形成されたもの、そして150℃、165℃お
よび/または175℃にて1000時間、促進老化させ
た後のものを試験した。150℃で老化させた場合、導
線は老化させる前にパッドにはんだ付けした;】65℃
および175℃では、導電体を老化させ、機械的に洗浄
し、その後導線をパッドにはんだ付けした。以下の結果
が得られ、破壊は基板またはシード層に生じ、いづれの
場合も基板界面で生じた。
にL」二連  1」1」−℃  1:L」二連(i  
  5.4    3.9     3.2     
2.1(2)    5.9    4.1     
 5.0     2.3(3)    5.3   
 2.7      3.1      1.3(4)
    4.6    3.1      1.7  
    1.1(5)    4.2    2,4 
     2.0     0.9(6)    4.
5    3.9      3.5いずれの値も、同
等の量の銀を添加しない相当する関連組成物の対応値よ
りも大幅にすぐれていることが分かった。
【図面の簡単な説明】
第1〜4図は、様々な製造段階での、シード層よりなる
回路の断面図である。 2−m−基板、 4−m−シード層、 8−m−導電路 化1人 、f!゛二士 湯浅恭二 (メト4〉6) 手読袖正書(秀句 図面の浄3(ドツSに変更なし) 平成2年特許願第114976号 2、発明の名称 シード層生戊組成物 3、補正をする者 事件との関係   特許出願人 住所 名 称  アムプ/アクゾ・ジエイブイ・インコーホレ
ーテッド 新大手町ビル 206区 5、補正命令の日付  平成 2年 7月31日 [有
]送日)6、補正の対象

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 1. 通常、金の重量の2重量%未満の微量金属の有機
    化合物を一般的に含有する有機金化合物、および任意に
    液体ベヒクルを含有する樹脂誘導体よりなる液体組成物
    であり、ガラス、ガラス−セラミックまたはセラミック
    基板を被覆するのに適しており、そしてこの被覆基板を
    燃焼して組成物を熱分解することによつて基板上に金シ
    ード(種)層を生成する液体組成物であつて、 さらに、金100重量部当たり、0.5〜10重量部の
    銀が存在する有機銀化合物よりなることを特徴とする上
    記組成物。
  2. 2. 有機銀化合物が、金100重量部当たり0.8〜
    6重量部の量で存在することを特徴とする、請求項第1
    に記載の組成物。
  3. 3. 有機金属化合物が、樹脂誘導体の熱分解温度より
    100〜350℃下の熱分解温度を有することを特徴と
    する、請求項第1または2に記載の組成物。
  4. 4. 有機金属化合物が、樹脂誘導体の熱分解温度より
    少なくとも200℃下の熱分解温度を有する、請求項第
    3に記載の組成物。
  5. 5. 有機金属化合物が、樹脂誘導体の熱分解温度より
    少なくとも250℃下の熱分解温度を有する、請求項第
    4に記載の組成物。
  6. 6. 有機銀化合物が、銀スルホレジネート、銀テルペ
    ンスルフィド、銀のアリールメルカプチドおよび銀アル
    カノエートよりなる群から選ばれる、請求項第1〜5に
    記載の組成物。
  7. 7. アルカノエートが、炭素原子数8〜16の第3ア
    ルカノエートおよびこれらの混合物よりなる群から選ば
    れる、請求項第6に記載の組成物。
  8. 8. 銀アルカノエートが過半量の銀ネオデカノエート
    である、請求項第6に記載の組成物。
  9. 9. さらに、有機金属金化合物が金第3ドデシルメル
    カプチドであることを特徴とする、請求項第1〜8に記
    載の組成物。
JP11497690A 1989-04-27 1990-04-27 シード層生成組成物 Pending JPH0368671A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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GB8909731.5 1989-04-27
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