JPH0367999B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0367999B2 JPH0367999B2 JP58101086A JP10108683A JPH0367999B2 JP H0367999 B2 JPH0367999 B2 JP H0367999B2 JP 58101086 A JP58101086 A JP 58101086A JP 10108683 A JP10108683 A JP 10108683A JP H0367999 B2 JPH0367999 B2 JP H0367999B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ingot
- powder
- single crystal
- annealing
- poling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 32
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 31
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 28
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 19
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000009700 powder processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
強誘電体単結晶のインゴツトをアニールする方
法であり、 円柱状主部の一方の端面から外径を急激に減少
する肩部を有する該インゴツトは、該肩部が下向
きになる姿勢で上下を該インゴツトと同じ強誘電
体単結晶の粉末を介して支持し加熱・徐冷すると
共に、ポーリング電圧を印加し、 アニールとポーリングを同時にするものであ
る。
法であり、 円柱状主部の一方の端面から外径を急激に減少
する肩部を有する該インゴツトは、該肩部が下向
きになる姿勢で上下を該インゴツトと同じ強誘電
体単結晶の粉末を介して支持し加熱・徐冷すると
共に、ポーリング電圧を印加し、 アニールとポーリングを同時にするものであ
る。
本発明は強誘電体単結晶、特に圧電振動子や弾
性表面波フイルタ等の素子基板となる強誘電体単
結晶のインゴツトを、アニールする方法の改善に
関する。
性表面波フイルタ等の素子基板となる強誘電体単
結晶のインゴツトを、アニールする方法の改善に
関する。
強誘電体単結晶のインゴツト、例えばニオブ酸
リチウム（LiNbO3）等の強誘電性の単結晶をチ
ヨクラルスキー法で育成したインゴツトは、それ
を薄く切断しウエーハを作成するに先立つて、前
記育成によりできた内部ひずみを除去するアニー
ルが必要であり、さらには分域を整えるポーリン
グ処理（単一分極化）が行われている。
リチウム（LiNbO3）等の強誘電性の単結晶をチ
ヨクラルスキー法で育成したインゴツトは、それ
を薄く切断しウエーハを作成するに先立つて、前
記育成によりできた内部ひずみを除去するアニー
ルが必要であり、さらには分域を整えるポーリン
グ処理（単一分極化）が行われている。
前記アニールにおいて、LiNbO3単結晶の如く
アニール温度でそれを収容したアルミナ坩堝と反
応する酸化物単結晶のインゴツトは、従来、アニ
ール温度で該インゴツトおよびアルミナに対し比
較的安定な他の酸化物単結晶の粉末を介し坩堝内
に収容していた。
アニール温度でそれを収容したアルミナ坩堝と反
応する酸化物単結晶のインゴツトは、従来、アニ
ール温度で該インゴツトおよびアルミナに対し比
較的安定な他の酸化物単結晶の粉末を介し坩堝内
に収容していた。
第１図はLiNbO3単結晶のインゴツトをアニー
ルする従来方法を説明するための図、第２図はイ
ンゴツトをポーリング処理する従来方法を説明す
るための図、第３図は前記アニールおよびポーリ
ングのタイムチヤートを示す図である。
ルする従来方法を説明するための図、第２図はイ
ンゴツトをポーリング処理する従来方法を説明す
るための図、第３図は前記アニールおよびポーリ
ングのタイムチヤートを示す図である。
第１図においては、１はLiNbO3単結晶のイン
ゴツト、２はアルミナにてなる坩堝、３はアルミ
ナにてなるキヤツプ、４は炉心管、５はコイル形
状のヒータ、６は坩堝搭載用テーブル、７はタン
タル酸リチウム（LiTaO3）の単結晶を砕いた粉
末である。
ゴツト、２はアルミナにてなる坩堝、３はアルミ
ナにてなるキヤツプ、４は炉心管、５はコイル形
状のヒータ、６は坩堝搭載用テーブル、７はタン
タル酸リチウム（LiTaO3）の単結晶を砕いた粉
末である。
坩堝２は約1200℃のアニール温度に対し安定な
アルミナ製であり、アルミナと反応するLiNbO3
インゴツト１は、アルミナに対し比較的安定な
LiTaO3粉末７を坩堝２内に敷いてその上に載置
し、アニール温度を均一化させるためのキヤツプ
３を坩堝２に被せたのち、ヒータ５に所定の電流
を流し、第３図に示す如きタイムチヤートに従つ
て、インゴツト１を加熱・保持し徐冷する。
アルミナ製であり、アルミナと反応するLiNbO3
インゴツト１は、アルミナに対し比較的安定な
LiTaO3粉末７を坩堝２内に敷いてその上に載置
し、アニール温度を均一化させるためのキヤツプ
３を坩堝２に被せたのち、ヒータ５に所定の電流
を流し、第３図に示す如きタイムチヤートに従つ
て、インゴツト１を加熱・保持し徐冷する。
第２図において、イはアニール済みインゴツト
に施すポーリング処理用の前加工を説明するため
の図、ロはポーリング処理を説明するための図で
あり、符号１１は前記前加工されたインゴツト、
１２，１３はLiNbO3単結晶の粉末を半焼成した
ポーリング用セラミツクス板、１４，１５は白金
板の電極である。
に施すポーリング処理用の前加工を説明するため
の図、ロはポーリング処理を説明するための図で
あり、符号１１は前記前加工されたインゴツト、
１２，１３はLiNbO3単結晶の粉末を半焼成した
ポーリング用セラミツクス板、１４，１５は白金
板の電極である。
第２図イにおいて、インゴツト１１は第１図の
インゴツト１をアニールしたのち、図中に点線で
輪郭を示す肩部を切断除去したものであり、該切
断はアニール後に可能となる。
インゴツト１をアニールしたのち、図中に点線で
輪郭を示す肩部を切断除去したものであり、該切
断はアニール後に可能となる。
第２図ロにおいて、円柱形状のインゴツト１１
は、セラミツクス板１２を介して電極１４が下面
に接触し、その上面にはセラミツクス板１３を介
して電極１５が接触するようにし、電極１４と１
５の間に直流電源１６からのポーリング電圧Ｖ
が、第１図に示す如き炉中でポーリング温度に加
熱した雰囲気のもとに印加される。
は、セラミツクス板１２を介して電極１４が下面
に接触し、その上面にはセラミツクス板１３を介
して電極１５が接触するようにし、電極１４と１
５の間に直流電源１６からのポーリング電圧Ｖ
が、第１図に示す如き炉中でポーリング温度に加
熱した雰囲気のもとに印加される。
第３図において、図中に実線で示すタイムチヤ
ートは、直径が約100mmのLiNbO3インゴツトに
アニールまたはポーリングを施すときのものであ
り、約1200℃まで加熱するに要する時間が約10時
間、約1200℃に保持する保持時間が約10時間、保
持温度から室温まで徐冷する所要時間が24時間以
上である。
ートは、直径が約100mmのLiNbO3インゴツトに
アニールまたはポーリングを施すときのものであ
り、約1200℃まで加熱するに要する時間が約10時
間、約1200℃に保持する保持時間が約10時間、保
持温度から室温まで徐冷する所要時間が24時間以
上である。
前述したように従来のアニール方法、即ち
LiTaO3単結晶の粉末を使用した従来のアニール
方法は、インゴツト１１に均等かつ安定なポーリ
ング電圧と印加できるが、粉末７の接する肩面に
多数の微細クラツクが発生し、該底面から約10mm
程度の厚さだけ除去しなければならない。そして
このような加工と肩部の切断加工後にポーリング
処理するため、該処理時の加熱による熱ストレス
が単結晶内部の歪みや微細クラツクに作用し、ク
ラツク（割れ）が発生し易いという問題点があつ
た。
LiTaO3単結晶の粉末を使用した従来のアニール
方法は、インゴツト１１に均等かつ安定なポーリ
ング電圧と印加できるが、粉末７の接する肩面に
多数の微細クラツクが発生し、該底面から約10mm
程度の厚さだけ除去しなければならない。そして
このような加工と肩部の切断加工後にポーリング
処理するため、該処理時の加熱による熱ストレス
が単結晶内部の歪みや微細クラツクに作用し、ク
ラツク（割れ）が発生し易いという問題点があつ
た。
また、前述した従来のポーリング処理は、処理
温度および雰囲気がアニールのそれとほぼ同じで
あるに係わらず、アニール後に可能な肩部の切断
を必要とするためアニールと別工程で実施してお
り、その所要時間は第３図に示すタイムチヤート
によれば、アニールとポーリングにそれぞれ約２
日間を要するという工数上の問題点があつた。
温度および雰囲気がアニールのそれとほぼ同じで
あるに係わらず、アニール後に可能な肩部の切断
を必要とするためアニールと別工程で実施してお
り、その所要時間は第３図に示すタイムチヤート
によれば、アニールとポーリングにそれぞれ約２
日間を要するという工数上の問題点があつた。
上記問題点の除去を目的とした本発明は、アニ
ール温度でアルミナと反応する酸化物単結晶イン
ゴツトをアニールするに際し、該インゴツトと同
じ強誘電体単結晶の第１の粉末を白金容器に入
れ、該インゴツトの円柱状主部の一方の端面から
外径が急激に減少する肩部が該第１の粉末に埋ま
るように、該インゴツトを第１の粉末に植立さ
せ、該インゴツト主部の他方の端面に該インゴツ
トと同じ強誘電体単結晶の第２の粉末を載せ、該
第２の粉末の上に該インゴツトと同じ強誘電体単
結晶の粉末からなるセラミツク板を載せ、それら
を加熱・徐冷すると共に、該白金容器と該白金電
極との間にポーリング電圧を印加することを特徴
とする、強誘電体単結晶のアニール方法である。
ール温度でアルミナと反応する酸化物単結晶イン
ゴツトをアニールするに際し、該インゴツトと同
じ強誘電体単結晶の第１の粉末を白金容器に入
れ、該インゴツトの円柱状主部の一方の端面から
外径が急激に減少する肩部が該第１の粉末に埋ま
るように、該インゴツトを第１の粉末に植立さ
せ、該インゴツト主部の他方の端面に該インゴツ
トと同じ強誘電体単結晶の第２の粉末を載せ、該
第２の粉末の上に該インゴツトと同じ強誘電体単
結晶の粉末からなるセラミツク板を載せ、それら
を加熱・徐冷すると共に、該白金容器と該白金電
極との間にポーリング電圧を印加することを特徴
とする、強誘電体単結晶のアニール方法である。
上記手段によれば、インゴツトはその肩部を除
去しないで該肩部を第１の粉末に埋めることで、
該インゴツトの広い表面積の反対面が上方にな
り、該反対面にポーリング用の広い面積の白金電
極を載せることが可能になる。このような状態で
ポーリング電圧を印加した場合には、ポーリング
電流がインゴツト内をほぼ均等に分布して流れる
ため安定なポーリングが実現でき、内部歪みや微
細クラツクの発生も減る。
去しないで該肩部を第１の粉末に埋めることで、
該インゴツトの広い表面積の反対面が上方にな
り、該反対面にポーリング用の広い面積の白金電
極を載せることが可能になる。このような状態で
ポーリング電圧を印加した場合には、ポーリング
電流がインゴツト内をほぼ均等に分布して流れる
ため安定なポーリングが実現でき、内部歪みや微
細クラツクの発生も減る。
しかも、白金電極と白金容器に印加するポーリ
ング電流はインゴツトと同じ材料の粉末を介しイ
ンゴツトに流すことで内部歪みや微細クラツクの
発生を一層減らすことができる。
ング電流はインゴツトと同じ材料の粉末を介しイ
ンゴツトに流すことで内部歪みや微細クラツクの
発生を一層減らすことができる。
以下に、図面を用いて本発明方法の実施例を説
明する。
明する。
第４図は本発明方法の一実施例によりLiNbO3
単結晶のインゴツトをアニールする方法を説明す
るための図である。
単結晶のインゴツトをアニールする方法を説明す
るための図である。
第４図において、３１はLiNbO3単結晶のイン
ゴツト、３２は白金にてなる容器、３３，３４は
LiNbO3単結晶の粉末、３５はLiNbO3単結晶の
粉末を半焼成してなるセラミツクス板、３６は白
金電極である。
ゴツト、３２は白金にてなる容器、３３，３４は
LiNbO3単結晶の粉末、３５はLiNbO3単結晶の
粉末を半焼成してなるセラミツクス板、３６は白
金電極である。
円柱形状の主部３１ａの一方の端面から直径が
急激に減少する肩部３１ｂを有するインゴツト３
１は、白金容器３２に入れた粉末３３に肩部３１
ｂが埋まるように植立させ、主部３１ａの他方の
端面（育成終端面）には、該端面の凹凸を均らす
ための粉末３４を介してセラミツクス板３５を載
置し、セラミツクス板３５の上に白金電極３６を
搭載し、白金電極３６と白金容器３２を直流電源
３７に接続する。
急激に減少する肩部３１ｂを有するインゴツト３
１は、白金容器３２に入れた粉末３３に肩部３１
ｂが埋まるように植立させ、主部３１ａの他方の
端面（育成終端面）には、該端面の凹凸を均らす
ための粉末３４を介してセラミツクス板３５を載
置し、セラミツクス板３５の上に白金電極３６を
搭載し、白金電極３６と白金容器３２を直流電源
３７に接続する。
そこで、電源３７を除くそれらを第１図のアル
ミナ坩堝２と同形状のアルミナ坩堝に収容し、該
坩堝を第３図に示す如きタイムチヤートに従つて
約1200℃に加熱・保持してから徐冷すると共に、
電源３７をONにするとインゴツト３１は、アニ
ールと同時にポーリング処理が行われる。
ミナ坩堝２と同形状のアルミナ坩堝に収容し、該
坩堝を第３図に示す如きタイムチヤートに従つて
約1200℃に加熱・保持してから徐冷すると共に、
電源３７をONにするとインゴツト３１は、アニ
ールと同時にポーリング処理が行われる。
なお、上記実施例においてLiNbO3の粉末３
３，３４は、インゴツト３１との接触および粉末
加工したとき混入した不純物を除去する意味か
ら、16メツシユ〜32メツシユのものが適当であつ
た。
３，３４は、インゴツト３１との接触および粉末
加工したとき混入した不純物を除去する意味か
ら、16メツシユ〜32メツシユのものが適当であつ
た。
以上説明したように本発明のアニール方法によ
れば、インゴツトはその肩部を除去しないでポー
リングの同時処理が可能となり、インゴツトの処
理工数を大幅に短縮する。
れば、インゴツトはその肩部を除去しないでポー
リングの同時処理が可能となり、インゴツトの処
理工数を大幅に短縮する。
また本発明ではポーリング電圧をインゴツトに
対し安定に印加できるので内部歪みや微細クラツ
クの発生が少なく、しかもアニールおよびポーリ
ング処理後に肩部除去の加工を施すので、インゴ
ツトの内部歪みや微細クラツクに対し上記処理時
の加熱による熱ストレスが作用せず、内部歪みや
微細クラツクがクラツクに成長しにくいので、ウ
エーハの採取枚数が増加する効果がある。
対し安定に印加できるので内部歪みや微細クラツ
クの発生が少なく、しかもアニールおよびポーリ
ング処理後に肩部除去の加工を施すので、インゴ
ツトの内部歪みや微細クラツクに対し上記処理時
の加熱による熱ストレスが作用せず、内部歪みや
微細クラツクがクラツクに成長しにくいので、ウ
エーハの採取枚数が増加する効果がある。
第１図は従来のアニール方法を説明するための
図、第２図は従来のポーリング処理方法を説明す
るための図、第３図は前記アニールおよびポーリ
ングのタイムチヤートを示す図、第４図は本発明
方法の一実施例によるアニール方法を説明するた
めの図、である。 図中において、３１はLiNbO3単結晶のインゴ
ツト、３１ａはインゴツト３１の主部、３１ｂは
インゴツト３１の肩部、３２は白金容器、３３，
３４はLiNbO3単結晶の粉末、３５はセラミツク
ス板、３６は白金電極、を示す。
図、第２図は従来のポーリング処理方法を説明す
るための図、第３図は前記アニールおよびポーリ
ングのタイムチヤートを示す図、第４図は本発明
方法の一実施例によるアニール方法を説明するた
めの図、である。 図中において、３１はLiNbO3単結晶のインゴ
ツト、３１ａはインゴツト３１の主部、３１ｂは
インゴツト３１の肩部、３２は白金容器、３３，
３４はLiNbO3単結晶の粉末、３５はセラミツク
ス板、３６は白金電極、を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アニール温度でアルミナと反応する酸化物単
結晶のインゴツト３１をアニールするに際し、 該インゴツト３１と同じ強誘電体単結晶の第１
の粉末３３を白金容器３２に入れ、 該インゴツト３１の円柱状主部３１ａの一方の
端面から外径が急激に減少する肩部３１ｂが該第
１の粉末３３に埋まるように、該インゴツト３１
を第１の粉末３３に植立させ、 該インゴツト主部３１ａの他方の端面に該イン
ゴツト３１と同じ強誘電体単結晶の第２の粉末３
４を載せ、 該第２の粉末３４の上に該インゴツト３１と同
じ強誘電体単結晶の粉末からなるセラミツク板３
５を載せ、 それらを加熱・徐冷すると共に、該白金容器３
２と該白金電極３６との間にポーリング電圧を印
加することを特徴とする強誘電体単結晶のアニー
ル方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10108683A JPS59227799A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 酸化物単結晶のアニ−ル方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10108683A JPS59227799A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 酸化物単結晶のアニ−ル方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59227799A JPS59227799A (ja) | 1984-12-21 |
| JPH0367999B2 true JPH0367999B2 (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=14291285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10108683A Granted JPS59227799A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 酸化物単結晶のアニ−ル方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59227799A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2664508B2 (ja) * | 1990-01-25 | 1997-10-15 | 住友金属鉱山株式会社 | ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 |
| JP7095403B2 (ja) * | 2018-05-24 | 2022-07-05 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物単結晶の熱処理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619048A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-23 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photographic image forming method |
| JPS57118087A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-22 | Toshiba Corp | Manufacture of single crystal |
| JPS57140400A (en) * | 1981-02-25 | 1982-08-30 | Toshiba Corp | Formation of single domain in single crystal of ferroelectric substance |
-
1983
- 1983-06-07 JP JP10108683A patent/JPS59227799A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619048A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-23 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photographic image forming method |
| JPS57118087A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-22 | Toshiba Corp | Manufacture of single crystal |
| JPS57140400A (en) * | 1981-02-25 | 1982-08-30 | Toshiba Corp | Formation of single domain in single crystal of ferroelectric substance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59227799A (ja) | 1984-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106048735B (zh) | 一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法 | |
| CN111206282A (zh) | 一种8英寸铌酸锂晶体的生产方法 | |
| JPS5933559B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH0367999B2 (ja) | ||
| JP3512480B2 (ja) | ニオブ酸カリウム単結晶の製造方法 | |
| JPH01172299A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法 | |
| JP3132956B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| JPH01100100A (ja) | 酸化物単結晶の単一分域方法 | |
| JP2664508B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| JP2818342B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| JP2818344B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法及びその装置 | |
| JP2862742B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| JPS6335500A (ja) | 強誘電体単結晶の単一分域化方法 | |
| CN107636212B (zh) | 铌酸锂单晶基板及其制造方法 | |
| CN107683353B (zh) | 铌酸锂单晶基板及其制造方法 | |
| JPS61186300A (ja) | 単結晶のポ−リング方法 | |
| JP2007001775A (ja) | 強誘電体結晶の製造方法 | |
| JPS5845194A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の単一分域化方法 | |
| JPS63185900A (ja) | 複合酸化物強誘電体の単結晶ウエハの熱処理方法 | |
| JPH04285025A (ja) | 圧電単結晶の単一分域化方法 | |
| JPS6335499A (ja) | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 | |
| JPH01196878A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶のポーリング方法 | |
| JP2017193453A (ja) | 酸化物単結晶の熱処理方法 | |
| JP7396183B2 (ja) | 酸化物単結晶の単一分域化処理に用いる耐熱容器、及び、酸化物単結晶の単一分域化処理方法 | |
| JP2022099960A (ja) | 酸化物単結晶の製造方法、及びその製造方法に用いる電極 |