JPH0365745A - Ic card - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野j
この発明は半導体記憶素子を搭載したICカードに関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application j] This invention relates to an IC card equipped with a semiconductor memory element.
第2図および第3図は従来のICカードの内部構造を示
すブロック図で、第2図は8ピツト専用のICカード、
第3図は16ビツト専用のICカドである。Figures 2 and 3 are block diagrams showing the internal structure of conventional IC cards, and Figure 2 is an 8-pit dedicated IC card.
FIG. 3 shows an IC card exclusively for 16 bits.
まず、第3図の8ビツト専用のICカードの場合、半導
体記憶素子(2) (3)にはアドレスバス(19)が
それぞれに接続され、さらに半導体記憶素子(2)(3
)にはアドレスデコーダ回路(1)からのチップセレク
ト信号M (29) (30)が接続されている。また
、アドレスデコーダ回路(1)にはカードイネープル信
号線(35)>よび最上位アドレス線(40)が接続さ
れている。First, in the case of the 8-bit dedicated IC card shown in FIG.
) are connected to chip select signals M (29) (30) from the address decoder circuit (1). Further, a card enable signal line (35) and a top address line (40) are connected to the address decoder circuit (1).
この回路を動作(読みだしもしくは書き込み)可能な状
態にさせるためには、カードイネープル信号(35)が
1L”レベル状態にされる。これにより、アドレスデコ
ーダ回路(1)がアクティブな状態となる。つぎに、最
上位アドレス信号(40)bよびアドレス信号(19)
が与えられる。アドレスデコーダ回路(1)は例えば最
上位アドレス信号(40)が′L”レベル状態の場合、
チップセレクト信号(29) ヲ”I、”レベル状態、
チップセレクト信i (30) ヲ”H”レベル状態に
するので、半導体記憶素子(3)がアクティブ状態、半
導体記憶素子(2)がスタンドバイ状態となり、データ
バス(25)を介して半導体記憶素子(3)への書き込
みもしくは読みだしが可能となる。最上位アドレス信号
(40)が@R”レベル状態のときはこれと反対となり
、データバス(24)を介して半導体記憶素子(2)へ
の書き込みもしくは読みだしが可能になる。In order to enable this circuit to operate (read or write), the card enable signal (35) is set to the 1L" level. As a result, the address decoder circuit (1) becomes active. Next, the highest address signal (40) b and address signal (19)
is given. For example, when the highest address signal (40) is in the 'L' level state, the address decoder circuit (1)
Chip select signal (29) wo"I," level status,
Since the chip select signal i (30) is set to the "H" level state, the semiconductor memory element (3) is in the active state and the semiconductor memory element (2) is in the standby state, and the semiconductor memory element is connected via the data bus (25). (3) It becomes possible to write to or read from. When the most significant address signal (40) is at @R'' level, the opposite is true, and writing to or reading from the semiconductor memory element (2) is possible via the data bus (24).
次に、第3図の16ビツト専用のICカードの場合には
、カードイネープル信号(35)を5L”レベル状態に
してアドレス信号(19)を与えると、半導体記憶素子
4(2)とおよび半導体記憶素子(3)がそれぞれ同時
にアクティブ状態となるため、それぞれの8ビツトデー
タバス(24) (25)を介して16ビツトのデータ
の読みだしもしくは書き込みが可能となる。すなわち、
2つの半導体記憶素子(2) (3)が並列に動作する
ことになる。なか実際には書き込み、読みだし動作ため
の制御信号も設けられているが、その説明に9いてはこ
こでは省略する。Next, in the case of the 16-bit dedicated IC card shown in FIG. Since the semiconductor memory elements (3) are activated at the same time, it is possible to read or write 16-bit data via the respective 8-bit data buses (24) and (25).
The two semiconductor memory elements (2) and (3) will operate in parallel. Control signals for writing and reading operations are actually provided, but their explanation will be omitted here.
〔発明が解決しようとする課題]
従来のICカードは以上のように構成されていたので、
8ビツト専用のものと16ビツト専用のものが別々にあ
り、それぞれの内部構造が異なっているために、1枚の
ICカードを8ビツトと16ビツトで兼用することがで
きないという問題点があった。[Problem to be solved by the invention] Since the conventional IC card was configured as described above,
There was a problem that one IC card could not be used for both 8-bit and 16-bit because there were two types: one for 8-bit and one for 16-bit, and each had a different internal structure. .
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、所定の信号を与えることによって半導体記憶
素子の記憶構成を変更し、XCカードのデータバス幅を
切換えることができるICカードを得ることを目的とす
る。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and provides an IC card that can change the memory configuration of a semiconductor memory element and switch the data bus width of an XC card by applying a predetermined signal. The purpose is to obtain.
この発明に係るICカードは、ICカードの記憶部分と
して設けられたNビット用の複数の半導体記憶素子と、
カード外部からの上位アドレス信号に従って複数の半導
体記憶素子のうちの所定の記憶素子を動作可能な状態に
するアドレスデコーダ回路と、複数の半導体記憶素子へ
接続される各Nビットデルタバスにそれぞれ挿入され、
データの入出力制御を行うデータバスバッファ回路と、
アドレスデコーダと複数の半導体記憶素子の間、複数の
半導体記憶素子とデータバスバッファ回路の間、及びア
ドレスデコーダ回路への上位アドレス線上に挿入された
切換回路によって、上記アドレスデコーダ回路、複数の
半導体記憶素子およびデータバスバッファ回路の接続を
切換えるための記憶構成切換手段と、この記憶構成切換
手段の上記各切換回路に切換制御を行うための複数のデ
ータバス切換信号を与えると共に、これらのデータバス
切換信号によって上記データバスバッファ回路へのこれ
を動作可能な状態にするためのカードイネープル信号の
制御を行う切換制御手段とを備え、上記複数の半導体記
憶素子を各々独立に、あるいは複数の半導体記憶素子が
並行に動作するよう記憶構成を切換えて、ICカードの
データバス幅をNビットと2Nピツトと3Hビツトと4
Nビツト・・・MNビット(N%Mは自然数)とで切換
えを可能にしたものである。An IC card according to the present invention includes a plurality of N-bit semiconductor memory elements provided as a memory portion of the IC card;
An address decoder circuit is inserted into each N-bit delta bus connected to the plurality of semiconductor memory elements, and an address decoder circuit that makes a predetermined memory element of the plurality of semiconductor memory elements operable according to an upper address signal from outside the card. ,
a data bus buffer circuit that controls data input/output;
A switching circuit inserted between the address decoder and the plurality of semiconductor memory elements, between the plurality of semiconductor memory elements and the data bus buffer circuit, and on the upper address line to the address decoder circuit allows A storage configuration switching means for switching the connections of the elements and the data bus buffer circuit, and a plurality of data bus switching signals for controlling the switching to each of the switching circuits of the storage configuration switching means, and a plurality of data bus switching signals for switching these data buses. a switching control means for controlling a card enable signal to enable the data bus buffer circuit to operate according to a signal, and the plurality of semiconductor memory elements can be connected to each other independently or to a plurality of semiconductor memory elements. By switching the memory configuration so that the elements operate in parallel, the data bus width of the IC card can be changed to N bits, 2N pits, 3H bits, and 4 bits.
It is possible to switch between N bits and MN bits (N%M is a natural number).
この発明にかけるICカードは、ICカード内のアドレ
スデコーダ回路、複数の半導体記憶素子4よびこれらの
各データバスバッファ回路の接続を切換えるために設け
られたメモリ選択信号切換回路、パス切換回路、最上位
アドレス切換回路訃よびデータバスバッファ回路に与え
るカードイネープル信号を制御するNビット禁止回路に
複数のデータバス切換信号を与えて、複数の半導体記憶
素子を各々独立に、あるいは複数の半導体記憶素子が並
行に動作するようICカード内の記憶構成を切換えるこ
とによって、−股間にri / 2 N / 3N/・
−/vnビットの切換え、特に通常使用されるものとし
て8/16/32ビツトのデータバス幅の変更が可能と
なる。The IC card according to the present invention includes an address decoder circuit in the IC card, a memory selection signal switching circuit provided for switching connections between a plurality of semiconductor memory elements 4 and each of these data bus buffer circuits, a path switching circuit, and a top layer. A plurality of data bus switching signals are applied to an N-bit disable circuit that controls a card enable signal applied to an address switching circuit and a data bus buffer circuit, and a plurality of semiconductor memory elements can be controlled independently, or a plurality of semiconductor memory elements can be By switching the memory configuration in the IC card so that they operate in parallel, -ri/2N/3N/.
-/vn bit switching, and in particular, it is possible to change the data bus width of 8/16/32 bits, which are commonly used.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例によるICカードの内部構成を
示すブロック図であり、N/28/3N/・・・7MN
ビット兼用のICカードとして、例えば8/16/32
ビツト兼用のICカードが示されている。なか、前記従
来のものと同一もしくは相当する部分は同一符号で示さ
れる。(1)はアドレスデコーダ回路、 (2) (3
) (4) (5)は半導体記憶素子、(6) (7)
(8) (9)はデータバスバッファ回路、(10)
はメモリ選択信号切換回路、(15) (16)は上位
アドレス切換回路、(11) (12)は内部データバ
ス(20) (21)(22) (23)を8/16/
32ビツトに切換えるバス切換回路、(13)はデータ
バスバッファ<6) <7)を制御するための8・16
ビツト禁止回路、(14)はデータバスバッファ(8)
を制御するための8ピッl−9L回路、(33)は87
16デ一タパス切換信号、(34)は32/8・1\6
デ一タバス切換信号である。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
The figure is a block diagram showing the internal configuration of an IC card according to an embodiment of the present invention.
As an IC card that also serves as a bit, for example, 8/16/32
An IC card that can also be used as a bit is shown. Among them, parts that are the same as or correspond to the conventional ones are indicated by the same reference numerals. (1) is an address decoder circuit, (2) (3
) (4) (5) is a semiconductor memory element, (6) (7)
(8) (9) is a data bus buffer circuit, (10)
are memory selection signal switching circuits, (15) (16) are upper address switching circuits, (11) (12) are internal data buses (20) (21) (22) (23) 8/16/
Bus switching circuit for switching to 32 bits, (13) is 8.16 for controlling data bus buffer <6) <7)
Bit disable circuit, (14) is data bus buffer (8)
8 pin l-9L circuit for controlling, (33) is 87
16 data path switching signal, (34) is 32/8・1\6
This is a data bus switching signal.
次に第1図を参照にしなから8/16/32ビツト共用
カードの32ビツト時の動作について説明する。32ビ
ツト動作をさせるときは3278・16デ一タバス切換
信号(34)を1■”レベルとする。このときメモリ選
択信号切換回路(11)はセレクト信号線(32) (
31) (30)とアドレスデコーダ回路(1)との間
を切断し、セレクト信号@ (29)とセレクト信号線
(30) (31) (32)を接続するようになって
いる。上位アドレス切換回路(15) (16)はオフ
状態のため、アドレスデコーダ回路(1)の入力は上位
アドレス(40) (41)の入力にかかわらず、プル
ダウン抵抗(17) (1g)により1L”レベルとな
っている。!た、内部データバス切換回路(11) (
12)はオフ状態であるので、内部データバス(20)
(21) (22) (23)が相互に干渉をうける
ことはない。以上の状態にかいて、アドレスバス(19
)にアドレス入力ヲ与工、カードイネープル入力を1L
”レベルとすると、セレクト信号線(29) (30)
(31)(32)は同時に1L5レベルとなり、半導
体記憶素子(2)(3) (4) (5)はアクティブ
状態となる。このとき、データバスバッファ(9)はカ
ードイネープル入力(35)の入力によってアクティブ
、筐たデータバスバッファ(8)は8ビツト禁止回路(
14)の出力信号(37)が@L”Vぺ〜となるためア
クティブ、またデータバスバッファ(6)σ)は8・1
6ビツト禁止回路(13)の出力信号線(36)が1L
”レベルとなるためアクティブであるので、外部データ
バス(24) (25) (26) (27)を通して
32ビツトの読みだし書き込みが可能となる。Next, referring to FIG. 1, the operation of the 8/16/32 bit common card at 32 bits will be explained. When performing 32-bit operation, the 3278/16 data bus switching signal (34) is set to the 1'' level. At this time, the memory selection signal switching circuit (11) connects the select signal line (32) (
31) (30) and the address decoder circuit (1) are disconnected, and the select signal @ (29) and the select signal line (30) (31) (32) are connected. Since the upper address switching circuits (15) and (16) are off, the input of the address decoder circuit (1) is set to 1L by the pull-down resistor (17) (1g) regardless of the input of the upper address (40) (41). level.!The internal data bus switching circuit (11) (
12) is in the off state, so the internal data bus (20)
(21), (22), and (23) will not interfere with each other. In the above state, the address bus (19
), enter the address, and enter the card enable input to 1L.
”In terms of level, select signal line (29) (30)
(31) and (32) simultaneously become 1L5 level, and semiconductor memory elements (2), (3), (4), and (5) become active. At this time, the data bus buffer (9) is activated by the card enable input (35), and the data bus buffer (8) in the case is activated by the 8-bit disable circuit (
The output signal (37) of 14) becomes @L”Vpe~, so it is active, and the data bus buffer (6) σ) becomes 8.1
The output signal line (36) of the 6-bit inhibit circuit (13) is 1L.
” level and is active, so 32-bit reading and writing is possible through the external data buses (24) (25) (26) (27).
次に16ビツト動作時は、8716デ一タバス切換信号
(33)を1vレベル、32/8・16デ一タパス切換
信号(34)を1L″レベルとすると、メモリ選択信号
切換回路(lO)はセレクト信号線(32) (30)
とアドレスデコーダ回路(1)との接続を断ち、セレク
ト信号線(31)と(32)、セレクト信号線(29)
と(30)をそれぞれ接続する。上位アドレス切換回路
(15)はオフ状態、(16)はオン状態のため、従っ
て上位アドレス入力(41)がデコードされてセレクト
信号線(29) (31)に現われる。一方、バス切換
回路(11)はオフ状態で(12)はオン状態なので、
内部データバス(20) (21)は内部データバス(
22) (23)にそれぞれ接続されている。さて、カ
ードイネープlし入力(35)を1L”レベルにすると
、上位アドレス入力(41)に対応して半導体記憶素子
(2) (3)−または(4)(5)のどちらかが選択
される。データバスバッファ(8)は8ビツト禁止回路
(14)の出力(37)によってアクティブ、カードイ
ネープル入力(35)によってデータバスバッファ(9
)もアクティブであるため、外部データバス(26)
(27)を通して、半導体記憶素子(2) (3)また
は(4) (5)にデータは書き込みまたは読みだしさ
れる。尚、このときデータバスバッファ(24)(25
)は8・16ビツト禁止回路(13)からの出力(36
)が1°Vベルであるため非アクティブであって、外部
データバス(24) (25)は高インピーダンスに保
たれ、上部書き込みまたは読み出しには何等影響しない
。Next, during 16-bit operation, when the 8716 data bus switching signal (33) is set to the 1V level and the 32/8/16 data bus switching signal (34) is set to the 1L'' level, the memory selection signal switching circuit (lO) Select signal line (32) (30)
and the address decoder circuit (1), select signal lines (31) and (32), and select signal line (29).
and (30) are connected respectively. Since the upper address switching circuit (15) is in an off state and (16) is in an on state, the upper address input (41) is decoded and appears on the select signal lines (29) and (31). On the other hand, the bus switching circuit (11) is off and (12) is on, so
The internal data bus (20) (21) is the internal data bus (
22) and (23) respectively. Now, when the card is enabled and the input (35) is set to the 1L" level, either semiconductor memory element (2) (3) - or (4) (5) is selected in accordance with the upper address input (41). The data bus buffer (8) is activated by the output (37) of the 8-bit disable circuit (14), and the data bus buffer (9) is activated by the card enable input (35).
) is also active, so the external data bus (26)
Data is written to or read from the semiconductor memory element (2) (3) or (4) (5) through (27). At this time, the data bus buffers (24) (25
) is the output (36) from the 8/16 bit inhibit circuit (13).
) is inactive at 1° V Bell, the external data bus (24) (25) is kept high impedance and has no effect on top writes or reads.
次に、8ビット動作時はデータバス切換信号(33)
(34)をL”レベルとすると、メモリ選択信号回路(
lO)はセレクト信号線(29) (30) (31)
(32)とアドレスデコーダ回路(1)とを接続しセ
レクト信号線間を非接続とする。また、上位アドレス切
換回路(15) (16)はオン状態となっているため
、従って上位アドレス(40) (41)がデコードさ
れて、セレクト信号線(29) (30) (31)
(32)に現われる。一方パス切換回路(11)はオン
状態、(12)はオフ状態であり、内部データバス(2
0) (21) (22)を内部データバス(23)に
接続している。さて、カードイネープル入力(35)を
“L”レベルにすると、上位アドレス入力(40) (
41)に対応して、半導体記憶素子(2)(3) (4
) (5)のどれかが選択される。データバスバッファ
(9)はカードイネープル入力によってアクティブであ
るため、外部データバス(27)を通して半導体記憶素
子(2) (3) (4) (5)にデータ書き込みま
たは読み出しされるOなか、このときデータバスバッフ
ァ(6) (7) (8)は8ビツト禁止回路(13)
8・16ビツト禁止回路(14)の出力(36) (
37)がH”レベルであるため非アクティブであって、
データバス(24) (25) (26)は高インピー
ダンスに保たれ、上記書き込みまたは読み出しには何等
関係しない。Next, during 8-bit operation, the data bus switching signal (33)
(34) is set to L” level, the memory selection signal circuit (
lO) is the select signal line (29) (30) (31)
(32) and the address decoder circuit (1) are connected, and the select signal lines are disconnected. Also, since the upper address switching circuits (15) (16) are in the on state, the upper addresses (40) (41) are decoded and the select signal lines (29) (30) (31) are decoded.
It appears in (32). On the other hand, the path switching circuit (11) is in the on state, the path switching circuit (12) is in the off state, and the internal data bus (2
0) (21) (22) are connected to the internal data bus (23). Now, when the card enable input (35) is set to "L" level, the upper address input (40) (
41), semiconductor memory elements (2) (3) (4
) (5) is selected. Since the data bus buffer (9) is activated by the card enable input, this When the data bus buffer (6) (7) (8) is the 8-bit inhibit circuit (13)
Output (36) of 8/16 bit inhibit circuit (14) (
37) is inactive because it is at H” level,
The data buses (24) (25) (26) are kept at high impedance and have no bearing on the above writing or reading.
なか、上記実施例では外部からのデータバス切換信号(
33) (34)によう半導体記憶素子(2)(3)
(4) (5)の記憶構成及びデータバス幅を変更する
ようにしたが、ICカード内部に機械的スイッチを設け
てそれ単独かまたはデータバス切換信号(33) (3
4)との組み合わせによってデータバス幅を変更する方
式な訃、上記実施例では8/16/32のデータバス幅
切換えであったが、データバス切換信号線、上位アドレ
ス入力を増やし、メモリ選択切換回路、パス切換回路、
アドレス切換回路、禁止回路をこの発明と同様にして増
やすことにより、N/2 N /3 N/4 N /s
N /−/M Nビットのデータバス切換えを可能に
することができる。Among them, in the above embodiment, the external data bus switching signal (
33) (34) Semiconductor memory elements (2) (3)
(4) The memory configuration and data bus width in (5) have been changed, but a mechanical switch is provided inside the IC card and it can be used alone or with a data bus switching signal (33) (3
4) In the above embodiment, the data bus width was changed to 8/16/32, but by increasing the number of data bus switching signal lines and upper address inputs, memory selection can be changed. circuit, path switching circuit,
By increasing the number of address switching circuits and prohibition circuits in the same manner as in this invention, N/2 N /3 N/4 N /s
N/−/M N bit data bus switching can be performed.
筐た、上記実施例ではアドレスデコーダ回路(ILメモ
リ選択信号切換回路(10)、パス切換回路(11)(
12)、上位アドレス切換回路(15) (16)、8
ビツト禁止回路(14)、8・16ビツト禁止回路(1
3)、データバスバッファ(6) (7) (8)(9
)を別々に構成していたが、半導体記憶素子(2)(3
) (4) (5)を除いて他を1つのIC内にまとめ
たものをICカードに使用した方式でもよい。In the above embodiment, the address decoder circuit (IL memory selection signal switching circuit (10), path switching circuit (11) (
12), Upper address switching circuit (15) (16), 8
Bit disable circuit (14), 8/16 bit disable circuit (1
3), data bus buffer (6) (7) (8) (9
) were configured separately, but semiconductor memory elements (2) and (3
) (4) It is also possible to use a system in which an IC card that combines all of the functions except for (5) into one IC is used.
以上のようにこの発明によれば、データバス切換信号(
33) (34>によりICカードの半導体記憶素子(
2)(3) (4) (5)の記憶構成及びデータバス
幅を変更できるようにしたので、システム側のデータバ
スが変更しても1枚のカード対応ができる利便性が得ら
れ、筐た例えば、NビットデータバスICカードに記憶
されたデータは2Nビツトバスシステムまたは4Nビツ
トパスシステムに転用が可能である。また、その逆も可
能であることからシステム側のバス幅がかわってもIC
カードの記憶内容の有効活用、相互利用が可能となる。As described above, according to the present invention, the data bus switching signal (
33) Due to (34>), the semiconductor memory element of an IC card (
2) (3) (4) The memory configuration and data bus width in (5) can be changed, so even if the data bus on the system side is changed, it is convenient to be able to handle one card, and the chassis For example, data stored on an N-bit databus IC card can be transferred to a 2N-bitbus system or a 4N-bitpass system. In addition, since the reverse is also possible, even if the bus width on the system side changes, the IC
It becomes possible to effectively utilize and mutually use the memory contents of the card.
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による8/16/32/ビ
ツト共用カードの回路ブロック図、第2図、第3図は従
来の8ビツト専用カード及び16ピツト専用カードの回
路ブロック図である。
図にかいて、(1)はアドレスデコーダ回路、(2)(
3)(4) (5)は半導体記憶素子、(6) (7)
(8) (9)はデータバスバッファ、(10)はメ
モリ選択信号切換回路、(11) (12)はパス切換
回路、(13)は8・16ビツト禁止回路、(14)は
8ビツト禁止回路、(15) (16)は上位アドレス
切換回路、(17) (18)はプルダウン抵抗、(1
9)はアドレスバス、(20) (21) (22)
(23)は内部データバス、(24) (25) (2
6) (27)は外部データバス、(29) (30)
(31) (32)はセレクト信号線、(33) (
34)はデータバス切換入力、(35)はカードイネー
プル入力(40) (41)は上位アドレス入力を示す
。
なか、図中、同一符号は同一、lたは相当部分を示す。
代 埋 人 大 岩 増 雄19
第3図[Brief Description of the Drawings] Figure 1 is a circuit block diagram of an 8/16/32/bit common card according to an embodiment of the present invention, and Figures 2 and 3 are a conventional 8-bit exclusive card and a 16-bit exclusive card. FIG. 3 is a circuit block diagram of the card. In the figure, (1) is an address decoder circuit, (2) (
3) (4) (5) is a semiconductor memory element, (6) (7)
(8) (9) is a data bus buffer, (10) is a memory selection signal switching circuit, (11) (12) is a path switching circuit, (13) is an 8/16 bit prohibition circuit, and (14) is an 8 bit prohibition circuit. circuit, (15) (16) are upper address switching circuits, (17) (18) are pull-down resistors, (1
9) is the address bus, (20) (21) (22)
(23) is an internal data bus, (24) (25) (2
6) (27) is external data bus, (29) (30)
(31) (32) is the select signal line, (33) (
34) is a data bus switching input, (35) is a card enable input (40), and (41) is an upper address input. In the figures, the same reference numerals indicate the same, l, or equivalent parts. Figure 3
Claims (1)
複数の半導体記憶素子と、カード外部からの上位アドレ
ス信号に従つて上記複数の半導体記憶素子のうちの所定
の記憶素子を動作可能な状態にするアドレスデコーダ回
路と、上記複数の半導体記憶素子へ接続される各Nビツ
トデータバスにそれぞれ挿入され、データの入出力制御
を行うデータバスバツフア回路と、上記アドレスデコー
ダと複数の半導体記憶素子の間、上記複数の半導体記憶
素子とデータバスバツフア回路の間、及び上記アドレス
デコーダ回路への上位アドレス線上に挿入された切換回
路によつて、上記アドレスデコーダ回路、複数の半導体
記憶素子およびデータバスバツフア回路の接続を切換え
るための記憶構成切換手段と、この記憶構成切換手段の
上記各切換回路に切換制御を行うための複数のデータバ
ス切換信号を与えると共に、これらのデータバス切換信
号によつて上記データバスバツフア回路へのこれを動作
可能な状態にするためのカードイネープル信号の制御を
行う切換制御手段とを備え、上記複数の半導体記憶素子
を各々独立に、あるいは複数の記憶素子が並行に動作す
るよう記憶構成を切換えて、ICカードのデータバス幅
をNビツトと2Nビツトと3Nビツトと4Nビツト・・
・MNビツト(N,Mは自然数)に切換えを可能にした
ことを特徴とするICカード。A plurality of N-bit semiconductor memory elements provided as a memory portion of the IC card and a predetermined memory element among the plurality of semiconductor memory elements are made operable in accordance with an upper address signal from outside the card. An address decoder circuit, a data bus buffer circuit that is inserted into each N-bit data bus connected to the plurality of semiconductor memory elements and performs data input/output control, and between the address decoder and the plurality of semiconductor memory elements. , a switching circuit inserted between the plurality of semiconductor memory elements and the data bus buffer circuit and on the upper address line to the address decoder circuit, the address decoder circuit, the plurality of semiconductor memory elements and the data bus buffer circuit are connected to each other. A storage configuration switching means for switching the connection of the buffer circuit, and a plurality of data bus switching signals for controlling the switching to each of the switching circuits of the storage configuration switching means, and a plurality of data bus switching signals for controlling the switching. switching control means for controlling a card enable signal to enable the data bus buffer circuit to operate the plurality of semiconductor memory elements, or By switching the memory configuration to operate in parallel, the data bus width of the IC card can be changed to N bits, 2N bits, 3N bits, 4N bits, etc.
- An IC card characterized by being able to switch to MN bits (N and M are natural numbers).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1203213A JPH0365745A (en) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | Ic card |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1203213A JPH0365745A (en) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | Ic card |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0365745A true JPH0365745A (en) | 1991-03-20 |
Family
ID=16470340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1203213A Pending JPH0365745A (en) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | Ic card |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0365745A (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR100399620B1 (en) * | 2001-04-28 | 2003-09-29 | 황돌수 | Massage a mat of physical therapy. |
US7234031B2 (en) | 2003-06-21 | 2007-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Portable storage apparatus and method for freely changing data bus width |
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-
1989
- 1989-08-03 JP JP1203213A patent/JPH0365745A/en active Pending
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