JPH0365034B2 - - Google Patents

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JPH0365034B2
JPH0365034B2 JP25916886A JP25916886A JPH0365034B2 JP H0365034 B2 JPH0365034 B2 JP H0365034B2 JP 25916886 A JP25916886 A JP 25916886A JP 25916886 A JP25916886 A JP 25916886A JP H0365034 B2 JPH0365034 B2 JP H0365034B2
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は配線基板およびその製造方法に係り、
特にハイブリツドIC用の多層配線基板およびそ
の製造方法に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a wiring board and a method for manufacturing the same,
In particular, the present invention relates to a multilayer wiring board for hybrid ICs and a method for manufacturing the same.

(従来の技術) 近年、電子機器の小型軽量化、多機能化、高速
化、高信頼化等の要求の高まりに伴ない、アルミ
ナ等のセラミツクの多層配線基板上にICチツプ
や抵抗、コンデンサのようなチツプ部品を多数搭
載し、全体を金属製キヤツプで気密に封止した構
造のハイブリツドICが多用されてきている。
(Conventional technology) In recent years, with the increasing demand for electronic devices to be smaller and lighter, more multifunctional, faster, and more reliable, IC chips, resistors, and capacitors are being mounted on multilayer wiring boards made of ceramics such as alumina. Hybrid ICs, which are equipped with a large number of chip components and are hermetically sealed with a metal cap, are being widely used.

そしてこのハイブリツドICに用いられるセラ
ミツク多層配線基板は、通常グリーンシート法、
厚膜法、あるいは厚膜薄膜混成法等の方法により
製造されている。
Ceramic multilayer wiring boards used in this hybrid IC are usually manufactured using the green sheet method.
It is manufactured by a method such as a thick film method or a thick film/thin film hybrid method.

しかしながら、このようなセラミツク多層配線
基板は、比較的大きな誘電率(ε)を有するセラ
ミツク(ε=8〜10)や結晶化ガラス(ε=9〜
20)で絶縁体層が構成されているため、配線の浮
遊容量を低く抑えることができず、搭載された素
子の高速動作化が阻まれている。
However, such ceramic multilayer wiring boards are made of ceramics with a relatively large dielectric constant (ε) (ε=8 to 10) or crystallized glass (ε=9 to 10).
20), the stray capacitance of the wiring cannot be kept low, which hinders the high-speed operation of the mounted elements.

そこでこのような問題に対処するため、最近高
速素子搭載用の配線基板として銅−ポリイミド多
層配線基板が開発されつつある。この配線基板
は、第4図に示すように、厚さが1μm〜10μm程
度の薄膜導体パターン2とポリイミド層3とをセ
ラミツク基板1上に積層した構造を有し、次のよ
うにして製造されている。
In order to deal with such problems, copper-polyimide multilayer wiring boards have recently been developed as wiring boards for mounting high-speed devices. As shown in FIG. 4, this wiring board has a structure in which a thin film conductor pattern 2 with a thickness of approximately 1 μm to 10 μm and a polyimide layer 3 are laminated on a ceramic substrate 1, and is manufactured as follows. ing.

すなわち、蒸着あるいはスパツタリングにより
銅を主導体とした2ないし3種の導体の薄膜をセ
ラミツク基板1の全面に形成した後、フオトリソ
グラフイ等の方法で不要部分をエツチングし薄膜
導体パターン2を形成する第1の工程と、ポリイ
ミド樹脂をスピンコート乾燥した後、フオトリソ
グラフイにより上下の導体パターン2間を電気的
に接続する通孔4を形成する第2の工程とを繰返
すことにより製造されている。
That is, after forming a thin film of two or three types of conductors with copper as the main conductor on the entire surface of the ceramic substrate 1 by vapor deposition or sputtering, unnecessary parts are etched by a method such as photolithography to form the thin film conductor pattern 2. It is manufactured by repeating the first step and the second step of spin-coating and drying the polyimide resin, and then forming a through hole 4 for electrically connecting the upper and lower conductor patterns 2 by photolithography. .

そしてこのような薄膜法により製造された銅−
ポリイミド多層配線基板は、絶縁体層を構成する
ポリイミド樹脂の誘電率が極めて低く(ε=3〜
4)、しかも他の金属に比べて電気抵抗の小さな
銅により導体パターン2が形成されているため、
搭載された素子を高速動作させることができると
いう利点を有している。
And copper produced by such a thin film method -
In polyimide multilayer wiring boards, the dielectric constant of the polyimide resin that constitutes the insulator layer is extremely low (ε=3 to
4) Moreover, since the conductor pattern 2 is made of copper, which has a lower electrical resistance than other metals,
It has the advantage that the mounted elements can be operated at high speed.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながらこのような配線基板においては、
ポリイミド樹脂が吸湿性を有するため、この上に
ICチツプ等を搭載し金属製キヤツプ等で気密に
封止してハイブリツドICを製作した場合、ポリ
イミド層3の厚さ方向から湿気が金属製キヤツプ
内部の搭載領域内に侵入してしまう。
(Problems to be solved by the invention) However, in such a wiring board,
Since polyimide resin has hygroscopic properties,
When a hybrid IC is manufactured by mounting an IC chip or the like and hermetically sealing it with a metal cap or the like, moisture will enter the mounting area inside the metal cap from the direction of the thickness of the polyimide layer 3.

そしてこの湿気がマイグレーシヨンによる多層
配線部の短絡事故、ICやワイヤの腐蝕事故、あ
るいは温度サイクル試験時の結露による短絡事故
等を引き起こすという問題があつた。
This moisture caused problems such as short circuits in multilayer wiring due to migration, corrosion of ICs and wires, and short circuits due to condensation during temperature cycle tests.

本発明はこれらの問題を解決するためになされ
たもので、耐湿性が改善され気密に封止された領
域内への湿気の侵入がなく、しかも信頼性が高く
高速動作が可能なハイブリツドIC用などの多層
配線基板およびその製造方法を提供することを目
的とする。
The present invention was made to solve these problems, and is intended for use in hybrid ICs that have improved moisture resistance, prevents moisture from entering hermetically sealed areas, and are highly reliable and capable of high-speed operation. The purpose of the present invention is to provide a multilayer wiring board and a method for manufacturing the same.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明の配線基板は、セラミツク基板と、この
セラミツク基板の所定面中央部に配設された低誘
電率絶縁材料を絶縁体層としCu系導体パターン
を多層的に有する多層配線部と、前記セラミツク
基板の所定面周辺部に前記多層配線部に対し離間
して形設された入出力パツドと、この入出力パツ
ドと前記多層配線部との間に配設され一端は入出
力パツドに他端は多層配線部の端子にそれぞれ電
気的に接続された導電配線パターンと、この導電
配線パターンの少なくとも一部をそれぞれ被覆し
ながらかつ前記多層配線部を囲撓するよう前記セ
ラミツク基板の所定面に環状に形設された耐湿性
材料からなる絶縁体層と、この絶縁体層上に形設
された環状導電体層と、前記多層配線部を覆うよ
うに基部が前記環状導電体層に取着された導電性
キヤツプとを具備することを特徴としている。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The wiring board of the present invention includes a ceramic substrate and a low dielectric constant insulating material disposed at the center of a predetermined surface of the ceramic substrate as an insulator layer. a multilayer wiring section having system conductor patterns in multiple layers; an input/output pad formed at a peripheral portion of a predetermined surface of the ceramic substrate at a distance from the multilayer wiring section; and the input/output pad and the multilayer wiring section. A conductive wiring pattern disposed between the pads and having one end electrically connected to the input/output pad and the other end electrically connected to the terminal of the multilayer wiring section, and the multilayer wiring covering at least a part of the conductive wiring pattern, respectively. an insulator layer made of a moisture-resistant material formed in an annular shape on a predetermined surface of the ceramic substrate so as to surround the section; an annular conductor layer formed on the insulator layer; and a conductive cap, the base of which is attached to the annular conductive layer so as to cover it.

またその製造方法は、セラミツク基板の所定面
に一端が周辺部に他端が中央部に向かう導体配線
パターンを厚膜法により形成する工程と、前記導
電配線パターンの少なくとも一部をそれぞれ被覆
しながらかつ前記セラミツク基板の所定面中央部
を囲撓するように環状に結晶化ガラスからなる絶
縁体層を形成する工程と、前記絶縁体層上に環状
導電体層を厚膜法により形成する工程と、前記セ
ラミツク基板の所定面中央部にポリイミド樹脂を
絶縁体層とし端子が前記導体配線パターンに他端
に接続されるCu系導体パターンを多層的に有す
る多層配線部とのこの多層配線部の最上層のCu
系導体パターンと同時に少なくとも前記導体配線
パターンの一端に電気的に接続される入出力パツ
ドとを薄膜法により形成する工程と、前記多層配
線剤を覆うように導電性キヤツプの基部を前記環
状導電体層に取着する工程とからなることを特徴
としている。
The manufacturing method also includes a step of forming a conductive wiring pattern on a predetermined surface of a ceramic substrate, with one end facing the periphery and the other end facing the center, and a step of forming a conductive wiring pattern on a predetermined surface of the ceramic substrate, covering at least a part of the conductive wiring pattern. and a step of forming an annular insulating layer made of crystallized glass so as to surround a central portion of a predetermined surface of the ceramic substrate, and a step of forming an annular conductive layer on the insulating layer by a thick film method. , a multilayer wiring section having a polyimide resin insulating layer at the center of a predetermined surface of the ceramic substrate, and a multilayer Cu-based conductor pattern whose terminal is connected to the other end of the conductor wiring pattern; Upper layer Cu
forming an input/output pad electrically connected to at least one end of the conductor wiring pattern simultaneously with the system conductor pattern by a thin film method; It is characterized in that it consists of a step of attaching it to the layer.

(作用) 本発明の配線基板およびその製造方法において
は、内部配線と電気的に接続するための導電配線
パターンと環状導電体層とが厚膜法により形成さ
れており、環状導電体層の内側のセラミツク基板
上に薄膜法により低誘電率絶縁材料を絶縁体層と
しCu系導体パターンを多層的に有する多層配線
部が設けられている。
(Function) In the wiring board and the manufacturing method thereof of the present invention, the conductive wiring pattern and the annular conductor layer for electrical connection with the internal wiring are formed by a thick film method, and the conductive wiring pattern and the annular conductor layer are formed inside the annular conductor layer. A multilayer wiring section is provided on a ceramic substrate using a thin film method using a low dielectric constant insulating material as an insulating layer and having Cu-based conductor patterns in multiple layers.

従つて多層配線素子にICチツプ等の素子を搭
載することにより、高速動作が可能なハイブリツ
ドICが得られる。
Therefore, by mounting elements such as IC chips on a multilayer wiring element, a hybrid IC capable of high-speed operation can be obtained.

また、環状導電体層上に金属製キヤツプを取着
することにより多層配線部が気密に封止されて外
気に直接触れることがなく、しかもこの環状導電
体層より外側の絶縁体層がセラミツク及び結晶化
ガラスで構成され、ここから厚さ方向に湿気が侵
入してくることがないので、短絡腐蝕事故等が発
生することがなく、信頼性の高いハイブリツド
ICが得られる。
Furthermore, by attaching a metal cap to the annular conductor layer, the multilayer wiring section is hermetically sealed and does not come into direct contact with the outside air. Moreover, the insulator layer outside the annular conductor layer is made of ceramic or Constructed of crystallized glass, moisture does not penetrate in the thickness direction, so short-circuit corrosion accidents do not occur, making it a highly reliable hybrid.
IC is obtained.

さらに、薄膜法により導電配線パターンの露出
部上にCu系の入出力パツドが形成されているの
で、この上に入出力リード等を固着しやすい。
Furthermore, since Cu-based input/output pads are formed on the exposed portions of the conductive wiring pattern using a thin film method, input/output leads, etc. can be easily fixed onto these pads.

またさらにシールリングパターンとなる環状導
電体層を、特にハンダぬれ性のよい厚膜導体ペー
ストで印刷形成した配線基板において、ハンダで
の金属製キヤツプ溶着作業がしやすい。
Further, in a wiring board in which an annular conductor layer serving as a seal ring pattern is printed and formed using a thick film conductor paste having particularly good solder wettability, it is easy to weld metal caps with solder.

(実施例) 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described based on the drawings.

第1図および第2図は、それぞれ本発明の配線
基板の一実施例を示す斜視図および要部拡大断面
図である。
FIG. 1 and FIG. 2 are a perspective view and an enlarged sectional view of essential parts, respectively, showing an embodiment of the wiring board of the present invention.

これらの図において符号5はアルミナ等のセラ
ミツクからなる基板を示し、このセラミツク基板
5表面の周辺部には、基板中央部に向かつてそれ
ぞれ延出された複数本の比較的短尺の導体パター
ン6が以下に示す厚膜法によりそれぞれ形成され
ている。
In these figures, reference numeral 5 indicates a substrate made of ceramic such as alumina, and on the periphery of the surface of the ceramic substrate 5, there are a plurality of relatively short conductor patterns 6 each extending toward the center of the substrate. They are each formed by the thick film method shown below.

すなわち、これらの短尺の厚膜導体パターン6
は例えばCUペースト、Ag−Ptペースト、Au−
Ptペースト。Ag−Pdペーストのような、Su−
Pb系のハンダとのぬれ性が良くかつこのハンダ
との拡散速度の遅い厚膜導体ペーストを、5〜
20μmの厚さにスクリーン印刷し続いて乾燥、焼
成することによつて形成されている。
That is, these short thick film conductor patterns 6
For example, CU paste, Ag-Pt paste, Au-
Pt paste. Su− such as Ag−Pd paste
A thick film conductor paste that has good wettability with Pb-based solder and slow diffusion rate with this solder is used for 5~
It is formed by screen printing to a thickness of 20 μm, followed by drying and baking.

またこうして形成された短尺の厚膜導体パター
ン6の上には、これらの両端部をそれぞれ露出さ
せ中央部のみを被覆するような幅のリング状の絶
縁体層7が、結晶化ガラスペーストを印刷、乾燥
焼成することによつて形成されている。さらにこ
のリング状の絶縁体層7の上には、これと相似形
でこれよりいくらか幅の狭いリング状の導体パタ
ーン8が、前述の厚膜導体ペーストを印刷、乾
燥、焼成することによつて形成されている。
Further, on the short thick film conductor pattern 6 formed in this way, a ring-shaped insulating layer 7 is printed with crystallized glass paste and has a width such that both ends thereof are exposed and only the central part is covered. It is formed by drying and firing. Further, on this ring-shaped insulating layer 7, a ring-shaped conductor pattern 8 having a similar shape and slightly narrower width is formed by printing, drying, and baking the above-mentioned thick film conductor paste. It is formed.

またさらにこのようなリング状の厚膜導体パタ
ーン8の内側のセラミツク基板5表面には、銅を
主導体とした2ないし3種の導体からなる厚さが
1μm〜10μm程度の薄膜導体パターン9とほぼ同
じ厚さのポリイミド層10とを、以下に示すよう
な薄膜法によつて交互に積層してなる銅−ポリイ
ミド多層配線部11が設けられている。
Furthermore, on the surface of the ceramic substrate 5 inside such a ring-shaped thick film conductor pattern 8, there is a thickness consisting of two or three types of conductors with copper as the main conductor.
A copper-polyimide multilayer wiring section 11 is provided in which a thin film conductor pattern 9 of about 1 .mu.m to 10 .mu.m and a polyimide layer 10 of approximately the same thickness are alternately laminated by a thin film method as described below.

すなわちこの多層配線部11は、まずリング状
の導体パターン8の内側のセラミツク基板5上に
銅を主導体とした2ないし3種の導体、例えば
Cr/Cu、Ti/Cu、Cr/Cu/Cr、Ti/Cu/Cr、
Cr/Cu/Au、Ti/Cu/Au等の導体を蒸着ある
いはスパツタリングすることにより薄膜を形成し
た後、フオトリソグラフイにより不要の部分をエ
ツチングすることにより第1層目の薄膜導体パタ
ーン9を形成する。そしてこの第1層目の薄膜導
体パターンに9おいては、その端部12が短尺の
厚膜導体パターン6の全内側端部上に重なり合う
ように形成し、短尺の厚膜導体パターン6と多層
配線部11の導体パターンとが電気的に接続され
るように構成する。
In other words, this multilayer wiring section 11 is constructed by first disposing two or three types of conductors with copper as the main conductor, for example, on the ceramic substrate 5 inside the ring-shaped conductor pattern 8.
Cr/Cu, Ti/Cu, Cr/Cu/Cr, Ti/Cu/Cr,
After forming a thin film by vapor depositing or sputtering a conductor such as Cr/Cu/Au, Ti/Cu/Au, etc., the first layer thin film conductor pattern 9 is formed by etching unnecessary parts using photolithography. do. The first layer thin film conductor pattern 9 is formed so that its end 12 overlaps the entire inner end of the short thick film conductor pattern 6, and the short thick film conductor pattern 6 and the multilayer The conductor pattern of the wiring section 11 is configured to be electrically connected.

このようにして形成された薄膜導体パターン9
上に、有機材料であるポリイミド樹脂をスピンコ
ートし乾燥硬化させてポリイミド層10を形成し
た後、フオトリソグラフイによりエツチングを行
つて導体パターン9間を電気的に接続するための
通孔13を形成する。
Thin film conductor pattern 9 formed in this way
A polyimide resin, which is an organic material, is spin-coated thereon and dried and cured to form a polyimide layer 10, and then etched by photolithography to form through holes 13 for electrically connecting between the conductor patterns 9. do.

これらの工程を繰返して薄膜導体パターン9と
ポリイミド層10とを所定の層数を交互に積層
し、最後に最上層の薄膜導体パターン9を以下に
示すようにして形成する。
These steps are repeated to alternately stack a predetermined number of thin film conductor patterns 9 and polyimide layers 10, and finally, the uppermost layer thin film conductor pattern 9 is formed as shown below.

すなわち最上層においては、前記銅を主導体と
した2ないし3種の導体を基板全面に蒸着あるい
はスパツタリングした後、この薄膜導体をエツチ
ングすることにより、リング状の厚膜導体パター
ン8の内側にICチツプのような能動素子や抵抗、
コンデンサのような受動素子を搭載するための複
数のダイパツド14と、ボンデングワイヤを介し
て、搭載された能動素子と多層配線部11の導体
パターンとを電気的に接続するための複数のアウ
ターリードボンデイングパツド(OLB)15と
を形成するとともに、短尺の厚膜導体パータン6
の外側露出部上に、これより大サイズの複数個の
入出力導体パツド16をそれぞれ形成する。
That is, in the uppermost layer, two or three types of conductors with copper as the main conductor are deposited or sputtered on the entire surface of the substrate, and then this thin film conductor is etched to form an IC inside the ring-shaped thick film conductor pattern 8. active elements such as chips and resistors,
A plurality of die pads 14 for mounting passive elements such as capacitors, and a plurality of outer leads for electrically connecting the mounted active elements and the conductor pattern of the multilayer wiring section 11 via bonding wires. In addition to forming a bonding pad (OLB) 15, a short thick film conductor pattern 6 is formed.
A plurality of larger input/output conductor pads 16 are formed on the outer exposed portions of the pads.

このように構成される実施例の配線基板上に
は、通常次のようにして素子が搭載され、ハイブ
リツドICが構成される。
Elements are usually mounted on the wiring board of the embodiment configured as described above in the following manner, thereby configuring a hybrid IC.

すなわち、第3図に示すように、多層配線部1
1のダイパツド14上には、ICチツプ17や抵
抗等(図示を省略。)がそれぞれ導電性エポキシ
18のような接着剤で接着され、これらのICチ
ツプ17とOLB15との間は、Au線やAl線のよ
うなボンデイングワイヤ19によつて電気的に接
続される。そしてリング状の厚膜導体パターン8
の上には、コバールやFe/Ni42アロイのような、
セラミツクと熱膨脹係数がほぼ等しい金属からな
るキヤツプ20が、Sn/Pb63/37合金のような
共晶ハンダ21によつて固着され、ICチツプ1
7等が搭載された領域はヘリウムや窒素のような
不活性ガス22が封入された状態で気密に封止さ
れる。
That is, as shown in FIG.
On the die pad 14 of No. 1, an IC chip 17, a resistor, etc. (not shown) are bonded with adhesive such as conductive epoxy 18, and between these IC chips 17 and OLB 15, Au wire or Electrical connection is made by a bonding wire 19 such as an Al wire. And a ring-shaped thick film conductor pattern 8
On top of the
A cap 20 made of a metal whose coefficient of thermal expansion is almost equal to that of ceramic is fixed with eutectic solder 21 such as Sn/Pb63/37 alloy, and the IC chip 1 is
The area in which the components 7 and the like are mounted is hermetically sealed with an inert gas 22 such as helium or nitrogen sealed therein.

さらに薄膜の入出力導体パツド16上には、共
晶ハンダ等を用いてクリツプリード等の入出力リ
ードや入出力ピン(図示の省略。)が固着される。
Furthermore, input/output leads such as clip leads and input/output pins (not shown) are fixed onto the thin film input/output conductor pad 16 using eutectic solder or the like.

従つて、実施例の配線基板を用いこのようにし
て構成されるハイブリツドICにおいては、ICチ
ツプ17等が搭載される多層配線部11の絶縁体
層がセラミツクや結晶化ガラスと比べて誘電率が
低いポリイミド樹脂で構成されているので、配線
の浮遊容量を小さくすることができ、動作の高速
化が進められる。
Therefore, in the hybrid IC constructed in this manner using the wiring board of the embodiment, the insulating layer of the multilayer wiring section 11 on which the IC chip 17 and the like are mounted has a dielectric constant lower than that of ceramic or crystallized glass. Since it is made of low-density polyimide resin, the stray capacitance of the wiring can be reduced, leading to faster operation.

また、このようなICチツプ17等が搭載され
た領域が金属製キヤツプ20で気密に封止されて
おり、かつ金属製キヤツプ20の外側に露出した
基板周辺部の絶縁体層が、耐湿性の高いアルミナ
等のセラミツク及び結晶化ガラスで構成されてい
るので、金属製キヤツプ20内部の搭載領域への
湿気の侵入が完全に防止され、マイグレーシヨ
ン、ワイヤ腐蝕、結露事故等の発生がない。さら
にシールリンダパターンとなるリング状の導体パ
ターン8がハンダとのぬれ性の良い導体によつて
厚膜形成されており、かつ短尺の厚膜導体パター
ン6の露出部上にハンダ付け性に良い銅を主導体
とした2ないし3種の導体により薄膜入出力導体
パツド16が形成されているので、金属製キヤツ
プ20や入出力リード等の固着強度が高いハイブ
リツドICを得ることができる。
Furthermore, the area in which the IC chip 17 and the like are mounted is hermetically sealed with a metal cap 20, and the insulating layer around the substrate exposed outside the metal cap 20 is made of moisture-resistant material. Since it is made of high-quality ceramic such as alumina and crystallized glass, moisture is completely prevented from entering the mounting area inside the metal cap 20, and migration, wire corrosion, dew condensation, etc. do not occur. Furthermore, a ring-shaped conductor pattern 8 that becomes a seal cylinder pattern is formed of a thick film of a conductor that has good wettability with solder, and a conductor that has good solderability is placed on the exposed part of the short thick-film conductor pattern 6. Since the thin film input/output conductor pad 16 is formed of two or three types of conductors with the main conductor as the main conductor, a hybrid IC with high fixing strength for the metal cap 20, input/output leads, etc. can be obtained.

[発明の効果] 以上の説明から明らかなように、本発明の配線
基板およびその製造方法によれば、金属製キヤツ
プ等で気密に封止された素子の搭載領域内へ湿気
が侵入することがなく、短絡腐蝕事故等が発生す
ることがない。従つて、信頼性が高く素子の高速
動作が可能なハイブリツドICを得ることができ
る。
[Effects of the Invention] As is clear from the above description, according to the wiring board and the method for manufacturing the same of the present invention, moisture does not infiltrate into the mounting area of the element which is hermetically sealed with a metal cap or the like. Therefore, short circuit corrosion accidents will not occur. Therefore, a hybrid IC with high reliability and capable of high-speed operation of the element can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図は、それぞれ本発明の配線
基板の一実施例を示す斜視図および要部拡大断面
図、第3図は実施例の配線基板を用いて構成した
ハイブリツドICの要部拡大断面図、第4図は従
来の銅−ポリイミド多層配線の基板の断面図であ
る。 5……セラミツク基板、6……短尺の厚膜導体
パターン、7……リング状の絶縁体層、8……リ
ング状の厚膜導体パターン、9……薄膜導体パタ
ーン、10……ポリイミド層、11……多層配線
部、13……通孔、14……ダイパツド、15…
…OLB、17……ICチツプ、20……金属製キ
ヤツプ、21……ハンダ。
Figures 1 and 2 are a perspective view and an enlarged sectional view of the main parts of an embodiment of the wiring board of the present invention, respectively, and Fig. 3 is an enlarged view of the main parts of a hybrid IC constructed using the wiring board of the embodiment. 4 is a cross-sectional view of a conventional copper-polyimide multilayer wiring board. 5... Ceramic substrate, 6... Short thick film conductor pattern, 7... Ring-shaped insulator layer, 8... Ring-shaped thick film conductor pattern, 9... Thin film conductor pattern, 10... Polyimide layer, 11...Multilayer wiring part, 13...Through hole, 14...Die pad, 15...
...OLB, 17...IC chip, 20...metal cap, 21...solder.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 セラミツク基板と、 このセラミツク基板の所定面中央部に配設され
た低誘電率絶縁材料を絶縁体層としCu系導体パ
ターンを多層的に有する多層配線部と、 前記セラミツク基板の所定面周辺部に前記多層
配線部に対し離間して形設された入出力パツド
と、 この入出力パツドと前記多層配線部との間に配
設され一端は入出力パツドに他端は多層配線部の
端子にそれぞれ電気的に接続された導電配線パタ
ーンと、 この導電配線パターンの少なくとも一部をそれ
ぞれ被覆しながらかつ前記多層配線部を囲撓する
よう前記セラミツク基板の所定面に環状に形設さ
れた耐湿性材料からなる絶縁体層と、 この絶縁体層上に形設された環状導電体層と、 前記多層配線部を覆うように基部が前記環状導
電体層に取着された導電性キヤツプと、 を具備することを特徴とする配線基板。 2 セラミツク基板が、アルミナからなる基板で
ある特許請求の範囲第1項記載の配線基板。 3 Cu系導体パターンが、Cr/Cu、Ti/Cu、
Cr/Cu/Cr、Ti/Cu/Ti、Cr/Cu/Au、或い
はTi/Cu/Auである特許請求の範囲第1項記載
の配線基板。 4 多層配線部を構成するCu系導体パターンの
最下層のCu系導体パターンの端部が、導電配線
パターンの他端に重ね合わせられて電気的に接続
されている特許請求の範囲第1項記載の配線基
板。 5 低誘電率絶縁材料が、ポリイミド樹脂である
特許請求の範囲第1項記載の配線基板。 6 耐湿性材料が、結晶化ガラスである特許請求
の範囲第1項記載の配線基板。 7 導電性キヤツプが、金属製キヤツプである特
許請求の範囲第1項記載の配線基板。 8 環状導電体層が、導電性キヤツプを取着する
ためのシールリングパターンである特許請求の範
囲第1項記載の配線基板。 9 セラミツク基板の所定面に一端が周辺部に他
端が中央部に向かう導体配線パターンを厚膜法に
より形成する工程と、 前記導電配線パターンの少なくとも一部をそれ
ぞれ被覆しながらかつ前記セラミツク基板の所定
面中央部を囲撓するように環状に結晶化ガラスか
らなる絶縁体層を形成する工程と、 前記絶縁体層上に環状導電体層を厚膜法により
形成する工程と、 前記セラミツク基板の所定面中央部にポリイミ
ド樹脂を絶縁体層とし端子が前記導体配線パター
ンの他端に接続されるCu系導体パターンを多層
的に有する多層配線部とこの多層配線部の最上層
のCu系導体パターンと同時に少なくとも前記導
体配線パターンの一端に電気的に接続される入出
力パツドとを薄膜法により形成する工程と、 前記多層配線部を覆うように導電性キヤツプの
基部を前記環状導電体層に取着する工程と、 からなることを特徴とする配線基板の製造方法。 10 導体配線パターンおよび環状導電体層を形
成する工程は、それぞれハンダぬれ性が良くかつ
ハンダとの拡散速度の遅い厚膜導体ペーストを印
刷、乾燥、焼成してなるものである特許請求の範
囲第9項記載の配線基板の製造方法。 11 絶縁体層を形成する工程は、厚膜結晶化ガ
ラスペーストを印刷、乾燥、焼成してなるもので
ある特許請求の範囲第9項記載の配線基板の製造
方法。 12 Cu系導体パターンを形成する工程は、
Cr/Cu、Ti/Cu、Cr/Cu/Cr、Ti/Cu/Ti、
Cr/Cu/Au、或いはTi/Cu/Auからなる薄膜
を蒸着或いはスパツタリングし、フオトリソグラ
フイにより不要部分をエツチングしてなるもので
ある特許請求の範囲第9項記載の配線基板の製造
方法。 13 ポリイミド樹脂の絶縁体層を形成する工程
は、スピンコートによりポリイミド樹脂の薄膜を
形成し、フオトリソグラフイによりエツチングし
てなるものである特許請求の範囲第9項記載の配
線基板の製造方法。
[Scope of Claims] 1. A ceramic substrate; a multilayer wiring section having a multilayered Cu-based conductor pattern with a low dielectric constant insulating material as an insulating layer disposed at the center of a predetermined surface of the ceramic substrate; an input/output pad formed on the periphery of a predetermined surface of the board at a distance from the multilayer wiring section; and an input/output pad disposed between the input/output pad and the multilayer wiring section, one end of which is an input/output pad, and the other end of which is an input/output pad. conductive wiring patterns each electrically connected to the terminals of the multilayer wiring section; and an annular pattern on a predetermined surface of the ceramic substrate so as to cover at least a portion of each of the conductive wiring patterns and to surround the multilayer wiring section. an insulator layer formed of a moisture-resistant material; an annular conductor layer formed on the insulator layer; and a base attached to the annular conductor layer so as to cover the multilayer wiring section. A wiring board comprising a conductive cap and the following. 2. The wiring board according to claim 1, wherein the ceramic substrate is a substrate made of alumina. 3 Cu-based conductor patterns include Cr/Cu, Ti/Cu,
The wiring board according to claim 1, which is Cr/Cu/Cr, Ti/Cu/Ti, Cr/Cu/Au, or Ti/Cu/Au. 4. Claim 1, wherein the end of the lowest layer of the Cu-based conductor pattern constituting the multilayer wiring section is superimposed on and electrically connected to the other end of the conductive wiring pattern. wiring board. 5. The wiring board according to claim 1, wherein the low dielectric constant insulating material is a polyimide resin. 6. The wiring board according to claim 1, wherein the moisture-resistant material is crystallized glass. 7. The wiring board according to claim 1, wherein the conductive cap is a metal cap. 8. The wiring board according to claim 1, wherein the annular conductive layer is a seal ring pattern for attaching a conductive cap. 9. Forming a conductive wiring pattern on a predetermined surface of the ceramic substrate with one end facing the periphery and the other end facing the center using a thick film method; forming an annular insulating layer made of crystallized glass so as to surround a central portion of a predetermined surface; forming an annular conductive layer on the insulating layer by a thick film method; A multilayer wiring section having a polyimide resin as an insulating layer in the center of a predetermined surface and a Cu-based conductor pattern in multiple layers whose terminals are connected to the other end of the conductor wiring pattern, and a Cu-based conductor pattern on the top layer of this multilayer wiring section. At the same time, forming an input/output pad electrically connected to at least one end of the conductor wiring pattern by a thin film method, and attaching a base of a conductive cap to the annular conductor layer so as to cover the multilayer wiring part. 1. A method for manufacturing a wiring board, comprising: a step of attaching the wiring board; 10 The process of forming the conductor wiring pattern and the annular conductor layer is performed by printing, drying, and baking a thick film conductor paste that has good solder wettability and a slow diffusion rate with solder. 9. The method for manufacturing a wiring board according to item 9. 11. The method of manufacturing a wiring board according to claim 9, wherein the step of forming the insulating layer is performed by printing, drying, and firing a thick film crystallized glass paste. 12 The process of forming a Cu-based conductor pattern is as follows:
Cr/Cu, Ti/Cu, Cr/Cu/Cr, Ti/Cu/Ti,
10. The method of manufacturing a wiring board according to claim 9, wherein a thin film of Cr/Cu/Au or Ti/Cu/Au is deposited or sputtered, and unnecessary portions are etched by photolithography. 13. The method of manufacturing a wiring board according to claim 9, wherein the step of forming the insulating layer of polyimide resin is performed by forming a thin film of polyimide resin by spin coating and etching by photolithography.
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