JPH0364025A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
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- JPH0364025A JPH0364025A JP19928189A JP19928189A JPH0364025A JP H0364025 A JPH0364025 A JP H0364025A JP 19928189 A JP19928189 A JP 19928189A JP 19928189 A JP19928189 A JP 19928189A JP H0364025 A JPH0364025 A JP H0364025A
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- bell jar
- heating device
- plasma treatment
- heating
- polymerized film
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- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title abstract 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、マイクロ波と磁場を用いてプラズマを発生さ
せるプラズマ処理装置に係り、特に、プラズマ処理室の
ベルジャのクリーニング方法に関するものである。
せるプラズマ処理装置に係り、特に、プラズマ処理室の
ベルジャのクリーニング方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば特開昭６
３−２３２３３４号に記載されるものがあった。
３−２３２３３４号に記載されるものがあった。
第３図はかかる従来のプラズマ処理装置の全体構成図で
ある。
ある。
この図において、ｌはマグネトロン、２は導波管、３は
コイル、４は石英ベルジャ（以下、単にベルジャという
）、５は試料、６は試料台、７はガス導入口、８はガス
排気口、９は高周波電源、１０は堆積した重合膜である
。
コイル、４は石英ベルジャ（以下、単にベルジャという
）、５は試料、６は試料台、７はガス導入口、８はガス
排気口、９は高周波電源、１０は堆積した重合膜である
。
このようなプラズマ処理装置を用いて、エツチングガス
として、ＣヨＣ１，Ｆ□ＳＦ、をそれぞれ６３．７ｓｅ
ｃｍ、高周波電力１００−、マイクロ波電力３５０−１
圧力１０ｍＴｏｒｒの条件で、多結晶シリコンをエツチ
ングした場合に、良好なエツチング特性が得られる。
として、ＣヨＣ１，Ｆ□ＳＦ、をそれぞれ６３．７ｓｅ
ｃｍ、高周波電力１００−、マイクロ波電力３５０−１
圧力１０ｍＴｏｒｒの条件で、多結晶シリコンをエツチ
ングした場合に、良好なエツチング特性が得られる。
この時、ベルジャ４の内面にＣＦ系の重合膜１０が堆積
する。ここで、ＳＦ４ 、 Ｏｔをそれぞれ５０．５０
ｓｅｃｍとし、高周波電力Ｏｕ、マイクロ波電力４００
Ｗ、圧力ｌＱ＊Ｔｏｒｒの条件にすると、ベルジャ４の
内面から重合＊１０を均一に除去することができる。
する。ここで、ＳＦ４ 、 Ｏｔをそれぞれ５０．５０
ｓｅｃｍとし、高周波電力Ｏｕ、マイクロ波電力４００
Ｗ、圧力ｌＱ＊Ｔｏｒｒの条件にすると、ベルジャ４の
内面から重合＊１０を均一に除去することができる。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、エツチング中に発生する重合＊１０はベルジャ
４の内面に均一には堆積しない、従って、現実的には部
分的にベルジャ４が露出しているので、重合１１１１０
を完全に除去しようとすると、その露出しているベルジ
ャ４までエツチングされてしまう。
４の内面に均一には堆積しない、従って、現実的には部
分的にベルジャ４が露出しているので、重合１１１１０
を完全に除去しようとすると、その露出しているベルジ
ャ４までエツチングされてしまう。
上記処理を何回も繰り返すと、ベルジャ４がエツチング
されて白く濁ってくる。このような状態になると、同一
条件でエツチングを行っても、そのエツチング速度が約
２０％低下するといった問題があった。
されて白く濁ってくる。このような状態になると、同一
条件でエツチングを行っても、そのエツチング速度が約
２０％低下するといった問題があった。
本発明は、以上述べたベルジャの内面に堆積した重合膜
を除去する際に、ベルジャもエツチングされるという問
題点を除去するため、ベルジャ側面に加熱装置を設置し
、ベルジャを加熱することにより、堆積した重合膜を的
確に除去することができるプラズマ処理室のベルジャク
リーニング方法を提供することを目的とする。
を除去する際に、ベルジャもエツチングされるという問
題点を除去するため、ベルジャ側面に加熱装置を設置し
、ベルジャを加熱することにより、堆積した重合膜を的
確に除去することができるプラズマ処理室のベルジャク
リーニング方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、マイクロ波と磁
場を用いてプラズマを発生させるプラズマ処理装置にお
いて、ベルジャ（４）の周りに加熱装置（１１，、１２
）を設置し、該ベルジャ（４）を加熱することにより、
該ベルジャ（４）の内面に堆積した重合膜（１０）を除
去するようにしたものである。
場を用いてプラズマを発生させるプラズマ処理装置にお
いて、ベルジャ（４）の周りに加熱装置（１１，、１２
）を設置し、該ベルジャ（４）を加熱することにより、
該ベルジャ（４）の内面に堆積した重合膜（１０）を除
去するようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、ベルジャ（４）の内面に重合ＩＩＩ（
１０）が堆積すると、ベルジャ（４）の周りに加熱装置
（１１，１２）を設置し、該ベルジャ（４）を加熱する
ことにより、ベルジャ（４）の内面に堆積した重合膜（
１０）を除去し、その後も通常のプラズマ処理を行うこ
とができる。
１０）が堆積すると、ベルジャ（４）の周りに加熱装置
（１１，１２）を設置し、該ベルジャ（４）を加熱する
ことにより、ベルジャ（４）の内面に堆積した重合膜（
１０）を除去し、その後も通常のプラズマ処理を行うこ
とができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示すプラズマ処理室のベルジ
ャクリーニング工程図である。
ャクリーニング工程図である。
第３図に示されたプラズマ処理装置を用いて、ＣｔＣＩ
ＪｏＳＦ６をそれぞれ６３．７ｓｅｃ＋ｓ、高周波電
力１００Ｗ、マイクロ波電力３５０−１圧力ＩＱｍＴｏ
ｒｒの条件で試料台６上の試料としての多結晶シリコン
のエツチングを何回か繰り返すと、ベルジャ４内に重合
膜１０が堆積し付着する。
ＪｏＳＦ６をそれぞれ６３．７ｓｅｃ＋ｓ、高周波電
力１００Ｗ、マイクロ波電力３５０−１圧力ＩＱｍＴｏ
ｒｒの条件で試料台６上の試料としての多結晶シリコン
のエツチングを何回か繰り返すと、ベルジャ４内に重合
膜１０が堆積し付着する。
この重合膜を除去するために、第１図に示すように、ベ
ルジャ４の周りに加熱装置１１を配置する。
ルジャ４の周りに加熱装置１１を配置する。
例えば抵抗線を内蔵するリボンヒータをベルジャ４の外
周に巻きつけ、そのリボンヒータに通電することによっ
て加熱する。ベルジャ４内の真空度が１０−’Ｔｏｒｒ
以下の時に、その温度が３００°Ｃ以上に加熱されると
、ベルジャ４の内面に堆積している重合＠１０は揮発し
除去される。このようにして、重合１１１１０を除去し
た後、リボンヒータを取り外し、通常のプラズマ処理を
行う。
周に巻きつけ、そのリボンヒータに通電することによっ
て加熱する。ベルジャ４内の真空度が１０−’Ｔｏｒｒ
以下の時に、その温度が３００°Ｃ以上に加熱されると
、ベルジャ４の内面に堆積している重合＠１０は揮発し
除去される。このようにして、重合１１１１０を除去し
た後、リボンヒータを取り外し、通常のプラズマ処理を
行う。
以下、本発明のプラズマ処理室クリーニング方法につい
て更に詳細に説明する。
て更に詳細に説明する。
（１）試料５としての多結晶シリコンのエツチングを繰
り返すことにより、ベルジャ４内に重合＠１０が堆積す
る〔第１図（ａ）参照］。
り返すことにより、ベルジャ４内に重合＠１０が堆積す
る〔第１図（ａ）参照］。
（２）ベルジャ４の周りに加熱装置１１を配置する〔第
１図（ｂ）参照〕、ここでは、前記したように、抵抗線
を内蔵するリボンヒータをベルジャ４の外周に巻きつけ
ている。しかし、このようなリボンヒータは巻回作業に
時間を要するので、第２図に示すように、予め、ベルジ
ャ４の外周面に対応した形状に底型された加熱装置（成
形品）１２を用意し、これをベルジャ４に着脱する方が
望ましい。
１図（ｂ）参照〕、ここでは、前記したように、抵抗線
を内蔵するリボンヒータをベルジャ４の外周に巻きつけ
ている。しかし、このようなリボンヒータは巻回作業に
時間を要するので、第２図に示すように、予め、ベルジ
ャ４の外周面に対応した形状に底型された加熱装置（成
形品）１２を用意し、これをベルジャ４に着脱する方が
望ましい。
ここで、加熱装置１２はベルジャ４の全外周面を覆うよ
うに底形する０例えば、ベルジャ４の外周面に対応して
内面にヒータ線を設け、そのヒータ線を絶縁体で固める
。このように加熱装置１２によりベルジャ４の全外周面
を覆うようにすると、ベルジャ４の内面に堆積した重合
膜を全て容易に除去することができる。
うに底形する０例えば、ベルジャ４の外周面に対応して
内面にヒータ線を設け、そのヒータ線を絶縁体で固める
。このように加熱装置１２によりベルジャ４の全外周面
を覆うようにすると、ベルジャ４の内面に堆積した重合
膜を全て容易に除去することができる。
（３）ベルジャ４内の真空度が１０−’Ｔｏｒｒ以下の
時に、その加熱装置１１又は１２により、ベルジャ４を
温度３００″Ｃ以上に加熱し、堆積している重合膜１０
を揮発させて除去する〔第１図（ｃ）参照〕、なお、こ
のようにして揮発除去された重合膜は、ガス排気により
排気することができる。
時に、その加熱装置１１又は１２により、ベルジャ４を
温度３００″Ｃ以上に加熱し、堆積している重合膜１０
を揮発させて除去する〔第１図（ｃ）参照〕、なお、こ
のようにして揮発除去された重合膜は、ガス排気により
排気することができる。
この後、加熱装置１１又は１２を除去し、通常のプラズ
マ処理を行う。
マ処理を行う。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、ベルジ
ャの周りに加熱装置を設け、ベルジャを加熱することに
よって、堆積した重合膜を的確に除去することができる
。従って、ベルジャ内面の荒れはなくなり、優れたエツ
チング特性を維持することができる。
ャの周りに加熱装置を設け、ベルジャを加熱することに
よって、堆積した重合膜を的確に除去することができる
。従って、ベルジャ内面の荒れはなくなり、優れたエツ
チング特性を維持することができる。
更に、ベルジャ面の荒れを抑えられるので、ベルジャの
高寿命化を図ることができる。
高寿命化を図ることができる。
第１図は本発明の実施例を示すプラズマ処理室のベルジ
ャクリーニング工程図、第２図は本発明のベルジャへの
加熱装置の着脱を説明する図、第３図は従来のプラズマ
処理装置の全体構成図であ合膜、ｌｌ・・・加熱装置（
リボンヒータ）、１２・・・加熱装置１（成形品）。
ャクリーニング工程図、第２図は本発明のベルジャへの
加熱装置の着脱を説明する図、第３図は従来のプラズマ
処理装置の全体構成図であ合膜、ｌｌ・・・加熱装置（
リボンヒータ）、１２・・・加熱装置１（成形品）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マイクロ波と磁場を用いてプラズマを発生させるプラズ
マ処理装置において、 ベルジャの周りに加熱装置を設置し、該ベルジャを加熱
し、該ベルジャ内面に堆積した重合膜を除去することを
特徴とするプラズマ処理室のベルジャクリーニング方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01199281A JP3073207B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01199281A JP3073207B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364025A true JPH0364025A (ja) | 1991-03-19 |
| JP3073207B2 JP3073207B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=16405184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01199281A Expired - Fee Related JP3073207B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3073207B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996025834A1 (fr) * | 1995-02-17 | 1996-08-22 | Hitachi, Ltd. | Appareil de traitement du plasma |
| US6815365B2 (en) | 1995-03-16 | 2004-11-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7343941B2 (ja) | 2021-06-17 | 2023-09-13 | 株式会社新川 | 超音波複合振動装置および半導体装置の製造装置 |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP01199281A patent/JP3073207B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996025834A1 (fr) * | 1995-02-17 | 1996-08-22 | Hitachi, Ltd. | Appareil de traitement du plasma |
| US6815365B2 (en) | 1995-03-16 | 2004-11-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| US7208422B2 (en) | 1995-03-16 | 2007-04-24 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing method |
| US7565879B2 (en) | 1995-03-16 | 2009-07-28 | Hitachi, Ltd | Plasma processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3073207B2 (ja) | 2000-08-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |