JPH0363572U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0363572U JPH0363572U JP12274189U JP12274189U JPH0363572U JP H0363572 U JPH0363572 U JP H0363572U JP 12274189 U JP12274189 U JP 12274189U JP 12274189 U JP12274189 U JP 12274189U JP H0363572 U JPH0363572 U JP H0363572U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction vessel
- cvd apparatus
- plasma cvd
- gas introduction
- introduction system
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案ＣＶＤ装置の一実施例を示す一
部破断面図、第２図は他の実施例を示す一部破断
面図である。 １……反応容器、２……支持体、５……原料ガ
スボンベ、６……ガス導入系、６ｂ……巻回部分
、６ｃ……蛇行部分、７……反応容器用ヒータ。
部破断面図、第２図は他の実施例を示す一部破断
面図である。 １……反応容器、２……支持体、５……原料ガ
スボンベ、６……ガス導入系、６ｂ……巻回部分
、６ｃ……蛇行部分、７……反応容器用ヒータ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 原料ガスをプラズマ分解し、膜を支持体上に形
成するプラズマＣＶＤ装置であつて、 上記支持体を収納する反応容器、 該反応容器内へ上記原料ガスを導入するガス導
入系、 上記反応容器内を排気する排気系、 上記反応容器内を加熱する加熱手段、 を具備し、 上記ガス導入系を反応容器の外周に沿つて設け
ると共に、上記加熱手段を上記反応容器の外周に
沿うガス導入系部分を覆つて配置することを特徴
とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12274189U JPH0363572U (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12274189U JPH0363572U (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0363572U true JPH0363572U (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=31670734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12274189U Pending JPH0363572U (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0363572U (ja) |
-
1989
- 1989-10-19 JP JP12274189U patent/JPH0363572U/ja active Pending