JPH0362583A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0362583A JPH0362583A JP1196830A JP19683089A JPH0362583A JP H0362583 A JPH0362583 A JP H0362583A JP 1196830 A JP1196830 A JP 1196830A JP 19683089 A JP19683089 A JP 19683089A JP H0362583 A JPH0362583 A JP H0362583A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は、光ディスク・システム等で使用する半導体レ
ーザに係わり、特にマルチビーム発生とその検出機能を
備えた半導体レーザ装置に関する。
ーザに係わり、特にマルチビーム発生とその検出機能を
備えた半導体レーザ装置に関する。
(従来の技術)
近年、半導体レーザを用いた光ディスク・システムは、
コンパクトディスク、ビデオディスクを初めとする民生
用機器や文書ファイル等のOA用機器等として広く実用
化されている。光デイスク装置の光学ヘッドには、複数
のレーザを用いたマルチビーム光ヘッドが実用化を「1
指して開発が進められている(例えば、1986年発行
のOQ E 8B−158)。このマルチビーム光ヘッ
ドは、同時に複数のトラックの記録/読出しく並列記録
/読出し)を行うことができ、また読出し用ビームで記
録誤りを確実に捕択することができ、データの信頼性向
上や転送速度の高速化等に有効である。
コンパクトディスク、ビデオディスクを初めとする民生
用機器や文書ファイル等のOA用機器等として広く実用
化されている。光デイスク装置の光学ヘッドには、複数
のレーザを用いたマルチビーム光ヘッドが実用化を「1
指して開発が進められている(例えば、1986年発行
のOQ E 8B−158)。このマルチビーム光ヘッ
ドは、同時に複数のトラックの記録/読出しく並列記録
/読出し)を行うことができ、また読出し用ビームで記
録誤りを確実に捕択することができ、データの信頼性向
上や転送速度の高速化等に有効である。
しかしながら、この種の装置にあっては次のような問題
があった。即ち、光学ヘッドではその動作安定化(レー
ザ出力の安定化)をはかるために、レーザ出力を受光素
子でモニタしてフィードバック制御する必要がある。マ
ルチビーム光ヘッドの場合、1つのパッケージ内に複数
の半導体レーザが配置されているので、それぞれのレー
ザ出力をモニタするために受光素子もこれに合わせて複
数個必要となる。−ところが、マルチビーム光ヘッドは
複数の半導体レーザがハイブリッド或いはモノリシック
に近接配置されているため、レーザ出力をモニタする受
光素子では対応する半導体レーザ以外からの光の入射が
避けられず、従って個々の半導体レーザの光出力を正確
にモニタするのは困難である。
があった。即ち、光学ヘッドではその動作安定化(レー
ザ出力の安定化)をはかるために、レーザ出力を受光素
子でモニタしてフィードバック制御する必要がある。マ
ルチビーム光ヘッドの場合、1つのパッケージ内に複数
の半導体レーザが配置されているので、それぞれのレー
ザ出力をモニタするために受光素子もこれに合わせて複
数個必要となる。−ところが、マルチビーム光ヘッドは
複数の半導体レーザがハイブリッド或いはモノリシック
に近接配置されているため、レーザ出力をモニタする受
光素子では対応する半導体レーザ以外からの光の入射が
避けられず、従って個々の半導体レーザの光出力を正確
にモニタするのは困難である。
(発明が解決しようとする課題)
このように従来、マルチビーム光ヘッドは、データの信
頼性向上や転送速度の高速化に有効であるが、個々の半
導体レーザの光出力を正確にモニタすることは困難であ
った。
頼性向上や転送速度の高速化に有効であるが、個々の半
導体レーザの光出力を正確にモニタすることは困難であ
った。
本発明は、上記串情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、波長の異なる複数の半導体レーザの
光出力を正確にモニタすることができ、マルチビーム光
ヘッドの信頼性向上等に寄与し得る半導体レーザ装置を
提供することにある。
的とするところは、波長の異なる複数の半導体レーザの
光出力を正確にモニタすることができ、マルチビーム光
ヘッドの信頼性向上等に寄与し得る半導体レーザ装置を
提供することにある。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明の骨子は、波長の異なる複数の半導体レーザの光
出力を独立にモニタするために、波長に対する透過特性
の異なる多層膜からなるフィルタを用いたことにある。
出力を独立にモニタするために、波長に対する透過特性
の異なる多層膜からなるフィルタを用いたことにある。
即ち本発明は、発振波長が異なり隣接配置された複数の
半導体レーザ素子と、これらのレーザ素子の光出力を独
立に検出する複数の受光素子とを備えた半導体レーザ装
置において、前記受光素子の受光面に波長に対する透過
特性の巣なる多層膜からなるフィルタを形成するように
したものである。
半導体レーザ素子と、これらのレーザ素子の光出力を独
立に検出する複数の受光素子とを備えた半導体レーザ装
置において、前記受光素子の受光面に波長に対する透過
特性の巣なる多層膜からなるフィルタを形成するように
したものである。
(作用)
本発明によれば、受光素子の受光面に形成するフィルタ
を多層膜で形成しているので、膜の組み合わせを選択す
ることによ°す、1モ意の波長に対するバンドパスフィ
ルタ、ローパスフィルタ、及びバイパスフィルタを作る
ことができる。
を多層膜で形成しているので、膜の組み合わせを選択す
ることによ°す、1モ意の波長に対するバンドパスフィ
ルタ、ローパスフィルタ、及びバイパスフィルタを作る
ことができる。
このため、受光素子の受光面に形成するフィルタをそれ
ぞれの受光素子が検出すべきレーザ光のみを透過するよ
うに設定(例えばバンドパスフィルタに形成)すれば、
それぞれの受光素子では他のレーザからの光入射があっ
ても本来検出すべきレーザ光のみを正確にモニタするこ
とが可能となる。従って、マルチビーム光ヘッドに適用
した場合、波長の異なる記録用、読出し用の多数の半導
体レーザの光出力を正確に検出して、記録/読出しにお
ける光出力の安定化をはかることができ、処理したデー
タの信頼性向上及び転送速度のより一層の高速化に寄与
することが可能となる。
ぞれの受光素子が検出すべきレーザ光のみを透過するよ
うに設定(例えばバンドパスフィルタに形成)すれば、
それぞれの受光素子では他のレーザからの光入射があっ
ても本来検出すべきレーザ光のみを正確にモニタするこ
とが可能となる。従って、マルチビーム光ヘッドに適用
した場合、波長の異なる記録用、読出し用の多数の半導
体レーザの光出力を正確に検出して、記録/読出しにお
ける光出力の安定化をはかることができ、処理したデー
タの信頼性向上及び転送速度のより一層の高速化に寄与
することが可能となる。
(実施例)
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザ装置を
説明するためのもので、(a)は概略構成を示す断面図
、(b)は要部構成を示す斜視図である。銅製のステム
11.キャップ12及びガラス窓13からパッケージが
構成され、このパッケージ内に複数の半導体レーザ素子
及び受光素子等が収容されて、マルチビーム光ヘッドが
構成されている。
説明するためのもので、(a)は概略構成を示す断面図
、(b)は要部構成を示す斜視図である。銅製のステム
11.キャップ12及びガラス窓13からパッケージが
構成され、このパッケージ内に複数の半導体レーザ素子
及び受光素子等が収容されて、マルチビーム光ヘッドが
構成されている。
InGaAIP系からなる可視光レーザを含んだ波長の
異なる複数の半導体レーザ素子101 。
異なる複数の半導体レーザ素子101 。
102、・・・が銅製のステム11にIn等の融着金属
でそれぞれ固定されている。これらのレーザ素子101
,102.・・・はレーザ端子501,502.・・・
から電源の供給を受け、前面及び後面からレーザ光を発
光する。ここで、前面からのレーザ光301,302゜
・・・はガラス窓13を通して外部に取り出され記録/
続出し用に用いられ、後面からのレーザ光401.40
2.・・・はモニタ用に用いられる。
でそれぞれ固定されている。これらのレーザ素子101
,102.・・・はレーザ端子501,502.・・・
から電源の供給を受け、前面及び後面からレーザ光を発
光する。ここで、前面からのレーザ光301,302゜
・・・はガラス窓13を通して外部に取り出され記録/
続出し用に用いられ、後面からのレーザ光401.40
2.・・・はモニタ用に用いられる。
レーザ素子101,102.・・・の後方には、レーザ
光401.402.・・・を検出するフォトダイオード
等の受光素子201,202.・・・がそれぞれ設置さ
れている。
光401.402.・・・を検出するフォトダイオード
等の受光素子201,202.・・・がそれぞれ設置さ
れている。
そして、受光素子201,201.・・・の出力である
モニタ出力は、受光素子端子601,602.・・・を
介して外部に取り出されるものとなっている。受光素子
201.202.・・・は、その受光面がレーザ素子(
01゜l02.・・・の光出射方向に対して斜めとなる
ように固定されている。これは、受光素子201,20
2.・・・からの反射光がレーザ索子101,102.
・・・に入射することを防ぐと共に、パッケージ外への
反射光の漏れを防ぐためである。また、受光素子201
゜202、・・・の受光面には、対応するレーザ素子1
01゜102、・・・のレーザ光の発振波長のみを透過
するフィルタ(バンドパスフィルタ)がそれぞれ形成さ
れている。
モニタ出力は、受光素子端子601,602.・・・を
介して外部に取り出されるものとなっている。受光素子
201.202.・・・は、その受光面がレーザ素子(
01゜l02.・・・の光出射方向に対して斜めとなる
ように固定されている。これは、受光素子201,20
2.・・・からの反射光がレーザ索子101,102.
・・・に入射することを防ぐと共に、パッケージ外への
反射光の漏れを防ぐためである。また、受光素子201
゜202、・・・の受光面には、対応するレーザ素子1
01゜102、・・・のレーザ光の発振波長のみを透過
するフィルタ(バンドパスフィルタ)がそれぞれ形成さ
れている。
ここで、受光素子が有しているフィルタは、波長により
透過率が具なる多層膜からなり、膜の組み合わせを変え
ることで、任意の波長に対するバンドパスフィルタ、ロ
ーパスフィルタやバイパスフィルタを作ることができる
。下記第1表にバンドパスフィルタを形成した場合のそ
れぞれの膜の構成を示し、第2図にこの場合の波長に対
する損失の変化を示す。なお、発振波長λに対してHは
厚さがλ/4で屈折率の高い膜、例えばTiO2(屈折
率2.3) 、Lは厚さがλ/4で屈折率の低い膜、例
えば5in2(屈折率1.46)等からなり、それぞれ
の組み合わせでバンドパスフィルタが構成されている。
透過率が具なる多層膜からなり、膜の組み合わせを変え
ることで、任意の波長に対するバンドパスフィルタ、ロ
ーパスフィルタやバイパスフィルタを作ることができる
。下記第1表にバンドパスフィルタを形成した場合のそ
れぞれの膜の構成を示し、第2図にこの場合の波長に対
する損失の変化を示す。なお、発振波長λに対してHは
厚さがλ/4で屈折率の高い膜、例えばTiO2(屈折
率2.3) 、Lは厚さがλ/4で屈折率の低い膜、例
えば5in2(屈折率1.46)等からなり、それぞれ
の組み合わせでバンドパスフィルタが構成されている。
また、第1表において、A −II L 11 (2L
) II L II 。
) II L II 。
13−LIIL(2+1)LIIL、、 C−+1L(
2+1)Ll+である。
2+1)Ll+である。
第 1 表
また、下記第2表にローパスフィルタを形成した場合の
それぞれの膜の構成を示し、第3図にこの場合の波長に
対する透過率の変化を示す。なお、下記第2表において
7〜19層はII L II L HL II L I
(L 11 L 11である。
それぞれの膜の構成を示し、第3図にこの場合の波長に
対する透過率の変化を示す。なお、下記第2表において
7〜19層はII L II L HL II L I
(L 11 L 11である。
第
表
なお、ここで示したフィルタの例は単なる設計例であり
、本実施例ではそれぞれの受光素子毎に、検出すべき波
長に合わせてフィルタを設計すればよい。即ち、受光素
子が検出すべきレーザ光のみを透過するバンドパスフィ
ルタを設計し、受光素子の受光面に多層膜を形成すれば
よい。
、本実施例ではそれぞれの受光素子毎に、検出すべき波
長に合わせてフィルタを設計すればよい。即ち、受光素
子が検出すべきレーザ光のみを透過するバンドパスフィ
ルタを設計し、受光素子の受光面に多層膜を形成すれば
よい。
かくして本実施例によれば、複数のレーザ素子の光出力
をレーザ索子に対応して配置された受光素子によりモニ
タすることができる。そしてこの場合、受光素子の受光
面に検出すべきレーザ光の波長にあったフィルタが形成
されているので、受光素子は対応するレーザ素子以外か
らの光が入射してもその影響を受けない。従って、波長
の異なる複数のレーザ素子の光出力を独立に且つ正確に
モニタすることができる。このため、マルチビーム光ヘ
ッドに適用した場合、波長の異なる記録用、読出し用の
多数のレーザ素子の光出力を正確に検出して、記録/読
出しにおける光出力の安定化をはかることができ、これ
により処理したデータの信頼性向上及び転送速度のより
一層の高速化をはかることができる。
をレーザ索子に対応して配置された受光素子によりモニ
タすることができる。そしてこの場合、受光素子の受光
面に検出すべきレーザ光の波長にあったフィルタが形成
されているので、受光素子は対応するレーザ素子以外か
らの光が入射してもその影響を受けない。従って、波長
の異なる複数のレーザ素子の光出力を独立に且つ正確に
モニタすることができる。このため、マルチビーム光ヘ
ッドに適用した場合、波長の異なる記録用、読出し用の
多数のレーザ素子の光出力を正確に検出して、記録/読
出しにおける光出力の安定化をはかることができ、これ
により処理したデータの信頼性向上及び転送速度のより
一層の高速化をはかることができる。
第4図は本発明の他の実施例を説明するためのもので、
(a)は概略構成を示す断面図、(b)は要部構成を示
す斜視図である。なお、第1図と同一部分には同一符号
を付して、その詳しい説明は省略する。
(a)は概略構成を示す断面図、(b)は要部構成を示
す斜視図である。なお、第1図と同一部分には同一符号
を付して、その詳しい説明は省略する。
この実施例が先に説明した実施例と異なる点は、レーザ
素子及び受光素子をそれぞれモノリシックに形成したこ
とにある。即ち、 InGaAIP系からなる可視光レーザを含んだ複数の
半導体レーザ素子701,702.・・・が同一基板上
にモノリシックに形成され、このモノリシック形成され
たレーザ索子701,702.・・・が銅製のステム1
1にIn等の融着金属で固定されている。また、フォト
ダ・イオード等の受光素子801゜802、・・・が同
一基板上にモノリシックに形成され、このモノリシック
形成された受光素子801,802゜・・・がレーザ素
子701,701.・・・の後方に設置されている。
素子及び受光素子をそれぞれモノリシックに形成したこ
とにある。即ち、 InGaAIP系からなる可視光レーザを含んだ複数の
半導体レーザ素子701,702.・・・が同一基板上
にモノリシックに形成され、このモノリシック形成され
たレーザ索子701,702.・・・が銅製のステム1
1にIn等の融着金属で固定されている。また、フォト
ダ・イオード等の受光素子801゜802、・・・が同
一基板上にモノリシックに形成され、このモノリシック
形成された受光素子801,802゜・・・がレーザ素
子701,701.・・・の後方に設置されている。
なお、レーザ素子701,702.・・・と受光素子8
01゜802、・・・とは、先の実施例と同様に個々の
レーザ素子に1つの受光素子801,802.・・・が
対応するものとなっている。また、レーザ素子701,
702.・・・及び受光素子801,802.・・・以
外の構成は、先の実施例と同様である。
01゜802、・・・とは、先の実施例と同様に個々の
レーザ素子に1つの受光素子801,802.・・・が
対応するものとなっている。また、レーザ素子701,
702.・・・及び受光素子801,802.・・・以
外の構成は、先の実施例と同様である。
このような構成であれば、先の実施例と同様の効果が得
られるのは勿論のこと、レーザ素子及び受光素子がそれ
ぞれモノリシックに形成されているので、これらの位置
合わせが容易になる利点がある。
られるのは勿論のこと、レーザ素子及び受光素子がそれ
ぞれモノリシックに形成されているので、これらの位置
合わせが容易になる利点がある。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施
することができる。
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施
することができる。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、受光素子の受光面
に多層膜からなるフィルタを設ける構成としているので
、発振波長の異なる複数の半導体レーザ素子の光出力を
独立にdつ正確にモニタすることができ、マルチビーム
光ヘッドの信頼性向上等に寄与することができる。
に多層膜からなるフィルタを設ける構成としているので
、発振波長の異なる複数の半導体レーザ素子の光出力を
独立にdつ正確にモニタすることができ、マルチビーム
光ヘッドの信頼性向上等に寄与することができる。
第1図(a)は本発明の一実施例に係わる半導体レーザ
装置の概略構成を示す断面図、第1図(b)は同装置の
要部構成を示す斜視図、第2図及び第3図はそれぞれ上
記実施例を説明するためのもので、第2図は相対波長に
対する吸収係数の変化を示す特性図、第3図は波長に対
する透過率の変化を示す特性図、第4図(a)は本発明
の他の実施例の概略構成を示す断面図、第4図(b)は
同装置の要部構成を示す斜視図である。 11:銅製ステム、 12:キャップ、 13ニガラス板、 101.102.・・・二手導体レーザ素子、201.
202.・・・:受光素子、 301.302.・・・:半導体レーザの前面出射光、
401.402.・・・二手導体レーザの後面出射光5
01.502.・・・:レーザ用電極端子、601.8
02.・・・:受光素子用電極端子、701.702.
・・・:モノリシック形成された半導体レーザ素子 801.802.・・・:モノリシック形成された受光
素子。
装置の概略構成を示す断面図、第1図(b)は同装置の
要部構成を示す斜視図、第2図及び第3図はそれぞれ上
記実施例を説明するためのもので、第2図は相対波長に
対する吸収係数の変化を示す特性図、第3図は波長に対
する透過率の変化を示す特性図、第4図(a)は本発明
の他の実施例の概略構成を示す断面図、第4図(b)は
同装置の要部構成を示す斜視図である。 11:銅製ステム、 12:キャップ、 13ニガラス板、 101.102.・・・二手導体レーザ素子、201.
202.・・・:受光素子、 301.302.・・・:半導体レーザの前面出射光、
401.402.・・・二手導体レーザの後面出射光5
01.502.・・・:レーザ用電極端子、601.8
02.・・・:受光素子用電極端子、701.702.
・・・:モノリシック形成された半導体レーザ素子 801.802.・・・:モノリシック形成された受光
素子。
Claims (1)
- 発振波長が異なり隣接配置された複数の半導体レーザ素
子と、これらのレーザ素子の光出力を独立に検出する複
数の受光素子とを具備し、前記複数の受光素子の各受光
面に、前記発振波長に対応して、波長に対する透過特性
の異なる多層膜からなるフィルタが形成されていること
を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1196830A JPH0362583A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1196830A JPH0362583A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0362583A true JPH0362583A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16364375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1196830A Pending JPH0362583A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0362583A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07297493A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光装置 |
WO2002089274A1 (fr) * | 2001-04-25 | 2002-11-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dispositif de communication optique |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1196830A patent/JPH0362583A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07297493A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光装置 |
WO2002089274A1 (fr) * | 2001-04-25 | 2002-11-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dispositif de communication optique |
US6837627B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-01-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical communication module |
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