JPH0362317A - 磁気ディスク用基板 - Google Patents
磁気ディスク用基板Info
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- JPH0362317A JPH0362317A JP19735089A JP19735089A JPH0362317A JP H0362317 A JPH0362317 A JP H0362317A JP 19735089 A JP19735089 A JP 19735089A JP 19735089 A JP19735089 A JP 19735089A JP H0362317 A JPH0362317 A JP H0362317A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 74
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 41
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 36
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- -1 composed of aluminum Chemical compound 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 31
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 229910001463 metal phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 abstract 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract 8
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 abstract 8
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- CPSYWNLKRDURMG-UHFFFAOYSA-L hydron;manganese(2+);phosphate Chemical compound [Mn+2].OP([O-])([O-])=O CPSYWNLKRDURMG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 229910000398 iron phosphate Inorganic materials 0.000 description 7
- WBJZTOZJJYAKHQ-UHFFFAOYSA-K iron(3+) phosphate Chemical compound [Fe+3].[O-]P([O-])([O-])=O WBJZTOZJJYAKHQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- LRXTYHSAJDENHV-UHFFFAOYSA-H zinc phosphate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LRXTYHSAJDENHV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 7
- 229910000165 zinc phosphate Inorganic materials 0.000 description 7
- ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N Sulfobutanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)S(O)(=O)=O ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 4
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- WXHLLJAMBQLULT-UHFFFAOYSA-N 2-[[6-[4-(2-hydroxyethyl)piperazin-1-yl]-2-methylpyrimidin-4-yl]amino]-n-(2-methyl-6-sulfanylphenyl)-1,3-thiazole-5-carboxamide;hydrate Chemical compound O.C=1C(N2CCN(CCO)CC2)=NC(C)=NC=1NC(S1)=NC=C1C(=O)NC1=C(C)C=CC=C1S WXHLLJAMBQLULT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンピュータ等の記憶媒体として用いられる
磁気ディスクにおいて磁性層を支持するための磁気ディ
スク用基板に関するものである。
磁気ディスクにおいて磁性層を支持するための磁気ディ
スク用基板に関するものである。
本発明は、コンピュータ等の記憶媒体として用いられる
磁気ディスク用の基板において、陽極酸化被膜の表面を
リン酸被膜で覆うことにより、加熱によりクランク等の
生ずることのない耐熱性に優れた磁気ディスク声基板を
提供しようとするものである。
磁気ディスク用の基板において、陽極酸化被膜の表面を
リン酸被膜で覆うことにより、加熱によりクランク等の
生ずることのない耐熱性に優れた磁気ディスク声基板を
提供しようとするものである。
例えば、コンピュータ等の記憶媒体としては、ランダム
アクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く用いられ
ており、なかでも応答性に優れること、記憶容量が多い
ことから、基板にアル業ニウムやアルミニウム合金等の
硬質材料を用いた磁気ディスクが固定ディスクあるいは
外部ディスクとして使用されるようになっている。
アクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く用いられ
ており、なかでも応答性に優れること、記憶容量が多い
ことから、基板にアル業ニウムやアルミニウム合金等の
硬質材料を用いた磁気ディスクが固定ディスクあるいは
外部ディスクとして使用されるようになっている。
ところで、このような磁気ディスクにあっては、磁気ヘ
ッドとの接触による衝撃等に耐えられるように、通常は
記録層たる磁性層とアルミニウム基板との間にある程度
高い硬度を有する下地層が形成されている。上記下地層
としては、例えば、硫酸や有機酸あるいはクロム酸等を
浴として陽極酸化処理して形成される陽極酸化被膜が挙
げられる。
ッドとの接触による衝撃等に耐えられるように、通常は
記録層たる磁性層とアルミニウム基板との間にある程度
高い硬度を有する下地層が形成されている。上記下地層
としては、例えば、硫酸や有機酸あるいはクロム酸等を
浴として陽極酸化処理して形成される陽極酸化被膜が挙
げられる。
しかしながら、陽極酸化被膜は非磁性且つ高硬度である
ものの加熱によりクラックを発生し易いという欠点を有
している。このクシツクの発生原因としては、アルミニ
ウム素材と陽極酸化被膜の熱膨張係数の違いや膜の歪み
応力等の他、当該陽極酸化被膜に形成されるポアー中に
吸収された水分の膨張等が挙げられる。特に、ポアー中
の陽極酸化被膜に水が吸着した場合には、クラックの発
生が極めて高く、下地膜としての機能が損なわれる。こ
のように、クラックを生した下地層上に磁性層を底膜す
ると、当該磁性層が均一に底膜されないばかりでなく、
得られる磁気ディスクの再生出力特性が劣化するという
不都合を生ずる。
ものの加熱によりクラックを発生し易いという欠点を有
している。このクシツクの発生原因としては、アルミニ
ウム素材と陽極酸化被膜の熱膨張係数の違いや膜の歪み
応力等の他、当該陽極酸化被膜に形成されるポアー中に
吸収された水分の膨張等が挙げられる。特に、ポアー中
の陽極酸化被膜に水が吸着した場合には、クラックの発
生が極めて高く、下地膜としての機能が損なわれる。こ
のように、クラックを生した下地層上に磁性層を底膜す
ると、当該磁性層が均一に底膜されないばかりでなく、
得られる磁気ディスクの再生出力特性が劣化するという
不都合を生ずる。
上述のように、従来の下地層では磁気ディスク用基板と
して要求される非磁性、高硬度、耐熱性等の条件をいず
れも満たすことが難しく、その改善が早急に望まれてい
る。
して要求される非磁性、高硬度、耐熱性等の条件をいず
れも満たすことが難しく、その改善が早急に望まれてい
る。
そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、非磁性且つ高硬度でしかも加熱によりク
ランク等を生ずることのない耐熱性に優れた磁気ディス
ク用基板を提供することを目的とするものである。
ものであって、非磁性且つ高硬度でしかも加熱によりク
ランク等を生ずることのない耐熱性に優れた磁気ディス
ク用基板を提供することを目的とするものである。
本発明の磁気ディスク用基板は、上記の目的を達成する
ために提案されたものであって、アルミニウムもしくは
アルミニウムを主体とする合金よりなる基板の表面に陽
極酸化被膜を有し、該陽極酸化被膜の表面がリン酸被膜
により覆われていることを特徴とするものである。
ために提案されたものであって、アルミニウムもしくは
アルミニウムを主体とする合金よりなる基板の表面に陽
極酸化被膜を有し、該陽極酸化被膜の表面がリン酸被膜
により覆われていることを特徴とするものである。
アルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる基板の
表面に形成される陽極酸化被膜は、水分を吸着し易く、
その一部は化学的に結合された状態となる。このような
状態で基板を加熱すると、陽極酸化被膜中に存在する水
分が膨張する等して、当該陽極酸化被膜にクランクを発
生せしめる。
表面に形成される陽極酸化被膜は、水分を吸着し易く、
その一部は化学的に結合された状態となる。このような
状態で基板を加熱すると、陽極酸化被膜中に存在する水
分が膨張する等して、当該陽極酸化被膜にクランクを発
生せしめる。
これに対して、陽極酸化被膜が形成された基板をリン酸
あるいはリン酸金属塩を含む浴で処理すると、その表面
がリン酸によって置換されてリン酸アル旦ニウムよりな
るリン酸被膜となり、陽極酸化被膜は疎水化されて水分
と化学的に結合することができなくなる。
あるいはリン酸金属塩を含む浴で処理すると、その表面
がリン酸によって置換されてリン酸アル旦ニウムよりな
るリン酸被膜となり、陽極酸化被膜は疎水化されて水分
と化学的に結合することができなくなる。
したがって、リン酸被膜が陽極酸化被膜の表面に形成さ
れた基板を加熱してもポアー中に侵入した水分は直ぐに
蒸発してしまいクラックが発生することはない。
れた基板を加熱してもポアー中に侵入した水分は直ぐに
蒸発してしまいクラックが発生することはない。
以下、本発明を適用した具体的な実施例について説明す
る。
る。
本実施例の磁気ディスク用基板は、第１図に示すように
、アルミニラ基板（１）の表面が陽極酸化被膜（２）と
なされ、さらにこの陽極酸化液１！（２）の表面がリン
酸被膜（３）で覆われてなっている。
、アルミニラ基板（１）の表面が陽極酸化被膜（２）と
なされ、さらにこの陽極酸化液１！（２）の表面がリン
酸被膜（３）で覆われてなっている。
上記アル電ニウム基板（１）には、例えば純アルミニウ
ム基板、アル逅ニウムーマグネシウム合金基板等のアル
ミニウム合金基板が使用される。
ム基板、アル逅ニウムーマグネシウム合金基板等のアル
ミニウム合金基板が使用される。
上記陽極酸化被膜（２）は、アルミニウム基板（１）を
硫酸浴や有機酸浴あるいはクロム酸浴中で陽極酸化処理
することにより形成されるものである。
硫酸浴や有機酸浴あるいはクロム酸浴中で陽極酸化処理
することにより形成されるものである。
上記硫酸浴としては、例えば浴温５〜２５°Ｃの硫酸５
０〜３００ ｇ／ｌ、残部水よりなる浴が好適である。
０〜３００ ｇ／ｌ、残部水よりなる浴が好適である。
また、印加する電流密度の大きさは、０．５〜３＾／ｄ
ａ” 、電圧５〜２０Ｖであることが望ましい。一方、
有機酸浴としては、浴温１０〜６０°Ｃの硫酸０〜１０
ｇ／１．硫酸ニッケル０〜ｌＯｇ／ｌ、有機酸３〜２
０重量％、残部水よりなる浴が好適である。また、印加
する電流密度の大きさは、０．３〜３ Ａ／ｄｍ２．電
圧５〜２０Ｖであることが望ましい。ここで使用可能な
有機酸としては、例えばスルホコハク酸、スルホサリチ
ル酸。
ａ” 、電圧５〜２０Ｖであることが望ましい。一方、
有機酸浴としては、浴温１０〜６０°Ｃの硫酸０〜１０
ｇ／１．硫酸ニッケル０〜ｌＯｇ／ｌ、有機酸３〜２
０重量％、残部水よりなる浴が好適である。また、印加
する電流密度の大きさは、０．３〜３ Ａ／ｄｍ２．電
圧５〜２０Ｖであることが望ましい。ここで使用可能な
有機酸としては、例えばスルホコハク酸、スルホサリチ
ル酸。
マレイン酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、シュウ酸等
が挙げられる。また、クロム酸浴としては、浴温１０〜
５０”Ｃのクロム酸１５〜１５０ｇ／ｌ。
が挙げられる。また、クロム酸浴としては、浴温１０〜
５０”Ｃのクロム酸１５〜１５０ｇ／ｌ。
残部水よりなる浴が好適である。また、印加する電流密
度の大きさは、１ ＝ １ ＯＡ／ｄａ” 、電圧６０
〜１００■であることが望ましい。なお、陽極酸化被膜
の膜厚は、当該陽極酸化処理時間で制御される。
度の大きさは、１ ＝ １ ＯＡ／ｄａ” 、電圧６０
〜１００■であることが望ましい。なお、陽極酸化被膜
の膜厚は、当該陽極酸化処理時間で制御される。
一方、リン酸被膜（３）は、リン酸浴中に浸漬すること
で形成されるものである。上記リン酸浴としては、リン
酸またはリン酸金属塩、例えばリン酸亜鉛、リン酸鉄、
リン酸マンガン等の水溶液が使用される。リン酸浴とし
ては、浴温５〜５０℃でリン酸ｌ〜２０重量％、残部水
よりなる浴が好適であり、処理時間は１−１０分程度が
望ましい。
で形成されるものである。上記リン酸浴としては、リン
酸またはリン酸金属塩、例えばリン酸亜鉛、リン酸鉄、
リン酸マンガン等の水溶液が使用される。リン酸浴とし
ては、浴温５〜５０℃でリン酸ｌ〜２０重量％、残部水
よりなる浴が好適であり、処理時間は１−１０分程度が
望ましい。
また、リン酸亜鉛浴としては、浴１１０〜１００℃でリ
ン酸亜鉛１〜４０重量％、残部水よりなる浴が好適であ
り、処理時間は０．５〜１０分程度程度ましい。さらに
、リン酸鉄浴としては、浴温２０〜７０’Ｃでリン酸鉄
５〜２０重量％、残部水よりなる浴が好適であり、処理
時間は１〜１５分程度程度ましい。またさらに、リン酸
マンガンとしては、浴温５０〜１００℃でリン酸マンガ
ン１〜３０重量％、残部水よりなる浴が好適であり、処
理時間は０．５〜１５分程度程度ることが望ましい。
ン酸亜鉛１〜４０重量％、残部水よりなる浴が好適であ
り、処理時間は０．５〜１０分程度程度ましい。さらに
、リン酸鉄浴としては、浴温２０〜７０’Ｃでリン酸鉄
５〜２０重量％、残部水よりなる浴が好適であり、処理
時間は１〜１５分程度程度ましい。またさらに、リン酸
マンガンとしては、浴温５０〜１００℃でリン酸マンガ
ン１〜３０重量％、残部水よりなる浴が好適であり、処
理時間は０．５〜１５分程度程度ることが望ましい。
特に、これらリン酸浴のうちリン酸金属塩を用いた浴は
、クラックの発生防止効果に優れること、浴の管理が簡
単であること等からリン酸金属塩を用いることが望まし
い。
、クラックの発生防止効果に優れること、浴の管理が簡
単であること等からリン酸金属塩を用いることが望まし
い。
上記磁気ディスク用基板を作製するには、先ず、アルミ
ニウム基板（１）を上述の条件で陽極酸化した後、さら
に上記アルミニウム基板（１）をリン酸浴中に上述の条
件で浸漬することで作製される。
ニウム基板（１）を上述の条件で陽極酸化した後、さら
に上記アルミニウム基板（１）をリン酸浴中に上述の条
件で浸漬することで作製される。
すなわち、上記アルミニウム基板（１）を陽極酸化する
と、基板表面が酸化されて硬度の高い多孔質を有する陽
極酸化被膜（２）が形成される。上記陽極酸化被膜（２
）は、陽極酸化処理で形成されるので当然に非磁性膜と
なる。
と、基板表面が酸化されて硬度の高い多孔質を有する陽
極酸化被膜（２）が形成される。上記陽極酸化被膜（２
）は、陽極酸化処理で形成されるので当然に非磁性膜と
なる。
次に、上記アルミニウム基板（１）をリン酸浴中に浸漬
すると、先の工程で形成された陽極酸化被膜（２）のボ
アー中を含め当該陽極酸化波＠（２）表面全体がリン酸
アルミニウムで覆われる。なお、ここでの反応は、先の
陽極酸化被膜（２）のリン酸置換が終了すれば、それ以
上の反応が起こらないので、制御が容易に行える。この
ように形成されたリン酸アルミニウムは、疎水化するた
めに水の吸着を起こさない、したがって、陽極酸化被膜
（２）の表面あるいはボアー中に水分が侵入しても、加
熱により当該水分は蒸発するので、クラックの発生が起
こらない。よって、本実施例の磁気ディスク用基板によ
れば、磁性層を形成する蒸着時の加熱に対してもクラッ
ク等の発生がなく、凹凸のない磁性層を形成することが
できる。また、この磁気ディスク用基板を用いれば、得
られる磁気ディスクの再生出力特性の向上が期待できる
。
すると、先の工程で形成された陽極酸化被膜（２）のボ
アー中を含め当該陽極酸化波＠（２）表面全体がリン酸
アルミニウムで覆われる。なお、ここでの反応は、先の
陽極酸化被膜（２）のリン酸置換が終了すれば、それ以
上の反応が起こらないので、制御が容易に行える。この
ように形成されたリン酸アルミニウムは、疎水化するた
めに水の吸着を起こさない、したがって、陽極酸化被膜
（２）の表面あるいはボアー中に水分が侵入しても、加
熱により当該水分は蒸発するので、クラックの発生が起
こらない。よって、本実施例の磁気ディスク用基板によ
れば、磁性層を形成する蒸着時の加熱に対してもクラッ
ク等の発生がなく、凹凸のない磁性層を形成することが
できる。また、この磁気ディスク用基板を用いれば、得
られる磁気ディスクの再生出力特性の向上が期待できる
。
ここで、実際に以下の条件に基づき磁気ディスク用基板
を作製した。
を作製した。
実Ａ勧生上
硫酸１２５ｇ／ｊ！、残部水よりなる浴温１５℃の硫酸
浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．５
Ａ／ｄ−を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚が１５
μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．５
Ａ／ｄ−を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚が１５
μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
次に、リン酸２０重量％、残部水よりなる浴温２８°Ｃ
のリン酸浴に上記アルよニウム基板を５分間浸漬した。
のリン酸浴に上記アルよニウム基板を５分間浸漬した。
災験奥斐
スルホコハク酸８重量％、硫酸５ ｇ／４２．硫酸ニッ
ケル５ ｇ／ｌ、残部水よりなる浴温３０°Ｃの有機酸
浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．５
Ａ／ｄａ”を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚が
１５μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
ケル５ ｇ／ｌ、残部水よりなる浴温３０°Ｃの有機酸
浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．５
Ａ／ｄａ”を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚が
１５μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
次に、リン酸２０重量％、残部水よりなる浴温２８℃の
リン酸浴に上記アルミニウム基板を５分間浸漬した。
リン酸浴に上記アルミニウム基板を５分間浸漬した。
亥１０東走
硫酸１２５ｇ／Ｌ残部水よりなる浴′ａ１５°Ｃの硫酸
浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．５
Ａ／ｄ−を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚が１５
μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．５
Ａ／ｄ−を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚が１５
μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
次に、リン酸亜鉛２０重量％、残部水よりなる浴温５５
°Ｃのリン酸亜鉛浴に上記アルミニウム基板を５分間浸
漬した。
°Ｃのリン酸亜鉛浴に上記アルミニウム基板を５分間浸
漬した。
実１１通生
スルホコハク酸８重量％、硫酸５ ｇ／Ｉ！、硫酸ニッ
ケル５ｇ／Ｃ残部水よりなる浴温３０℃の有機酸浴にア
ルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．５＾／ｄ
１を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚が１５μｍと
なるように陽極酸化処理を行った。
ケル５ｇ／Ｃ残部水よりなる浴温３０℃の有機酸浴にア
ルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．５＾／ｄ
１を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚が１５μｍと
なるように陽極酸化処理を行った。
次に、リン酸亜鉛２０重量％、残部水よりなる浴！５５
°Ｃのリン酸亜鉛浴に上記アルミニウム基板を５分間浸
漬した。
°Ｃのリン酸亜鉛浴に上記アルミニウム基板を５分間浸
漬した。
実ｍ
硫酸１２５ｇ／ｊ！、残部水よりなる浴温１５゛Ｃの硫
酸浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．
５ Ａ／ｄｍ”を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚
が１５μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
酸浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．
５ Ａ／ｄｍ”を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚
が１５μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
次に、リン酸鉄２０重量％、残部水よりなる浴温４５°
Ｃのリン酸鉄浴に上記アルミニウム基板を８分間浸漬し
た。
Ｃのリン酸鉄浴に上記アルミニウム基板を８分間浸漬し
た。
実１事糺Ｌ
スルホコハク酸８重量％、硫酸５ ｇ／１．硫酸ニッケ
ル５ｇ／１．残部水よりなる浴温３０°Ｃの有機酸浴に
アルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．５ Ａ
／ｄ−を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚が１５μ
ｍとなるように陽極酸化処理を行った。
ル５ｇ／１．残部水よりなる浴温３０°Ｃの有機酸浴に
アルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．５ Ａ
／ｄ−を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚が１５μ
ｍとなるように陽極酸化処理を行った。
次に、リン酸鉄２０重量％、残部水よりなる浴温４５°
Ｃのリン酸鉄浴に上記アルミニウム基板を８分間浸漬し
た。
Ｃのリン酸鉄浴に上記アルミニウム基板を８分間浸漬し
た。
１蓬０４Ｌ
硫酸１２５ ｇ／／！、残部水よりなる浴温１５°Ｃの
硫酸浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１
．５ ＾／ｄａ＋”を印加して得られる陽極酸化被膜の
膜厚が１５μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
硫酸浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１
．５ ＾／ｄａ＋”を印加して得られる陽極酸化被膜の
膜厚が１５μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
次に、リン酸マンガン２０重量％、残部水よりなる浴温
７５°Ｃのリン酸マンガン浴に上記アルミニウム基板を
８分間浸漬した。
７５°Ｃのリン酸マンガン浴に上記アルミニウム基板を
８分間浸漬した。
実１ｕ壓４
スルホコハク酸８重置％、硫酸５ ｇ／ｊ！、硫酸ニッ
ケル５ｇ／４１！、残部水よりなる浴温３０℃の有機酸
浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．５
Ａ／ｄ＋＊”を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚
が１５μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
ケル５ｇ／４１！、残部水よりなる浴温３０℃の有機酸
浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．５
Ａ／ｄ＋＊”を印加して得られる陽極酸化被膜の膜厚
が１５μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
次に、リン酸マンガン２０重量％、残部水よりなる浴温
７５°Ｃのリン酸マンガン浴に上記アルミニウム基板を
８分間浸漬した。
７５°Ｃのリン酸マンガン浴に上記アルミニウム基板を
８分間浸漬した。
比１■駈り
硫酸１２５ ｇ／ｌ、残部水よりなる浴温１５°Ｃの硫
酸浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．
５ Ａ／ｄ＋ｎ”を印加して得られる陽極酸化被膜の膜
厚が１５μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
酸浴にアルミニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．
５ Ａ／ｄ＋ｎ”を印加して得られる陽極酸化被膜の膜
厚が１５μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
止較拠１
スルホコハク酸８重量％、硫酸５ ｇ／ｌ−、硫酸ニッ
ケル５ ｇ／ｊ！、残部水よりなる浴温３０°Ｃの有機
酸浴にアルくニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．
５ Ａ／ｄ＋ｍ”を印加して得られる陽極酸化被膜の膜
厚が１５μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
ケル５ ｇ／ｊ！、残部水よりなる浴温３０°Ｃの有機
酸浴にアルくニウム基板を浸漬し、これに電流密度１．
５ Ａ／ｄ＋ｍ”を印加して得られる陽極酸化被膜の膜
厚が１５μｍとなるように陽極酸化処理を行った。
次に、得られた磁気ディスク用基板に対して２００°Ｃ
，３００°Ｃ，３５０°Ｃ，４００°Ｃの熱を加えて１
間放置したときの基板表面のクランクの発生状態を目視
により観察した。その結果を下記の表に示す、なお、ク
ランクの発生が無かったものをＱ、クランクの発生が若
干見られたものを△、クラックの発生が多く見られたも
のを×として基板表面のクラック発生状態を評価した。
，３００°Ｃ，３５０°Ｃ，４００°Ｃの熱を加えて１
間放置したときの基板表面のクランクの発生状態を目視
により観察した。その結果を下記の表に示す、なお、ク
ランクの発生が無かったものをＱ、クランクの発生が若
干見られたものを△、クラックの発生が多く見られたも
のを×として基板表面のクラック発生状態を評価した。
上記の表かられかるように、実験例工ないし実験例８に
おいては、いずれも高温であってもアルミニウム基板表
面にはクランクの発生が見られず、中でもリン酸金属塩
を浴としてリン酸被膜を形成した実験例３ないし実験例
８においでは４００°Ｃもの高温に対してもクランクの
発生が見られない。
おいては、いずれも高温であってもアルミニウム基板表
面にはクランクの発生が見られず、中でもリン酸金属塩
を浴としてリン酸被膜を形成した実験例３ないし実験例
８においでは４００°Ｃもの高温に対してもクランクの
発生が見られない。
これに対して比較例１及び比較例２では、いずれも３０
０°Ｃの加熱で既にクラックの発生が見られる。したが
って、上記比較例１及び比較例２で得られた磁気ディス
ク用基板を使用し磁性層等の必要な膜を蒸着等によって
底膜して磁気ディスクを作製すると、この磁気ディスク
では再生出力等の低下を招くことになる。
０°Ｃの加熱で既にクラックの発生が見られる。したが
って、上記比較例１及び比較例２で得られた磁気ディス
ク用基板を使用し磁性層等の必要な膜を蒸着等によって
底膜して磁気ディスクを作製すると、この磁気ディスク
では再生出力等の低下を招くことになる。
以上の結果から実験例１ないし実験例８で得られた磁気
ディスク用基板は、陽極酸化処理されることから非磁性
であることはもちろんのこと、硬度が高くしかも加熱し
てもクラックの発生がなく、磁気ディスク用基板として
必要十分な条件を備えていると言える。
ディスク用基板は、陽極酸化処理されることから非磁性
であることはもちろんのこと、硬度が高くしかも加熱し
てもクラックの発生がなく、磁気ディスク用基板として
必要十分な条件を備えていると言える。
以上の説明からも明らかなように、本発明の磁気ディス
ク用基板においては、陽極酸化被膜の表面を覆ってリン
酸被膜が形成されているので、たとえポアー中に水が侵
入したとしても加熱により直ぐに蒸発するので、当該基
板を高温で加熱してもクラックの発生が生ずることはな
い。
ク用基板においては、陽極酸化被膜の表面を覆ってリン
酸被膜が形成されているので、たとえポアー中に水が侵
入したとしても加熱により直ぐに蒸発するので、当該基
板を高温で加熱してもクラックの発生が生ずることはな
い。
したがって、本発明の磁気ディスク用基板上に磁性層を
蒸着等によって形成しても、加熱による影響を受けるこ
とがないので、凹凸のない磁性層を形成することができ
、得られる磁気ディスクの再生出力特性の向上が期待で
きる。
蒸着等によって形成しても、加熱による影響を受けるこ
とがないので、凹凸のない磁性層を形成することができ
、得られる磁気ディスクの再生出力特性の向上が期待で
きる。
また、本発明の磁気ディスク用基板を作製するには陽極
酸化処理を行った後に、単にリン酸浴に浸漬することの
みの作業で簡単に非磁性且つ高硬度でしかも加熱しても
クラックの発生のない耐熱性に優れた磁気ディスク用基
板を製造することができる。また、浴も簡単に作製でき
るため生産性の向上も期待できる。
酸化処理を行った後に、単にリン酸浴に浸漬することの
みの作業で簡単に非磁性且つ高硬度でしかも加熱しても
クラックの発生のない耐熱性に優れた磁気ディスク用基
板を製造することができる。また、浴も簡単に作製でき
るため生産性の向上も期待できる。
第１図は本発明を適用した磁気デイ
の要部拡大断面図である。
ｌ・・・アルミニウム基板
２・・・陽極酸化被膜
３・・・リン酸被膜
スフ用基板
第
図
Claims (1)
- アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金よ
りなる基板の表面に陽極酸化被膜を有し、該陽極酸化被
膜の表面がリン酸被膜により覆われてなる磁気ディスク
用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19735089A JPH0362317A (ja) | 1989-07-29 | 1989-07-29 | 磁気ディスク用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19735089A JPH0362317A (ja) | 1989-07-29 | 1989-07-29 | 磁気ディスク用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362317A true JPH0362317A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16373022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19735089A Pending JPH0362317A (ja) | 1989-07-29 | 1989-07-29 | 磁気ディスク用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362317A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20240015713A (ko) | 2021-07-09 | 2024-02-05 | 니뽄 다바코 산교 가부시키가이샤 | 에어로졸 생성 장치의 전원 유닛 |
-
1989
- 1989-07-29 JP JP19735089A patent/JPH0362317A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20240015713A (ko) | 2021-07-09 | 2024-02-05 | 니뽄 다바코 산교 가부시키가이샤 | 에어로졸 생성 장치의 전원 유닛 |
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