JPH0358073B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ 本発明は検出パルスによつてロータの回転・非
回転を検出し、常に最適なパルス巾によつてモー
タを駆動し、低消費電力化を実現しようとするア
ナログ電子時計に関するものである。 ［従来の技術］ 従来、検出パルスによつてステツプモータのコ
イルに電流を流し、モータの回転・非回転を判定
し、ステツプモータに供給する通常時の駆動パル
スの巾をコントロールする駆動方法が提案されて
いる。 これは、常にステツプモータの出力トルク状態
と輪列の負荷状態に合致する最適なパルス巾を供
給し、アナログ電子時計の低消費電力化を実現し
ようとするものである。 第１図は、検出パルスによつてロータの回転・
非回転の判定を行なおうとする場合の、コイルに
印加するパルス波形を示すものである。 １は駆動パルスであり、その時のモータの出力
トルク状態と輪列の負荷状態とから最も適するで
あろうと予想されるパルス巾で出力される。２は
検出パルスであり、該パルスによりロータの回
転・非回転が判定される。３は検出パルスによつ
てロータが非回転と判定された場合、運針を正常
に戻すために出力される補正パルスである。 ここで検出パルスによる回転判定の原理につい
て簡単に述べておく。今、駆動パルス１が出力さ
れる前にロータの磁極の位置が第２図の様な位置
にあつたとする。 第２図において、４はロータ、８は駆動パルス
１が出力されるとコイルが励磁され、これによる
発生した磁束である。 駆動パルス１はロータ４を回転させるのに十分
な巾を持つている場合には、ロータ４は回転し第
３図ａの様な位置となり、また不十分な場合には
ロータ４は回転せず同図ｂの様な位置となる。 まずロータ４が回転した場合（第３図ａ）を考
えてみると、外ノツチ７−ａ，７−ｂ近傍の可飽
和部に於てはロータ磁石による磁束９が左から右
へと通過している。 この状態で検出パルス２によつてコイルが励磁
されると、これによる磁束１０が図の如く発生
し、過飽和部を通過しようとする。この時過飽和
部に於ては、前記磁束１０はロータ磁石による磁
束９を打ち消そうとする方向にあたるため磁気抵
抗は小さく、従つてコイルのインダクタンスは大
きくなる。このため検出パルスによる電流（以後
検出電流と呼ぶ）は第５図ａの２５，２５′の様
に穏やかな立上りを示す。 一方、第３図ｂの如くロータが非回転である場
合、ロータ磁石による磁束１１は可飽和部を右か
ら左へ通過している。この状態で検出パルスによ
る磁束１２が可飽和部を通過しようとすると、こ
の方向にはすでに磁束が飽和かあるいはほとんど
飽和に近い状態にあるため磁束は通過しにくい、
即ち磁気抵抗は高い。 従つて、コイルのインダクタンスは小さく、検
出電流は第５図ａの２４，２４′の様に急激な立
上りを示す。 第５図中、iuは非回転の場合の検出電流のピー
ク値、irは回転の場合の検出電流のピーク値、 この第５図ａの電流の立上りの違いを判定すれ
ば、ロータ４の回転・非回転を判定することがで
きる。 第４図はこの電流の立上りの違いを判定するた
めの従来の回路構成を示す図である。 同図中、１４，１５はＰチヤンネルMOSFET
（以後Ｐゲートと略す）、１６，１７，２０，２１
はＮチヤンネルMOSFET（以後Ｎゲートと略
す）、１８，１９はロータの回転・非回転を判定
するための抵抗素子（以後、検出抵抗と呼ぶ）を
示す。今、検出電流が２２のループで流れたとす
る。 Ｐゲート１４、Ｎゲート１７がOFFするここ
とにより検出パルスが終了すると同時にＮゲート
１６，２１をONして検出電流を２３の様に検出
抵抗９に流すと、検出抵抗の両端には電流比例し
た電圧が発生する。 第５図ｂはこの時のO₂点の電圧（即ち検出電
圧）を示した図である。 図中、２６，２７はそれぞれ非回転・回転の場
合の検出電圧波形、Vuは非回転の場合の検出電
圧のピーク値、Vrは回転の場合の検出電圧のピ
ーク値である。 検出電流のピーク値iu，irと検出電圧のピーク
値Vu，Vrとの間には、１８，１９の検出抵抗の
値をRsとすれば、 Vu＝Rs・iu，Vr＝Rs・ir… (1) の関係が成立つ。 このVu，Vrをコンパレータ等の電圧比較素子
によつて、基準電圧Vthより高いか低いかを判定
すればロータの回転・非回転を判定することがで
きる。 さて、この従来の方法に於ては、(1)式の如く
Vu，Vrは検出抵抗Rsに比例するため、検出抵抗
値のばらつきは即検出電圧のばらつきとなつて現
われる。 従つて、検出抵抗値を精度良く作り込む必要が
ある。この検出抵抗は時計の小型化、薄型化、ロ
ーコストという要請から、P^-拡散、P₊拡散，イ
オン注入等によつてIC内部に構成したいわけで
あるが、IC内部に作り込む抵抗は製造条件によ
つてばらつきが極めて激しく、精度良く作り込む
ことは不可能である。（例えばP^-拡散の場合±50
〜100％、イオン注入の場合でも±20％程度の抵
抗値のばらつきを考慮しなくてはならない）。 従つて、この方法をとるならば検出抵抗はIC
に外に設けなければならない。 これは時計の小型化、薄型化、ローコストとい
う要請に対し極めて不利である。また、コイル仕
様のばらつきやステータ、ロータ等の機械的寸法
のばらつき等の理由により検出電流がばらつく
と、検出抵抗は固定であるため、(1)式で示される
如く即検出電圧のばらつきとなつて現われる。 この様子を示したものが第６図である。同図ａ
の如く、何らかの理由により検出電流のピーク値
がiu→iu′，ir→ir′とシフトしてしまつた場合、検
出電圧もやはりVu→Vu′，Vr→Vr′とシフトしｂ
の如くVthによつてVu′も回転と判定される最悪
の状態を予想される。 たとえここまで極端な例に至らずとも、各々の
ステツプモータの検出電流のばらつきは即回転判
定のマージンを狭くすることにつながるため、コ
イル仕様やロータ・ステータ等の機械的寸法のば
らつき等を考慮して諸定数の設定をしなければな
らず、設計・実験上の負荷が大であつた。 ［発明が解決しようとする課題］ 上記のようなアナログ電子時計では、検出電流
を、少なくともスイツチング素子、コイル、検出
抵抗を介して流し、その電流値を検出するように
しているので、製造誤差等によりばらつきがあ
り、場合によつては、ロータの回転又は非回転を
誤検出するという問題点があつた。 また、ばらつきのないものを選択するには、多
大な時間を要して実験等をしなければならないと
いう問題点があつた。 こうしたことは時計ムーブメントの標準化、
ICの標準化を推進してゆく上で大きな防げとな
つているという問題点があつた。 本発明の目的は、かかる従来の欠点を除去し、
ICの外に外付け抵抗を必要としない回転検出回
路を提供し、時計の小型化、薄型化、ローコスト
を実現しようとするものである。 本発明の他の目的は、個々のステツプモータに
最も合致する検出抵抗を設定することによつて、
ステツプモータの特性のばらつきを吸収すること
を目的とする。 また、単一仕様のICをあらゆる一体ステータ
型ステツプモータのパルス巾制御システムに適用
可能ならしめ、ICの基準化に寄与することを目
的とする。 ［課題を解決するための手段］ 本発明に係るアナログ電子時計は、少なくとも
ステータ、ロータ及びコイルより構成されるステ
ツプモータを有し、電源が投入される前は、ロー
タのＳ極又はＮ極がコイルに対して所定の角度で
向き合い、その後に電源が投入されてロータが回
転すると、回転・非回転を判定するために検出電
流をコイルに流し、その電流に基づく電圧値が基
準レベル以上であれば非回転と判定するアナログ
電子時計において、少なくとも検出抵抗、ステツ
プモータのつくり込みばらつきに基づいて、それ
ぞれ抵抗値が異なる複数の抵抗を、検出抵抗にそ
れぞれ並列接続し、選択に基づいて組み合わせを
変えて、その組合わせの抵抗群に検出電流を流す
検出抵抗設定手段と、電源が投入されると、コイ
ルに電源が投入される前のロータの磁束の極性と
反する極性の磁束を発生させて、コイルにロータ
を引き付けて所定の角度に固定する第１の初期化
パルスを流し、又は電源が投入された後に、リセ
ツトされると、第１の初期化パルスと逆方向の第
２の初期化パルスを流してロータを反対に１回転
させて所定の角度にする初期化手段と、第１の初
期化パルス又は第２の初期化パルスがコイルに流
されると、所定後にその初期化パルスと逆方向の
消磁パルスをコイルに流し、ステツプモータに残
る磁気を消すと共に、ロータを非回転状態にする
消磁パルス発生手段と、消磁パルスが流された後
に、検出抵抗設定手段の抵抗値が順次大きくなる
組合わせ又は順次小さくなる組合わせから選択す
る検出抵抗選択手段と、検出抵抗設定手段の組合
わせが選択されると、組合わせが設定されるまで
消磁パルスと同方向の検出電流をコイルに流す検
出電流出力手段と、検出抵抗選択手段によつて、
選択された組合わせの抵抗群に流れる電流に基づ
く電圧値が基準値以上であると判定された場合
は、その組合わせの抵抗群に前記検出抵抗選択手
段の設定をする検出抵抗設定手段とを備えたもの
である。 ［作用］ 本発明のアナログ電子時計においては、検出抵
抗設定手段を少なくとも前記検出抵抗、ステツプ
モータのつくり込みばらつきに基づいて、それぞ
れ抵抗値が異なる複数の抵抗を、前記検出抵抗に
それぞれ並列接続し、選択に基づいて組み合わせ
を変えて、その組合わせの抵抗群に検出電流を流
す構成とし、電源が投入されると、初期化手段が
ロータをコイルに引き付けて所定の角度に固定
し、又はリセツトされるとロータを反対に１回転
させて、消磁パルス発生手段がロータを非回転の
状態とし、検出抵抗選択手段が消磁パルスが流さ
れた後に、検出抵抗設定手段の抵抗値が順次大き
くなる組合わせ又は順次小さくなる組合わせから
選択する。 そして、検出電流出力手段が検出抵抗設定手段
の組合わせが選択されると、組合わせが設定され
るまで消磁パルスと同方向の検出電流をコイルに
流す。次に、検出抵抗設定手段が検出抵抗選択手
段によつて、選択された組合わせの抵抗群に流れ
るる電流に基づく電圧値が基準値以上であると判
定された場合は、その組合わせの抵抗群に設定を
する。 ［実施例］ 第７図は本発明の構成例を示すブロツク図であ
る。 同図中、３２は発振回路、３３は分周回路、３
４はパルス巾合成回路、３５は検出抵抗設定回
路、３６は回転検出回路、３７は駆動回路、３８
はステツプモータ、３９は輪列を表わす。 第８図は本発明を実現する駆動回路、回転検出
回路の一実施例である。４３，４４はＰゲート、
４５，４６はＮゲートである。 また、４７〜５４は並列に構成された検出抵抗
素子であり、５５〜６２はAND回路である。 また、６３〜７０は検出抵抗自動設定のスイツ
チング素子となるＮゲートである。Ｓ１，Ｓ２，
Ｓ３，Ｓ４はこのＮゲートのコントロール信号で
あり、検出定抵抗が選択的に設定できるよう構成
されている。 即ちS1＝１（論理レベルＨ）でＮゲートがON
してr1抵抗素子が選択され、S1＝０（論理レベル
Ｌ）でOFFして非選択となる。ｒ２〜ｒ４につ
いも同様である。 従つて、コントロール信号ｓ１〜ｓ４と検出抵
抗値R_sとの関係は次式で示される。 R_s＝１／s1／r1＋s2／r2＋s3／r3＋s4／r4… (4) また、ｅ，ｅは検出抵抗R_sをO1端子またはO2端
子のどちら側に設定するかを決定する信号であ
る。 即ち、ｅ＝０（ｅ＝１）でO1側に設定され、ｅ
＝１（ｅ＝１）でO2側に設定される。 なお、O1−O1′，O2−O2′間の検出抵抗値をそ
れぞれ異なる値に設定することも可能であるが、
コイルを流れる電流の方向によつて特性の相違は
ないため、異なるる検出抵抗値を設定することさ
ほど意味を持たない。 従つて、今後はO1−O1′間及びO2−O2′間の検
出抵抗は同じ値に設定するものとして説明してゆ
く。 また、第９図に検出抵抗設定回路の一実施例を示
す。 次に、抵抗値設定の一実施例として、ｒ１〜ｒ
４の値をそれぞれ50KΩ，30KΩ，25KΩ，20KΩ
とした場合について述べる。また、MOSFETの
ON抵抗であるが、IC内部への作り込みによるば
らつきを考慮して1.6KΩ〜10KΩとして計算する。 この値は現在の工程能力からして十分実績のあ
る値である。こうしたMOSFETのON抵抗のば
らつき、及び抵抗素子の作り込みのばらつき（±
20％）を考慮した場合の、第８図におけるコント
ロール信号と検出抵抗値との関係を第１表に示
す。 ここで、RsMAX，Rstyp，Rsminはそれぞれ、
作り込みのばらつきが最大、ばらつきなし、最少
の各場合における検出抵抗値を表わす。

【表】 今、非回転時の検出電圧のピーク値Vuが電源
電圧VDDに等しくなるような検出抵抗値が15KΩ
であつたとすると、本実施例の場合、ばらつき
MIN，typ，minに応じてそれぞれ検出抵抗
15.3KΩ，15.6KΩ，15.9KΩが設定される。 例えば15.3KΩが設定されている場合には、
MOSFETのコントロール信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ
３，Ｓ４はそれぞれＨ，Ｈ，Ｌ，Ｈとなつてい
る。 このように、並列にならべられた抵抗素子によ
つて、検出抵抗を自動設定する方式に於ては、
MOSFETのON抵抗値をも考慮した検出抵抗の
自動設定が可能である。 次に、検出抵抗自動設定の動作について詳しく
説明する。 第１０図は本発明の一実施例に示すタイミング
チヤートであり、第８図における各端子の信号波
形を示している。 同図中、区間Ａは検出抵抗の設定区間であり、
この区間の中で個々のステツプモータに合つた検
出抵抗値Rsが設定される。 区間Ａ以降は、通常の動作区間であり、回転・
非回転の判定をしながらモータの出力トルク状態
と輪列の負荷状態に合つた最適のパルス巾でステ
ツプモータが駆動される。 本発明はこの通常動作区間について規定するも
のではないので、ここで詳述するのは避ける。ま
た、検出抵抗設定区間Ａは、例えば電池が投入さ
れた直後、又はリセツトが解除された直後などに
設けられている。この区間Ａに於て、Pi１，Pi２
はロータの位置を確実に所望の位置においておく
ための大出力パルス（以後、初期化パルスと呼
ぶ）であり、Peは初期化パルスPi１による磁気
的ヒステリシス状態をコントロールするための消
磁パルス、Ps１，Ps２，…Psnは検出抵抗設定の
ためのの検出パルスである。 実験的に使用したパルス巾を示すとPi１‐Pi２
＝6.8msec、Pe＝0.7msec、Ps１，Ps２…Psnsec
＝0.36msecである。 ここで初期化パルスPi１，Pi２、消磁パルス
Pe、検出パルスPs、Ps１〜Psnの果たす役割に
ついて、ステータ可飽和部の磁気ヒステリシス曲
線で説明する。 第１１図は、該ヒステリシス曲線を示してい
る。図中、H0及び−H0はロータが静的安定位置
にある時、ロータ磁石によつて可飽和部に加わる
磁界の強さを示している。今、初期化パルスPi１
を印加する前にロータの磁極の位置が第１２図の
如くであつたとする。 同図に於て、矢印７９を磁界の正方向と定義す
ると、この状態は可飽和部に−H0の磁界が加わ
つている状態であるので、第１１図のヒステリシ
ス曲線のx′y′線上の一点を示していることにな
る。このx′y′線上のどこの点をとるかは磁気的な
履歴に依存する。今、初期化パルスPi１を印加す
る前にx′の位置にあつたとする。初期化パルスPi
１が印加され、第１３図の如くロータを回転させ
る方向に磁束８１が発生したとする。 このPi１は大出力パルスであるためロータは必
ず回転し、第１４図の様な位置になる。この時第
１１図の磁気ヒステリシス曲線上に於ては、矢印
８２の様な履歴をたどりxy線上の一点に至る。
この線上のどの位置を取るかについては、ロータ
が回転した時に発生する過渡振動の大小に依存す
る。例えは第２１図はPi１パルスを加えた時のコ
イルに流れる電流波形を示したものであるが、(a)
の如くPi１パルスが比較的短く過渡振動による誘
起電流が大きい時は、磁気ヒステリシス曲線上の
ｙ点に近い点に位置し、反対に(b)の如くPi１パル
スが比較的広く過渡振動による誘起電流が小さい
時は、ｘ点に近い点に位置する。 前に示したPi１‐6.8msecの如き大出力パルス
では、ｘ点に近い位置になつているはずである。 ここまでの説明においては、初期化パルスPi１
を出力する前のロータの位置と、初期化パルスPi
１による磁束の方向が第１３図の様になつている
場合、即ちロータが回転する方向にPi１を印加す
るということで説明してきた。 しかし、リセツト解除後の最初の１秒間は運針
しないようにする必要があるので、検出抵抗の設
定区間をリセツト解除直後にとつたなら、初期化
パルスPi１による電流の方向はリセツトされる直
前の電流の方向と同じでなくてはならない。 従つて、この場合には、Pi１はロータを回転さ
せる方向ではなく、ロータを引き付けておく方向
に印加されることになる。この時の磁気的状態
は、第１１図のヒステリシス曲線においては、Pi
１出力の前にはｘ点の位置にあり、出力後もやは
りｘ点に位置する。 いずれの場合においてもPi１出力後の磁気ヒス
テリシス状態は第１１図ｘ点にあることになる。 次に消磁パルスPeの役割りについて説明する。
この消磁パルスPeは初期化パルスPi１とは反対
の方向に印加される。第１５図はこの状態を示し
たものであり、８３は消磁パルスPeによる磁束
を示し、その方向は正方向（＋方向）である。 この消磁パルスPeはパルス巾が小さく（例え
ば0.7msec）、ロータを回転させるには不十分で
あるためロータは回転せず第１６図の様な位置に
なる。 この時の磁気ヒステリシス状態であるが、第１
１図においてｘ点から矢印８４の如くのハープを
たどりｙ点に至る。 次に検出パルスPs１，Ps２……Psnの動作につ
いて説明する。該検出パルスは消磁パルスPeと
同方向に印加される。第１７図はこの時のロータ
の状態と、検出パルスによる磁束８５の方向を示
すもので、方向は正方向（＋方向）である。 この時、磁気ヒステリシス状態は第１１図のｙ
点から矢印８６の如くループをたどり、再びｙ点
に戻る。この時可飽和部における透磁率μ＝
dB／dHが小さく磁気抵抗が大きいためコイルの
インダクタンスは小さくなる。 従つて、検出パルスによる電流の立上りは急激
なものとなる。 次に区間A″における第２の初期化パルスPi２
の動作について説明する。第１８図はPi２が印加
された時のロータの位置と、Pi２による磁束８７
を示したものである。Pi２は大出力パルスである
ためロータは必ず回転し、第１９図の様にその向
きが変わる。この時磁気ヒステリシス状態は、第
１１図の矢印８８の如くループをたどりx′点に至
る。 次に区間A″の検出パルスPsの動作について説
明する。第２０図は、Psが印加された時のロー
タの位置と、Psによる磁束８９を示したもので
ある。この時磁束ヒステリシス状態は、第１１図
の矢印９０の如くループをたどり再びx′点に戻
る。 この時透磁率μが大きく磁気抵抗が小さいた
め、コイルのインダクタンスは大きくなる。従つ
て検出パルスPsによる電流はなだらかな立上り
を示す。 以上が検出抵抗設定区間Ａにおける初期化パル
スPi１，Pi２、消磁パルスPe、検出パルスPs、
Ps１の…Psnの動作説明である。 次に第１０図のタイミングチヤートに従つて、
検出抵抗設定区間Ａにおける検出抵抗設定動作の
説明をする。まず、区間A′における検出パルス
Ps１，Ps２，……Psnの動作から説明する。 検出パルスPs１が出力されると、コントロー
ル信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４はそれぞれＨ，
Ｈ，Ｈ，Ｈを出力し、抵抗素子ｒ１〜ｒ４がすべ
て選択され検出抵抗はRs＝１／（１／r1＋１／r2＋１／
r3 ＋１／r4） となる。検出パルスによる電流は第８図４１の如
くループで流れ、検出パルス終了後は４２の如く
のループで検出抵抗を流れるので、コイルの一端
であるO2端子に検出電流に比例した電圧が発生
する。これが第１０図のO2の端子の電圧７１で
ある。 次に２番目の検出パルスPs２が出力されると、
ｓ１，ｓ２，ｓ３，ｓ４はそれぞれＬ，Ｈ，Ｈ，
Ｈを出力し、この時O2端子には電圧７２が発生
する。以下は同様にして検出パルスを出す毎に検
出抵抗が段階的に増加してゆくので、検出電圧も
７３，７４，７５，……７６の如くこの増加に比
例して大きくなつてゆく。 検出抵抗が増加してゆくと、７６の如くやがて
検出電圧が基準電圧Vth′を超える時がくる。こ
の基準電圧Vth′を電源電圧VDDあるいはこれに
なるべく近い値に設定しておけば、以後の通常動
作時回転・非回転の検出電圧Vr，Vuの差を大き
くでき、従つて回転・非回転の判定のマージンを
大きくとれる。よつて基準電圧Vth′（＝VDD）を
初めて超える電圧を与える検出抵抗値が、そのス
テツプモータの特性に最も適合する検出抵抗値と
なる。 検出抵抗値が段階的に増大した時のO2端子の
電圧即ち検出電圧の増大してゆく様子を示したも
のが第２２図である。同図においてVsnが初めて
基準電圧Vth′（＝VDD）を超える電圧であり、
Vsnを与える検出抵抗値が最適検出抵抗値が最適
検出抵抗として設定される。 次に区間Ａの中の区間A″の動作について説明
する。この区間A″は、区間A′で設定された検出
抵抗値が適当なものであることを確認する区間で
ある。前述の様に、第二の初期化パルスPi２は大
出力パルスであるのでロータは必ず回転する。従
つて検出パルスPsによる検出電流はなだらかな
立上りを示すので、区間A′で設定された検出抵
抗Rsを介して検出電流を流すと、検出電圧は第
１０図の７７の如くピーク値の小さいものとな
る。 第２３図の９１はこの電圧波形の拡大図を示す
ものである。同図の如く検出電圧９１のピーク値
Vrが基準電圧Vthより小さいことが確認されれ
ば、区間A′で設定した検出抵抗の値が適当であ
つたことが確認される（同図中の点線の電圧波形
１２１は区間A′の検出パルスPsnによつて発生し
た検出電圧波形である）。 以上の説明に於ては、検出抵抗を小さい方から
段階的に増大してゆきながら最適な検出抵抗を探
す手法で説明したが、逆に検出抵抗を大きい方か
ら段階的に減少してゆく方法をとつても本発明の
目的を達成する上で何ら変わる所はない。 第２４図は該手法を取つた場合の検出電圧の変
化を示したものである。同図に於て、検出電圧波
形は、検出抵抗を段階的に減少してゆくにつれて
９３→９４→９５→…９８→９９と変わつてゆ
く。VcはＰゲートのダイオード特性によりクリ
ツプされる電圧であり、検出電圧のピーク値は
Vcで規制される。 検出電圧のピーク値がVth′を初めて下まわる
時が１２８である。この時の抵抗値を検出抵抗と
して設定してもよいし、また、一つの前の検出電
圧１２７（ピーク値VSn−１）を与える抵抗値を
検出抵抗として設定してもよい。 また、以上の説明に於ては、第８図の如く検出
抵抗素子をｒ１，ｒ２，ｒ３，ｒ４の４個並列に
構成する例を示したが、４個に規定されるわけで
はなく、一般に複数個構成すれば、本発明の目的
を達することができる。 第２５図は本発明を実現する他の回路構成例を
示すものであるが、同図の様に検出抵抗素子ｒ
１，ｒ２，ｒ３，ｒ４をVDD側に接続しても論
理的には全く同様であり、本発明の効果に何ら変
わる所はない。 さらに、ひとつのICであらゆる仕様の一体ス
テータ型のステツプモータに適用でき、ICの標
準化の実現に寄与する。 本発明は以上の様に、わずかなデジタル回路を
付加するだけで、他のコストアツプの要因となり
得るものは何もなく、その効果は非常に大きい。 ［発明の効果］ 以上説明してきた如く、検出抵抗、ステツプモ
ータのつくり込みばらつきに基づいて、それぞれ
抵抗値が異なる複数の抵抗を、コイルに接続され
た検出抵抗にそれぞれ並列接続し、電源の投入又
はリセツトされると、ロータを所定の位置に固定
し、抵抗値が順次大きくなる組合わせ又は順次小
さくなる組合わせから選択し、その組合わせの抵
抗群に流れる電流に基づく電圧値が基準値以上で
あると判定された場合は、その組合わせの抵抗群
に検出抵抗の設定をするようにしたので、ステツ
プモータのばらつきによつて検出電流にばらつき
が生じることはなく、正確なロータの回転・非回
転の判別が可能であり、量産時でのばらつきを吸
収するという意味で、量産上の効果は極めて大き
い。 また、検出抵抗の組合わせはIC内部で論理的
に設定されるため、外付け抵抗を必要とせず、時
計の小型化・薄型化・ローコストという要求に応
えることができるという効果が得られている。

【図面の簡単な説明】

第１図はコイルに印加するパルス波形を示す
図、第２図及び第３図ａ，ｂはステツプモータの
動作説明図、第４図は従来の駆動回路と検出回
路、第５図ａ及び第６図はａが検出電流波形を示
す図、第５図ｂ及び第６図はｂが検出電圧波形を
示す図、第７図は本発明の構成例を示すブロツク
図、第８図は本発明の一実施例を示す回路構成
図、第９図は検出抵抗設定のための回路図、第１
０図は第８図のタイミングチヤート、第１１図は
磁気ヒステリシス曲線を示す図、第１２〜２０図
はステツプモータの動作説明図、第２１図ａ，ｂ
はPiパルスによつてコイルに流れる電流波形を示
す図、第２２図は検出電圧波形の変動を示す図、
第２３図は区間A″の検出パルスPsによる検出電
圧波形を示す図、第２４図は検出電圧波形の変動
を示す図、第２５図は本発明を実現する他の回路
構成例を示す図である。 図において、１…駆動パルス、２…検出パル
ス、３…補正パルス、４…ロータ、５…ステー
タ、６…内ノツチ、７…外ノツチ、４０…コイ
ル。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 少なくともステータ、ロータ及びコイルより
   構成されるステツプモータを有し、電源が投入さ
   れる前は、前記ロータのＳ極又はＮ極が前記コイ
   ルに対して所定の角度で向き合い、その後に電源
   が投入されて前記ロータが回転すると、回転・非
   回転を判定するために検出電流を前記コイルに流
   し、その電流に基づく電圧値が基準レベル以上で
   あれば非回転と判定するアナログ電子時計におい
   て、 少なくとも前記検出抵抗、ステツプモータのつ
   くり込みばらつきに基づいて、それぞれ抵抗値が
   異なる複数の抵抗を、前記検出抵抗にそれぞれ並
   列接続し、選択に基づいて組み合わせを変えて、
   その組合わせの抵抗群に検出電流を流す検出抵抗
   設定手段と、 前記電源が投入されると、前記コイルに電源が
   投入される前のロータの磁束の極性と反する極性
   の磁束を発生させて、前記コイルに前記ロータを
   引き付けて前記所定の角度に固定する第１の初期
   化パルスを流し、又は前記電源が投入された後
   に、リセツトされると、前記第１の初期化パルス
   と逆方向の第２の初期化パルスを流して前記ロー
   タを反対に１回転させて前記所定の角度にする初
   期化手段と、 前記第１の初期化パルス又は第２の初期化パル
   スが前記コイルに流されると、所定後にその初期
   化パルスと逆方向の消磁パルスを前記コイルに流
   し、前記ステツプモータに残る磁気を消すと共
   に、前記ロータを非回転状態にする消磁パルス発
   生手段と、 前記消磁パルスが流された後に、前記検出抵抗
   設定手段の抵抗値が順次大きくなる組合わせ又は
   順次小さくなる組合わせから選択する検出抵抗選
   択手段と、 前記検出抵抗設定手段の組合わせが選択される
   と、前記組合わせが設定されるまで前記消磁パル
   スと同方向の検出電流を前記コイルに流す検出電
   流出力手段と、 前記検出抵抗選択手段によつて、選択された組
   合わせの抵抗群に流れる電流に基づく電圧値が基
   準値以上であると判定された場合は、その組合わ
   せの抵抗群に前記検出抵抗選択手段の設定をする
   検出抵抗設定手段と を有することを特徴とするアナログ電子時計。