JPH0357076Y2

JPH0357076Y2 -

Info

Publication number: JPH0357076Y2
Application number: JP12423784U
Authority: JP
Priority date: 1984-08-14
Filing date: 1984-08-14
Publication date: 1991-12-25
Also published as: JPS6138746U

Description

【考案の詳細な説明】［考案の分野］この考案は、サイリスタ、トライアツク、トラ
ンジスタのような半導体スイツチング素子で負荷
回路を開閉制御する負荷開閉装置に関し、特に半
導体スイツチング素子の異常発熱を検知したとき
上記負荷への通電をしや遮断する負荷開閉装置に
関するものである。

［従来技術とその問題点］従来、この種の負荷開閉装置として、第２図に
示すものが知られている。図において、１は入力
信号回路、２は負荷回路である。入力信号回路１
は１対の入力端子Ｉ１，Ｉ２間に発光ダイオード
のような発光表示素子Ｌと抵抗体Ｒ１との直列回
路にリレーコイルＸが並列接続されて構成されて
いる。

負荷回路２は電源端子Ｐ１，Ｐ２間に半導体ス
イツチング素子Ｑ、たとえばトライアツクの第
１、第２電極との間に上記リレーコイルＸのリレ
ー接点Xbが並列接続されるとともに、上記トラ
イアツクＱのトリガ端子と第１電極間に他のリレ
ー接点Xaが抵抗体Ｒ２を介し接続されて構成さ
れている。上記リレー接点Xaは、たとえば可動
接点と固定接点との接点間隔を他のリレー接点
Xbのそれよりも小さく設定することにより、
ON動作が早くかつOFF動作が遅くなるように構
成されている。なお、Ｄは発光表示素子Ｌの保護
用ダイオード、Ｅは交流電源、RLは負荷である。

上記構成において、入力端子Ｉ１，Ｉ２間に入
力信号が印加されると、リレーコイルＸが励磁さ
れ、まずリレー接点Xaがリレー接点Xbよりも早
く閉成されてトライアツクＱがトリガされ、この
トライアツクＱが定常の通電状態となる所定の遅
延時間後に他のリレー接点Xbが閉成されて、負
荷RLへの通電はこのリレー接点Xbを通じて行な
われる。

つぎに、入力信号が断たれて、リレーコイルＸ
が消磁されると、リレー接点Xaはリレー接点Xb
よりも遅く開放され、リレー接点Xbが開放され
てからリレー接点Xaが開放されるから、負荷電
流のしや断はトライアツクＱによつて行なわれ
る。そして、トライアツクＱは電源電圧の零クロ
スにおいて消弧され、もつて負荷RLへの通電が
しや断される。

このように、負荷電流の投入としや断とをトラ
イアツクＱによつて行なわれるから、負荷電流の
投入としや断時にリレー接点Xbにアークが発生
せず、その接点寿命を長くすることができるとと
もに、定常状態では上記リレー接点Xbを通じて
大電流が負荷RLに流れ、トライアツクＱには負
荷電流が流れないから、トライアツクＱの発熱に
もとづく焼損を防止することができる。

ところが、上記リレー接点Xbが接触不良を発
生したとき、負荷電流がトライアツクＱを通じて
流れるため、上記トライアツクＱが異常発熱を発
生して焼損するおそれがある。

そこで、従来、第３図に示すように、上記トラ
イアツクＱの異常発熱を温度ヒユーズやサーモス
タツトのような感温素子Haで検出したとき開放
される開閉接点Ｈを上記負荷回路２に介挿するこ
とにより、負荷電流をしや断して上記トライアツ
クＱの異常発熱にもとづく焼損を防止しようとす
るものが知られている。

しかし、上記のように感温素子Haの接点Ｈを
負荷回路２に介挿すると、負荷RLへの通電中に
大電流が上記接点Ｈに常時流れるため、大容量の
感温素子Haを必要とし、また、上記接点Ｈがし
や断された場合でも、発光表示素子Ｄが点灯され
続けるため、負荷回路２が正常であると判断され
る欠点がある。

［考案の目的］この考案は上記欠点を解消するためになされた
もので、トライアツクのような半導体スイツチン
グ素子が異常発熱を発生した場合でも、小容量の
感温素子でもつて大きな負荷電流をしや断するこ
とができるとともに、上記感温素子の接点が開放
された場合には、発光表示素子を消灯することが
できる負荷開閉装置を提供することを目的とす
る。

［考案の構成と効果］この考案による負荷開閉装置は、１対の入力端
子を有する入力信号回路と、電源に負荷を介して
直列接続された半導体スイツチング素子を有しか
つ上記入力信号回路に電気的に絶縁された負荷回
路と、上記半導体スイツチング素子の発熱を感知
して所定温度で上記負荷回路を開放する感温素子
とを具備した負荷開閉装置において、上記感温素
子の開閉接点を上記入力信号回路に介挿し、上記
半導体スイツチング素子が所定温度以上になつた
とき入力信号の印加をしや断して上記負荷回路を
開放するように構成されている。

上記のように感温素子の開閉接点を入力信号回
路に介挿することにより、半導体スイツチング素
子が所定温度以上になつたとき、入力信号の印加
をしや断して負荷回路を開放することができる。

しかも、微弱な入力信号をしや断するものであ
り、負荷回路に流れる大電流をしや断するもので
ないから、トライアツクのような半導体スイツチ
ング素子が異常発熱を発生した場合、小容量の感
温素子でもつて大きな負荷電流をしや断すること
ができるとともに、上記感温素子の接点が開放さ
れた場合、発光表示素子はその通電が断たれて消
灯されるから、半導体スイツチング素子の異常発
熱を容易に確認することがでる。

［実施例の説明］以下、この考案の実施例を図面にしたがつて説
明する。第１図はこの考案による負荷開閉装置の
一例を示す断面図で、第２図と同一部分には同一
の番号が付されている。

図において、第２図と異なる点は感温素子Ha
の接点Ｈを入力信号回路１に介挿したことに特徴
を有するものである。

上記構成において、入力端子Ｉ１，Ｉ２間に入
力信号が印加されると、リレーコイルＸが励磁さ
れ、従来と同様にまずリレー接点Xaがリレー接
点Xbよりも早く閉成されてトライアツクＱがト
リガされ、トライアツクＱが定常状態となる所定
の遅延時間後に他のリレー接点Xbが閉成されて、
負荷RLへの通はこのリレー接点Xbを通じて行な
われるから、トライアツクＱの発熱にもとづく焼
損を防止することができる。

上記負荷RLへの通電中にリレー接点Xbが接触
不良を生じ、負荷電流がトライアツクＱを通じて
流れ、上記トライアツクＱが異常発熱を発生する
と、この異常発熱を感温素子Haで検出してその
開閉接点Ｈを開放し、リレーコイルＸに対する入
力信号の印加をしや断して負荷回路２を開放す
る。

このように感温素子Haの開閉接点Ｈは入力信
号の印加をしや断するものであり、負荷回路２に
流れる大電流をしや断するものでないから、トラ
イアツクＱが異常発熱を生じた場合でも、小容量
の感温素子Haでもつて大きな負荷電流をしや断
することができる。

また、上記感温素子Haの接点Ｈが開放された
場合、発光表示素子Ｌはその通電が断たれて消灯
されるから、半導体スイツチング素子Ｑの異常発
熱を容易に確認することができ、発光表示素子Ｌ
の表示動作を達成することができる。

なお、上記実施例において、半導体スイツチン
グ素子としてトライアツクＱで負荷RLに通断電
する場合について説明したけれども、この半導体
スイツチング素子Ｑはサイリスタやトランジスタ
などの他の半導体スイツチング素子であつてもよ
く、また、これらの半導体スイツチング素子Ｑは
リレー接点Xaでトリガされるものに限られず、
入力信号の印加で光学的もしくは電磁気的に結合
されてトリガされる半導体スイツチング素子であ
つてもよい。

さらに、上記半導体スイツチング素子Ｑにリレ
ー接点Xbを並列接続しない構成であつても、半
導体スイツチング素子Ｑの異常発熱を感温素子
Haで検出してその開閉接点Ｈを開放し、入力信
号の印加をしや断して負荷回路２を開放するよう
に構成したものであつてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案による負荷開閉装置の一例を
示す回路図、第２図および第３図は従来のそれぞ
れ異なる負荷開閉装置の回路図である。１……入力信号回路、２……負荷回路、Ｉ１，
Ｉ２……入力端子、Ｑ……半導体スイツチング素
子、Ha……感温素子、Ｈ……感温素子の開閉接
点、Ｅ……電源、RL……負荷、Ｘ……リレーコ
イル、Xb……リレー接点。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】 (1) １対の入力端子を有する入力信号回路と、電
源に負荷を介して直列接続された半導体スイツ
チング素子を有しかつ上記入力信号回路に電気
的に絶縁された負荷回路と、上記半導体スイツ
チング素子の発熱を感知して所定温度で上記負
荷回路を開放する感温素子とを具備した負荷開
閉装置において、上記感温素子の開閉接点を上
記入力信号回路に介挿し、上記半導体スイツチ
ング素子が所定温度以上になつたとき上記入力
信号回路に対する入力信号の印加をしや断して
上記負荷回路を開放するように構成したことを
特徴とする負荷開閉装置。 (2) 入力信号の印加によつて励磁されるリレーコ
イルを上記入力信号回路に介挿するとともに、
上記リレーコイルの励磁時に閉成される常開リ
レー接点を上記半導体スイツチング素子に並列
接続してなる実用新案登録請求の範囲第１項記
載の負荷開閉装置。