JPH0355920Y2 - - Google Patents
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- JPH0355920Y2 JPH0355920Y2 JP10326584U JP10326584U JPH0355920Y2 JP H0355920 Y2 JPH0355920 Y2 JP H0355920Y2 JP 10326584 U JP10326584 U JP 10326584U JP 10326584 U JP10326584 U JP 10326584U JP H0355920 Y2 JPH0355920 Y2 JP H0355920Y2
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Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
[考案の技術分野]
本考案は核分裂生成ガス中の放射性ガスをイオ
ン化して金属基体中に注入する放射性ガスの固定
化処理装置用容器に関する。
ン化して金属基体中に注入する放射性ガスの固定
化処理装置用容器に関する。
[考案の技術的背景]
核燃料再処理工場等の原子力施設は、有害な量
の放射能が環境に放出された場合、その影響が広
範囲かつ長時間にわたる可能性があるために、安
全性の確保を他の一般産業に比べて格段に厳しく
することが義務づけられている。
の放射能が環境に放出された場合、その影響が広
範囲かつ長時間にわたる可能性があるために、安
全性の確保を他の一般産業に比べて格段に厳しく
することが義務づけられている。
再処理工場では使用済燃料から、ウランとプル
トニウムを回収するが、同時に随伴する核分裂生
物等を含む放射性廃棄物を適切に処理しなければ
ならない。放射性廃棄物のうち、気体廃棄物はク
リプトン85(以下Kr−85と記す)のみである
が、これは半減期10.7年と長寿命であるために、
今後の原子力発電量の増加を見込むと、将来には
地球規模の汚染につながる恐れがある。そこで回
収技術とともに重要な課題は回収したKr−85を
如何にして安全に貯蔵あるいは処分するかであ
る。従来、放射性廃棄ガスはボンベなどの耐圧製
圧力容器に封入して永久保存する方法が考えられ
ている。
トニウムを回収するが、同時に随伴する核分裂生
物等を含む放射性廃棄物を適切に処理しなければ
ならない。放射性廃棄物のうち、気体廃棄物はク
リプトン85(以下Kr−85と記す)のみである
が、これは半減期10.7年と長寿命であるために、
今後の原子力発電量の増加を見込むと、将来には
地球規模の汚染につながる恐れがある。そこで回
収技術とともに重要な課題は回収したKr−85を
如何にして安全に貯蔵あるいは処分するかであ
る。従来、放射性廃棄ガスはボンベなどの耐圧製
圧力容器に封入して永久保存する方法が考えられ
ている。
しかしながら、圧力容器に封入する方法は長期
間にわたる安全貯蔵の点で問題がある。例えば圧
力容器は定期的な耐圧試験が法令で義務づけられ
ており、その都度貯蔵ガスの移し替えなど煩雑で
危険な作業が要求される欠点がある。
間にわたる安全貯蔵の点で問題がある。例えば圧
力容器は定期的な耐圧試験が法令で義務づけられ
ており、その都度貯蔵ガスの移し替えなど煩雑で
危険な作業が要求される欠点がある。
一方、気体廃棄物Kr−85の処理は前記ボンベ
等の圧力容器への貯蔵法の他に、ゼオライトに吸
着させる方法、イオン化注入固定法等が提案され
ている。しかしながら、ボンベ貯蔵法およびゼオ
ライトに吸着させる方法は実用化するには幾多の
改善すべき問題がある。
等の圧力容器への貯蔵法の他に、ゼオライトに吸
着させる方法、イオン化注入固定法等が提案され
ている。しかしながら、ボンベ貯蔵法およびゼオ
ライトに吸着させる方法は実用化するには幾多の
改善すべき問題がある。
イオン注入法は、常温、低圧で処分操作ができ
るだけでなく、長時間の安全性でも他の方法に比
べて優れた方法とされている。
るだけでなく、長時間の安全性でも他の方法に比
べて優れた方法とされている。
第2図は従来の放射性ガスをイオン化注入する
注入装置の概要を示す縦断面図、第3図および第
4図は第2図に示した装置におけるイオン注入状
態を説明するための横断面図である。以下、第2
図から第4図を参照しながら、従来の放射性ガス
の固定化処理装置を説明する。
注入装置の概要を示す縦断面図、第3図および第
4図は第2図に示した装置におけるイオン注入状
態を説明するための横断面図である。以下、第2
図から第4図を参照しながら、従来の放射性ガス
の固定化処理装置を説明する。
円筒状容器1内に設けられたイオン化室2には
冷却管3およびリード線4が取りつけられた円筒
型電極5がその中央部に配置されている。前記冷
却管3およびリード線4はたとえばハーメチツク
シールなどの絶縁体6によつて上蓋7と絶縁封じ
されている。また、前記容器1の上蓋7には絶縁
体19を介して例えば−50Vの負電圧が印加され
るアノード電極18が取りつけてあり、さらに下
蓋20には絶縁体21を介してフイラメント17
が取りつけられている。また前記容器1の下蓋2
0にはKr−85ガスを導入するためのパイプ9が
バルブ8を介して接続されているとともに、前記
容器1内を排気するためのパイプ11がバルブ1
0を介して接続されている。また前記容器1の外
周面には該容器1を冷却するための冷却パイプ1
2が巻回されている。なお図中符号14はイオン
注入されたKr−85イオン層と電極のスパツタリ
ングイオンによるコーテイング層からなる累積層
である。第3図および第4図中、符号15はKr
−85イオン、16は電極5から飛び出すスパツタ
リングイオンをそれぞれ示している。
冷却管3およびリード線4が取りつけられた円筒
型電極5がその中央部に配置されている。前記冷
却管3およびリード線4はたとえばハーメチツク
シールなどの絶縁体6によつて上蓋7と絶縁封じ
されている。また、前記容器1の上蓋7には絶縁
体19を介して例えば−50Vの負電圧が印加され
るアノード電極18が取りつけてあり、さらに下
蓋20には絶縁体21を介してフイラメント17
が取りつけられている。また前記容器1の下蓋2
0にはKr−85ガスを導入するためのパイプ9が
バルブ8を介して接続されているとともに、前記
容器1内を排気するためのパイプ11がバルブ1
0を介して接続されている。また前記容器1の外
周面には該容器1を冷却するための冷却パイプ1
2が巻回されている。なお図中符号14はイオン
注入されたKr−85イオン層と電極のスパツタリ
ングイオンによるコーテイング層からなる累積層
である。第3図および第4図中、符号15はKr
−85イオン、16は電極5から飛び出すスパツタ
リングイオンをそれぞれ示している。
つぎに上記装置においてKr−85ガスをイオン
注入固定化処理する方法を説明する。即ち、第2
図において容器1内は排気用パイプ11に接続さ
れる図示していない排気装置例えば、イオンポン
プ、軸流分子ポンプ、油拡散ポンプなどで所望の
真空度例えば5×10-7Torr程度に排気された後、
バルブ10を閉じて容器1内を一定圧力に減圧し
た後、バルブ8を開いてパイプ9に接続された図
示していないボンベ等からKr−85ガスを供給し、
容器1内に一定圧力例えば3〜4mmTorrのKr−
85ガスが封入されたらバルブ8を閉じる。また冷
却パイプ3および12に水などの冷却媒体を流し
て電極5および容器1を冷却する。図示してない
電源によつてフイラメント17を点火し、図示し
てない直流電源によつてアノード18に数百ボル
ト例えば200〜300ボルトの負電圧を印加して該ア
ノード18と前記フイラメント17間にKr−85
ガス放電を起こさせ、さらにスパツタリングを発
生しやすい金属例えばニツケル電極5に図示して
いない直流電源によつて数KV例えば2〜3KVの
負電圧を印加すると、イオン化室2のKr−85イ
オンが第3図および第4図に示すようなプロセス
で電極5の表面のスパツリングによつて円筒状容
器1の内面にコーテイングされながら、同時に
Kr−85イオンもイオン化注入されて、ニツケル
イオンとKr−85イオンの累積層が形成される。
注入固定化処理する方法を説明する。即ち、第2
図において容器1内は排気用パイプ11に接続さ
れる図示していない排気装置例えば、イオンポン
プ、軸流分子ポンプ、油拡散ポンプなどで所望の
真空度例えば5×10-7Torr程度に排気された後、
バルブ10を閉じて容器1内を一定圧力に減圧し
た後、バルブ8を開いてパイプ9に接続された図
示していないボンベ等からKr−85ガスを供給し、
容器1内に一定圧力例えば3〜4mmTorrのKr−
85ガスが封入されたらバルブ8を閉じる。また冷
却パイプ3および12に水などの冷却媒体を流し
て電極5および容器1を冷却する。図示してない
電源によつてフイラメント17を点火し、図示し
てない直流電源によつてアノード18に数百ボル
ト例えば200〜300ボルトの負電圧を印加して該ア
ノード18と前記フイラメント17間にKr−85
ガス放電を起こさせ、さらにスパツタリングを発
生しやすい金属例えばニツケル電極5に図示して
いない直流電源によつて数KV例えば2〜3KVの
負電圧を印加すると、イオン化室2のKr−85イ
オンが第3図および第4図に示すようなプロセス
で電極5の表面のスパツリングによつて円筒状容
器1の内面にコーテイングされながら、同時に
Kr−85イオンもイオン化注入されて、ニツケル
イオンとKr−85イオンの累積層が形成される。
このようにしてフイラメント17を点火しアノ
ードと容器1の間には200〜300ボルトの負電圧を
連続的に印加することによつてKr−85ガスイオ
ンによる放電を持続させ、ニツケル電極5には2
〜3KVの負電圧を連続的に印加することによつ
て容器1の内面にニツケルイオン層とKr−85イ
オン層を累積した累積層が形成されて、Kr−85
イオンのイオン注入固定化処理が行われる。
ードと容器1の間には200〜300ボルトの負電圧を
連続的に印加することによつてKr−85ガスイオ
ンによる放電を持続させ、ニツケル電極5には2
〜3KVの負電圧を連続的に印加することによつ
て容器1の内面にニツケルイオン層とKr−85イ
オン層を累積した累積層が形成されて、Kr−85
イオンのイオン注入固定化処理が行われる。
[背景技術の問題点]
しかし、このような従来の放射性ガスのイオン
注入固定化処理装置は、一定量のKr−85ガスの
イオン注入固定化処理後は、処理装置全体を永久
保存することが考えられており、次のKr−85ガ
スイオン注入固定化は別の固定化処理装置によつ
て行われることになる。このような従来の装置で
は未だ、充分使用に耐えるKr−85ガス導入系、
排気系および円筒状容器外周面に巻回された冷却
管なども全て使用不可能となり、経済的見地から
も無駄が多いものとなつている。
注入固定化処理装置は、一定量のKr−85ガスの
イオン注入固定化処理後は、処理装置全体を永久
保存することが考えられており、次のKr−85ガ
スイオン注入固定化は別の固定化処理装置によつ
て行われることになる。このような従来の装置で
は未だ、充分使用に耐えるKr−85ガス導入系、
排気系および円筒状容器外周面に巻回された冷却
管なども全て使用不可能となり、経済的見地から
も無駄が多いものとなつている。
[考案の目的]
本考案は上記した事情に鑑みてなされたもので
その目的は核燃料再処理の際に生じる放射性被処
理ガス例えばKr−85の処理装置を電極と、カソ
ードを設けたKr−85イオンがイオン化注入され
てイオン層を形成させる容器を挿脱自在の上下一
対の第1の筒状部材および第2の筒状部材から成
る一体化構造とし、冷却パイプ、ガス導入系、排
気系およびアノードまたはフイラメントを第2の
筒状部材内に挿入して気密固定構造とし、一定量
のKr−85ガスのイオン注入固定化処理後はイオ
ン注入された第1の筒状部材のみを取り外して永
久保存することにより、経済性に優れた放射性ガ
スの固定化処理装置用容器を提供することにあ
る。
その目的は核燃料再処理の際に生じる放射性被処
理ガス例えばKr−85の処理装置を電極と、カソ
ードを設けたKr−85イオンがイオン化注入され
てイオン層を形成させる容器を挿脱自在の上下一
対の第1の筒状部材および第2の筒状部材から成
る一体化構造とし、冷却パイプ、ガス導入系、排
気系およびアノードまたはフイラメントを第2の
筒状部材内に挿入して気密固定構造とし、一定量
のKr−85ガスのイオン注入固定化処理後はイオ
ン注入された第1の筒状部材のみを取り外して永
久保存することにより、経済性に優れた放射性ガ
スの固定化処理装置用容器を提供することにあ
る。
[考案の概要]
本考案は放射性ガスが導入される容器内の電極
を配置し前記容器内にフイラメントおよびアノー
ドを取り付け該アノードには200〜300Vの負電圧
を印加して、該アノードと前記フイラメント間で
放射性ガスによるガス放電を起してイオン化し、
また前記電極には2〜3KVの負の高電圧を印加
して、該電極表面を放射性ガスイオンでスパツタ
リングして前記容器内面にコーテイングさせると
ともに、放射性ガスイオン注入をも同時に行わせ
ることによつて前記電極のスパツタリングイオン
によるコーテイングと放射性ガスイオンの累積層
を形成させる放射性ガスの固定化処理装置用容器
において、前記容器は一端が閉塞し他端が開口し
た第1の筒状部材と、他端が閉塞し、一端が開口
した第2の筒状部材とからなり、かつ前記第1の
筒状部材と第2の筒状部材とは相互に挿脱自在で
嵌合して一体化し気密容器を構成するとともに該
容器にはフイラメントおよびカソードが取りつけ
られていることを特徴とする放射性ガスの固定化
処理装置用容器である。この装置によれば放射性
ガスのイオン化注入処理後は、前記第1の容器の
みを取り外して永久保存することができる。
を配置し前記容器内にフイラメントおよびアノー
ドを取り付け該アノードには200〜300Vの負電圧
を印加して、該アノードと前記フイラメント間で
放射性ガスによるガス放電を起してイオン化し、
また前記電極には2〜3KVの負の高電圧を印加
して、該電極表面を放射性ガスイオンでスパツタ
リングして前記容器内面にコーテイングさせると
ともに、放射性ガスイオン注入をも同時に行わせ
ることによつて前記電極のスパツタリングイオン
によるコーテイングと放射性ガスイオンの累積層
を形成させる放射性ガスの固定化処理装置用容器
において、前記容器は一端が閉塞し他端が開口し
た第1の筒状部材と、他端が閉塞し、一端が開口
した第2の筒状部材とからなり、かつ前記第1の
筒状部材と第2の筒状部材とは相互に挿脱自在で
嵌合して一体化し気密容器を構成するとともに該
容器にはフイラメントおよびカソードが取りつけ
られていることを特徴とする放射性ガスの固定化
処理装置用容器である。この装置によれば放射性
ガスのイオン化注入処理後は、前記第1の容器の
みを取り外して永久保存することができる。
[考案の実施例]
以下第1図を参照しながら本考案に係る放射性
ガスの固定化処理装置用容器の一実施例を説明す
る。なお、第1図中、第2図と同一部分は同一符
号で示す。
ガスの固定化処理装置用容器の一実施例を説明す
る。なお、第1図中、第2図と同一部分は同一符
号で示す。
第1図において符号22は本考案に係る容器を
示しており、この容器22は上端が上端板23で
閉塞され下端が開口した第1の筒状部材24と、
下端が下端板25で閉塞し上端が開口した第2の
筒状部材26とからなつている。この筒状部材2
6内に上方から第1の筒状部材24が挿入されて
気密性が維持されている。そして、第1の筒状部
材24の上端板23には絶縁体19を介してアノ
ード18が取り付けられているとともに絶縁体6
によつて機密封じされた冷却パイプ27,28が
取り付けられており、該パイプ27,28の片端
側面には中空構造の例えばニツケルよりなる円筒
状電極5が取り付けられている。該電極5からは
前記絶縁体6によつて気密封じされたリード線4
が接続されている。また前記冷却パイプ27,2
8の他端にはカツプラ29,30を介して冷却パ
イプ31,32が接続されている。第2の筒状部
材26の外周面には冷却パイプ12が巻回され、
また第2の筒状部材の下端板25には被処理ガス
としてのKr−85ガスを容器22内へ導入するた
めのガス導入パイプ33がバルブ34を介して接
続されている。さらにイオン化室2を排気するた
めの排気用パイプ36がバルブ37を介して同様
に下端板25に接続されている。また下端板25
には絶縁体21によつて気密封じされたフイラメ
ント17が取り付けられている。このようにして
第1の筒状部材24は第2の筒状部材26内に挿
入され、両者は固定部35によつて気密封じされ
た構造となつている。なお、符号14はニツケル
よりなる電極のスパツタリングイオン層と、Kr
−85イオン層が累積してなるイオン累積層を示し
ている。
示しており、この容器22は上端が上端板23で
閉塞され下端が開口した第1の筒状部材24と、
下端が下端板25で閉塞し上端が開口した第2の
筒状部材26とからなつている。この筒状部材2
6内に上方から第1の筒状部材24が挿入されて
気密性が維持されている。そして、第1の筒状部
材24の上端板23には絶縁体19を介してアノ
ード18が取り付けられているとともに絶縁体6
によつて機密封じされた冷却パイプ27,28が
取り付けられており、該パイプ27,28の片端
側面には中空構造の例えばニツケルよりなる円筒
状電極5が取り付けられている。該電極5からは
前記絶縁体6によつて気密封じされたリード線4
が接続されている。また前記冷却パイプ27,2
8の他端にはカツプラ29,30を介して冷却パ
イプ31,32が接続されている。第2の筒状部
材26の外周面には冷却パイプ12が巻回され、
また第2の筒状部材の下端板25には被処理ガス
としてのKr−85ガスを容器22内へ導入するた
めのガス導入パイプ33がバルブ34を介して接
続されている。さらにイオン化室2を排気するた
めの排気用パイプ36がバルブ37を介して同様
に下端板25に接続されている。また下端板25
には絶縁体21によつて気密封じされたフイラメ
ント17が取り付けられている。このようにして
第1の筒状部材24は第2の筒状部材26内に挿
入され、両者は固定部35によつて気密封じされ
た構造となつている。なお、符号14はニツケル
よりなる電極のスパツタリングイオン層と、Kr
−85イオン層が累積してなるイオン累積層を示し
ている。
このようにして構成された本考案に係る放射性
ガスの固定化処理装置用容器を処理装置内に組込
んで第2図から第4図に示した如き方法により、
所定量のKr−85ガスのイオン注入固定化処理を
行つた後つまり、イオン累積層を形成した後はカ
ツプラ29,30をゆるめて冷却パイプ27,2
8を取り外し、第1の筒状部材24と第2の筒状
部材26との固定部35を取り外して第1の筒状
部材24を抜き脱し所望の場所に所望の方法例え
ば密封容器内に封入するなどの方法で永久保存す
る。そして、第2の筒状部材26には新しい第1
の筒状部材を同等の方法で挿着して以降第2図か
ら第4図に示した方法でKr−85ガスのイオン注
入固定化処理を行う。
ガスの固定化処理装置用容器を処理装置内に組込
んで第2図から第4図に示した如き方法により、
所定量のKr−85ガスのイオン注入固定化処理を
行つた後つまり、イオン累積層を形成した後はカ
ツプラ29,30をゆるめて冷却パイプ27,2
8を取り外し、第1の筒状部材24と第2の筒状
部材26との固定部35を取り外して第1の筒状
部材24を抜き脱し所望の場所に所望の方法例え
ば密封容器内に封入するなどの方法で永久保存す
る。そして、第2の筒状部材26には新しい第1
の筒状部材を同等の方法で挿着して以降第2図か
ら第4図に示した方法でKr−85ガスのイオン注
入固定化処理を行う。
本考案によれば、消耗品である電極材やフイラ
メントは所定量のKr−85イオン注入処理された
第1の部材24と1体構造となつているので、該
第1の部材24はそのまま上記した方法で永久保
存する。
メントは所定量のKr−85イオン注入処理された
第1の部材24と1体構造となつているので、該
第1の部材24はそのまま上記した方法で永久保
存する。
なお、第1の筒状部材24に1体化構造で設置
された電極5の肉厚は第1の筒状部材24の内壁
面に形成させるスパツタリングイオンによるイオ
ン層と、Kr−85イオン層の累積層の厚さから決
定すべきで必要以上に厚くする必要はない。また
以上の説明では電極5の材質としてニツケルを使
用したがニツケルの他にニツケルとランタンの合
金、ランタン、銅、銅合金、金、銀、アルミニウ
ム、アルミニウム合金などスパツタリングを生じ
やすい金属を使用するすることができる。また、
冷却媒体は水に限定されないし、被処理ガスとし
てもKr−85に限定されないことはもちろんであ
る。さらにフイラメントは所定量のイオン注入に
よるイオン化層を形成するに充分なだけの寿命を
持つたものでよい。
された電極5の肉厚は第1の筒状部材24の内壁
面に形成させるスパツタリングイオンによるイオ
ン層と、Kr−85イオン層の累積層の厚さから決
定すべきで必要以上に厚くする必要はない。また
以上の説明では電極5の材質としてニツケルを使
用したがニツケルの他にニツケルとランタンの合
金、ランタン、銅、銅合金、金、銀、アルミニウ
ム、アルミニウム合金などスパツタリングを生じ
やすい金属を使用するすることができる。また、
冷却媒体は水に限定されないし、被処理ガスとし
てもKr−85に限定されないことはもちろんであ
る。さらにフイラメントは所定量のイオン注入に
よるイオン化層を形成するに充分なだけの寿命を
持つたものでよい。
また、ニツケル電極と容器間には2〜3KVの
負電圧を印加し、容器とアノード間には200〜
300Vの負電圧を印加した場合について説明した
が、これは、容器の大きさ、ニツケル電極の大き
さ、容器内の圧力によつて適正条件が変化するこ
とは当然であつて、上記した数値に限定されない
し、容器内に導入されるガス圧力も上記した説明
の間に限定されないことはもちろんである。
負電圧を印加し、容器とアノード間には200〜
300Vの負電圧を印加した場合について説明した
が、これは、容器の大きさ、ニツケル電極の大き
さ、容器内の圧力によつて適正条件が変化するこ
とは当然であつて、上記した数値に限定されない
し、容器内に導入されるガス圧力も上記した説明
の間に限定されないことはもちろんである。
[考案の効果]
本考案によれば、Kr−85イオン層が形成され
る第1の筒状部材のみを第2の筒状部材から単独
で取り外すことができるため、従来のように固定
化処理装置全体を交換する容器に較べて、イオン
層を形成したフイラメントまたはアノード付きの
第1の筒状部材とスパツタ電極のみを永久保存す
るだけでよい。また新たなKr−85ガスのイオン
注入固定化処理を行う場合は新たにフイラメント
またはアノードおよび電極系を1体構造としたイ
オン層累積形成用筒状部材を第2の筒状部材に挿
入するだけで済むため、経済面において大幅なコ
ストダウンを実現でき実用的に大なる効果を奏す
る。
る第1の筒状部材のみを第2の筒状部材から単独
で取り外すことができるため、従来のように固定
化処理装置全体を交換する容器に較べて、イオン
層を形成したフイラメントまたはアノード付きの
第1の筒状部材とスパツタ電極のみを永久保存す
るだけでよい。また新たなKr−85ガスのイオン
注入固定化処理を行う場合は新たにフイラメント
またはアノードおよび電極系を1体構造としたイ
オン層累積形成用筒状部材を第2の筒状部材に挿
入するだけで済むため、経済面において大幅なコ
ストダウンを実現でき実用的に大なる効果を奏す
る。
第1図は本考案に係る放射性ガスの固定化処理
装置用容器の一実施例を処理装置に組込んだ例を
示す縦断面図、第2図は従来の放射性ガスをイオ
ン化注入する放射性ガスの固定化処理装置の概要
を示す縦断面図断面図、第3図および第4図はそ
れぞれ第1図に示した装置におけるイオン注入状
態を示す横断面図である。 2……イオン化室、4……リード線、5……電
極、12,27,28,31,32……冷却パイ
プ、14……イオン層、17……アノード、18
……フイラメント、19,21……絶縁体、22
……容器、23……上端板、24……第1の筒状
部材、25……下端板、26……第2の筒状部
材、29,30……カツプラ、33……ガス導入
パイプ、34,37……バルブ、35……固定
部、36……排気用パイプ。
装置用容器の一実施例を処理装置に組込んだ例を
示す縦断面図、第2図は従来の放射性ガスをイオ
ン化注入する放射性ガスの固定化処理装置の概要
を示す縦断面図断面図、第3図および第4図はそ
れぞれ第1図に示した装置におけるイオン注入状
態を示す横断面図である。 2……イオン化室、4……リード線、5……電
極、12,27,28,31,32……冷却パイ
プ、14……イオン層、17……アノード、18
……フイラメント、19,21……絶縁体、22
……容器、23……上端板、24……第1の筒状
部材、25……下端板、26……第2の筒状部
材、29,30……カツプラ、33……ガス導入
パイプ、34,37……バルブ、35……固定
部、36……排気用パイプ。
Claims (1)
- 放射性ガスが導入される容器内に電極を配置し
該容器にフイラメントおよびアノードを取り付
け、該アノードに負電圧を印加して該アノードと
前記フイラメント間で放射性ガスによるガス放電
を起してイオン化し、また前記電極に負の高電圧
を印加して該電極表面を放射性ガスイオンでスパ
ツタリングして前記容器内面にコーテイングさせ
るとともに、放射性ガスイオン注入をも同時に行
わせることによつて前記電極のスパツタリングイ
オンによるコーテイングと放射性ガスイオンの累
積層を形成させる放射性ガスの固定化処理装置用
容器において、前記容器は一端が閉塞し他端が開
口した第1の筒状部材と、他端が閉塞し一端が開
口した第2の筒状部材とからなり、かつ前記第1
の筒状部材と第2の筒状部材とは相互に挿脱自在
で嵌合して一体化し気密容器を構成するとともに
該容器にはフイラメントおよびアノードが取りつ
けられていることを特徴とする放射性ガスの固定
化処理装置用容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10326584U JPS6119798U (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 放射性ガスの固定化処理装置用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10326584U JPS6119798U (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 放射性ガスの固定化処理装置用容器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6119798U JPS6119798U (ja) | 1986-02-05 |
JPH0355920Y2 true JPH0355920Y2 (ja) | 1991-12-13 |
Family
ID=30662656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10326584U Granted JPS6119798U (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 放射性ガスの固定化処理装置用容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6119798U (ja) |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP10326584U patent/JPS6119798U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6119798U (ja) | 1986-02-05 |
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