JPH0354904A - Uhf band oscillator - Google Patents

Uhf band oscillator

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JPH0354904A
JPH0354904A JP19120089A JP19120089A JPH0354904A JP H0354904 A JPH0354904 A JP H0354904A JP 19120089 A JP19120089 A JP 19120089A JP 19120089 A JP19120089 A JP 19120089A JP H0354904 A JPH0354904 A JP H0354904A
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Japan
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oscillator
circuit element
resonant circuit
ground plane
double
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JP19120089A
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Inventor
Hiroshi Takemoto
博 竹本
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MIZUTANI PURINTEKUSU KK
Original Assignee
MIZUTANI PURINTEKUSU KK
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Abstract

PURPOSE:To obtain a compact, light and highly stable UHF band oscillator by constituting the UHF band oscillator of a Colpitts oscillator using a microstrip line and a transistor(TR) respectively as a resonance circuit element and a base resonance circuit. CONSTITUTION:The variable voltage VV of a 10-revolution herical potentiometer VR2 whose voltage can be adjusted is connected to a through capacitor C9 and supplied to a varrier cap diode VD1 through resistor R2 resistor R1 U-shaped resonance circuit 4 to vary the capacity of the diode VD1. The helical potentiometer VR1 applies a proper voltage to the base of a TR TR1 to adjust the current of the collector. When voltage is applied to the collector through a high frequency choke coil RFC, serial resonation occurs through capacitor C1 element 4 diode VD1, oscillation voltage appears on a resistor R3 to be the emitter and the voltage is fed back to the collector through the capacitor C2 to oscillate the oscillator.

Description

【発明の詳細な説明】 {産業上の利用分野} 本発明は、UHF帯発振器の改良に関するものである。[Detailed description of the invention] {Industrial application field} The present invention relates to improvements in UHF band oscillators.

(従来の技術) 従来、U口「帯の無線機器、例えばテレビ受信機等に用
いられているコンバータやそれらの局部発振回路には変
形のコルビッッ発振回路が多く使用され、これら発振回
路の伝送素子として、コイル、太い導体及びマイクロス
トリップライン等が使用されている。
(Prior Art) Conventionally, modified Corbit oscillator circuits have often been used in converters and local oscillator circuits used in U-band radio equipment, such as television receivers, and the transmission elements of these oscillation circuits. Coils, thick conductors, microstrip lines, etc. are used as such.

この場合において、4QQHHZ帯以下の発振回路では
集中定数回路のL,C素子を使用することができるが、
これ以上周波数が高くなると分布定数回路のL,C回路
となり、この場合の例としては、平行線発振器、バタフ
ライ発振器、同軸共振器、空洞共振器、及び、マイクロ
ストリップラインの1/2波長、174波長共振器等が
ある。
In this case, L and C elements of a lumped constant circuit can be used in an oscillation circuit below the 4QQHHZ band, but
When the frequency becomes higher than this, it becomes an L, C circuit of a distributed constant circuit, and examples in this case include parallel line oscillators, butterfly oscillators, coaxial resonators, cavity resonators, and 1/2 wavelength of microstrip lines, 174 There are wavelength resonators, etc.

それに対して、本願が発明の対象としている発振器は、
マイクロストリップラインを共振回路素子とし、トラン
ジスタをベース共通回路とした変形のコルビツツ発振回
路で構成したUHF帯発振器であり、そこでまず、コル
ビツツ発振回路の原理、及び、その実施例、並びに、マ
イクロストリップライン1/4波長発振器を対象にして
説明する。
On the other hand, the oscillator that is the subject of the invention in this application is
This is a UHF band oscillator configured with a modified Kolbitz oscillation circuit in which a microstrip line is used as a resonant circuit element and a transistor is used as a common base circuit. First, we will explain the principle of the Kolbitz oscillation circuit, its embodiments, and the microstrip line. The explanation will be given with a 1/4 wavelength oscillator as the target.

第1図はトランジスタTr1のエミツタ共通回路のコル
ビツツ発振回路を示し、コイルL1の端子に現われる電
圧を容量分割コンデンサC2、C3によって適当な割合
に分割し、C2の端子に現われる電圧によってエミツタ
回路に帰還電流を流して発振させている。
Figure 1 shows a Corbits oscillation circuit with a common emitter circuit of transistor Tr1, in which the voltage appearing at the terminal of coil L1 is divided into appropriate proportions by capacitance dividing capacitors C2 and C3, and the voltage appearing at the terminal of C2 is fed back to the emitter circuit. A current flows through it, causing it to oscillate.

第2図は、上記第1図の実施例で、トランジスタTr1
をエミツタ共通回路にしたコルビツツ発振器で、容邑分
割に2連バリコンVC2を用いて、仔意の周波数に変化
させている。この回路は集中定数回路のL,C素子を使
用しているのでUHF91}の発振器には使用できない
FIG. 2 shows the embodiment of FIG. 1, and the transistor Tr1
It is a Kolbitz oscillator with a common emitter circuit, and a double variable capacitor VC2 is used to divide the oscillator to change the frequency to the intended frequency. Since this circuit uses L and C elements of a lumped constant circuit, it cannot be used for a UHF91} oscillator.

第3図は、トランジスタTr1をベース共通回路とした
変形のコルビツツ発振回路の実施例で、コイルL1と単
連バリコン■C1との共振によってエミッタ回路の抵抗
R1に現われた電圧を、エミッタ・コレクタ間に挿入さ
れているコンデンサC1を通して帰還させて発振さけて
おり、この場合、発振周波数を単連バリコンVC1によ
って任意の発振周波数に変化できるが、第2図のように
、単連パリ]ンVC1のステータを接地することはでき
ない。
Figure 3 shows an embodiment of a modified Kolbitz oscillator circuit in which the transistor Tr1 is used as a common base circuit. In this case, the oscillation frequency can be changed to any desired oscillation frequency by the single variable capacitor VC1, as shown in Fig. 2. The stator cannot be grounded.

なお、第3図の場合は、図でも理解できるように、回路
が的単であるし、単連バリコンVC1で構成できるので
、UHF帯の発振器においても、多くこのベース共通回
路の変形のコルビツツ発振回路が応用ざれている。
In the case of Fig. 3, as can be understood from the figure, the circuit is simple and can be constructed with a single variable capacitor VC1, so even in UHF band oscillators, Kolbitz oscillation is often used as a modification of this base common circuit. The circuit is being applied.

第4図は、厚い金属ケース内に導体L1の一端を固定し
、その他端に小形単連バリコン■C1を接続して構成し
た変形のコルビツツ発振回路の同軸共振器であって、こ
れはUHF帯テレビのコンバータの局部発振回路として
多く採用され、この場合、甲連バリコンMCIを可変す
ることで任意の発振周波数が得られる。
Figure 4 shows a coaxial resonator of a modified Kolbitz oscillation circuit configured by fixing one end of the conductor L1 in a thick metal case and connecting a small single variable capacitor C1 to the other end, which is used in the UHF band. It is often used as a local oscillation circuit for television converters, and in this case, any oscillation frequency can be obtained by varying the variable capacitor MCI.

第5図は、ベーク板やグラスファイバ等の基板上にC1
,C2、VD1等のコンデンサやバリキャップダイオー
ドで、導体L1をその基板から浮かせて固定し、v■,
の直流電圧を可変してバリキャップダイオードVD1の
容量を変化させ、任意の発振周波数を得ている。
Figure 5 shows C1 on a substrate such as a baking plate or glass fiber.
, C2, VD1 and other capacitors and varicap diodes to fix the conductor L1 floating above the substrate, v■,
By varying the DC voltage of the varicap diode VD1, the capacitance of the varicap diode VD1 is changed to obtain an arbitrary oscillation frequency.

これはU H F帯の変形のコルビツツ発振回路の実施
例で、LIHF帯のテレビや受信機の局部発振器として
多く見られる。
This is an example of a modified Kollbits oscillator circuit for the UHF band, and is often seen as a local oscillator in TVs and receivers for the LIHF band.

第6図は、誘電体を挟んだ銅張りの両面基板(1)の上
面を、1/4波長の電気長の長さの共振回路素子(18
)と、その周辺に図示するような接地面{3}とを設け
てエツジングし、かつ、両面基板(1)の下面を、スル
ーホール(6)及びd通コンデンサー用員通孔(11)
を除いて連続接地面(2)にしたもので構成したマイク
ロストリップライン1/4波長発振器を示す。図でも理
解出来るように、変形の]ルビッツ発振回路である。
Figure 6 shows a resonant circuit element (18
) and a ground plane {3} as shown in the figure are provided around it, and the lower surface of the double-sided board (1) is provided with a through hole (6) and a through hole (11) for the d-through capacitor.
This shows a microstrip line 1/4 wavelength oscillator constructed with a continuous ground plane (2). As you can understand from the figure, this is a modified Lubitz oscillation circuit.

この場合、エッジングした上面の接地面(3)と下面の
連続接地面(2)との間に、電位差ができないように基
板(1)の上下の切断面(9)を銅箔の張付けや、無電
解メッキ等で接続して接続而(8)とし、共振回路周辺
の接地面(3)に多数のスルーボール(6)を設けて上
部接地面(3)と下部の連続接地面(2)とが接続して
ある。共振回路素子(18)の先端部と対辺の接地面(
3)との間に、集中定数の単連バリコンVC1を設けて
、これを可変することによって任意の発振周波数を得て
いる。
In this case, the upper and lower cut surfaces (9) of the board (1) are pasted with copper foil to prevent a potential difference from forming between the edged upper ground plane (3) and the lower continuous ground plane (2). The connection is made by electroless plating (8), and a large number of through balls (6) are provided on the ground plane (3) around the resonant circuit to connect the upper ground plane (3) and the lower continuous ground plane (2). are connected. The tip of the resonant circuit element (18) and the ground plane on the opposite side (
3), a single variable capacitor VC1 with a lumped constant is provided, and by varying this variable capacitor, an arbitrary oscillation frequency can be obtained.

(発明が解決しようとする課題) 上記したようなものが、UHF帯の発振器であるが、各
図でも理解できるように、共振導体や回路素子の長さに
よって発振周波数が決まることから、第5図及び第6図
に図示した基板(1)の全面積を極端に縮小することは
できず、発振器本体をシールドケースに納めたときの全
容積が大きくなり、又、バタフライ発振器、同軸共振器
、空洞共振器等は、製作も難しく、容積や重吊も大きい
ためU目E帯の小形のテストオシレー夕、UHF帯ディ
ップメー夕、発振器内蔵のU口「帯高周波ブリッジ、t
J}IF帯アンテナシステムアナライザ等に組入れる発
振器としては小形軽量にできず不向きである等の欠点が
あった。
(Problem to be Solved by the Invention) The above-mentioned is a UHF band oscillator, but as can be understood from each figure, the oscillation frequency is determined by the length of the resonant conductor and circuit element, so the fifth It is not possible to reduce the total area of the board (1) shown in FIG. Cavity resonators are difficult to manufacture, have a large volume, and have a large weight.
J} It has drawbacks such as being unsuitable as an oscillator to be incorporated into an IF band antenna system analyzer or the like because it cannot be made small and lightweight.

そこで本発明の目的は、小形軽母にして安定性の高いU
}−IF帯発振器を提供することにある。
Therefore, the object of the present invention is to create a small, light carrier with high stability.
}-IF band oscillator.

(課題を解決するための手段) この発明は、上記した諸点を解決するためになされ)こ
もので、トランジスタをベース共通回路にした変形のコ
ルビツツ発振回路において、図示するように、誘電体を
はさんだ両面基板(1)の下面を連続接地面(2)にし
、その上面の周囲に接地面(3)を設け、この接地面(
3)から適当な間隔を保って、適宜な幅と大きさのコの
字形共振回路素子(4)、及び、複数個の半田ランド(
5)をエツジングしたちので構成したことを特徴とする
LJHF帯発振器にある。
(Means for Solving the Problems) This invention was made to solve the above-mentioned problems.This invention is a modified Kolbitz oscillator circuit in which a transistor is used as a common base circuit. The bottom surface of the double-sided board (1) is made into a continuous ground plane (2), and the ground plane (3) is provided around the top surface of the continuous ground plane (2).
3), a U-shaped resonant circuit element (4) of appropriate width and size, and a plurality of solder lands (
5) is an LJHF band oscillator characterized by being constructed using an etching method.

(作用) このように構成されたUHF帯発振器において、ます、
第6図に示したマイクロストリップライン1/4波長発
振器(18)を例にとって、マイクロストリップライン
をコの字形共振回路素子(4)で構成したこの発明のU
日E帯発m器(50)の原理作用について説明する。
(Function) In the UHF band oscillator configured in this way,
Taking the microstrip line 1/4 wavelength oscillator (18) shown in FIG.
The principle operation of the E-band generator (50) will be explained.

誘電体の両面をI!4茫で挟んで構成した両面基板にお
いて、その誘電体物質内の分子、又は、原子は、正又は
負の電荷を持っており、最初は完全に中和の状態にあっ
た(正の電荷の平均位愉と負の電荷の平均位置とが一致
して均衡がとれた状態のこと)分子や原子では、電界の
作用を受けると、正負の電荷の平均位置が分離して電気
双楊子となる。
Both sides of the dielectric I! In the double-sided substrate sandwiched between four dielectric materials, the molecules or atoms within the dielectric material have a positive or negative charge, and were initially in a completely neutralized state (the positive charge A state in which the average position and the average position of negative charges match and are balanced) When molecules or atoms are affected by an electric field, the average positions of positive and negative charges separate and become electric twins. .

そこで、エツジングした共振回路素子に電界を与えると
、該誘電体物質内部の電荷が移動し、最初の中和した状
態が破れて、エツジングした共振回路素子の表面に電荷
が現れる。
Therefore, when an electric field is applied to the etched resonant circuit element, the charges inside the dielectric material move, the initial neutralized state is broken, and charges appear on the surface of the etched resonant circuit element.

即ち、誘電体と連続接地面がなければ、ただの銅箔の共
振回路素子であり、インダクタンスとして作用しないが
、誘電体の誘電分極作用によって、これがインダクタン
スとして作用するものと考えられる。
That is, without the dielectric and the continuous ground plane, it is just a copper foil resonant circuit element and does not act as an inductance, but it is thought that it acts as an inductance due to the dielectric polarization effect of the dielectric.

第6図の場合、1/4波長の発振器であるので、共振回
路素子(18)は基部で完全に接地されており、その基
部に近ずくほど供給される電界も弱くなり、電気双極子
モーメントは小さくなるので共振回路素子(18)自体
のインダクタンスは小さい。 それに対して、この発明
のU日F帯発振器(50)の共振回路素子(4)は、前
述したように、コの字の形態であり、第7図、第8図に
示すように、何れの端も直接に接地されておらず、給電
した部分は高い電界となるが、平均して電気双楊子モー
メントが作用していると考えられる。つまり、共振回路
素子(4)のインダクタンスが大きくなるので、同じ周
波数で発振させた場合には、前述の1/4波長の発振器
の共振回路素子幅(18)より狭くて済み、又、全長も
短くしてインダクタンスは大きくとれるので発振周波数
帯域も広くなる。
In the case of Fig. 6, since it is a 1/4 wavelength oscillator, the resonant circuit element (18) is completely grounded at its base, and the closer it gets to the base, the weaker the supplied electric field becomes, and the electric dipole moment is small, so the inductance of the resonant circuit element (18) itself is small. On the other hand, the resonant circuit element (4) of the U-day F band oscillator (50) of the present invention has a U-shaped configuration as described above, and as shown in FIGS. The end of the capacitor is not directly grounded, and a high electric field exists in the part where power is supplied, but it is thought that an electric twin moment is acting on the average. In other words, since the inductance of the resonant circuit element (4) increases, when oscillating at the same frequency, the width of the resonant circuit element (18) of the 1/4 wavelength oscillator described above can be narrower, and the overall length can also be reduced. Since the inductance can be increased by making it shorter, the oscillation frequency band can also be widened.

(実施例) 次に、本発明の一実施例の構成を第7図〜第10図によ
って説明する。
(Embodiment) Next, the configuration of an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 10.

第7図及び第9図に示すように、グラスファイバの銅張
りの両面基板(1)のF面を、スルーホール(6)及び
基板固定用貫通穴(7)を除いて、連続接地而(2)と
し、両面基板(1)の上面の周囲を接地而(3)にし、
この接地面(3)から適当な間隔を保って、適宜な幅と
大きさのコの字形共振回路素子(4)、及び、複数個の
半田ランド(5)をエツジングした両面基板(1)によ
ってベース共通回路の変形のコルビッツ発振回路を構成
させてある。
As shown in FIGS. 7 and 9, the F side of the glass fiber copper-clad double-sided board (1) is connected to a continuous ground ( 2), and the area around the top surface of the double-sided board (1) is grounded (3).
A U-shaped resonant circuit element (4) of appropriate width and size and a double-sided board (1) on which a plurality of solder lands (5) are etched are placed at an appropriate distance from the ground plane (3). A Kolbitz oscillator circuit is constructed as a modification of the base common circuit.

第8図は、その電気回路図を示し、第9図のように、エ
ツジングした両面基板(1)の上に、第7図に図示した
配置で、チップコンデンサ01〜C6、チップ低抗器R
1〜R5、バリキャップダイオードMDI、トランジス
タT「1、高周波チョークRFC,貫通コンデンサ07
〜C9及び同軸ケーブル1.50 2 Vをそれぞれ半
田付けする。
FIG. 8 shows its electrical circuit diagram. As shown in FIG. 9, chip capacitors 01 to C6 and chip resistor R
1 to R5, varicap diode MDI, transistor T"1, high frequency choke RFC, feedthrough capacitor 07
Solder ~C9 and coaxial cable 1.50 2 V, respectively.

なお、両面基板(1)の切断面(9)の4面は、それぞ
れ、銅系導電塗料又は無電解メッキ等で接続面(8)を
作り、上面の接地面(3)及び下面の連続接地面(2)
をそれぞれ接続し、又、スルーホール(6)によっても
上下の接地面(3), (2)が接続ざれ、又、R6、
R7、CIO,VRI、VR2は、このUHF帯発振器
(50)の外部コントロール用の抵抗器、コンデンサー
、半固定抵抗器、及び、へりカルボテンションメーター
を示す。
In addition, on each of the four cut surfaces (9) of the double-sided board (1), connection surfaces (8) are made with copper-based conductive paint or electroless plating, etc., and a ground plane (3) on the top surface and a continuous connection on the bottom surface are formed. ground (2)
are connected respectively, and the upper and lower ground planes (3), (2) are also connected through the through hole (6), and R6,
R7, CIO, VRI, and VR2 indicate a resistor, a capacitor, a semi-fixed resistor, and a hemicarbotension meter for external control of this UHF band oscillator (50).

次に、このように構成された本実施例のU口「帯発振器
(50)の作動を第8図によって説明する。
Next, the operation of the U-shaped band oscillator (50) of this embodiment constructed as described above will be explained with reference to FIG.

この場合、VR2は、電圧が微調整できる10回転のヘ
リカルボテンションメーターであり、可変電圧V. V
.が貞通コンデンサC9に接続され、R2→R1→コの
字形共振回路素子(4)を通してバリキャップダイオー
ドVD1に供給され、バリキャップダイオードVD1の
容量を可変する。又、VR1は、トランジスタTr1の
ベースに適当な電圧を供給してコレクタの電流を調整す
る。高周波チョークコイルRFCを通してコレクタに電
圧を掛けると、C1→L1→VD1で直列共振を起して
エミッタの抵抗器R3に発振電圧が現われ、それがC2
を通してコレクタに帰還され発振する。
In this case, VR2 is a 10-turn helical potentiometer whose voltage can be finely adjusted; V
.. is connected to the Sadamichi capacitor C9, and is supplied to the varicap diode VD1 through R2→R1→U-shaped resonant circuit element (4), thereby varying the capacitance of the varicap diode VD1. Further, VR1 supplies an appropriate voltage to the base of transistor Tr1 to adjust the collector current. When a voltage is applied to the collector through the high frequency choke coil RFC, series resonance occurs from C1 → L1 → VD1, and an oscillation voltage appears at the emitter resistor R3, which is transmitted to C2.
is fed back to the collector and oscillates.

この発振出力は、エミッタの抵抗5R3に現われた発振
電圧を03で結合して抵抗器R4、R5のアッテネータ
を通して同軸ケーブル1.5D 2 Vで導出される。
This oscillation output is derived by combining the oscillation voltage appearing at the emitter resistor 5R3 at 03 and passing through the attenuator of resistors R4 and R5 using a coaxial cable of 1.5D 2 V.

前述したように、このUHF帯発振器(50)は共振回
路素子(4)の幅が狭く、全長も短いにも拘らずインダ
クタンスは大ぎくとれるので形が小形化され、U H 
F帯の小形のテストオシレー夕、り口「帯ディップメー
タ、発振器内蔵のU H F ?’6高周波ブリッジ、
UHF帯アンテナシステムアナライザ等に容易に組込む
ことができる。
As mentioned above, this UHF band oscillator (50) has a narrow width of the resonant circuit element (4), and although the overall length is short, the inductance can be reduced to a large extent, so the size is reduced, and the UHF band oscillator (50) is made smaller.
A small F-band test oscillator, a band dip meter, a UHF?'6 high-frequency bridge with a built-in oscillator,
It can be easily incorporated into a UHF band antenna system analyzer, etc.

(発明の効果) その結果、本発明実施例のtJ H F ?!発振器(
50)は次のような効果を得ることができる。
(Effect of the invention) As a result, tJ HF ? ! Oscillator (
50) can obtain the following effects.

《1) コの字形共振回路素子(4)の幅、及び、その
長さを変化させるだけで任意の共振周波数が得られるの
で、トランジスタTrl、バリキャツプダイオードvD
1、各抵抗器R1〜R7及び各コンデンサ01〜C10
等の取付け位置を第7図、第9図、及び、第10図に示
すように、それぞれ一定の位置にすることができ、発振
周波数の安定、寄生発振や各素子の異常共振等が防止さ
れ、又、配線作業が容易になる。
《1) Any resonant frequency can be obtained by simply changing the width and length of the U-shaped resonant circuit element (4).
1. Each resistor R1 to R7 and each capacitor 01 to C10
As shown in Figures 7, 9, and 10, the mounting positions of the components can be fixed at fixed positions, which stabilizes the oscillation frequency and prevents parasitic oscillations and abnormal resonance of each element. Also, wiring work becomes easier.

(2) コの字形共振回路素子(4)の幅を広くすれば
、特性インピーダンスは低くなり、又、その幅を狭くす
れば特性インピーダンスは高くなる。
(2) If the width of the U-shaped resonant circuit element (4) is widened, the characteristic impedance will be lowered, and if the width is narrowed, the characteristic impedance will be increased.

そして、又、第7図、第9図、及び、第10図に示すよ
うに、コの字形共振回路素子(4)の大きさを変化させ
るだけで、任意の発振周波数帯域幅が得られる。
Furthermore, as shown in FIGS. 7, 9, and 10, any oscillation frequency bandwidth can be obtained by simply changing the size of the U-shaped resonant circuit element (4).

(3〉 共振回路素子(4)をコの字形にしたので第6
図に示したマイクロストリップライン1/4波長共振回
路素子(18)のものと比較して、インダクタンスが増
えて発振が容易となり、基板(1)の面積が縮小し、U
 l−I F帯発振器(50)を小形化することができ
た。
(3) Since the resonant circuit element (4) is shaped like a U, the 6th
Compared to the microstrip line 1/4 wavelength resonant circuit element (18) shown in the figure, the inductance increases, oscillation becomes easier, the area of the substrate (1) is reduced, and the U
The l-IF band oscillator (50) could be downsized.

即ち、同一形式の両面基板(1)で製作した場合の両発
振器の発振データを比較すると、次の(A)及び(B)
のようになる。
That is, when comparing the oscillation data of both oscillators when manufactured with the same type of double-sided board (1), the following (A) and (B) are obtained.
become that way.

(A)  マイクロストリップライン1/4波長共振回
路素子発振器のデータ 1/4波長共振回路素子(18)艮 30IllIIl
同素子幅  5mm (特性インピーダンス 約40Ω) エアバリコンVC1の容量変化 約2.5〜4PF5l
!振周波数 約1300MHZ〜1 200MHZ1/
4波長共振回路素子(18)、及び、エアバリコンVC
1等の持つ浮遊容植のため、発振周波数が約1300M
HZ〜1 200MHZLか変化できない。
(A) Microstrip line 1/4 wavelength resonant circuit element oscillator data 1/4 wavelength resonant circuit element (18) 30IllIIl
Same element width 5mm (characteristic impedance approx. 40Ω) Capacitance change of air variable capacitor VC1 approx. 2.5~4PF5l
! Vibration frequency approximately 1300MHZ~1 200MHZ1/
4-wavelength resonant circuit element (18) and air variable condenser VC
The oscillation frequency is approximately 1300M due to the floating implantation of the first class.
HZ~1 200MHZL cannot be changed.

<8)  マイクロストリップライン コの字形共振回
路素子発振器 コの字形共振回路素子(4)外周寸法 右外側6IIlm  上部側12.5am  左外側6
1IIIl同素子の中心全長 16.5m 同素子の幅 2、8頗 (特性インピーダンス 約50Ω) バリキャップダイオードMDIの容量変化 約2〜6P
F 発振周波数 約1330MHz〜1050MHz(4)
 第7図、第8図の電気回路図で理解できるように、コ
の字形共振回路素子(4)の何れの端子も直接に接地し
ていないので、第6図の1/4波長共振回路素子(18
)よりもインダクタンスが大きく、第8図中のR1はパ
リキャップダイオードMDIへの可変電圧の直列供給抵
抗器であり、高周波絶縁抵抗器でもあるので抵抗値は高
くとってあり、バリキャップダイオードVD1もQ値が
高いものが使用されているので、コの字形共振回路素子
(4)の両端の浮遊容量は小さく、結合コンデンサC1
の容邊を適当に選択するだけで、任意の発振周波数帯域
が得られ、又、結合コンデンサC1の容湯を大きくすれ
ば発振周波数帯域が低くなり、又、結合コンデンサC1
の容量を小さくすれば発振周波数帯域が高くなる。
<8) Microstrip line U-shaped resonant circuit element Oscillator U-shaped resonant circuit element (4) External circumference dimensions: Right outer side 6 IIlm Top side 12.5 am Left outer side 6
1IIIl Center total length of the element 16.5 m Width of the element 2.8 mm (characteristic impedance approximately 50 Ω) Capacitance change of varicap diode MDI approximately 2 to 6 P
F Oscillation frequency approximately 1330MHz to 1050MHz (4)
As can be understood from the electrical circuit diagrams in Figures 7 and 8, none of the terminals of the U-shaped resonant circuit element (4) are directly grounded, so the 1/4 wavelength resonant circuit element in Figure 6 (18
), and R1 in Figure 8 is a resistor that supplies variable voltage in series to the varicap diode MDI, and is also a high frequency insulation resistor, so the resistance value is set high, and the varicap diode VD1 is also Since a capacitor with a high Q value is used, the stray capacitance at both ends of the U-shaped resonant circuit element (4) is small, and the coupling capacitor C1
Any oscillation frequency band can be obtained by simply selecting the capacity of the coupling capacitor C1 appropriately, and the oscillation frequency band can be lowered by increasing the capacity of the coupling capacitor C1.
If the capacitance of is made smaller, the oscillation frequency band becomes higher.

(5) 共振回路素子(4)をコの字形にしたので、そ
の共振回路素子(4)面と下面の連続接地面(2)との
間の、誘電体部の有効面積が大きくなり、この共振回路
素子(4)長の短縮率が向上し、従って、それだけ浮遊
容社も小さくなるので、高い周波数の発振が容易になっ
た。
(5) Since the resonant circuit element (4) is made into a U-shape, the effective area of the dielectric part between the resonant circuit element (4) surface and the continuous ground plane (2) on the lower surface becomes large. The rate of reduction in the length of the resonant circuit element (4) has been improved, and the floating volume has therefore become smaller, making it easier to oscillate at high frequencies.

(6) 第10図に示すように、共振回路素子(4)の
コの字形を大きくすることにより、共振回路素子(4)
長が延長し、連続接地面(2)との間の訊電体部の有効
面積が大きくなり、又、コの字形共振回路素子(4)が
形成するコの字の凹みが大きくなるので、インダクタン
スの増加となり、低い周波数の発振を容易にする効果が
ある。
(6) As shown in Figure 10, by enlarging the U-shape of the resonant circuit element (4), the resonant circuit element (4)
The length is extended, the effective area of the electric conductor between it and the continuous ground plane (2) becomes larger, and the U-shaped recess formed by the U-shaped resonant circuit element (4) becomes larger. This increases inductance and has the effect of facilitating low frequency oscillation.

次に、第7図に示したUHF帯発振器(50)において
、員通コンデンサC7、C8、C9は両面基板(1)の
上面の接地面(3)に直接半田付けしたものを示したが
、このU口「帯発振器(50)が使用ざれる形態によっ
ては、発振電波のシールドが必要となり、その場合の問
題点としては次のことが挙げられる。
Next, in the UHF band oscillator (50) shown in FIG. 7, the connecting capacitors C7, C8, and C9 are shown to be directly soldered to the ground plane (3) on the top surface of the double-sided board (1). Depending on the form in which this U-shaped band oscillator (50) is used, it may be necessary to shield the oscillated radio waves, and the following problems may arise in this case.

(1〉 発振周波数を安定させるためには、両面基板(
1)の上面の接地面(3)、及び、下面の連続接地面(
2)は広い方が良い。
(1> In order to stabilize the oscillation frequency, double-sided substrate (
1) The ground plane on the top surface (3) and the continuous ground plane on the bottom surface (3)
For 2), the wider the better.

(2) 両面基板(1)全体をシールドして、掘洩電波
を押える。
(2) Shield the entire double-sided board (1) to suppress leakage radio waves.

(3) 金属ケースに収納した場合は、UHF帯発振器
(50)の容栢及び重@が大きくなる。
(3) When housed in a metal case, the volume and weight of the UHF band oscillator (50) will increase.

(4) 外部コントロール回路との結合を゜容易にする
(4) Easily connect to external control circuits.

(5) シールドのための工作が容易であること。(5) It is easy to construct a shield.

以上(1)〜(5〉事項を満足させるため、第9図〜第
10図、及び第12図〜第16図に、図示するように、
両面基板の全切断面(9)を接続面(8)にし、その両
面基板の上下両面とそれぞれ接続した側面A.B.C.
及び、複数個の貫通孔(11)を設けた側面Dで囲って
、各角を両側から半田付けして枠体(14)にしたもの
を、両面基板(1)の上面の接地面(3)の点線位1(
15)に半田付けしてシールドケース(16)を構成し
、上ぶた(17)を設けた。
In order to satisfy the above (1) to (5), as shown in FIGS. 9 to 10 and 12 to 16,
The entire cut surface (9) of the double-sided board is used as the connection surface (8), and the side surfaces A. B. C.
Then, a frame body (14) is formed by surrounding the side surface D with a plurality of through holes (11) and soldering each corner from both sides. ) dotted line position 1 (
15) to form a shield case (16), and an upper lid (17) was provided.

この場合、次のような作用、効果を得ることができる。In this case, the following actions and effects can be obtained.

(1) 側面Dの貫通孔(11)に貫通コンデンサC7
、C8、C9を挿入して半田付けし、高周波出力導出の
同軸ケーブル1.50 2 Vを貫通孔(11)に通し
て発振出力回路と接続したので、外部回路との結合が安
定し、各配線回路の反銅波を押えることができた。
(1) Connect the feedthrough capacitor C7 to the through hole (11) on side D.
, C8, and C9 were inserted and soldered, and the 1.50 2 V coaxial cable for deriving the high frequency output was passed through the through hole (11) and connected to the oscillation output circuit, so the coupling with the external circuit was stable and each We were able to suppress the anti-copper wave in the wiring circuit.

(2) 両面基板(1)の上面の接地面(3)が、各側
面A,B,C,Dの内側に因って延長ざれたので、・発
振周波数が安定した。
(2) Since the ground plane (3) on the top surface of the double-sided board (1) was extended to the inside of each side surface A, B, C, and D, the oscillation frequency was stabilized.

(3) 両面基板(1)の下面の連続接地面(2)が各
側面A,B,C,Dの外側に囚って延長されたので、シ
ールド効果が向上した。
(3) Since the continuous ground plane (2) on the bottom surface of the double-sided board (1) is extended to the outside of each side surface A, B, C, and D, the shielding effect is improved.

(4〉 枠体(14)を含むシールドケース(16)全
体が両面基板(1)を含んで構成されているため、UH
「帯発振器の容積を最小限に押え、がっ、重出を軽くす
ることができた。
(4) Since the entire shield case (16) including the frame (14) includes the double-sided board (1), the UH
``We were able to minimize the volume of the band oscillator and reduce its weight.

(5〉 シールドのための工作を極めて容易にすること
ができた。
(5) We were able to make the work for the shield extremely easy.

(6) 両面基板の全切断面(9)を接続面(8)にし
、その両面基板の上下両面とそれぞれ接続した側面A.
B,C.D.によって囲って枠体(14)に構成したも
のを、両面基板(1)の上面の接地面(3)上に合体さ
せたので、シールドケース(16)の内側の全接地面と
シールドケース(16)の外側の全接地面との間の電位
差を最小限に押えることが出来た。
(6) The entire cut surface (9) of the double-sided board is used as the connection surface (8), and the side surfaces A.
B, C. D. Since the frame body (14) surrounded by ) was able to minimize the potential difference between all the ground planes on the outside.

(接続面(8)の説明) 明[l書中にr切断面(9)
を接続面(8)にし、その両面基板の上下両面とそれぞ
れ接続した・・・』とあるのは、切断面(9)に銅箔の
張り付け、無電解メッキ、及び、銅系導電性塗料を塗布
するなどの加工を加え、上下両面と同様に切斯而(9)
を導通面となし、上下両面と接続したことを意味する。
(Explanation of connection surface (8)) Bright [r cut surface (9) in l letter
was used as the connection surface (8) and connected to both the upper and lower surfaces of the double-sided board, respectively...'' means that the cut surface (9) was pasted with copper foil, electroless plated, and coated with copper-based conductive paint. Add processing such as coating, and cut in the same way as the top and bottom surfaces (9)
is considered a conductive surface, meaning that it is connected to both the upper and lower surfaces.

次に、UHF帯では共振回路素子の長さや幅等を決める
ための図表や複雑な計算式があっても、その回路の浮遊
容量を適格に解明することは至極困難であり、共振周波
数が低ければ、その共振回路素子の長さを短くし、逆に
、共振周波数が高過ぎるJ:うであれば、その共振回路
素子の幅を少し狭くすると言った、結局、カットアンド
トライの方法しかないが、UHF帯の発振器では、前記
のような方法で共振回路素子の幅や長さを削って発振周
波数を調整することは困難であり、同一性能のUHFW
I発振器を得ることはできない。
Next, in the UHF band, even if there are charts and complicated calculation formulas for determining the length, width, etc. of resonant circuit elements, it is extremely difficult to accurately clarify the stray capacitance of the circuit, and the resonant frequency is low. If so, shorten the length of the resonant circuit element, and conversely, if the resonant frequency is too high, narrow the width of the resonant circuit element a little.In the end, the only way is to cut and try. However, in UHF band oscillators, it is difficult to adjust the oscillation frequency by reducing the width and length of the resonant circuit element using the method described above.
It is not possible to obtain an I oscillator.

そこで第11図に図示するように、コの字形共振回路素
子(4)の先端部に、適当な透き間(12)を開けて半
田ランド(5)を設ける。その半田ランド(5)と接地
面(3)との間にバリキャップダイオードVD1を接続
し、コの字形共振回路素子(4)の先端部と半田ランド
(5)との間に、微小コイル(13)を設ける。
Therefore, as shown in FIG. 11, a solder land (5) is provided at the tip of the U-shaped resonant circuit element (4) with an appropriate gap (12). A varicap diode VD1 is connected between the solder land (5) and the ground plane (3), and a microcoil ( 13).

この場合、次のような作用、効果を得ることができる。In this case, the following actions and effects can be obtained.

即ち、誘電体に作用されない浮遊容量の極めて小さな集
中定数回路の微小コイル(13)と、分布定数回路のコ
の字形共振回路素子(4)とを接続しても、発振器の出
力には影響はなく、発振周波数が変化するだけである。
In other words, even if the microcoil (13) of the lumped constant circuit, which has an extremely small stray capacitance that is not affected by the dielectric, is connected to the U-shaped resonant circuit element (4) of the distributed constant circuit, there is no effect on the output of the oscillator. There is no change in the oscillation frequency.

例えば1250MHZでUHF帯発振!!i (50)
を発振させたときに、第11図に示すa点では35Qm
Vの高周波電圧が測定されるのに、微小コイル(13)
を通したb点では、殆んどQa+Vに近い値しか測定で
きなかった。
For example, UHF band oscillation at 1250MHz! ! i (50)
When oscillating, 35Qm at point a shown in Figure 11
Although the high frequency voltage of V is measured, the microcoil (13)
At point b, where it passed through, only a value close to Qa+V could be measured.

つまり、発振周波数が高いので微小コイル(13)は誘
導性リアクタンスを持っていることになるのに対して、
第7図のUHF帯発振器の場合には、バリキャップダイ
オードvD1の端子、即ち、コの字形共振回路素子(4
)の先端部では高周波電圧が測定できるのであるから、
これは、直列にインダクタンスを持ったバリキャツプダ
イオードVD1であると考えれば良い。
In other words, since the oscillation frequency is high, the microcoil (13) has inductive reactance, whereas
In the case of the UHF band oscillator shown in FIG. 7, the terminal of the varicap diode vD1, that is, the U-shaped resonant circuit element
) can measure high-frequency voltage at the tip.
This can be thought of as a varicap diode VD1 having an inductance in series.

又、第11図でも理解できるように、半田ランド(5)
と適当な間隔の透き間(12)の分だけコの字形共振回
路素子(4)が短くなって発振周波数が高くなる。第7
図のコの字形共振回路素子(1)のインダクタンスと同
等となるような,適当な大きさのインダクタンスをもつ
微小コイル(13)を接続すれば、同じ発振周波数とな
る。実際には、これより少し多めのインダクタンスを持
つ微小コイル(13)を接続すれば、発振周波数は低く
なり、この微小コイル(13)の巻き間隔を広げてイン
ダクタンスを小さくしてやれば、発振周波数は高くなる
Also, as can be understood from Figure 11, the solder land (5)
The U-shaped resonant circuit element (4) becomes shorter by the gap (12) at an appropriate interval, and the oscillation frequency becomes higher. 7th
If a microcoil (13) having an inductance of an appropriate size, which is equivalent to the inductance of the U-shaped resonant circuit element (1) shown in the figure, is connected, the same oscillation frequency will be obtained. In reality, if you connect a microcoil (13) with a slightly larger inductance than this, the oscillation frequency will decrease, and if you widen the winding interval of this microcoil (13) to reduce the inductance, the oscillation frequency will increase. Become.

例えば、1100MHZ〜1350MHZ帝で発振する
コの字形共振回路素子(4)で構成したU口F帯発振器
(50)の場合、φ0.23 ttmのエナメル線で、
内径0.5a*,iき回数3回の密着巻きの微小コイル
(13)を、第11図のa点、及び、b点の間に接続す
れば、この微小コイル(13)の巻き間隔を広げるだけ
で、発振周波数を約O〜40MHZの幅で変化させるこ
とができた。
For example, in the case of a U-shaped F-band oscillator (50) composed of a U-shaped resonant circuit element (4) that oscillates at 1100 MHZ to 1350 MHZ, an enameled wire of φ0.23 ttm is used.
If a closely wound microcoil (13) with an inner diameter of 0.5a* and 3 turns is connected between points a and b in Fig. 11, the winding interval of this microcoil (13) can be By simply widening the range, it was possible to change the oscillation frequency in a range of about 0 to 40 MHz.

従って、この微小」イル(13)の巻き間隔で梵振周波
数を粗調整できるので、前述したような、共振回路素子
を削って、その長さや幅を調整する必要はなく、同一性
能のUHFFtf発振器を構成することが容易になった
Therefore, since the oscillation frequency can be roughly adjusted by the winding interval of this minute coil (13), there is no need to cut the resonant circuit element and adjust its length and width as described above, and it is possible to use a UHFFtf oscillator with the same performance. has become easier to configure.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、トランジスタを使用したコルビッツ発振回路
の原理的結線図、第2図はトランジスタをエミツタ共通
回路で構成したコルビツツ発振器の結線図、第3図はト
ランジスタをベース共通回路で構成した変形のコルビツ
ツ発振器の結線図、第4図は、トランジスタをベース共
通回路で構成した変形のコルビッツ発振回路の同軸共振
器の結線図、第5図は基板上に共振導体を浮かせて固定
し、同調素子にバリギャツブダイオードVD1を使用し
た変形のコルビッツ発振器の結線図、第6図は、マイク
ロストリップライン1/4波長共振回路素子(18)で
構成した変形コルビツツ発振器の結線図、第7図は、こ
の発明の一実施例のコの字形共振回路素子(4)で構成
したUHF帯発振器(50)の両面基板(1)の上面を
示す正面図、第8図は、その電気回路図、第9図は、そ
の両面基板(1)のエツジング面を示す正面図、第10
図は、コの字形共振回路素子(4)を大きくした場合の
エツジング面を示す正面図、第11図は、微小コイル(
13)を設けたこの発明の一実施例の正面図、第12図
は、両面基板(1)にシールドケース(16)を取り付
けた間蓋状態の正面図、第13図は、シールドケースを
設けたC側面図、第14図は、シールドケース(16)
を設けたD側面図、第15図は、シールドケースの枠体
(14)の正面図、第16図は、枠休(14)のD側而
図である。 各部の名称を数字、及び、アルファベットで示ず。 (1)は両面基板、(2)は連続接地面(下面) 、(
3)は接地面(上面) 、(4)はコの字形共振回路素
子、(5)は半田ランド、(6)はスルーホール、(7
)は基板固定用4通孔、(8)は接続面、(9)は切断
面、(10)は員通コンデンサー、(11)は貫通孔(
貫通コンデンサー、、及び、同軸ケーブル用) 、(1
2)は透き間、(13)は微小コイル、(14)4よ枠
体、(15)は点線位置、(16)はシールドケース、
(17)は上ぶた、(18)は、マイクロストリップラ
イン1/4波長共振回路素子、(A)はシールドケース
の右側而、(B)は上側面、(C)は左側面、(DJは
下側面、(T「1)はトランジスタ、(C1)〜(C6
〉はチップコンデンサー (C7)〜(C9)は貫通コ
ンデンサー (CIO)は、セラミックコンデンサー 
(R1)〜(R5)はチップ抵抗器、(R6)(R7)
はカーボン抵抗器、(VRI)は半固定抵抗器、(VR
2>は10回転へりカルボテンションメーター (RF
C)は高周波チョークコイル、( 1.5D2V)は5
00同軸ケーブル、(alはコの字形共振回路素子(4
)の先端部、(b)はバリキャップダイオード(VD1
)の接続部、(L1)は共振回路素子、(L2〉は微小
コイル、(MDI)はバリキャツブダイオード(可変容
めダイオード)、(MCI)は単連エヤーバリコン、(
VC2)は2連エヤーバリコン、(+V)はプラス電圧
電源、(一■)はマイナス電圧電源、(VV)はバリキ
ャツブダイオード(VD1)の可変電圧電源、(50)
は、この発明のU口「帯発振器を示す。
Figure 1 is a basic wiring diagram of a Kolbitz oscillator circuit using transistors, Figure 2 is a wiring diagram of a Kolbitz oscillator in which transistors are configured with a common emitter circuit, and Figure 3 is a modified version in which transistors are configured with a common base circuit. A wiring diagram of a Kolbitz oscillator. Fig. 4 is a wiring diagram of a coaxial resonator of a modified Kolbitz oscillator circuit in which transistors are configured as a common base circuit. Fig. 5 shows a wiring diagram of a coaxial resonator of a modified Kolbitz oscillator circuit in which transistors are configured with a common base circuit. A wiring diagram of a modified Corbitz oscillator using a variable gap diode VD1, Fig. 6 is a wiring diagram of a modified Corbitz oscillator configured with a microstrip line 1/4 wavelength resonant circuit element (18), and Fig. FIG. 8 is a front view showing the upper surface of the double-sided substrate (1) of a UHF band oscillator (50) configured with a U-shaped resonant circuit element (4) according to an embodiment of the invention, and FIG. 9 is an electric circuit diagram thereof. 10 is a front view showing the etched surface of the double-sided substrate (1).
The figure is a front view showing the etching surface when the U-shaped resonant circuit element (4) is enlarged.
13), FIG. 12 is a front view of a double-sided board (1) with a shield case (16) attached, and FIG. Figure 14 shows the shield case (16).
FIG. 15 is a front view of the frame (14) of the shield case, and FIG. 16 is a D side view of the frame (14). The names of each part are not shown with numbers or alphabets. (1) is a double-sided board, (2) is a continuous ground plane (bottom surface), (
3) is the ground plane (top surface), (4) is the U-shaped resonant circuit element, (5) is the solder land, (6) is the through hole, (7
) is the 4 through holes for fixing the board, (8) is the connection surface, (9) is the cut surface, (10) is the through-hole capacitor, (11) is the through hole (
feedthrough capacitor, and coaxial cable), (1
2) is the gap, (13) is the microcoil, (14) is the frame 4, (15) is the dotted line position, (16) is the shield case,
(17) is the upper lid, (18) is the microstrip line 1/4 wavelength resonant circuit element, (A) is the right side of the shield case, (B) is the top side, (C) is the left side, (DJ is Lower side, (T'1) is a transistor, (C1) to (C6
〉 is a chip capacitor (C7) to (C9) is a feedthrough capacitor (CIO) is a ceramic capacitor
(R1) to (R5) are chip resistors, (R6) (R7)
is a carbon resistor, (VRI) is a semi-fixed resistor, (VR
2> is a 10-turn edge carbotension meter (RF
C) is a high frequency choke coil, (1.5D2V) is 5
00 coaxial cable, (al is U-shaped resonant circuit element (4
), (b) is the tip of the varicap diode (VD1
), (L1) is a resonant circuit element, (L2> is a microcoil, (MDI) is a variable capacity diode, (MCI) is a single air variable capacitor, (
VC2) is a double air variable capacitor, (+V) is a positive voltage power supply, (1) is a negative voltage power supply, (VV) is a variable voltage power supply of a variable cap diode (VD1), (50)
shows a U-shaped "band oscillator" of the present invention.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)トランジスタをベース共通回路にした変形のコル
ビッツ発振回路において、図示するように、誘電体をは
さんだ両面基板(1)の下面を連続接地面(2)にし、
その上面の周囲に接地面(3)を設け、この接地面(3
)から適当な間隔を保つて、適宜な幅と大きさのコの字
形共振回路素子(4)、及び、複数個の半田ランド(5
)をエッジングしたもので構成したことを特徴とするU
HF帯発振器。
(1) In a modified Kolbitz oscillator circuit in which a transistor is used as a common base circuit, as shown in the figure, the bottom surface of a double-sided substrate (1) sandwiching a dielectric material is made into a continuous ground plane (2),
A ground plane (3) is provided around the top surface of the ground plane (3).
) and a U-shaped resonant circuit element (4) of appropriate width and size, and a plurality of solder lands (5).
) is formed by edging.
HF band oscillator.
(2)図示するように、両面基板の全切断面(9)を接
続面(8)にし、その両面基板の上下両面とそれぞれ接
続した側面A、B、C、及び、複数個の貫通孔(11)
を設けた側面Dで囲つて、各角を両側から半田付けして
枠体(14)にしたものを、両面基板(1)の上面の接
地面(3)の点線位置(15)に半田付けしてシールド
ケース(16)を構成し、上ぶた(17)を設けた特許
請求の範囲第1項に記載のUHF帯発振器。
(2) As shown in the figure, the entire cut surface (9) of the double-sided board is used as the connection surface (8), and the side surfaces A, B, and C connected to the upper and lower surfaces of the double-sided board, respectively, and a plurality of through holes ( 11)
A frame body (14) is formed by surrounding the frame body (14) by soldering each corner from both sides, and soldering it to the dotted line position (15) on the ground plane (3) on the top surface of the double-sided board (1). The UHF band oscillator according to claim 1, comprising a shield case (16) and an upper lid (17).
(3)図示するように、コの字形共振回路素子(4)の
先端部に、適当な透き間(12)を開けて半田ランド(
5)を設ける。その半田ランド(5)と接地面(3)と
の間に、バリキャップダイオードVD1を接続し、コの
字形共振回路素子(4)の先端部と半田ランド(5)と
の間に、微小コイル(13)を設ける特許請求の範囲第
1項、又は、第2項に記載のUHF帯発振器。
(3) As shown in the figure, a suitable gap (12) is made at the tip of the U-shaped resonant circuit element (4) and the solder land (
5). A varicap diode VD1 is connected between the solder land (5) and the ground plane (3), and a microcoil is connected between the tip of the U-shaped resonant circuit element (4) and the solder land (5). (13) The UHF band oscillator according to claim 1 or 2, wherein (13) is provided.
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