JPH0351858U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0351858U JPH0351858U JP11230589U JP11230589U JPH0351858U JP H0351858 U JPH0351858 U JP H0351858U JP 11230589 U JP11230589 U JP 11230589U JP 11230589 U JP11230589 U JP 11230589U JP H0351858 U JPH0351858 U JP H0351858U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- semiconductor
- current blocking
- blocking layer
- groove
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Description
第１図は本考案装置の一実施例を示市、同図ａ
は斜視図、同図ｂは同図ａのｘ−ｘ断面図、第２
図は本実施例装置の電流−光出力特性図、第３図
は本実施例装置の雑音特性図である。
は斜視図、同図ｂは同図ａのｘ−ｘ断面図、第２
図は本実施例装置の電流−光出力特性図、第３図
は本実施例装置の雑音特性図である。
Claims (1)
- 半導体基板と、該半導体基板上に形成され、レ
ーザ共振器に沿つて当該半導体基板に達するスト
ライプ溝を有する電流阻止層と、該電流阻止層上
及び露出された上記半導体基板上に形成された半
導体発光層と、を備えた半導体レーザ装置におい
て、上記ストライプ溝は溝幅の異なる二つの領域
からなるとともに、このうち溝幅の狭い領域の長
さは３〜１０μｍであることを特徴とする半導体
レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11230589U JPH0351858U (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11230589U JPH0351858U (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0351858U true JPH0351858U (ja) | 1991-05-20 |
Family
ID=31660754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11230589U Pending JPH0351858U (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0351858U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132191A (ja) * | 1987-08-04 | 1989-05-24 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP11230589U patent/JPH0351858U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132191A (ja) * | 1987-08-04 | 1989-05-24 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |