JPH03504900A - 透明導電性被覆 - Google Patents

透明導電性被覆

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JPH03504900A
JPH03504900A JP1506605A JP50660589A JPH03504900A JP H03504900 A JPH03504900 A JP H03504900A JP 1506605 A JP1506605 A JP 1506605A JP 50660589 A JP50660589 A JP 50660589A JP H03504900 A JPH03504900 A JP H03504900A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 から成る被覆 を有して成り、該被覆は、その導電性に実質的に依存しない所定の干渉反射およ び透過特性を有するような厚さを有する物品。
2、該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該誘電性層は該基 材と該導電性層との間Jこ配置されている請求の範囲第1項記載の物品。
3、該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該導電性層は該基 材と該誘電性層との間に配置されている請求の範囲第1項記載の物品。
4、該被覆は2つの非導電性層の間に挟まれた導電性層から成る請求の範囲81 項記載の物品。
5、該導電性層は、導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化カ ドミウム、酸化インジウムまたはスズ酸カドミウムから形成されている請求の範 囲第1項記載の物品。
6、該導電性層は導電性インジウムスズ酸化物から形成されている請求の範囲第 1項記載の物品。
7、該誘電性層は、非導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化 カドミウム、酸化インジウム、スズ酸カドミウム、酸化チタンまI:は酸化ジル コニウムから形成されている請求の範囲第1項記載の物品。
8、該基材は、ポリエステル、ポリカーボネート、アクリルポリマー、ポリイミ ド、フルオロポリマー、セルローストリアセテート、ガラスまt;はセラミック から形成されている請求の範囲第1項記載の物品。
9、該基材はポリ(エチレンテレフタレート)がら形成されている請求の範囲第 1項記載の物品。
10、該被覆はスパッタされている請求の範囲81項記載の物品。
11、該導電性層は電極パターンを形成するようにエツチングされている請求の 範囲第1項記載の物品。
12、透明導電性被覆を有する物品であって、(a)屈折率n0を有する基材、 ならびに(b)該基材の少なくとも一部分上に配置され、(i)noとは異なる 屈折率n、を有する少なくとも1つの透明誘電性層、および (ii)少なくとも1つが所望の導電性を提供するのに十分な厚さを有する、実 質的にn、に等しい屈折率を有する少なくとも1つの透明導電性層 から成る被覆 を有して成り、該被覆は、式: %式% [式中、Dは該被覆の厚さ、mはn、がn。より大きい場合は2であり、nlが n。より小さい場合は1または3である。]に基づく約350〜約650nmの 波長1において最小の干渉反射を有する物品。
13、該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該誘電性層は該 基材と該導電性層との間に配置されている請求の範囲第12項記載の物品。
14、該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該導電性層は該 基材と該誘電性層との間に配置されている請求の範囲第12項記載の物品。
15、該被覆は2つの非導電性層の間に挟まれた導電性層から成る請求の範囲第 」2項記載の物品。
16、該導電性層は、導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化 カドミウム、酸化インジウムまたはスズ酸カドミウムから形成されている請求の 範囲第12項記載の物品。
17、該導電性層は、導電性インジウムスズ厳化物から形成されている請求の範 囲第12項記載の物品。
18、該誘電性層は、非導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸 化カドミウム、酸化インジウム、スズ酸カドミウム、酸化チタンまたは酸化ジル コニウムから形成されている請求の範囲第12項記載の物品。
19、該基材はポリエステル、ポリカーボネート、アクリルポリマー、ポリイミ ド、フルオロポリマー、セルローストリアセテート、ガラスまたはセラミックか ら形成されている請求の範囲第12”J記載の物品。
20、該基材はポリ(エチレンテレフタレート)から形成されている請求の範囲 第12項記載の物品。
21、該被覆はスパッタされている請求の範囲第12項記載の物品。
22、該導電性層は電極パターンを形成するようにエツチングされている請求の 範囲第12項記載の物品。
23、透明導電性被覆を有する物品であって、(a)屈折率n。を有する基材、 ならびに(b)該基材の少なくとも一部分上に配置され、(i)noとは異なる 屈折率n、を有する少なくとも1つの透明誘電性層、および (ii)少なくとも1つが所望の導電性を提供するのに十分な厚さを有する、実 質的にn、に等しい屈折率を有する少なくとも1つの透明導電性層 から成る被覆 を有して成り、該被覆の厚さは約50〜約200nmである物品。
24、該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該誘電性層は該 基材と該導電性層との間に配置されている請求の範囲第23項記載の物品。
25、該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該導電性層は該 基材と該誘電性層との間に配置されている請求の範門弟23項記載の物品。
26.該被覆は2つの非導電性層の間に挟まれた導電性層から成る請求の範囲第 23項記載の物品。
27、該導電性層は、導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化 カドミウム、酸化インジウムまたはスズ酸カドミウムから形成されている請求の 範囲第23項記載の物品。
28、該導電性層は導電性インジウムスズ酸化物から形成されている請求の範囲 第23項記載の物品。
29、該誘電性層は、非導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸 化カドミウム、酸化インジウム、スズ酸カドミウム、酸化チタンまたは酸化ジル コニウムから形成されている請求の範囲第23項記載の物品。
30、該基材は、ポリエステル、ポリカーボネート、アクリルポリマー、ポリイ ミド、フルオロポリマー、セルローストリアセテート、ガラスまたはセラミック から形成されている請求の範囲第23項記載の物品。
31、該基材はポリ(エチレンテレフタレート)から形成されている請求の範囲 第23項記載の物品。
32、該被覆はスパッタされている請求の範囲第23項記載の物品。
33、該導電性層は電極パターンを形成するようにエツチングされている請求の 範囲第23項記載の物品。
34、所定の波長において赤外線に対して実質的に透明である導電性被覆を有す る物品であって、 (a)屈折率n0を有する基材、ならびに(b)該基材の少なくとも一部分上に 配置され、(i)n、とは異なる屈折率n、を有する少なくとも1つの赤外線に 透明な誘電性層、および (ム)少なくとも1つが所望の導電性を提供するのに十分な厚さを有する、実質 的にn、に等しい屈折率を有する少なくとも1つの赤外線に透明な導電性層 から成る被覆 を有して成り、該被覆は赤外スペクトルで所定の波長において最小の干渉反射を 有するような厚さを有する物品。
35、該被覆は1つの@電性層および1つの導電性層から成り、該誘電性層は該 基材と該導電性層との間に配置されている請求の範囲第34項記載の物品。
36、該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該導電性層は該 基材と該誘電性層との間に配置されている請求の範囲第34:!J記載の物品。
37、該被覆は2つの非導電性層の間に挟まれた導電性層から成る請求の範囲第 34項記載の物品。
38、該導電性層は、導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化 カドミウム、酸化インジウムまたはスズ酸カドミウムから形成されている請求の 範囲第34項記載の物品。
39、該導電性層は導電性インジウムスズ酸化物から形成されている請求の範囲 第34項記載の物品。
40、該誘電性層は、非導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸 化カドミウム、酸化インジウム、スズ酸カドミウム、酸化チタンまたは酸化ジル コニウムから形成されている請求の範囲第34項記載の物品。
41、該基材はセレン化亜鉛、ゲルマニライムまたはケイ素から形成されている 請求の範囲第34項記載の物品。
42、該被覆はスパッタされている請求の範囲第34項記載の物品。
43、該導電性層は電極パターンを形成するようにエツチングされている請求の 範囲第34項記載の物品。
44、透明導電性被覆を有する物品であって、(a)基材、ならびに (b)該基材の少なくとも一部分上に配置され、(i)所望の導電性を提供する のに十分な厚さの導電性インジウムスズ酸化物層、および (ii)該インジウムスズ酸化物層の屈折率に実質的に等しい屈折率を有し、該 基材と該インジウムスズ酸化物層との間に配置された透明誘電性層 から成る被覆 を有して成り、該基材の屈折率は該インジウムスズ酸化物および誘電性層の屈折 率とは異なり、該被覆の厚さは約50〜約200nmである物品。
45、該誘電性層は非導電性インジウムスズ酸化物または酸化スズから形成され ている請求の範囲第44項記載の物品。
46、該基材はポリ(エチレンテレフタレート)から形成されている請求の範囲 第44項記載の物品。
47、該被覆の厚さは約50〜約150nmである請求の範囲第44項記載の物 品。
48、導電性に実質的に依存せずに所定の干渉反射および透過特性を有する透明 導電性被覆を有する物品の製造方法であって、(a)屈折率n0を有する基材を 提供する工程、ならびに(b)該基材の少なくとも一部分上に (i)noとは異なる屈折率n1を有する少なくとも1つの透明誘電性層、およ び (ii)少なくとも1つが所望の導電性を提供するのに十分な厚さを有する、実 質的に01に等しい屈折率を有する少なくとも1つの透明導電性層 から成る被覆を付着させる工程 を含んで成り、該被覆は、その導電性に実質的に依存せずに所定の干渉反射およ び透過特性を有するような厚さを有する方法。
49、該被覆は、式: %式% [式中、Dは該被覆の厚さ、mは、nlがnoより大きい場合は2であり、nl が00より小さい場合は1まt;は3である。]により示される約350〜約6 50nmの波長1において最小干渉反射を有する請求の範囲第48項記載の方法 。
50、該被覆は約50〜約200nmの厚さを有する請求の範囲第48項記載の 方法。
5]、該被覆は赤外線に対して透明である請求の範囲第48項記載の方法。
52、該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該導電性層の前 に該誘電性層を付着させる請求の範囲第48項記載の方法。
53、該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該誘電性層の前 に該導電性層を付着させる請求の範囲第48項記載の方法。
54、該被覆は、付着順に第1誘電性層、導電性層および第2誘電性層から成る 請求の範囲第48項記載の方法。
55、該導電性層は、導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化 カドミウム、酸化インジウムまたはスズ酸カドミウムから形成される請求の範囲 第48項記載の方法。
56、該導電性層は導電性インジウムスズ酸化物から形成される請求の範囲第4 8項記載の方法。
57、該非導電性層は、非導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、 酸化カドミウム、酸化インジウム、スズ酸カドミウム、酸化チタンまt;は酸化 ジルコニウムから形成される請求の範囲第48項記載の方法。
58、該基材は、ポリエステル、ポリカーボネート、アクリルポリマー、ポリイ ミド、フルオロポリマー、セルローストリアセテート、ガラスまt;はセラミッ クから形成される請求の範囲第48項記載の方法。
59、該J[はポリ(エチレンテレフタレート)から形成される請求の範囲第4 8項記載の方法。
60、該基材はセレン化亜鉛、ゲルマニウムまたはケイ素から形成される請求の 範囲第48項記載の方法。
61、該被覆はスパッタリングにより付着される請求の範囲第48項記載の方法 。
62、該導電性層が電極パターンを形成するようにエツチングする工程を更に含 んで成る請求の範囲第48項記載の方法。
63、それぞれが、導電性は異なるが、干渉反射および透過特性は実質的に同じ である透明導電性被覆を有する少なくとも2つの物品を製造する方法であって、 (a)各物品用に基材を提供する工程、ならびに(b)各基材の少なくとも一部 分に (1)各基材の屈折率と異なる屈折率n1を有する少なくとも1つの透明誘電性 層、および (ii)少なくとも1つが所定の導電性を与えるのに十分な厚さを有する、n、 に実質的に等しい屈折率を有する少なくとも1つの透明導電性層 から成る被覆を付着させる工程 を含んで成り、各被覆は同じ厚さおよび異なる所定の導電性を有する方法。
64、該誘電性層は非導電性インジウムスズ酸化物または酸化スズから形成され る請求の範囲第63項記載の方法。
65、該導電性層は導電性インジウムスズ酸化物から形成される請求の範囲′1 g63項記載の方法。
66、該被覆の厚さは約50〜約150nmである請求の範囲第63項記載の方 法。
明  細  書 本発明は、透明伝導性被覆およびそのための方法に関する。
非伝導性基材に付着した透明伝導性物質(以後TC物質と言う。)の薄い被覆に は多くの用途がある(「伝導性」、「伝導率」などは電気伝導性に関するもので あると理解されたい)。重要な用途には、液晶中の透明電極、タッチ−センサー または他の視覚的なディスプレイとしてのものがある。通常のTC物質には酸化 インジウムおよびインジウムスズ酸化物(ITO)がある。ITOは、通常、少 量成分としてのスズと9515.90/10または80/20のようなインジウ ム/スズ重量比で使用される。
一定の抵抗率を有するTC物質を付着させる場合(抵抗率は、付着方法および条 件に影響される)、TC物質の被覆の抵抗は、以下の式(1)に基づいて被覆の 厚さにほぼ逆比例する:抵抗−(抵抗率)/(厚さ)        (I)実 際、薄い被覆の場合(数百Å以下の厚さの被覆を意味する)、抵抗に影響を与え る被覆/基材および被覆/空気界面の双方における面効果により、上記関係から ずれることがある。TC物質の被覆を薄くすればするほど、減少した厚さおよび 拡大された面効果の相対的な重大性故に、その抵抗は増加する。
逆に、抵抗を減らすためにTC被覆を厚くすると、2つの影響のためにその光透 過性が減少する。第1に、どのような物質にも固有の吸収が存在し、たとえIT Oのような公称的には透明物質と言われる物質でもそうである。ITOは胃色光 に対して相当の吸収を有し、その「バンド−ギャップ」としては約3.5eVで ある。この吸収は、ポリ(エチレンテレフタレート)(PET)のようなポリマ ーまたは他のポリマーから被覆フィルムを形成する場合に必要があるように、I TOを低温プロセスにより付着させる場合に、特に大きいことがある。
第2に、厚さが厚くなると、光学的干渉効果が大きくなり、数百Å以上の厚さで はITO被覆の#合に顕著になる。比較的大きい屈折率を有する物質、例えばI TOをより低い屈折率を有する基材、例えばPETに付着させる場合、光学的干 渉は以下の式(II)に基づいて被覆/空気および被覆/基材界面からの反射の 間で生じる:nd−ml/4               (It)[式中、 nは被覆の屈折率、dは被覆の厚さ、1は光の波長およびmは整数である。]こ の干渉により、mが奇数(L3.5.、、)である場合に反射が最大限となり、 mが偶数(2,4,6,、、)である場合に反射が最小限となる(従って、透過 が最大限となる)。
被覆の屈折率が基材の屈折率より小さい場合、選択規則は逆になる。
即ち、最小限の反射は、mが奇数の場合に起こり、最大限の反射は、mが偶数の 場合に起こる。厚さが変化すると、最小値および最大値の波長が変化し、従って 、被覆の光学的特性が変化する。例えば、PET (屈折本釣1.65)上の1 50nmのITO(屈折本釣2゜0)の被覆の場合、600nmにおいて可視波 長透過最大値が存在しくm−2、他のmに対応する最大値は、可視スペクトル( 400−700nm)の外lこある)、400nmにおいて最小値が存在する( m−3、他の最小値は、可視スペクトルの外lこ存在する)。厚さが170nm に増加すると、可視スペクトル最大値および最小値はそれぞれ680および45 3nmtこシフトする。結果として、PET上のITO被覆の可視光透過率CV LT、400−700nmの範囲で平均化してヒトの目に感応するものに重付け したもの)は、厚さにより変化する。
上述の効果は、約100〜約200ohm/sq、の抵抗を有する被覆の場合に 特に顕著である。これらの被覆は、十分厚く(通常、約50 1100n、付着 方法に依存)で相当の青色光の吸収を有し、また、スペクトルの青色部分におい て、またはその付近で最小の干渉透過性を有する。従って、被覆は、ヒトの目に は不快にも茶色に透過して見える。これらの影響は、基材における吸収および散 乱により助長され、通常青色光について最も著しい。
更に、被覆をより薄くすることにより高抵抗および高VLTの被覆を得ることが できるが、そのような被覆は非常に脆弱であり、幾つかの問題点を存する。その ような被覆は、耐摩耗性に乏しく、また、基材の状態が被覆の質を決定するのに 重要な役目を果たすので、均一な特性を有するように付着させるのは困難である 。不均一な基材は、不均一な特性を有する被覆をもたらす、WIい被覆は、水蒸 気および他の気体の透過を僅かに阻害するだけであるが、より厚い被覆は蒸気透 過に対するバリヤとして非常に効果的であり得る。そのようなフィルムのバリヤ 特性は、スターン(S t e r n)のイギリス国特許公開第2.132. 229A号(1984年)に記載されている。被覆を基材に付着する場合、初め の幾つかの原子層は基材上に均一に核を形成せず、均一性の乏しい性質を初めの 原子層にもたらす。被覆の上の33−5nは雰囲気において不動性であり、非導 電性酸化物を形成する。初めの原子層まI;は不動層の厚さが全被覆厚さに対し て相当である場合、それらの厚さは被覆の全体的な性質に大きく影響を与える。
ある用途では、特定の値より小さい被覆の導電性が必要とされるに過ぎない場合 があり、そのような場合、抵抗をその値以下に下げて、望ましくない色の影響が 生じる波長から干渉効果をシフトさせるように被覆を十分厚くするだけでよい。
しかしながら、多くの他の用途では、特定の抵抗および光学的または色彩的特性 を有する被覆が必要とされる。この場合、抵抗が許容できないほど小さくなる場 合、被覆を単に厚くすることはできない。逆に、所望の抵抗を得る厚さでは、干 渉効果により被覆の光学的または色彩的特性が許容できないものとなることがあ る。
存在するズスの量が増えると、ITOのようなTC物質の抵抗率が増加すること は知られている。例えば、ホーソン(Howson)らのブロック・ニス・ビー ・アイ・イー(Proc、 S P I F) 、第14巻、第428頁(19 83年)およびチヨツク(Chopra)らのシン・ソリッド・フィルムズ(T hin  5olid  F 11m5) 、第1巻、第102頁(1983年 )を参照されたい。この特性を利用して、所定の抵抗を有するより低いスズ含量 のJTO被覆より厚い同じ抵抗を有する高スズ含量ITO被覆を形成することが できる。異なる波長に干渉効果をシフトして所望の光学的または色彩的特性を有 す・る被覆を形成するように厚さを選択できる。この方法の欠点は、全部が同じ 厚さであるが抵抗が異なる多くの被覆を必要とする場合、ITOにおけるインジ ウムのスズに対する割合をそれぞれの被覆に対して変更する必要があるというこ とである。スパッタリングのような真空蒸着法により被覆を形成する場合、異な るスパッタリングターゲットをそれぞれの組成および抵抗値に対して製作する必 要があるので、これを行うのは困難である。
本発明は、光学的特性に妥協することなく、導電性を好都合にコントロールでき る透明導電性被覆を提供する。
本発明の1つの要旨では、導電性に実質的に依存しない所定の干渉反射および透 過特性を有する透明導電性被覆を有する物品を提供し、該物品は、 (a)屈折率n0を有する基材、ならびに(b)基材の少なくとも一部分上に配 置され、(i)noとは異なる屈折率n、を有する少なくとも1つの透明誘電性 層、および (ii)少なくとも1つが所望の導電性を提供するのに十分な厚さを有する、実 質的にn、に等しい屈折率を有する少なくとも1つの透明導電性層 から成る被覆 を有して成り、被覆は、その導電性に実質的に依存しない所定の干渉反射および 透過特性を存するような厚さを有する。
本発明のもう1つの要旨では、被覆は、式:%式% [式中、Dは被覆の厚さ、mは、n、がn。より大きい場合は2であり、nlが 00より小さい場合は1または3である。]により示される約350〜約650 nmの波長1において最小干渉反射率を有する。
本発明の更にもう1つの要旨では、被覆は約50〜約150nmの厚さを有する 。
本発明の更にもう1つの要旨では、被覆は赤外線に対して透明であり、赤外スペ クトルで所定の波長において最小干渉反射率を有する。
本発明は、導電性に実質的に依存することなく所定の干渉反射および透過特性を 有する透明導電性被覆を有する物品の製造方法を提供し、該方法は、 (a)屈折率n0を有する基材を提供する工程、ならびに(b)基材の少なくと も一部分上に (i)noとは異なる屈折率n、を有する少なくとも1つの透明誘電性層、およ び (n)少なくとも1つが所望の導電性を提供するのに十分な厚さを有する、実質 的に01に等しい屈折率を有する少なくとも1つの透明導電性層 から成る被覆を付着する工程 を含んで成り、被覆は、その導電性に実質的に依存しない所定の干渉反射および 透過特性を有するような厚さを有する。
本発明は、それぞれが、導電性は異なるが、干渉反射および透過性は実質的に同 じである透明導電性被覆を有する少なくとも2つの物品を製造する方法を更に提 供し、該方法は、(a)各物品用に基材を提供する工程、ならびに(b)各基材 の少なくとも一部分に (1)各基材の屈折率と異なる屈折率n、を有する少なくとも1つの透明誘電性 層、および (■)少なくとも1つが所定の導電性を与えるのに十分な厚さを有する、nlに 実質的に等しい屈折率を有する少なくとも1つの透明導電性層 から成る被覆を配置する工程 を含んで成り、各被覆は同じ厚さおよび異なる所定の導電性を有する。
先に説明しt;ように、従来のPET (まt;は他の基材)上ITO被覆の光 学的特性はその厚さに影響される。これは第1図に示されているが、第1図は、 従来のITO被覆PETフィルムのVLTの被覆厚さによる変化を示す(簡単の ため、一体となった被覆および基材のVLTを測定しているが、被覆単独の場合 のVLT対厚さの曲線の形状は実質的に同様である)、この変化性により異なる 抵抗を有しながらも同じ光学的性質を有する被覆を形成することが困難となる。
本発明は、所望の異なる抵抗を有しながらも、抵抗に実質的に影響されない光学 的特性、特に干渉透過および反射最小値および最大値を有するように容易にでき る複数層(マルチ層)被覆を提供する。
また、本発明の被覆は、従来の被覆より強く、より多くの物理的摩耗に耐えるこ とができ、優秀なバリヤ特性を有し得る。本発明の被覆は、所望の電気的抵抗を 与えるのに十分な厚さの少なくとも1つの透明導電性層および少なくとも1つの 透明非導電性(誘電性)層から成る。非導電性まl;は誘電性層という場合、導 電性層の抵抗より遥かに大きい抵抗を有することを意味するものとして使用して いる。2つの層の屈折率は、実質的に等しく、これは、これらの層の屈折率が0 ,2以下で異なることを意味する。より好ましくは、これらの層の屈折率は0. 1以下で異なる。
屈折率が等しいので、干渉効果、従って、光学的性質は層の組み合われた厚さに より決定される。組み合われる厚さは、干渉最大値  ・および最小値を所望の 光学的性質を有する被覆を提供するスペクトルの部分にシフトするように選択す る。
好ましい態様では、被覆は1つの導電性層および1つの非導電性層から成り、非 導電性層は基材と導電性層との間に配置される。この組み合われた厚さの範囲で は、導電性層の厚さを随意に変えて所望の電気的抵抗を提供するようにできる。
可視波長色−無色の外観が重要な用途の場合、組み合われた厚さは約50〜約2 00nmであるのが好ましい。より好ましくは、全厚さは、約150nm以下で ある。そのような場合、導電性層の厚さは約10nmから実質的には全厚さ、即 ち、その厚さの10nmまでであるのが好ましい。
他の波長における透明性が所望である場合、例えば通常0.83.1.06また は10.6ミクロンのような赤外波長で通常操作される赤外線レーザーが関係す る用途では、そのような波長における透明性を最大限にするように式(II)に 基づいて全厚さを調整できる。
赤外線透過用途の場合、組合せ厚さは可視波長透明用途の場合より実質的に厚く なることが式(It)から明らかである。
本発明は、異なる抵抗を有しながらも同じ干渉反射および透明特性を有する一連 の透明導電性被覆を形成する場合に特に適当である。
各被覆の導電性層の厚さを所望の抵抗に応じて変化させ、非導電性層の厚さを、 組み合わせ層の全体の厚さが一連の各被覆に対して等しくなるように対応して変 化させ、実質的に同じ干渉特性を有する被覆とする。
本発明を実施する場合、屈折率が実質的に同じであるなら、導電性層および非導 電性層の屈折率を絶対的に知る必要は必ずしもない。
干渉効果は、「光学的厚さJ nd (屈折率と厚さの積)に支配され、これは 屈折率の知見または測定無しに分光光度的Jこ容易に測定できるパラメーターで あることは式(n)から理解できる。変化しI;厚さの一連の被覆を形成し、そ の反射率および透過率スペクトルを測定する場合、特定の最小値または最大値に 対して式(II)中のmの値、従って、光学的厚さndを演iできる。
導電性層に好ましい物質は、インジウムスズ酸化物(ITO)であるが、いずれ の広いバンド−ギャップの半導電性酸化物、例えば酸化インジウム、酸化スズ、 酸化亜鉛、酸化カドミウム、スズ酸カドミウムなどを使用できる。非導電性層は 、非導電性形態の上述の物質のいずれからも形成できる。当業者であれば、酸化 インジウム、酸化スズなどの物質の導電性が酸化の程度により変化し、完全に酸 化された形態では非導電性であることを理解できよう。また、約2゜0の屈折率 を有する他のいずれの透明非導電性物質、例えばチタンまたはジルコニウム酸化 物も上述の導電性物質と共に使用でき、それらは、付着方法によりいくらか変化 するものの一般的に約2.0の屈折率を有する。
透明導電性被覆を上に付着することが望ましい基材は、いずれの材料、例えばポ リ(エチレンテレフタレート)(PET)、他のポリエステチル、ポリカーボネ ート、アクリルポリマー、ポリイミド、フルオロポリマー、セルローストリアセ テートなどから作ったポリマーシートまたはフィルムおよびセラミック材料であ ってもよい。
好ましくは、基材は、可視光に透明なもしくは半透明なポリマーフィルムまたは ンート、例えばPETフィルムまたはシートである。基材は、添加剤、例えばU V(紫外線)安定剤または吸収剤、酸化防止剤などを含んでよい。しかしながら 、本発明は、不透明基材、例えば白色PET (酸化チタンまたは他の不透明化 剤を充填)またはセラミックの場合でも使用でき、その場合、反射光の色コント ロールが重要である。赤外線透過性が望ましい用途の場合、基材は赤外線透過性 物質、例えばセレン化亜鉛、ゲルマニウムまたはケイ素から作ってよい。適当な 場合、基材は表面処理、例えば被覆層の摩耗性を改善するためにプライマ一層を 付着させることによる処理をしてよい。基材なる用語は、本明細書で使用する場 合、プライマーを塗布したものまたは表面処理した基材も含む。
干渉透過および反射の問題は、通常、基材の屈折率が被覆の屈折率と異なる場合 に生じる。従って、本発明は、2つの屈折率差が0゜2以上、より好ましくは0 .3以上である場合に特に有利である。
例えば、ITOの場合のように約2.0の屈折率を有する被覆の場合、基材の屈 折率は好ましくは1.8以下、あるいは2.2以上である。
本発明の被覆を付着させる好ましい方法は、スパッタリング法、特にマグネトロ ンスパッタリングである。付着させる被覆の組成は、当該分野ではよく知られた 反応スパッタリング法によりコントロールできる。本発明の薄膜の付着に適当な 他の方法、例えばスプレー・ピロリシス(spray  pyrolysis)  、化学的気相蒸着法(chemicalvapor  deposition ) 、イオンeブレーティング(ion  plating)、真空蒸着法(v acuum  evaporation)なども使用できる。
非導電性層が基材と導電性層との間で挟まれている場合、導電性層は電極として 機能するように使用でき、最小限の接触抵抗でもう]つの物質との良好な電気的 な接触を確立する。また、既知の形態学の清浄な表面に導電性層を付着させる場 合、導電性層の抵抗率をより精密にコントロールでき、基材表面の変化または不 完全性に対して影響されにくくなる。
この態様、例えば液晶ディスプレイまたは透明膜スイッチにおける場合のように 透明な電極パターンを形成するのが望ましい用途に特に有用である。導電性層お よび非導電性層が異なる特性を有する場合、例えば特定の溶媒への異なる溶解の 容易性の程度を有する場合、導電性層の溶媒であるが、非導電性層の溶媒ではな いエツチング剤を使用して、導電性層を選択的にエツチングできる。好ましい選 択的エツチング法は、ストツダード(S toddard)のヨーロッパ特許公 開筒2’65.lloAI号(1988年)に記載されている。
非導電性層は残存して、その下に存在する基材を覆い、バリヤ一層、摩耗シール ドなどとして機能することにより、基材を保護する。例えば、導電性層がITO から形成され、非導電性層が酸化スズから形成される場合、ITOは、酸化スズ に影響を与えることなく10%IN酸によりエツチングされ得る。この態様のも う1つの利点は、導電性層および非導電性層の厚さを適当に選択することにより 、エツチングされた領域とエツチングされていない領域の光学的特性の違いを最 小限にでき、それにより、非常に見えない電極要素を作ることが可能となるとい うことである。
逆に、導電性層および非導電性層を同じ物質から作る場合、あるいは同じエツチ ング特性を有する異なる物質から作る場合、同じ工・ンチング剤により双方とも エツチングされ得る。例えば、導電性層が導電性rTOから作られ、非導電性層 が非導電性ITOから作られる場合、双方とも硫酸によりエツチングされ得る。
本発明のもう1つの態様では、導電性層および非導電性層の位置が逆である、即 ち、導電性層が非導電性層と基材との間に存在する。
この態様では、導電性層はより保護されるが、導電性層の接触抵抗は大きい。し かしながら、ツイストネマチック液晶ディスプレイのような電界効果デバイスま たはファーガソン(F ergason)のアメリカ合衆国特許第4,435, 047号(1984年)に記載されているようなカプセル化液晶ディスプレイの 分野では増加した接触抵抗は不利ではない。
好都合な方法であり、理解を容易にするために、一方の層が導電性であり、他方 が非導電性である2層被覆により本発明を主として説明してきt;が、本発明は 2層の態様に限定されるものではない。
更にもう1つの態様では、3以上の層を使用し、組み合わされた層の全体厚さを 先に説明したようにコントロールして維持する。例えば、基材上に統けて第1非 導電性層、導電性層および第2非導電性を付着させるのが望ましい。この場合、 導電性層は、第」非導電性層に清浄かつ形態学的にコントロール可能な表面に付 着させることにより、また、第2非導電性層により環境的に保護されることによ り、二重に利点を有する。当業者であれば、上述の数示事項および本質的事項を 適用して、更に多くの層、例えば2つの導電性層および2つの非導電性層を有す る態様も可能であることが理解されよう。
また、そのような場合、先の屈折率特性が満足されるなら、全部の導電性層(ま たは全部の非導電性層)が同じ組成を有する必要は必ずしもないことも当業者に は理解されよう。
本発明の被覆は、適当な場合、保護オーバーコート、接着剤などによりオーバー コートしてよく、特定の最終用途に適合させることができる。
本発明の実施は、以下の実施例を参照することにより容易に理解できるであろう 。この実施例は例示のためのものであり、限定するためのものではない。VLT は、光源(通常、CIE標準光源)、焦点合わせおよび照準器付き基材固定具、 ヒトの目の感応性に合ったフィルター、ディテクター、ディスプレイおよび適当 な電子要素付き7オトダイン・モデル(Photodyne  Model)  90 x Lフォトメーター/デシントメ−ター(Photometer/De nsitometer)  (フォトダイン社(P hotodyne、  I  nc、)製、カリフォルニア、ニューベリー・パーク(Nevbury  P ark) )により測定しt;。透過および反射スペクトルは、キャリイ(Ca ry) 14分光光度計により測定した。表面抵抗(ohm/sq)は方形の被 覆基材を採り、方形の2つの平行側面の長さに沿ってコンタクトを形成すること により測定した。これらのコンタクトを市販の電気砥抗計に取り付けた。電気コ ンタクトは、銅シートもしくは導電性エラストマー(銅が被覆を損傷する場合に 好ましい)または導電性インクもしくはエポキシにより好都合に形成できる。
実施例1 3チヤンバースパツタコーターを使用して本実施例の被覆を付着させた。このス パッタコーターを第2図に概略的に示している。スパッタコーターlは、それぞ れ真空用口を有する3つのスパッタリングチャンバー2a−cおよび巻戻し7巻 上げチャンバー3を有する。チャンバー2a−cは、それぞれ、スパッタソース 4a−cを有し、スパッタビームをコントロールするシールド5a−cを有し、 電源5a−cにより印加され、更に、反応スパッタリングに適当となるようにコ ントロール可能ガス出口も7a−cもそれぞれ有する。
被覆すべきフィルム8をペイアウト(繰り出し)ロール9から巻戻し、各チャン バー2a−cを経由してチルドラムlOにより送る。
チャンバー2a−cを通過する間、フィルム8は、同じ被覆物質または異なる被 覆物質などの連続的な層により被覆される。モニター11は、被覆の抵抗、光学 的透過性および/または他の特性に関する情報を提供する。被覆されたフィルム は巻取りロール12により巻き取られる。反応スパッタリングは、キトラー(K ittler)らのブロク・ニス・ビー・アイ・イー、第61巻、第325頁( 1982年)およびホーソンらの同誌、第17巻、第324頁(1982年)に 更に記載されている。
このスパッタコーターを使用して、光学的クレードPETのロールを初めに厚さ 33nmの非導電性170層により被覆した。次に、厚さ70nmの導電性17 0層(本実施例および他の実施例においてインジウム/スズ重量比は90/10 )を非導電性170層上に被覆して全厚さ1103nの被覆とした。ITOの屈 折率が約2.0であるので、最小干渉反射(および対応する最大透過)は約41 0nmにおいてである。この波長における最大透過は、ITOの青色吸収特性を 実質的に相殺し、可視スペクトル(400−700層m)を通じておおよそ一定 の透過率および従って無色の外観を有する被覆が得られる。この被覆PETの透 過および反射特性を第3図に示している(実線)。被覆の抵抗は約104 oh m/ sqと測定された。
実施例2 本発明に基づかないこの比較のための実施例では、先の実施例と同じ装置を使用 して光学用グレードPETを導電性ITOにより被覆した。コーティングステー ションにより送られるフィルムの速度を変えることにより被覆の厚さを調節して 、被覆の抵抗を実施例1とほぼ同じにした。実際、102 ohm/ sqの抵 抗を有する被覆を得た。被覆の厚さは約50nmであっI;。
二の被覆PETの透過および反射特性を第3図に示している(破線)。透過性は 可視スペクトルにわたり相当変化し、被覆は茶色で透明であった。更に、被覆の 反射率は実施例1の被覆の反射率より相当大きいが、双方の被覆のVLTは78 %であった。更に、より薄いこの第2被覆は、それほど丈夫ではなく、耐摩耗性 を有さす、水蒸気および酸素に対して不十分なバリヤである。
実施例3 本実施例では、2つのコーティングチャンバーしか有さないが、他は実施例1お よび2と同じスパッタコーターを使用した。光学用グレードPETを酸化スズ( 非導電性)により厚さ115nroまで被覆した。この単一被覆PETの透過お よび反射スペクトルを第4図に示す(点線)。厚さ25nmの導電性ITOIを 酸化スズ層上に付着させ、厚さ140nmの2層被覆により被覆されたPETフ ィルムとした。このスペクトルを第4図に示す(実線)。この被覆のVLTは8 5%であり、抵抗は55 kilobm/ SQであった。
比較のため、25nmの導電性ITOの被覆をPETに直接付着させだ。VLT は84%で、抵抗は56 kilohm/ sqであった。対応する透過および 反射スペクトルを第4図に示す(破線)。
双方の被覆は同様の抵抗およびVLTを有するが、以下の比較摩耗試験により示 されるように、2層被覆は遥かに丈夫である。2層2インチ平方に4ポンドの力 を力Uえてべ〜バータオル(「ケイドライ(Kaydray) J 、キンバー リーークラーク(K imberley −C1ark)製)により被覆の表面 をこすり、また、被覆PETフィルムを両面接着テープにより固体面に付けた。
結果を第1表に示す。
p湧泗甲歎〜、、、、−−、、,8,−!!!麹!Kl的−n四)、−−上、! 被可−ρ2珈り。
これらの結果は、1層被覆が2層被覆より遥かに弱いことを示す。
2層の抵抗が減少する理由は明らかではない。摩耗により表面から非導電性不動 層が除去されることによるものであるかもしれない。
非導電性層が、導電性層と廖擦面との間ではなく、導電性層の下に位置しても、 非導電性層が予想外に摩耗抵抗を改善することに着目することは重要である。い ずれの理論にも拘束されるものではないが、この効果は、薄層を割り易いポリマ ー基材の変形に関連すると考えられる。より厚い2層被覆の変形はより少なく、 従って、より強くなる。
本実施例の2層化酸化スズ−ITO被覆のITOを好都合に選択的にエツチング でき、一方、酸化スズ層はそのまま残り、以下に説明するように下に存在する基 材を保夏する=2層化被覆を20°Cにおいて10%硫MCITOを溶解するが 、酸化スズを溶解しない流体)に浸漬すると、30秒後ITO層は完全に途去さ れたが、酸化スズ層は30秒の浸漬後もそのままであった。
実施例4 実施例3の2チャンバースパッタロールコータ−において、光学用グレードPE Tを最初に厚さ約46nmの非導電性酸化スズ層により被覆した。透過および反 射スペクトルを第5図に示す(点線)。
厚さ約60nmの導電性ITO被覆を酸化スズ層の上に付着させ、全体の被覆厚 さを約1106nとした。組み合わせ被覆の最小反射は約425nmにおいてで あり、VLTは80%、抵抗は98 ohm/ sqであっt;。このスペクト ルを第5図に示す(実線)。比較のため、実施例2の単一層厚電性ITO被覆( 抵抗102 ohm/ sq)も第5図に示す(破線)。組み合わせ被覆は、実 施例2の被覆より大きいVLT、小さい反射およびより無色の透過色を有したが 、同様の抵抗を有した。。
20°Cにおいて10%硫酸溶液のパターンを所定の部分に4分間付着させるこ とにより、2層被覆を選択的にエツチングした。ITO層は、硫酸と接触する部 分はエツチングされ、酸化スズ下層はこの溶液に30分間浸漬した後でもそのま まであった。
IG  2 IG  3 IG  4 FIG  5 国際調査報告 国際調査報告

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.導電性に実質的に依存せずに所定の干渉反射および透過特性を有する透明導 電性被覆を有する物品であって、(a)屈折率n0を有する基材、ならびに(b )該基材の少なくとも一部分上に配置され、(i)n0とは異なる屈折率n1を 有する少なくとも1つの透明誘電性層、および (ii)少なくとも1つが所望の導電性を提供するのに十分な厚さを有する、実 質的にn1に等しい屈折率を有する少なくとも1つの透明導電性層 から成る被覆 を有して成り、該被覆は、その導電性に実質的に依存しない所定の干渉反射およ び透過特性を有するような厚さを有する物品2.該被覆は1つの誘電性層および 1つの導電性層から成り、該誘電性層は該基材と該導電性層との間に配置されて いる請求め範囲第1項記載の物品。 3.該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該導電性層は該基 材と該誘電性層との間に配置されている請求の範囲第1項記載の物品。 4.該被覆は2つの非導電性層の間に挟まれた導電性層から成る請求の範囲第1 項記載の物品。 5.該導電性層は、導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化カ ドミウム、酸化インジウムまたはスズ酸カドミウムから形成されている請求の範 囲第1項記載の物品。 6.該導電性層は導電性インジウムスズ酸化物から形成されている請求の範囲第 1項記載の物品。 7.該誘電性層は、非導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化 カドミウム、酸化インジウム、スズ酸カドミウム、酸化チタンまたは酸化ジルコ ニウムから形成されている請求の範囲第1項記載の物品。 8.該基材は、ポリエステル、ポリカーボネート、アクリルポリマー、 ポリイミド、フルオロポリマー、セルローストリアセテート、ガラスまたはセラ ミックから形成されている請求の範囲第1項記載の物品。 9.該基材はポリ(エチレンテレフタレート)から形成されている請求の範囲第 1項記載の物品 10.該被覆はスパッタされている請求の範囲第1項記載の物品。 11.該導電性層は電極パターンを形成するようにエッチングされている請求の 範囲第1項記載の物品。 12.透明導電性被覆を有する物品であって、(a)屈折率n0を有する基材、 ならびに(b)該基材の少なくとも一部分上に配置され、(i)n0とは異なる 屈折率n1を有する少なくとも1つの透明誘電性層、および (ii)少なくとも1つが所望の導電性を提供するのに十分な厚さを有する、実 質的にn1に等しい屈折率を有する少なくとも1つの透明導電性層 から成る被覆 を有して成り、該被覆は、式: 1=4n1D/m [式中、Dは該被覆の厚さ、mはn1がn0より大きい場合は2であり、n1が n0より小さい場合は1または3である。]に基づく約350〜約650nmの 波長1において最小の干渉反射を有する物品。 13.該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該誘電性層は該 基材と該導電性層との間に配置されている請求の範囲第12項記載の物品。 14.該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該導電性層は該 基材と該誘電性層との間に配置されている請求の範囲第12項記載の物品。 15.該被覆は2つの非導電性層の間に挟まれた導電性層から成る請求の範囲第 12項記載の物品。 16.該導電性層は、導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化 カドミウム、酸化インジウムまたはスズ酸カドミウムから形成されている請求の 範囲第12項記載の物品。 17.該導電性層は、導電性インジウムスズ酸化物から形成されている請求の範 囲第12項記載の物品。 18.該誘電性層は、非導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸 化カドミウム、酸化インジウム、スズ酸カドミウム、酸化チタンまたは酸化ジル コニウムから形成されている請求の範囲第12項記載の物品。 19.該基材はポリエステル、ポリカーボネート、アクリルポリマー、ポリイミ ド、フルオロポリマー、セルローストリアセテート、ガラスまたはセラミックか ら形成されている請求の範囲第12項記載の物品 20.該基材はポリ(エチレンテレフタレート)から形成されている請求の範囲 第12項記載の物品。 21.該被覆はスパッタされている請求の範囲第12項記載の物品。 22.該導電性層は電極パターンを形成するようにエッチングされている請求の 範囲第12項記載の物品。 23.透明導電性被覆を有する物品であって、(a)屈折率n0を有する基材、 ならびに(b)該基材の少なくとも一部分上に配置され、(i)n0とは異なる 屈折率n1を有する少なくとも1つの透明誘電性層、および (ii)少なくとも1つが所望の導電性を提供するのに十分な厚さを有する、実 質的にn1に等しい屈折率を有する少なくとも1つの透明導電性層 から成る被覆 を有して成り、該被覆の厚さは約50〜約200nmである物品。 24.該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該誘電性層は該 基材と該導電性層との間に配置されている請求の範囲第23項記載の物品。 25.該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該導電性層は該 基材と該誘電性層との間に配置されている請求の範囲第23項記載の物品。 26.該被覆は2つの非導電性層の間に挟まれた導電性層から成る請求の範囲第 23項記載の物品。 27.該導電性層は、導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化 カドミウム、酸化インジウムまたはスズ酸カドミウムから形成されている請求の 範囲第23項記載の物品。 28.該導電性層は導電性インジウムスズ酸化物から形成されている請求の範囲 第23項記載の物品。 29.該誘電性層は、非導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸 化カドミウム、酸化インジウム、スズ酸カドミウム、酸化チタンまたは酸化ジル コニウムから形成されている請求の範囲第23項記載の物品。 30.該基材は、ポリエステル、ポリカーボネート、アクリルポリマー、ポリイ ミド、フルオロポリマー、セルローストリアセテート、ガラスまたはセラミック から形成されている請求の範囲第23項記載の物品。 31.該基材はポリ(エチレンテレフタレート)から形成されている請求の範囲 第23項記載の物品 32.該被覆はスパッタされている請求の範囲第23項記載の物品。 33.該導電性層は電極パターンを形成するようにエッチングされている請求の 範囲第23項記載の物品。 34.所定の波長において赤外線に対して実質的に透明である導電性被覆を有す る物品であって、 (a)屈折率n0を有する基材、ならびに(b)該基材の少なくとも一部分上に 配置され、(i)n0とは異なる屈折率n1を有する少なくとも1つの赤外線に 透明な誘電性層、および (ii)少なくとも1つが所望の導電性を提供するのに十分な厚さを有する、実 質的にn1に等しい屈折率を有する少なくとも1つの赤外線に透明な導電性層 から成る被覆 を有して成り、該被覆は赤外スペクトルで所定の波長において最小の干渉反射を 有するような厚さを有する物品。 35.該被覆は1つの誘電性層および1つの電電性層から成り、該誘電性層は該 基材と該導電性層との間に配置されている請求の範囲第34項記載の物品。 36.該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該導電性層は該 基材と該誘電性層との間に配置されている請求の範囲第34項記載の物品。 37.該被覆は2つの非導電性層の間に挟まれた導電性層から成る請求の範囲第 34項記載の物品。 38.該導電性層は、導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化 カドミウム、酸化インジウムまたはスズ酸カドミウムから形成されている請求の 範囲第34項記載の物品。 39.該導電性層は導電性インジウムスズ酸化物から形成されている請求の範囲 第34項記載の物品。 40.該誘電性層は、非導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸 化カドミウム、酸化インジウム、スズ酸カドミウム、酸化チタンまたは酸化ジル コニウムから形成されている請求の範囲第34項記載の物品。 41.該基材はセレン化亜鉛、ゲルマニウムまたはケイ素から形成されている請 求の範囲第34項記載の物品。 42.該被覆はスパッタされている請求の範囲第34項記載の物品。 43.該導電性層は電極パターンを形成するようにエッチングされている請求の 範囲第34項記載の物品。 44.透明導電性被覆を有する物品であって、(a)基材、ならびに (b)該基材の少なくとも一部分上に配置され、(i)所望の導電性を提供する のに十分な厚さの導電性インジウムスズ酸化物層、および (ii)該インジウムスズ酸化物層の屈折率に実質的に等しい屈折率を有し、該 基材と該インジウムスズ酸化物層との間に配置された透明誘電性層 から成る被覆 を有して成り、該基材の屈折率は該インジウムスズ酸化物および誘電性層の屈折 率とは異なり、該被覆の厚さは約50〜約200nmである物品。 45.該誘電性層は非導電性インジウムスズ酸化物または酸化スズから形成され ている請求の範囲第44項記載の物品。 46.該基材はポリ(エチレンテレフタレート)から形成されている請求の範囲 第44項記載の物品。 47.該被覆の厚さは約50〜約150nmである請求の範囲第44項記載の物 品。 48.導電性に実質的に依存せずに所定の干渉反射および透過特性を有する透明 導電性被覆を有する物品の製造方法であって、(a)屈折率n0を有する基材を 提供する工程、ならびに(b)該基材の少なくとも一部分上に (i)n0とは異なる屈折率n1を有する少なくとも1つの透明誘電性層、およ び (ii)少なくとも1つが所望の導電性を提供するのに十分な厚さを有する、実 質的にn1に等しい屈折率を有する少なくとも1つの透明導電性層 から成る被覆を付着させる工程 を含んで成り、該被覆は、その導電性に実質的に依存せずに所定の干渉反射およ び透過特性を有するような厚さを有する方法。 49.該被覆は、式: 1=4n1D/m [式中、Dは該被覆の厚さ、mは、n1がn0より大きい場合は2であり、 n1がn0より小さい場合は1または3である。]により示される約350〜約 650nmの波長1において最小干渉反射を有する請求の範囲第48項記載の方 法。 50.該被覆は約50〜約200nmの厚さを有する請求の範囲第48項記載の 方法。 51.該被覆は赤外線に対して透明である請求の範囲第48項記載の方法。 52.該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該導電性層の前 に該誘電性層を付着させる請求の範囲第48項記載の方法。 53.該被覆は1つの誘電性層および1つの導電性層から成り、該誘電性層の前 に該導電性層を付着させる請求の範囲第48項記載の方法。 54.該被覆は、付着順に第1誘電性層、導電性層および第2誘電性層から成る 請求の範囲第48項記載の方法。 55.該導電性層は、導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化 カドミウム、酸化インジウムまたはスズ酸カドミウムから形成される請求の範囲 第48項記載の方法。 56.該導電性層は導電性インジウムスズ酸化物から形成される請求の範囲第4 8項記載の方法。 57.該非導電性層は、非導電性インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化亜鉛、 酸化カドミウム、酸化インジウム、スズ酸カドミウム、酸化チタンまたは酸化ジ ルコニウムから形成される請求の範囲第48項記載の方法。 58.該基材は、ポリエステル、ポリカーボネート、アタリルポリマー、ポリイ ミド、フルオロポリマー、セルローストリアセテート、ガラスまたはセラミック から形成される請求の範囲第48項記載の方法 59.該基材はポリ(エチレンテレフタレート)から形成される請求の範囲第4 8項記載の方法。 60.該基材はセレン化亜鉛、ゲルマニウムまたはケイ素から形成される請求の 範囲第48項記載の方法。 61.該被覆はスパッタリングにより付着される請求の範囲第48項記載の方法 。 62.該導電性層が電極パターンを形成するようにエッチングする工程を更に含 んで成る請求の範囲第48項記載の方法。 63.それぞれが、導電性は異なるが、干渉反射および透過特性は実質的に同じ である透明導電性被覆を有する少なくとも2つの物品を製造する方法であって、 (a)各物品用に基材を提供する工程、ならびに(b)各基材の少なくとも一部 分に (i)各基材の屈折率と異なる屈折率n1を有する少なくとも1つの透明誘電性 層、および (ii)少なくとも1つが所定の導電性を与えるのに十分な厚さを有する、n1 に実質的に等しい屈折率を有する少なくとも1つの透明導電性層 から成る被覆を付着させる工程 を含んで成り、各被覆は同じ厚さおよび異なる所定の導電性を有する方法。 64.該誘電性層は非導電性インジウムスズ酸化物または酸化スズから形成され る請求の範囲第63項記載の方法。 65.該導電性層は導電性インジウムスズ酸化物から形放される請求の範囲第6 3項記載の方法。 66.該被覆の厚さは約50〜約150nmである請求の範囲第63項記載の方 法。
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