JPH0348772A - 加速度センサの組立方法 - Google Patents
加速度センサの組立方法Info
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- JPH0348772A JPH0348772A JP18539989A JP18539989A JPH0348772A JP H0348772 A JPH0348772 A JP H0348772A JP 18539989 A JP18539989 A JP 18539989A JP 18539989 A JP18539989 A JP 18539989A JP H0348772 A JPH0348772 A JP H0348772A
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- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 102000005840 alpha-Galactosidase Human genes 0.000 description 1
- 108010030291 alpha-Galactosidase Proteins 0.000 description 1
- 229940033685 beano Drugs 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003938 response to stress Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的〕
[産業上の利用分野コ
本発明は、加速度の変化を梁に加わる応力の変化として
検出するセンサに関し、特に、センサの検出特性調整を
含む組立方法に関する。
検出するセンサに関し、特に、センサの検出特性調整を
含む組立方法に関する。
[従来の技術]
加速度センサは、例えば特開昭59−111065号公
報に示されるように、そのハウジングの内部に慣性を生
じるおもりを備えており、センサが加速度を受けると、
その内部でおもりがその慣性によりハウジングに対して
相対的に変位するので、その変位量を検出することによ
って加速度を検出することができる。
報に示されるように、そのハウジングの内部に慣性を生
じるおもりを備えており、センサが加速度を受けると、
その内部でおもりがその慣性によりハウジングに対して
相対的に変位するので、その変位量を検出することによ
って加速度を検出することができる。
ところで、この種の加速度センサにおいては、各センサ
毎に梁の撓みを検出する歪ゲージの特性のばらつきがあ
るので、歪ゲージが出力する信号を処理する回路におい
て、零点調整やゲイン調整を行なって、特性を均一化す
る必要がある。
毎に梁の撓みを検出する歪ゲージの特性のばらつきがあ
るので、歪ゲージが出力する信号を処理する回路におい
て、零点調整やゲイン調整を行なって、特性を均一化す
る必要がある。
ところが、加速度センサにおいては、おもり。
梁及び歪ゲージが装着されたセンサ本体を実際に動かし
てそれに加速度を与えなければ、検出出力が得られない
、しかし、センサ信号処理回路の抵抗器の調整や膜状に
印刷された抵抗器のトリミングを行なうためには、その
調整部分を固定しておく必要がある。従って、従来の加
速度センサにおいては、おもり、梁及び歪ゲージが装着
されたセンサ本体と、それが出力する信号を処理する電
気回路ユニットとを互いに別体に構成し、電気回路ユニ
ット上で可変抵抗器などの調整を行なってセンサの特性
を調整しているのが実情である。
てそれに加速度を与えなければ、検出出力が得られない
、しかし、センサ信号処理回路の抵抗器の調整や膜状に
印刷された抵抗器のトリミングを行なうためには、その
調整部分を固定しておく必要がある。従って、従来の加
速度センサにおいては、おもり、梁及び歪ゲージが装着
されたセンサ本体と、それが出力する信号を処理する電
気回路ユニットとを互いに別体に構成し、電気回路ユニ
ット上で可変抵抗器などの調整を行なってセンサの特性
を調整しているのが実情である。
[発明が解決しようとする課M]
しかしながら5センサ本体と電気回路ユニットとを別体
にすると、センサ全体が大型化するし、2つのユニット
を別々に装置に取付ける必要があるので取付けが大変で
ある。また、2つのユニットの間を接続するための配線
が必要であり、配線からのノイズの混入に対して注意を
払う必要も生じるので取扱いが難しい。
にすると、センサ全体が大型化するし、2つのユニット
を別々に装置に取付ける必要があるので取付けが大変で
ある。また、2つのユニットの間を接続するための配線
が必要であり、配線からのノイズの混入に対して注意を
払う必要も生じるので取扱いが難しい。
本発明は、おもり、梁及び歪ゲージが装着されたセンサ
本体と歪ゲージから出力される信号を処理する電気回路
とを一体に構成し、しかも加速度センサの特性を均一に
することを課題とする。
本体と歪ゲージから出力される信号を処理する電気回路
とを一体に構成し、しかも加速度センサの特性を均一に
することを課題とする。
[発明の構成]
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するために1本発明においては、可撓性
の梁、該梁に対し垂直方向下部に取付けられたおもり、
前記梁のたわみを検出する撓み検出手段、及び該撓み検
出手段と電気的に接続された電気回路基板が一体に構成
された加速度センサの組立方法において:前記撓み検出
手段から得られる信号を処理する信号処理ユニットが前
記電気回路基板から外された状態で、該電気回路基板と
前記信号処理ユニットとを複数の可撓性の電線で互いに
接続し、その状態で前記信号処理ユニット上の抵抗手段
のトリミングを行ない、前記電線を前記電気回路基板か
ら外すとともにトリミングの終了した信号処理ユニット
を電気回路基板に装着する。
の梁、該梁に対し垂直方向下部に取付けられたおもり、
前記梁のたわみを検出する撓み検出手段、及び該撓み検
出手段と電気的に接続された電気回路基板が一体に構成
された加速度センサの組立方法において:前記撓み検出
手段から得られる信号を処理する信号処理ユニットが前
記電気回路基板から外された状態で、該電気回路基板と
前記信号処理ユニットとを複数の可撓性の電線で互いに
接続し、その状態で前記信号処理ユニット上の抵抗手段
のトリミングを行ない、前記電線を前記電気回路基板か
ら外すとともにトリミングの終了した信号処理ユニット
を電気回路基板に装着する。
[作用]
本発明によれば、調整を行なう前に、梁、おもり、撓み
検出手段、及び電気回路基板が一体に構成された加速度
センサの本体と信号処理ユニットとを可撓性の電線を介
して互いに接続するので。
検出手段、及び電気回路基板が一体に構成された加速度
センサの本体と信号処理ユニットとを可撓性の電線を介
して互いに接続するので。
この状態では、信号処理ユニットを固定して、加速度セ
ンサの本体を動かすことができる。従って、その状態で
、加速度センサ本体を調整すべき加速度を受けた状態に
相当する状況下において、信号処理ユニットの出力信号
が所定のレベルになるように抵抗手段のトリミングを行
なえば、その加速度センサの本体と信号処理ユニットと
の特性を適合させることができる。その調整が終了した
後で電線を外し、信号処理ユニットを加速度センサの本
体に装着すれば、その本体と信号処理ユニットとを一体
に構成することができる。
ンサの本体を動かすことができる。従って、その状態で
、加速度センサ本体を調整すべき加速度を受けた状態に
相当する状況下において、信号処理ユニットの出力信号
が所定のレベルになるように抵抗手段のトリミングを行
なえば、その加速度センサの本体と信号処理ユニットと
の特性を適合させることができる。その調整が終了した
後で電線を外し、信号処理ユニットを加速度センサの本
体に装着すれば、その本体と信号処理ユニットとを一体
に構成することができる。
本発明の他の目的及び特徴は、以下の、図面を参照した
実施例説明により明らかになろう。
実施例説明により明らかになろう。
[実施例]
第2a図に一実施例の加速度センサの縦断面を示し、第
2b図に第1図のn−n線断面の主要部を示す。まず、
第2a図を参照して構成を説明する。
2b図に第1図のn−n線断面の主要部を示す。まず、
第2a図を参照して構成を説明する。
おもり1は、金属製で1円柱状に形成されており、中央
部に貫通孔を有している。棒状のアーム2は、その下端
がおもり1の貫通孔に挿入され、リング3とおもり1の
位置決め用にアーム2に一体化されたフランジ4によっ
ておもり1と一体に構成されている。おもり1が配置さ
れる空間は、ビームホルダ11.ビームベース12及び
ウェートストツパ13で構成されるケースの内空間に形
成されている。ウェートストソパ13は、円形のカップ
状で、おもり1の外径よりも少し大きな内径を有し、上
部にはフランジ部13aを有している。ビームベース1
2は、ウェートストツパ13と嵌合できる形状になって
おり、ウニ・−トストツパ内に入り込む円筒形状の突出
部12aとフランジ部12bを有している。
部に貫通孔を有している。棒状のアーム2は、その下端
がおもり1の貫通孔に挿入され、リング3とおもり1の
位置決め用にアーム2に一体化されたフランジ4によっ
ておもり1と一体に構成されている。おもり1が配置さ
れる空間は、ビームホルダ11.ビームベース12及び
ウェートストツパ13で構成されるケースの内空間に形
成されている。ウェートストソパ13は、円形のカップ
状で、おもり1の外径よりも少し大きな内径を有し、上
部にはフランジ部13aを有している。ビームベース1
2は、ウェートストツパ13と嵌合できる形状になって
おり、ウニ・−トストツパ内に入り込む円筒形状の突出
部12aとフランジ部12bを有している。
ビームプレート20は、ビームホルダ11とビームベー
ス12に上下から挟まれる形で配置されている。ビーム
プレート20の上面とビームホルダ11の下面との間、
ならびにビームプレー1・20の下面とビームベース1
2の上面との間には、それぞれゴム製のシール材14及
び15が介挿されている。
ス12に上下から挟まれる形で配置されている。ビーム
プレート20の上面とビームホルダ11の下面との間、
ならびにビームプレー1・20の下面とビームベース1
2の上面との間には、それぞれゴム製のシール材14及
び15が介挿されている。
ビームプレート20の平面の外観を第3図に拡大して示
す。第3図を参照すると、ビームプレート20の中央付
近には、該プレートの一部を切欠いて形成した細長い2
つの開11部21.22が設けられ、それらの間に細長
い梁23が形成されている。梁23の中央部には、第2
a図のアーム2を通すための穴23aが開口している。
す。第3図を参照すると、ビームプレート20の中央付
近には、該プレートの一部を切欠いて形成した細長い2
つの開11部21.22が設けられ、それらの間に細長
い梁23が形成されている。梁23の中央部には、第2
a図のアーム2を通すための穴23aが開口している。
つまり。
アーム2の頂部2aを穴23aに通し、頂部2aにアー
ムストッパ16を装着することにより、アーム2はその
頂部2aが梁23の中央部に固定され、梁23によって
支持される。即ち、おもり1は、アーム2を介して、梁
23から重れ下がるように吊り下げられる。
ムストッパ16を装着することにより、アーム2はその
頂部2aが梁23の中央部に固定され、梁23によって
支持される。即ち、おもり1は、アーム2を介して、梁
23から重れ下がるように吊り下げられる。
ビーノ、プレート20の基部は、非常に薄い(厚みが0
.1m、m)金属(sus 3 o 4)の平板で構成
されており、その上に様々な膜状の部分が形成されてい
る。ビームプレート20が非常に薄いので、梁23に装
着されたおもりが傾くと、それに従って梁23に撓みが
生じる。梁23上には、その撓みを検出するために、8
つの歪ゲージ部P1゜P2.P3.P4.P5.P6.
P7及びP8が設けられており、これらに接続された配
線パターン25の他端は、ビームプレート20の右端の
端子部20aに集中的に配列されている6配線パターン
25には、9本の線251〜259が備わっている。
.1m、m)金属(sus 3 o 4)の平板で構成
されており、その上に様々な膜状の部分が形成されてい
る。ビームプレート20が非常に薄いので、梁23に装
着されたおもりが傾くと、それに従って梁23に撓みが
生じる。梁23上には、その撓みを検出するために、8
つの歪ゲージ部P1゜P2.P3.P4.P5.P6.
P7及びP8が設けられており、これらに接続された配
線パターン25の他端は、ビームプレート20の右端の
端子部20aに集中的に配列されている6配線パターン
25には、9本の線251〜259が備わっている。
第3図の歪ゲージ部P1〜P8の一部を拡大して第6a
図及び第6b図に示す。第6a図を参照すると、歪ゲー
ジ部P3は、矢印X方向に細長く形成されたパターン部
分とX方向に太く短く形成されたパターン部分とが交互
に形成されて全体で1本の線を構成している。従って歪
ゲージ部P3の電気抵抗の大部分は、細く長いX方向に
向かうパターン部分によって得られ、X方向に向かう部
分の影響は小さい。
図及び第6b図に示す。第6a図を参照すると、歪ゲー
ジ部P3は、矢印X方向に細長く形成されたパターン部
分とX方向に太く短く形成されたパターン部分とが交互
に形成されて全体で1本の線を構成している。従って歪
ゲージ部P3の電気抵抗の大部分は、細く長いX方向に
向かうパターン部分によって得られ、X方向に向かう部
分の影響は小さい。
つまり、歪ゲージ部P3は、X方向に向かう応力を受け
るとその電気抵抗が大きく変化するが、X方向の応力に
対しては変化はほとんど生じない4歪ゲ一ジ部P3の両
端部は、それぞれ、配線パターン251及び252に接
続されている。なお、他の歪ゲージ部Pl、P2及びP
4も、歪ゲージ部P3と同一のパターン形状及び向きに
構成されている。
るとその電気抵抗が大きく変化するが、X方向の応力に
対しては変化はほとんど生じない4歪ゲ一ジ部P3の両
端部は、それぞれ、配線パターン251及び252に接
続されている。なお、他の歪ゲージ部Pl、P2及びP
4も、歪ゲージ部P3と同一のパターン形状及び向きに
構成されている。
第6b図を参照すると、歪ゲージ部P5には、X方向及
びX方向に対して45度傾いた矢印A1方向に向かって
形成された細長いパターン部分とそれに対して90度傾
いたA2方向の太く短いパターン部分とが交互に形成さ
れ、全体で1本の線を構成している。従って、歪ゲージ
部P5の電気抵抗の大部分は、細く長いA2方向に向か
うパターン部分によって得られ、A1方向に向かう部分
の影響は小さい。
びX方向に対して45度傾いた矢印A1方向に向かって
形成された細長いパターン部分とそれに対して90度傾
いたA2方向の太く短いパターン部分とが交互に形成さ
れ、全体で1本の線を構成している。従って、歪ゲージ
部P5の電気抵抗の大部分は、細く長いA2方向に向か
うパターン部分によって得られ、A1方向に向かう部分
の影響は小さい。
つまり、歪ゲージ部P5は、A2方向に向かう応力を受
けるとその電気抵抗が大きく変化するが、A1方向の応
力に対しては変化はほとんど生じない。歪ゲージ部P5
の両端部は、それぞれ、配線パターン257及び25B
に接続されている。なお、歪ゲージ部P8も、歪ゲージ
部P5と同一のパターン形状及び向きに形成されている
。
けるとその電気抵抗が大きく変化するが、A1方向の応
力に対しては変化はほとんど生じない。歪ゲージ部P5
の両端部は、それぞれ、配線パターン257及び25B
に接続されている。なお、歪ゲージ部P8も、歪ゲージ
部P5と同一のパターン形状及び向きに形成されている
。
歪ゲージ部P6は、パターンの細長い部分と太く短い部
分との向きが歪ゲージ部P5と90度ずれて形成されて
いる。従って、歪ゲージ部P6の場合、A1方向に向か
う応力を受けるとその電気抵抗が大きく変化するが、A
2方向の応力に対しては変化はほとんど生じない。歪ゲ
ージ部P6の両端部は、それぞれ、配線パターン257
及び256に接続されている。なお、歪ゲージ部P 7
も、歪ゲージ部P6と同一のパターン形状及び向きに形
成されている。
分との向きが歪ゲージ部P5と90度ずれて形成されて
いる。従って、歪ゲージ部P6の場合、A1方向に向か
う応力を受けるとその電気抵抗が大きく変化するが、A
2方向の応力に対しては変化はほとんど生じない。歪ゲ
ージ部P6の両端部は、それぞれ、配線パターン257
及び256に接続されている。なお、歪ゲージ部P 7
も、歪ゲージ部P6と同一のパターン形状及び向きに形
成されている。
第7a図、第7b図及び第7C図に、このセンサにそれ
ぞれX方向、X方向及びX方向の加速度が印加される場
合の渠23の応力の向き及びその分布の概略を示す、な
お、第7a図、第7b図及び第7c図に示す各部材の形
状や構造は実際とはかなり異なっているので注意された
い。
ぞれX方向、X方向及びX方向の加速度が印加される場
合の渠23の応力の向き及びその分布の概略を示す、な
お、第7a図、第7b図及び第7c図に示す各部材の形
状や構造は実際とはかなり異なっているので注意された
い。
X方向の加速度が印加される場合には、第7a図に示す
ように梁上にX方向に向かう圧縮応力及び引張応力が作
用する。従って、歪ゲージ部PI。
ように梁上にX方向に向かう圧縮応力及び引張応力が作
用する。従って、歪ゲージ部PI。
P2が圧縮応力を受けてその電気抵抗が減小する時には
、他の歪ゲージ部P3.P4が引張応力を受けてその電
気抵抗が増大し、歪ゲージ部PL。
、他の歪ゲージ部P3.P4が引張応力を受けてその電
気抵抗が増大し、歪ゲージ部PL。
P2が引張応力を受けてその電気抵抗が増大する時には
、他の歪ゲージ部P3.P4が圧縮応力を受けてその電
気抵抗が減小する。つまり4つの歪ゲージ部P1〜P4
を電気的に接続してホイートストンブリッジを構成すれ
ば、それによってY方向の加速度に対応する応力を検出
できる。
、他の歪ゲージ部P3.P4が圧縮応力を受けてその電
気抵抗が減小する。つまり4つの歪ゲージ部P1〜P4
を電気的に接続してホイートストンブリッジを構成すれ
ば、それによってY方向の加速度に対応する応力を検出
できる。
X方向の加速度が印加される場合には、第7b図に示す
ように梁上に傾め方向(At、A、2)に向かう圧縮応
力又は引張応力が作用する。従って、歪ゲージ部P5.
P7が圧縮応力を受けてその電気抵抗が減小する時には
、他の歪ゲージ部P6゜P8が引張応力を受けてその電
気抵抗が増大し、歪ゲージ部P5.P7が引張応力を受
けてその電気抵抗が増大する時には、他の歪ゲージ部P
6゜P8が圧縮応力を受けてその電気抵抗が減小する。
ように梁上に傾め方向(At、A、2)に向かう圧縮応
力又は引張応力が作用する。従って、歪ゲージ部P5.
P7が圧縮応力を受けてその電気抵抗が減小する時には
、他の歪ゲージ部P6゜P8が引張応力を受けてその電
気抵抗が増大し、歪ゲージ部P5.P7が引張応力を受
けてその電気抵抗が増大する時には、他の歪ゲージ部P
6゜P8が圧縮応力を受けてその電気抵抗が減小する。
つまり、歪ゲージ部P5〜P8を電気的に接続してホイ
ートストンブリッジを構成すれば、それによってX方向
の加速度に対応する応力を検出できる。
ートストンブリッジを構成すれば、それによってX方向
の加速度に対応する応力を検出できる。
また、X方向の加速度が印加される場合には、第7c図
に示すように梁上にY方向に向かう圧縮応力及び引張応
力が作用するが、この場合には梁の両側の対称位置に同
一の応力が作用する。従って、歪ゲージ部PL、P2が
圧縮応力を受ける時には他の歪ゲージ部P3.P4も圧
縮応力を受け、歪ゲージ部PI、P2が引張応力を受け
る時には他の歪ゲージ部P3.P4も引張応力を受ける
ので、4つの歪ゲージ部P1〜P4の電気抵抗の変化は
同一であり、2方向の加速度に対してはホイートストン
ブリッジからは信号は出力されない。
に示すように梁上にY方向に向かう圧縮応力及び引張応
力が作用するが、この場合には梁の両側の対称位置に同
一の応力が作用する。従って、歪ゲージ部PL、P2が
圧縮応力を受ける時には他の歪ゲージ部P3.P4も圧
縮応力を受け、歪ゲージ部PI、P2が引張応力を受け
る時には他の歪ゲージ部P3.P4も引張応力を受ける
ので、4つの歪ゲージ部P1〜P4の電気抵抗の変化は
同一であり、2方向の加速度に対してはホイートストン
ブリッジからは信号は出力されない。
第8図に、ビームプレート20とそれの配線251〜2
5gに接続される電気回路によって構成されたブリッジ
回路の結線状態を示す。第8図に示す結線により、歪ゲ
ージ部PI、P2.P3及びP4が1つのホイートスト
ンブリッジを構成し。
5gに接続される電気回路によって構成されたブリッジ
回路の結線状態を示す。第8図に示す結線により、歪ゲ
ージ部PI、P2.P3及びP4が1つのホイートスト
ンブリッジを構成し。
残りの歪ゲージ部P5〜P8が別のホイートストンブリ
ッジを構成する。前者のブリッジの出力端子にY方向の
加速度に対応する電圧vyが得られ。
ッジを構成する。前者のブリッジの出力端子にY方向の
加速度に対応する電圧vyが得られ。
後者のブリッジの出力端子にX方向の加速度に対応する
電圧Vxが得られる。
電圧Vxが得られる。
なお、歪ゲージ部P1〜P4で構成されるブリッジにお
いては、歪ゲージ部P1とP2、ならびに歪ゲージ部P
3とP4が、それぞれブリッジの対向する辺に位置する
ように接続されていることに注意されたい。
いては、歪ゲージ部P1とP2、ならびに歪ゲージ部P
3とP4が、それぞれブリッジの対向する辺に位置する
ように接続されていることに注意されたい。
第5図に、ビームプレート20の厚み方向の断面の一部
を拡大して示す、第5図を参照すると、ビームプレート
20は、基部26の一方の面に形成された絶縁膜27.
導電性パターン28及び絶縁膜29を有している。基部
26は、厚みが0.1mmの金属薄板であり、導電性で
あるので、その上に電気回路を形成するために、その片
方の面の全体に渡って、絶縁膜27が形成されている。
を拡大して示す、第5図を参照すると、ビームプレート
20は、基部26の一方の面に形成された絶縁膜27.
導電性パターン28及び絶縁膜29を有している。基部
26は、厚みが0.1mmの金属薄板であり、導電性で
あるので、その上に電気回路を形成するために、その片
方の面の全体に渡って、絶縁膜27が形成されている。
この絶縁膜27は、5i02の塗布によって形成される
。
。
導電性パターン28は、スパッタリングによって形成さ
れたNi系導体の薄膜であり、それをエツチング処理す
ることにより、必要とされる各歪ゲージ部P1〜P8と
配線25のパターンが形成される。このパターンの形成
が終了した後で、電気接続の必要な端子部20aを除き
、パターンの上に8102保護膜を形成する。
れたNi系導体の薄膜であり、それをエツチング処理す
ることにより、必要とされる各歪ゲージ部P1〜P8と
配線25のパターンが形成される。このパターンの形成
が終了した後で、電気接続の必要な端子部20aを除き
、パターンの上に8102保護膜を形成する。
ここで再び第2a図を参照すると、ビームベース12の
フランジ部12bの一端に設けられた段差部分に端子板
17が固定されている。この端子板17には、その上面
に導電性の導体パターン17aが形成されており、また
、信号を処理するための所定の電気回路が集積されたハ
イブリッドIC19が装着されている。第4図に示すよ
うに、端子板17の一端にはビームプレート20が重な
っている。そして、ビームプレート20の端子部20a
の各々の線と端子板17上の導体パターンとが、ボンデ
ィングワイヤ18によって電気的に接続されている。
フランジ部12bの一端に設けられた段差部分に端子板
17が固定されている。この端子板17には、その上面
に導電性の導体パターン17aが形成されており、また
、信号を処理するための所定の電気回路が集積されたハ
イブリッドIC19が装着されている。第4図に示すよ
うに、端子板17の一端にはビームプレート20が重な
っている。そして、ビームプレート20の端子部20a
の各々の線と端子板17上の導体パターンとが、ボンデ
ィングワイヤ18によって電気的に接続されている。
第2a図を参照すると、ビームホルダ11.ビームベー
ス12及びウェートストツパ13でなるケースの内空間
7には、おもり1やアーム2とともに、シリコンオイル
8が充填されている。このシリコンオイル8は、その粘
性によっておもり1の動きを抑制し、振動を防止すると
ともに変化の速すぎる加速度に対する応答を抑制する。
ス12及びウェートストツパ13でなるケースの内空間
7には、おもり1やアーム2とともに、シリコンオイル
8が充填されている。このシリコンオイル8は、その粘
性によっておもり1の動きを抑制し、振動を防止すると
ともに変化の速すぎる加速度に対する応答を抑制する。
内空間7にシリコンオイル8が充填されているので、そ
の空間からシリコンオイルが漏れないようにケースを構
成する各部材の当接部分に充分なシールを施こす必要が
ある。この実施例では、ビームベース12とウェートス
トツパ13との当接面は0リング6によってシールして
いる。また、ビームベース】2の上面とビームプレート
2oの下面との当接面は、その部分に介挿した環状のシ
ール材(ゴム)15によってシールし、ビームプレート
20の上面とビームホルダ11の下面との当接面は、そ
の部分に介挿したシール材14によってシールしている
。シール材14は、アーム2の頂部2aとアームストッ
パ16の周囲全体を覆う形に形成されている。
の空間からシリコンオイルが漏れないようにケースを構
成する各部材の当接部分に充分なシールを施こす必要が
ある。この実施例では、ビームベース12とウェートス
トツパ13との当接面は0リング6によってシールして
いる。また、ビームベース】2の上面とビームプレート
2oの下面との当接面は、その部分に介挿した環状のシ
ール材(ゴム)15によってシールし、ビームプレート
20の上面とビームホルダ11の下面との当接面は、そ
の部分に介挿したシール材14によってシールしている
。シール材14は、アーム2の頂部2aとアームストッ
パ16の周囲全体を覆う形に形成されている。
この例では、ビームプレート20が非常に薄く、その上
に形成された配線などのパターンはそれよす更に薄い膜
状に形成されているので、ビームプレート20と、ビー
ムホルダ11及びビームベース12との当接面にはほと
んど凹凸がない。そのため、それらの部分のシールは、
第1FJ!Iに示すような単純な形状のシール材14.
15だけで極めて簡単に、かつ確実に行なうことができ
る。
に形成された配線などのパターンはそれよす更に薄い膜
状に形成されているので、ビームプレート20と、ビー
ムホルダ11及びビームベース12との当接面にはほと
んど凹凸がない。そのため、それらの部分のシールは、
第1FJ!Iに示すような単純な形状のシール材14.
15だけで極めて簡単に、かつ確実に行なうことができ
る。
なお、ビームホルダ11.ビームベース12及びビーム
プレート20は、図示しない4本のねじによってビーム
ホルダ11の上から固定される。
プレート20は、図示しない4本のねじによってビーム
ホルダ11の上から固定される。
第3@に示すビームプレート20の穴20b、20c、
20d及び20eをそれらのねじが通る。
20d及び20eをそれらのねじが通る。
第1図に示すように、ビームホルダ11.ビームベース
12及びウェートストツバ13で構成されるケースの外
側は、スポンジシートで構成されるクツション材31,
32及び33で覆われ、各種部材41,42,43及び
44で構成されるハウジング内に固定される。
12及びウェートストツバ13で構成されるケースの外
側は、スポンジシートで構成されるクツション材31,
32及び33で覆われ、各種部材41,42,43及び
44で構成されるハウジング内に固定される。
ところで、ここに示した加速度センサにおいては、その
検出特性を均一にして個々のセンサの特性のばらつきを
なくす必要がある。つまり、このセンサのX軸及びY軸
方向の加速度の検出感度を予め定めた特性に設定すると
ともに、印加される加速度が零の時の出力信号レベルを
零にする必要がある。
検出特性を均一にして個々のセンサの特性のばらつきを
なくす必要がある。つまり、このセンサのX軸及びY軸
方向の加速度の検出感度を予め定めた特性に設定すると
ともに、印加される加速度が零の時の出力信号レベルを
零にする必要がある。
この調整は、ハイブリッド1019に内蔵された厚膜抵
抗器(1=9a、19b、1.9c)をトリミングして
それらの抵抗値を調整することによって行なわれる。
抗器(1=9a、19b、1.9c)をトリミングして
それらの抵抗値を調整することによって行なわれる。
ところで、この加速度センサを調整するためには、その
本体を傾けるなどの方法で、それの検出部に所定の加速
度に相当するたわみを生じさせる必要があり、加速度セ
ンサを動かしながら調整を行なわざるを得ない、しかし
、ハイブリッドIC19の厚11!I抵抗器のトリミン
グを行なう場合には。
本体を傾けるなどの方法で、それの検出部に所定の加速
度に相当するたわみを生じさせる必要があり、加速度セ
ンサを動かしながら調整を行なわざるを得ない、しかし
、ハイブリッドIC19の厚11!I抵抗器のトリミン
グを行なう場合には。
それを固定した状態を維持しなければならない。
そこで、この実施例においては1次のようにして調整及
び組立てを行なっている。
び組立てを行なっている。
調整を行なう場合には、第1図に示すように、加速度セ
ンサの本体60の組立てが終了した状態で行なう、但し
、ハイブリッドICi 9は、端子板17から外した状
態にしておく、そして、lR整用治具52と加速度セン
サの本体60とを多数のシールド線51で互いに接続し
1次にハイブリッドIC19を治具52に装着する。こ
れによってハイブリッドICI 9は、シールド線51
を介して端子板17上の導体と接続され、電気的には、
ハイブリッドICI 9を直接端子板17上に装着した
場合と等価になる。
ンサの本体60の組立てが終了した状態で行なう、但し
、ハイブリッドICi 9は、端子板17から外した状
態にしておく、そして、lR整用治具52と加速度セン
サの本体60とを多数のシールド線51で互いに接続し
1次にハイブリッドIC19を治具52に装着する。こ
れによってハイブリッドICI 9は、シールド線51
を介して端子板17上の導体と接続され、電気的には、
ハイブリッドICI 9を直接端子板17上に装着した
場合と等価になる。
この状態で、治具52を所定位置に固定し、加速度セン
サの本体60を予め定めた傾きに設定し、ハイブリッド
ICI 9の出力端子に得られる電気信号を図示しない
測定器で監視し、その信号レベルが所定の電圧になるよ
うに、厚膜抵抗@ l 9 a 。
サの本体60を予め定めた傾きに設定し、ハイブリッド
ICI 9の出力端子に得られる電気信号を図示しない
測定器で監視し、その信号レベルが所定の電圧になるよ
うに、厚膜抵抗@ l 9 a 。
19b及び19cを、例えばレーザ光を用いてトリミン
グする。これによって、加速度が零の時の信号レベルを
零に調整し、X軸方向及びY軸方向の各加速度に対する
検出感度を予め定めた条件に設定する。
グする。これによって、加速度が零の時の信号レベルを
零に調整し、X軸方向及びY軸方向の各加速度に対する
検出感度を予め定めた条件に設定する。
この調整が終了したら、シールド線51を端子板17か
ら外し、治具52上のトリミングの終了し、たハイブリ
ッド丁C19の各ビン(図示せず)を端子板1.7 、
kに設けられた多数の穴17bに挿入[2,半田付けに
よってそれを加速度センサ本体60に固定する。これで
、特性の調整と主要部の組立てが終了する。最終的には
第2a図に示す状態に組立てられる。
ら外し、治具52上のトリミングの終了し、たハイブリ
ッド丁C19の各ビン(図示せず)を端子板1.7 、
kに設けられた多数の穴17bに挿入[2,半田付けに
よってそれを加速度センサ本体60に固定する。これで
、特性の調整と主要部の組立てが終了する。最終的には
第2a図に示す状態に組立てられる。
[効果]
以上のとおり本発明によれば、歪ゲージから出力される
信号を処理する電気回路(19)を加速度センサの本体
(60)に一体に設けることができ、しかも加速度セン
サの特性の肩整を行なって、その特性を均一化すること
ができる。このため、加速度センサ全体が小型化し、取
付けが簡噴になり、また歪ゲージとそれが出力する信号
を処理する電気回路とを結ぶ電線が短くなるので、外部
からの電気ノイズの影響を受は難くなる。
信号を処理する電気回路(19)を加速度センサの本体
(60)に一体に設けることができ、しかも加速度セン
サの特性の肩整を行なって、その特性を均一化すること
ができる。このため、加速度センサ全体が小型化し、取
付けが簡噴になり、また歪ゲージとそれが出力する信号
を処理する電気回路とを結ぶ電線が短くなるので、外部
からの電気ノイズの影響を受は難くなる。
第1図は、調整時の加速度センサ本体と治具を示す斜視
図である。 第2a図は、一実施例の加速度センサを示す縦断面図、
第2b図は第2a図のn−n線断面の主要部を示す断面
図、第3図は第2a図のビームプレート20の外観を示
す拡大平面図、第4図は第2a図の一部分を拡大して示
す断面図である。 第5図は、ビームプレート20の一部分の厚み方向の断
面を示す断面図である。 第6a図及び第6b図は、各々、ビームプレート20上
の歪ゲージ部を拡大して示す平面図であ机 第7a図、第7b図及び第7c図は、各々異なる方向の
加速度を受けた場合の、梁23の応力分布の概略を示す
斜視図である。 第8図は、第1図の加速度センサの一部分の電気要素の
接続状態を示す配線図である。 1:おもり(ウェート)2:アーム 3:リング 4:フランジ 6;0リング 7;内空間 8:シリコンオイル II:ビームホルダ12:ビー
ムベース 13:ウエートストッパ1.4.15:シ
ール材 17:端子板(電気回路基板) 18:ボンディングワイヤ I9:ハイブリッドIC(信号処理ユニット)19a、
19b、1.9c:厚膜抵抗(抵抗手段)20:ビーム
プレート 21,22:開口部23:梁
25:配線パター2冫51〜25 !′)1〜P8:歪ゲージ部(撓み検出手段)26二基
部 21:絶縁膜 28:導電性パターン 29:絶縁膜 31、、32,33:クッション材 51:シールド線(電線) 52:治具
図である。 第2a図は、一実施例の加速度センサを示す縦断面図、
第2b図は第2a図のn−n線断面の主要部を示す断面
図、第3図は第2a図のビームプレート20の外観を示
す拡大平面図、第4図は第2a図の一部分を拡大して示
す断面図である。 第5図は、ビームプレート20の一部分の厚み方向の断
面を示す断面図である。 第6a図及び第6b図は、各々、ビームプレート20上
の歪ゲージ部を拡大して示す平面図であ机 第7a図、第7b図及び第7c図は、各々異なる方向の
加速度を受けた場合の、梁23の応力分布の概略を示す
斜視図である。 第8図は、第1図の加速度センサの一部分の電気要素の
接続状態を示す配線図である。 1:おもり(ウェート)2:アーム 3:リング 4:フランジ 6;0リング 7;内空間 8:シリコンオイル II:ビームホルダ12:ビー
ムベース 13:ウエートストッパ1.4.15:シ
ール材 17:端子板(電気回路基板) 18:ボンディングワイヤ I9:ハイブリッドIC(信号処理ユニット)19a、
19b、1.9c:厚膜抵抗(抵抗手段)20:ビーム
プレート 21,22:開口部23:梁
25:配線パター2冫51〜25 !′)1〜P8:歪ゲージ部(撓み検出手段)26二基
部 21:絶縁膜 28:導電性パターン 29:絶縁膜 31、、32,33:クッション材 51:シールド線(電線) 52:治具
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 可撓性の梁、該梁に対し垂直方向下部に取付けられたお
もり、前記梁のたわみを検出する撓み検出手段、及び該
撓み検出手段と電気的に接続された電気回路基板が一体
に構成された加速度センサの組立方法において; 前記撓み検出手段から得られる信号を処理する信号処理
ユニットが前記電気回路基板から外された状態で、該電
気回路基板と前記信号処理ユニットとを複数の可撓性の
電線で互いに接続し、その状態で前記信号処理ユニット
上の抵抗手段のトリミングを行ない、前記電線を前記電
気回路基板から外すとともにトリミングの終了した信号
処理ユニットを電気回路基板に装着する、ことを特徴と
する加速度センサの組立方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18539989A JPH0348772A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 加速度センサの組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18539989A JPH0348772A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 加速度センサの組立方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0348772A true JPH0348772A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16170117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18539989A Pending JPH0348772A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 加速度センサの組立方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0348772A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0572225A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-23 | Hitachi Ltd | 物理量検出センサ,加速度センサ及びこれらセンサの出力信号特性の調整方法と装置 |
JP2000162232A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Murata Mfg Co Ltd | 加速度センサモジュール |
JP2008139135A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 力学量センサおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP18539989A patent/JPH0348772A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0572225A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-23 | Hitachi Ltd | 物理量検出センサ,加速度センサ及びこれらセンサの出力信号特性の調整方法と装置 |
JP2000162232A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Murata Mfg Co Ltd | 加速度センサモジュール |
JP2008139135A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 力学量センサおよびその製造方法 |
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