JPH0348693A

JPH0348693A - ２′―置換―２′―デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌクレオシドの製造法

Info

Publication number: JPH0348693A
Application number: JP1183011A
Authority: JP
Inventors: Akira Matsuda; 彰松田; Joji Yasuoka; 譲二安岡; Toru Ueda; 亨上田
Original assignee: Yamasa Shoyu KK
Current assignee: Yamasa Shoyu KK
Priority date: 1989-07-14
Filing date: 1989-07-14
Publication date: 1991-03-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は２′−置換−２′−デオキシアラビノフラノシ
ルピリミジンヌクレオシド誘導体の製造法に関するもの
である。

〔従来の技術〕

２′−アジド−２′−デオキシアラビノフラノシルシト
シン、２′−アミノ−２′−デオキシアラビノフラノシ
ルシトシンに代表される２′−置換−２′−デオキシア
ラビノフラノシルピリミジンヌクレオシド誘導体は、抗
ウィルス作用または抗腫瘍作用を有し、医薬としての開
発が期待される化合物群である（特表昭５５−５００４
４１号公報参照）。

従来、２′−置換−２１−デオキシアラビノフラノシル
ピリミジンヌクレオシド誘導体の調製は、あらかじめ糖
部２′位に置換基を導入した糖と核酸塩基との縮合反応
により行われている（ＲｅｃｅｎｔＲｅｓｕｌｔｓ　Ｃ
ａｎｃｅｒ　Ｒａｓ、、　７４．７８〜８３　（１９８
０）、特表昭５５−５００４４１号公報など参照）。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、従来の縮合反応による調製においては、調製目
的の天然のヌクレオシドと同じ立体構造を有するβ体以
外にもα体が生成し、目的化合物の単離収率が低下する
という問題点を有していた。

また、ピリミジンヌクレオシドからの２１−置換−２′
−デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌクレオシド
誘導体の合成が試みられているが、糖部２′位水酸基と
塩基部２位カルボニル基との分子内求核反応が優先して
目的とする化合物は取得されていないのが現状である（
Ｃｈｅｍ、Ｐｈａｒ■。

Ｂｕｌｌ、、　３　Ｌ、　１５８２　（１９８３）、　
ＬｉｓｂｉｇｓＡｎｎ、Ｃｈｅｍ、、　７８〜８６　（
１９７８）など参照）。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは、ピリミジンヌクレオシドからの２′−置
換−２′−デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌク
レオシド誘導体の製造法を確立すべく研究を重ねた結果
、■糖部の３′位および５′位水酸基を保護基で保護し
、かつ塩基部のＮ３位を電子吸引性の置換基で保護した
式（（］〔式中、Ｒ１は水素原子または低級アルキル基
、Ｒ８は電子吸引性置換基　Ｒ３およびＲ４はそれぞれ
独立のもしくは両者で単一の水酸基の保護基を示す〕で
表わされるウリジン誘導体を原料化合物として使用し、
該ウリジン誘導体をホスフィン類およびアゾ化合物の存
在下、アジド化剤と反応させることにより糖部２′位水
酸基と塩基部２位カルボニル基との分子内求核反応を起
こすことなく。

式（■〕よびＲ４で表わされる水酸基の保護基を除去して式（Ｉ
ＩＩ）〔式中、Ｒ１−Ｒ４は同意義〕で表わされる化合物が得
られること、０式（ｎ）化合物を原料とし、公知の反応
を適宜応用することにより２′−アジドもしくはアミノ
−２′−デオキシアラビノフラノシルウラシル誘導体お
よび２′−アジドもしくはアミノ−２′−デオキシアラ
ビノフラノシルシトシン誘導体を調製できることを知見
し９本発明を完成した。

すなわち、第１の発明（以下「第１製法」という）は、
前記式（１）化合物をホスフィン類およびアゾ化合物の
存在下、アジド化剤と反応させて上記式（１１）化合物
を得、必要によりＲ８で表わされる電子吸引性置換基な
らびに／またはＲ３お〔式中、Ｒ１は前記と同意義、Ｒ
”は水素原子または電子吸引性置換基、Ｒ”およびＲ”
は水素原子またはそれぞれ独立のもしくは両者で単一の
水酸基の保護基を示す〕で表わされる２′−アジド−２
′−デオキシアラビノフラノシルウラシル誘導体を得る
ことを特徴とする２′−アジド−２′−デオキシアラビ
ノフラノシルウラシル誘導体の製造法に関するものであ
る。

第２の発明（以下、「第２製法」という）は。

前記式〔■〕化合物を必要によりＲ２で表わされる電子
吸引性置換基ならびに／またはＲ３およびＲ４で表わさ
れる水酸基の保護基を除去した後、還元反応に付して式
（ＩＶ）〔式中、Ｒ１、Ｒ”、Ｒ”およびＲ４′は前記と同意義
〕で表わされる２′−アミノ−２′−デオキシアラビノ
フラノシルウラシル誘導体を得ることを特徴とする２′
−アミノ−２′−デオキシアラビノフラノシルウラシル
誘導体の製造法に関するものである。

第３の発明（以下、「第３製法」という）は、前記式（
ＩＩＩ化合物のＲ１で表わされる電子吸引性置換基を除
去した後、塩基部４位のオキソ基をアミノ化し、必要に
よりＲ３およびＲ４で表わされる水酸基の保護基を除去
して式（Ｖ）Ｃ式中、Ｒ１、Ｒ”　およ、びＲ４１は前記と同意義〕
で表わされる２′−アンド−２′−デオキシアラビノフ
ラノシルシトシン誘導体を得ることを特徴とする２′−
アジド−２′−デオキシアラビノフラノシルシトシン誘
導体の製造法に関するものである。

さらに第４の発明（以下、「第４製法」という）は、前
記式〔■〕化合物のＲ２で表わされる電子吸引性置換基
を除去した後、塩基部４位のオキソ基をアミノ化し、必
要によりＲ３およびＲ４で表わされる水酸基の保護基を
除去して上記式〔■〕化合物を得、該化合物を還元反応
に付して式〔■〕〔式中、Ｒ１、Ｒ”　およびＲ”は前
記と同意義〕で表わされる２′−アミノ−２′−デオキ
シアラビノフラノシルシトシン誘導体を得ることを特徴
とする２′−アミノ−２′−デオキシアラビノフラノシ
ルシトシン誘導体の製造法に関するものである。

このような本願の第１〜第４の発明をフローチャートで
示せば以下のとおりである。

以下、本発明の製造法について詳細に説明する。

１、１法式■　ム→式■　八本発明の第１製法は、式（１）化合物をホスフィン類お
よびアゾ化合物の存在下、アジド化剤と反応させて式（
ｎ）化合物を得、さらに必要によりＲ２で表わされる電
子吸引性置換基ならびに／またはＲ３およびＲ４で表わ
される水酸基の保護基を除去して式（ＩＩＩ）化合物を
得る方法に関するものである。

第１製法で使用する原料化合物は前記式Ｅｌ）で表わさ
れるものである。

式中、Ｒ１の低級アルキル基としてはメチル。

エチル、プロピル、ｉ−プロピル等の炭素数１〜３のも
のが挙げられる。

Ｒ２で表わされる電子吸引性置換基は、塩基部奸Ｎ３位に導出入−能でＮ３位の窒素原子の孤立電子対を
吸引する性質を有するものであればよい、具体的には、
アセチル、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリフ
ルオロアセチル、メトキシアセチル、プロピオニル、ｎ
−ブチリル、（Ｅ）　−２−メチル−２−ブテノイル、
ｉ−ブチリル、ペンタノイル、ベンゾイル、０−（ジブ
ロモメチル）ベンゾイル、０−（メトキシカルボニル）
ベンゾイル、Ｌ−フェニルベンゾイル、２．４’、６−
ドリメチルベンゾイル、ニードルオイル、Ｌ−アニソイ
ル、ｌ−クロロベンゾイル、ｌ−ニトロベンゾイル、α
−ナフトイルなどのアシル基、メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニルなどのアル
キルオキシカルボニル凸などを例示することができる。

また、Ｒ３およびＲ４の水酸基の保護基は、特に制限さ
れず、同一またはそれぞれ異なるものであってもよく、
さらに３′位および５′位水酸基を１つの保護基で同時
に保護できるものであってもよい。

そのような保護基としては、たとえば、アセチル、クロ
ロアセチル、ジクロロアセチル、トリフルオロアセチル
、メトキシアセチル、プロピオニル、ｎ−ブチリル、（
Ｅ）−２−メチル−２−ブテノイル、ｉ−ブチリル、ペ
ンタノイル、ペンゾイル、０−（ジブロモメチル）ベン
ゾイル、０−（メトキシカルボニル）ベンゾイル、旦−
フェニルベンゾイル、２，４．６−ドリメチルベンゾイ
ル、ｉ−トルオイル、Ｌ−アニソイル、ｌ−クロロベン
ゾイル、ｌ−ニトロベンゾイル、α−ナフトイルなどの
アシル基、メトキシメチル、エトキシメチル、ｎ−プロ
ポキシメチルなどのアルキルオキシメチル基、１−エト
キシエチル、１−メチル−１−メトキシエチルなどの置
換エチル基、ベンジル、フェネチル、３−フェニルプロ
ピル、Ｌ−メトキシベンジル、Ｌ−ニトロベンジル、■
−ハロペンシル、！−シアノベンジル、ジフェニルメチ
ル、トリフェニルメチル、αもしくはβ−ナフチルメチ
ル、α−ナフチルジフェニルメチルなどのアルアルキル
基、テトラヒドロピラン−２−イル、４−メトキシテト
ラヒドロビラン−４−イルなどのピラニル基、トリメチ
ルシリル、トリエチルシリル、↓−プロゼルジメチルシ
リル、互−ブチルジメチルシリル、メチルジー上−プチ
ルシブロビルジシロキサニルなどのシリル基、メトキシ
カルボニル、エトキシカルボニル、ニーブトキシカルボ
ニルなどのアルキルオキシカルボニル基などのヌクレオ
シドの水酸基の保護基として常用されているものを例示
することができる。

このような原料化合物（１）は、常法に従って調製する
ことができる。たとえばＲ２の電子吸引性置換基として
アシル基、’　Ｒ３およびＲ４の水酸基の保護基として
シリル基を例示して説明すれば、まず、ウリジンとウリ
ジン１モルに対して１〜５倍モルのシリル化剤（Ｒ３お
よびＲ４に対応するシリル酸の酸ハロゲン化物（たとえ
ば塩化物）または酸無水物）を反応溶媒（たとえば、ピ
リジン、ピコリン、ジエチルアニリン、トリブチルアミ
ン、トリエチルアミンなどの塩基性溶媒）中、０〜５０
℃で１〜２０時間反応させて糖部３′位および５′位の
水酸基がシリル基で保護された化合物を得１次いで該化
合物を該化合物１モルに対して１〜５倍モルのアシル化
剤（Ｒ２に対応する酸の酸ハロゲン化物または酸無水物
）を使用して上記と同様の塩基性溶媒中、０〜５０℃で
１〜２０時間反応させることにより式（１）で表わされ
る原料化合物を得ることができる。

第１製法に使用するホスフィン類としては、トリメチル
ホスフィン、トリエチルホスフィン、トリフェニルホス
フィン、メチルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニ
ルホスフィンなどの第三ホスフィンを例示することがで
きる。

第１製法に使用するアゾ化合物としては、アゾジカルボ
ン酸ジメチル、アゾジカルボン酸ジエチルなどの７ゾジ
力ルボン酸ジ低級アルキルエステルを例示することがで
きる。

また、第１製法で使用するアジド化剤としては。

ジフェニルリン酸アジド、ジエチルリン酸アジドなどの
リン酸アジドのアリールまたはアルキルエステルおよび
アジ化水素を例示することができる。

反応溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジエチルエー
テル、ジメチルエーテル、ジオキサン、塩化メチレン、
クロロホルム、四塩化炭素などの溶媒を使用することが
できる。

反応は、前記式（１）化合物１モルに対して。

ホスフィン類、アゾ化合物およびアジド化剤をそれぞれ
２〜５倍モル使用し１反応溶媒中、０〜３０℃で１〜１
０時間撹拌反応させることにより実施することができる
。

かくして得られる式（ＩＩ）化合物は必要によりＲ１で
表わされる電子吸引性置換基ならびに／またはＲ３およ
びＲ４で表わされる水酸基の保護基を除去して式Ｃｍ）
化合物を得る。

Ｒ２で表わされる電子吸引性置換基とＲ３およびＲ４で
表わされる水酸基の保護基の除去は、使用した置換基お
よび保護基の除去法として常用されている方法に準じて
行えばよい、たとえば、Ｒ２としてアシル基を使用した
場合にはメタノール／アンモニアなどのアルコール性ア
ンモニア、濃アンモニア水などを用いるアルカリ性加水
分解反応によりアシル基を除去することができる。また
、Ｒ３およびＲ４の水酸基の保護基としてシリル基を使
用した場合には塩酸−テトラヒドロフラン−水を用いる
酸性加水分解反応、メタノール／アンモニアなどのアル
コール性アンモニアを用いるアルカリ性加水分解反応、
フッ化アンモニウム処理等によりシリル基を除去するこ
とができる。

かくして得られる式（ｍ）化合物は、ヌクレオシドの通
常の単離精製法（たとえば、再結晶法、吸着またはイオ
ン交換クロトマグラフイー処理など）により単離精製す
ることができる。

ＩＦ、　　２ｆＢ法　式　■　　合物→式　■　　ム物
本発明の第２製法は式（ＩＩ）化合物のＲ２で表わされ
る電子吸引性置換基ならびに／またはＲ３およびＲ４で
表わされる水酸基の保護基を除去して式（ＩＩＩ）化合
物を得、該化合物を還元反応に付して式〔■〕、化合物
を得るものである。

式（ＩＩ）化合物のＲ２で表わされる電子吸引性置換基
ならびに／またはＲ３およびＲ４で表わされる水酸基の
保護基の除去は上述した第１製法の置換基および保護基
の除去操作と同様に行うことができる。

式（ＩＩＩ）化合物から式（ＩＶ）化合物を調製するた
めの還元反応は、アジド基をアミノ基に還元できる方法
であれば特に制限されない。

具体的には、水素化アルミニウムリチウムなどの還元剤
または水素気流下、酸化白金（■）、パラジウム炭素（
Ｐｄ／Ｃ）などの触媒を使用し、メタノール、エタノー
ルなどのアルコール溶媒中、室温で撹拌反応させること
によりアジド基をアミノ基に還元することができる。

反応後、目的化合物である式（ｒＶ）化合物は。

ヌクレオシドの通常の単離精製法（たとえば、再結晶法
、吸着またはイオン交換クロマトグラフィー法など）に
より単離精製することができる。

ＩＩｌ、　　３　　法　式　［［、ｍ物→式　■Ａ本発
明の第３１Ｂ法は、式（ＩＩ］化合物のＲ２で表わされ
る電子吸引性置換基を除去した後、塩基部４位のオキソ
基をアミノ化し、必要によりＲ３およびＲ４で表わされ
る水酸基の保護基を除去して式（Ｖ）化合物を得るもの
である。

式（ＩＩ）化合物のＲ２で表わされる電子吸引性置換基
の除去は第１製法と同様にして行うことができる。

塩基部４位のオキソ基のアミノ化方法としては。

たとえば、■４−０１−リメチルシリルウラシル誘導体
を中間体として経由する方法（西独特許第２１２２９１
号など参照）、■４−ハロゲノーピリミジー２　（ＩＨ
）−オン誘導体を中間体として経由する方法（Ｎｕｃｌ
ｅｉｃ　Ａｃ１ｄ　Ｃｈｅａ＋１ｓｔｒｙ、　Ｐａｒｔ
　１　。

２２３　（１９７８）　Ｊｏｈｎ　ｗｉｌｅｙ　＆　５
ｏｎｓ、　Ｉｎｃ、など参照）、■４−０−アルキルウ
ラシル誘導体を中間体として経由する方法（Ｊ、Ｍｅｄ
、Ｃｈｅｍ、、　２４　。

７４３（１９８１）など参照）、■４−０−有機スルホ
ニウムウラシル誘導体を中間体として経由する方法（特
開昭６２−８９６６７号公報など参照）、■４−ピリジ
ニウムーピリミジー２（ＬＨ）−オン誘導体を中間体と
して経由する方法（Ｃｈｅ＋＊１ｃａＳｃｒｉｐｌａ、
　２６　、３　（１９８６）など参照）、■４−（トリ
アシー１−イル）−ピリミジ−２（ＩＨ）−オン誘導体
を中間体として経由する方法（Ｊ、Ｃ，Ｓ、Ｐｅｒｋｉ
ｎｌ　、　１１７１　（１９８２）など参照）、■４−
（３−メチル−イミダゾ−１−イル）−ピリミジ−２（
ＩＨ）−オン誘導体を中間体として経由する方法（Ｃｈ
ａｍ、Ｐｈａｒｍ、Ｂｕｌｌ、、　３３　＋２５７５　
（１９８５）など参照）などがすでに報告されており、
こられの公知の方法を適宜応用することにより塩基部４
位のオキソ基をアミノ基に変換することができる。

また、Ｒ３およびＲ９で表わされる水酸基の保護基を除
去する必要がある時には、第１製法と同様の方法により
除去することができる。

このようにして調製した式（Ｖ）化合物は、ヌクレオシ
ドの通常の単離精製法（再結晶法、吸着またはイオン交
換クロマトグラフィー法など）により単離精製すること
ができる。

ｒＶ、　　４製法　式　■　化ム物→式（Ｖｌ）　　金
物）本発明の第４製法は、式（ＩＩ）化合物のＲ２で表
わされる電子吸引性置換基を除去した後、塩基部４位の
オキソ基をアミノ化し、必要によりＲ３およびＲ４で表
わされる水酸基の保護基を除去して式（Ｖ）化合物を得
、これをさらに還元反応に付して式（ＶＩ）化合物を得
るものである。

式（Ｖ）化合物の調製は第３製法と同様にして行うこと
ができる。また式（Ｖ）化合物の還元は第２１１法の還
元反応と同様に行うことができる。

かくして得られた式［ＶＩ］化合物はヌクレオシドの単
離精製手段（たとえば、再結晶法、吸着またはイオン交
換クロマトグラフィー法など）により単離精製すること
ができる。

以下、参考例、実施例を示し１本発明を具体的に説明す
る。

参考例Ｉ　　Ｎ’−ベンゾイル−３’　、５’　−０−
テトライソプロビルジシロキサニルウリジン ■　ウリジン１２．２ｇ　（５０ｍ■０１）をピリジン
７０ｒｎＱに溶解させ、アルゴン気流下０℃に冷却後、
１．３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピ
ルジシロキサンｌ　９ＩＩＩＪ２（６０ｍｍｏｌ）を滴
下して室温で４時間撹拌反応させた。

反応後１反応液を減圧下留去し、酢酸エチルおよび水で
分配し、酢酸エチル層を減圧上濃縮後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー〔溶出溶媒：ヘキサン：酢酸エチ
ル＝４〜２：１〕で精製して３’　、５’　−０−テト
ライソプロビルジシロキサニルウリジン２０．８ｇ　（
収率８６％）を得た。

’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＩ、） δｐｐｍ：　１．０７　（２８Ｈ，ｍ、テトライソプロ
ビルジシロキサニル）、ａ、０９（ＩＨ，ｂ　ｒ、ｓ、
２’　−ＯＨ，Ｄ、○添加で消失）、４．０６〜４．２
７　（５Ｈ。

ｍ、　２’、　３’、　４’、　５’、　５’　−Ｈ）
、５．７４　（２Ｈ，ｄ、１’　、５−Ｈ）、７．６９
　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８．０６Ｈｚ。

６−Ｈ）、８．７４　（ＬＨ，ｂ　ｒ、ｓ。

３−ＮＨ，Ｄ、Ｏ添加で消失） ■　３’　、５’　−０−テトライソプロビルジシロキ
サニルウリジン１５ｇ　（３０，９ｍｍｏｌ）を塩化メ
チレン１６０ｄに溶解させ、アルゴン気流下０℃に冷却
後、トリエチルアミン５．１＋ｄ　（３６，７＋ａｍｏ
ｌ）および塩化メチレン４ｍＱに塩化ベンゾイル４ｍｊ
ｌ　（３４，６１１１ＯＬ）を溶解させた溶液を順次滴
下し、室温で６時間撹拌反応させた。

反応後１反応液をクロロホルムで希釈し、　０．０１Ｎ
塩酸溶液、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順
に洗浄後、クロロホルム層を減圧上濃縮した。得られた
残渣はシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒
：ヘキサン：酢酸エチル＝３〜５：１）で精製してＮ３
−ベンゾイル−３′５′−〇−テトライソプロビルジシ
ロキサニルウリジン１２．６ｇ　（収率６９％）を得た
。

ＥＩ−ＭＳ　（ｍ／ｚ）５９０　（Ｍ”）、５４７　（
Ｍ＋−イソプロピル） ”Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＩ、） δＰＰ０Ｉ：　１．０７　（２８Ｈ，ｍ、テトライソプ
ロビルジシロキサニル）、３．９４（ＩＨ＋ｂｒ、ｓ、
２′−〇Ｈ，Ｄ、○添加で消失）、４．０６〜４．３６
　（５Ｈ。

ｍ、２’　、３’　、４’　、５’　、５’−Ｈ）。

５．７６　（ＬＨ，ｓ、１’−Ｈ）。

５．８０　（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝８．０６Ｈｚ。

５−Ｈ）、７．４９〜７．９７　（５Ｈ。

ｍ、ベンゾイル）　、７．７９　（ＩＨ，ｄ。

Ｊ＝８．０５Ｈｚ、６−Ｈ）ＵＶ　　λｗａｘ　（メタノール中）２５４．３ｎｍ（中性）２５４．７ｎｍ（酸性）参考例２ ■　リボフラノシルチミン８．０１　ｇ　（３０ｍｍｏ
ｌ）。

１．３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピ
ルジシロキサン１０．４ｍＱ　（３３ｍｍｏｌ）および
ピリジン２０ｍ１２を■いて参考例１の■と同様に反応
させて１−（３，５−〇−テトライソプロピＪレジシロ
キサニル−β−Ｄ−リボフラノシル）チミン１２．５ｇ
　（収率８３％）を得た。

”Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＩ、） δｐｐｍ：　１．０６　（２８Ｈ，ｍ、テトライソプロ
ビルジシロキサニル）、１．９５（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝１．
２２Ｆｌｚ、５−ＣＨ，）、３．２３　（ＩＨ，ｂｒ、
ｓ、２’−ＯＨ）、４、１３〜４．４２　（５Ｈ，ｍ、
２’３’　、４’　、５’　、５’−Ｈ）、５．７１（
ＩＨ，ｓ、ｌ’−Ｈ）、７．３９　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝１
．２２Ｈｚ、６−Ｈ）、８．９６　　（ＩＨ，ｂｒ、ｓ
、３−ＮＨ）■　１−（３，５−〇−テトライソプロビ
ルジシロキサニル−β−Ｄ−リボフラノシル）チミン２
、５　ｇ　（５ｍｏｌ）　、トリエチルアミン０．９−
（６，４７＋ｓｍｏＬ）−および塩化ベンゾイル０．６
４ｍＱ　（５、５４ｍｍｏｌ）を用いて参考例１の■と
同様に反応させてＮ３−ベンゾイル−１−（３，５−Ｏ
−テトライソプロビルジシロキサニル−β−り一リボフ
ラノシル）チミン１．８４ｇ　（収率６１％）を得た。

Ｅ　Ｉ−ＭＳ　（ｍ／ｚ）６０５　（Ｍ”＋１）、５６
１（Ｍ　＋−イソプロピル） ”Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ１，） δｐｐｍ：　１．０５〜１．１１　（２８Ｈ，ｍ、テト
ライソプロビルジシロキサニル）。

１．９６（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝１．２２Ｈｚ、５−ＯＨ５）
、　２．８３　（ＩＨ，ｂ　ｒ、　ｓ　ｒ２’−ＯＨ，
ＤｔＯ添加で消失）、４．０６〜４．２３　（５Ｈ，ｍ
ｓ　２’　、３’　、４’５’　、５’−Ｈ）、５．７
５　（ＬＨ，ｄ。

Ｊ＝０．７３１１ｚ、１’　　−Ｈ）　　、７．４８〜
７．９７　（６Ｈ，ｍ、６−Ｈおよびベンゾイル）ＵＶ　　λｎ＋ａ叉（メタノール中）２５３．５ｎｍ実施例　Ｉ　　Ｎ’−ベンゾイル−１−（２−アジド−
２−デオキシ−３，５−○−テトライソプ゛ロビルジシロキサニルー β−Ｄ−アラビノフラノシル）ウラシルＮコーペンゾイル−３’　、５’　−〇−テトライソプ
ロビルジシロキサニルウリジン１．２ｇ　（２ｍｍｏｌ
）およびトリフェニルホスフィン２．０５ｇ（８ｍｍｏ
ｌ）をテトラヒドロフラン２０ｄに溶解させ、アルゴン
気流下、０℃に冷却後、アゾジカルボン酸ジエチル１　
、２ｄ　（８ｍｍｏｌ）およびアンモニア／ベンゼン（
Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ、　Ｖｏｌ、　３
　。

３２７　（１９５５）Ｊｏｈｎｖｉｌａｙ　＆　５ｏｎ
ｓ　Ｉｎｃ、　）４．７−をテトラヒドロフラン１０−
に溶解させたものを滴下し、室温で３時間撹拌反応させ
た。

反応後１反応液を減圧上濃縮し、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（溶出溶媒：ベンゼン：酢酸エチル＝２
０〜３０：１）で精製してＮ１ベンゾイル−１−（２−
アジド−２−デオキシ−３，５−〇−テトライソプロビ
ルジシロキサニル−β−Ｄ−アラビノフラノシル）ウラ
シル７６２■（収率６２％）を得た。

融点　９８〜１００℃ 元素分析　ＣｚｓＨ４ｔＮｓｏｔｓ　ｉ２として計算値
（％）　Ｃ：５４．６１．　　Ｈ：６．７１．　　Ｎ：
１１．３７分析値（％）Ｃ：５４．５３．　　Ｈ：６．
７５．　Ｎ：１１．２１ＬＨ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２） δｐｐｍ：　１．０７　（２８Ｈ，ｍ、テトライソプロ
ビルジシロキサニル）、３．７６〜４．５１　（５Ｈ，ｍ、２’　、３’　、４’５’　、
５’−Ｈ）、５．８０　（ＩＨ，ｄ。

Ｊ＝９．３Ｈｚ、５−Ｈ）、６．２４　（ＬＨ，ｄ、Ｊ
＝６．８６）１ｚ、１’−Ｈ）、７．５１　（ＬＨ，ｄ
、Ｊ＝９．３２Ｈｚ。

６−Ｈ）、７．４０〜８．００　（５Ｈ。

ｍ、ベンゾイル）ＩＲ（ヌジョール法）２１００　ａｓ−’　（−Ｎｓ＞ＤＩ−ＭＳ　（ｍ／ｚ）６１５　（Ｍ”）。

５８７（Ｍ÷−Ｎ　ｍ　）実施例　２ｌ−（２−アジド−２−デオキシ−３，５−
０−テトライソプロビルジシロキサ二層−β−Ｄ−アラビノフラノシル）ウラシルＮ３−ベンゾイル−３’　、５’　−０−テトライソプ
ロビルジシロキサニルウリジン６００■（１ｍｍｏｌ）
およびトリフェニルホスフィンＩｇ（３，８ｍｍｏｌ）
をテトラヒドロフラン１０−に溶解させ、アルゴン気流
下０℃に冷却後、アゾジカルボン酸ジエチル０．５９−
およびアジドリン酸ジフェニル０　、８３ｍＪ２（３、
８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５−に溶解させたも
のを滴下し、室温で５時間撹拌反応させた１反応後１反
応液を減圧上濃縮後。

シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ベン
ゼン：酢酸エチル＝４０〜６０：１）で精製してＮ３−
ベンゾイル−１−（２−アジド−２−デオキシ−３，５
−〇−テトライソプロビルジシロキサニル−β−Ｄ−ア
ラビノフラノシル）ウラシル４５４ＩＩｇ（収率７４％
）を得た。

Ｎ３−ベンゾイル−１−（２−アジド−２−デオキシ−
３，５−０−テトライソプロビルジシロキサニル−β−
Ｄ−アラビノフラノシル）ウラシル２．５ｇ　（４，１
ｍｍｏｌ）をメタノール６０−に溶解させ、０℃に冷却
後、濃アンモニア水２ｏ−を加えて室温で１．５時間撹
拌反応させた０反応後、溶媒を留去し、得られた残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキ
サン：酢酸エチル＝１〜３：１）で精製して１−　（２
−アジド−２−デオキシ−３，５−０−テトライソプロ
ビルジシロキサニル−β−Ｄ−アラビノフラノシル）ウ
ラシル１．９７ｇ　（収率９４％）を得た。

融点：１５６〜１５７℃ 元素分析　Ｃ，１Ｈ，、Ｎ、Ｏ，Ｓｉ、・１／２Ｈ，Ｏ
として計算値（幻Ｃ：４８．４３．　　）Ｉニア、３５．　Ｎ
：Ｉ３．４５分析値（％）Ｃ：４８．６９．　　Ｈニア
、２７．　Ｎ：１３．２２″Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ１，） δｐＰｍ：　Ｉ　、　０７　（２８Ｈ，ｍ、テトライソ
プロビルジシロキサニル）、３．８３〜４．３２　（５Ｈ，ｍ、２’　、３’　、４’５’　、
５’−Ｈ）、５．７１　　（ＩＨ，ｄ。

Ｊ＝８．０５Ｈｚ’、５−Ｈ）　、６．２５（ＩＨ，ｄ
、Ｊ＝６．１０）１ｚ、１’　−Ｈ）、７．６３　（Ｌ
Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．０６）１ｚ。

６−Ｈ）、８．３６　（ＩＨ，ｂ　ｒ、ｓ。

３−ＮＨ，Ｄ、Ｏ添加で消失）ＩＲ（ヌジョール法）２１９０　＞−”　（−Ｎａ　）ＵＶ（メタノール中） λｗａｘ　　２６０ｎｍ（中性）、２６１ｎｍ（酸性）
ＤＩ−ＭＳ　（ｍ／ｚ）５１０　（Ｍ÷−１）。

４８２　　（Ｍ＋−Ｎ、−１）実施例　３ｌ−（２−アジド−２−デオキシ−β−Ｄ−
アラビノフラノシル）シトシン１．２．４−トリアゾール６、２ｇ　（９０ｍｍｏｌ）
をアセトニトリル６０−に溶解させたものに、トリエチ
ルアミン１２　、６　ｉｖｌ　（９０ｍｍｏｌ）を滴下
し、０℃に冷却後、オキシ塩化リン２．８ｍＮ（３０ｍ
ｍｏｌ）を加えて室温で３０分間反応させた。

反応液の沈澱物を濾去後、濾液２５−に実施例２で得ら
れた１−（２−アジド−２−デオキシ−３，５−０−テ
トライソプロビルジシロキサニル−β−Ｄ−アラビノフ
ラノシル）ウラシル６１０ｗｒｇ　（１、１９ｍｍｏｌ
）を加えて室温で１９時間撹拌反応させた６反応後１反応液を濃縮し、酢酸エチル−５％炭酸水素ナ
トリウム水溶液で分配後、有機層を分取し、溶媒を留去
した。得られた残渣をアセトニトリル２０−に溶解させ
、これに濃アンモニア水２０−を加えて室温で７時間撹
拌反応させた。

反応後、反応液の溶媒を留去して得られた残渣を酢酸エ
チル−水で分配し、酢酸エチル層を濃縮後、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン：酢酸
エチル＝１〜２：ｌおよび１〜２％エタノール／クロロ
ホルム）で精製して１−（２−アジド−２−デオキシ−
３，５−０−テトライソプロビルジシロキサニル−β−
Ｄ−アラビノフラノシル）シトシン４８８ｍｇ（収率８
゜％）を得た。

融点　１７８℃ ’Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、） δｐｐ■：　１．０５　（２８Ｈ，ｍ、テトライソプロ
ビルジシロキサニル）、３゜８８〜４．１６　（４Ｈ＋　ｍ、３’　ｙ　４’　ｅ　５’５
’−Ｈ）、４．６３　（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝７．０８Ｈｚ
、２’−Ｈ）、５．７０（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝７．５７Ｈｚ
、５−Ｈ）、６．２１（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝６．８４Ｈｚ。

１’−Ｈ）’、７．２１　（２Ｈ，ｂ　ｒ、ｓ。

４−ＮＨ，、Ｄ、Ｏ添加で消失）。

７．４６　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝７．０８Ｈｚ。

６−Ｈ）ＩＲ（ヌジョール法）３１５０〜３３００（！ｌ−’　（ＮＨ伸縮）、２１０
０ｃｓ−”　　（−Ｎ、）　　、　　１６３０ｃｍ−″
　（ＮＨ変角）　、１０３０ｃｓ−’　（ＣＮ−）Ｄ　
Ｉ−ＭＳ　　（ｍ／　ｚ）　　５１０　　（Ｍ”）４８
　２　　（Ｍ”−ＮりＵＶ（メタノール中） λ＋ｉａｘ　　２７１ｎ■（中性）、２８０ｎ膳（酸性
）２７０ｎｍ（アルカリ性）１−（２−アジド−２−デオキシ−３，５−０−テトラ
イソプロビルジシロキサニル−β−Ｄ　−アラビノフラ
ノシル）シトシン２１６■（０，４２ｍｍｏｌ）をテト
ラヒドロフランＬｏｗｄ１に溶解させ。

０℃に冷却後、１Ｍテトラブチルアンモニウムフルオリ
ド／テトラヒドロフラン溶液０．８ｄを滴下して室温で
４５分間撹拌させた。

反応液、反応溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：０〜４０％エタ
ノール／クロロホルム）で精製して１−（２−アジド−
２−デオキシ−β−Ｄ−アラビノフラノシル）シトシン
１１４■（収率１００％）を得た。

融点　１６５℃（塩酸塩として）元素分析　Ｃ！Ｈ１ｍＮ＠０４・ＭＣＩとして計算値（
％）Ｃ：３４．４８．　　Ｈ：４．３０．　Ｎ：２７．
５８分析値（％）Ｃ：３５．２３．　　）ｌ：４．２９
．　Ｎ：２７．２０”Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、） δｐｐｍ：　３．６４〜３．８７　（３Ｈ，ｍ、４’５
’　、５’−Ｈ）、４．１５　（ＬＨ，ｍ。

３’−Ｈ，Ｄ、Ｏ添加で３．９７　（ＩＨ。

ｄ　ｄ　、　Ｊ　＝５．６１Ｈｚ、−５，８６Ｈｚ、　
３’−Ｈ）に変化）、４．３１　（ＬＨ，ｄｄ。

Ｊ＝５．８６Ｈｚ、５．６２ｆｌｚ、２’−Ｈ）、５．
０６　（ＬＨ，ｂ　ｒ、ｓ、５’−０Ｈ）、５．７４　
（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝７．５７Ｈｚ、。

５−Ｈ）５．８２　（ＩＨ，ｂ　ｒ、ｓ、３’−〇Ｈ，
Ｄ、Ｏ添加で消失）、６．１４（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝５．８
６Ｈｚ、１’−Ｈ）。

７．１８　（２Ｈｐ　ｂｒｔ　ｓｌ　４−ＮＨ２ｐＤ、
Ｏ添加で消失）、７．７１　（ＩＨ。

ｄ、Ｊ＝７．３２Ｈｚ、６−Ｈ）ＦＡＢ−ＭＳ　　　　２６９　　（Ｍ＋）実施例　４ｌ
−（２−アミノ−２−デオキシ−β−Ｄ−アラビノフラ
ノシル）シトシン実施例３で得た１−（２−アジド−２−デオキシ−β−
Ｄ−アラビノフラノシル）シトシン１、５０ｍｇ　（０
，５６ｍｍｏｌ）を１０％パラジウム炭素２０■および
ＩＮ塩酸存在下、エタノール２゜−中で接触還元を行っ
た。

反応後１反応液をセライトで濾過後、溶媒を留去し、得
られた残渣をエタノールで共沸させて１−（２−アミノ
−２−デオキシ−β−Ｄ−アラビノフラノシル）シトシ
ン１６５■（収率９４％）を得た。

融点　１９２℃（塩酸塩として） ”Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ、○） δＰｐ＋＊：　３．８５　（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝１２．８
゜３．３０Ｈｚ、５’−Ｈａ）、３．９９（ＬＨ，ｄｄ
、Ｊ＝１２．８，２．２０Ｈｚ、５’−Ｈｂ）、４．１
９　（ＬＨ。

ｄｄｄ、Ｊ＝５．５０，３．３０，２．２０Ｈｚ。

４’−Ｈ）、４．２３　　（ＬＨ，ｔ、Ｊ＝５．５０１
（ｚ、３’−Ｈ）、４．４８　　（ＩＨ，ｔ　、Ｊ　＝
　５．５Ｈｚ、２’　　−Ｈ）　　、６．２２　　（Ｌ
Ｈ，Ｊ　＝５．５Ｈｚ、１’Ｈ）、６．２９　　（ＬＨ
，ｄ、Ｊ、＝７．９Ｈｚ、５＝Ｈ）、８．２０　　（１
Ｂ、ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、６−Ｈ）実施例　５　　Ｎ３−ベンゾイル−１−（２−アジド−
２′−デオキシ−３，５−○− テトライソプロビルジシロキサニル −β−Ｄ−アラビノフラノシル）チミン参考例２で調製したＮ３−ベンゾイル−１−（３，５−
〇−テトライソプロビルジシロキサニル−β−Ｄ−リボ
フラノシル）チミン３　ｇ　（５ｍｍｏｌ）およびトリ
フェニルホスフィン３．９ｇ　（１５ｍｇ＋ｏｌ）をテ
トラヒドロフラン６０−に溶解させ、アルゴン気流下、
０℃に冷却後、アゾジカルボン酸ジエチル２．３ｍＭ　
（１５＋ｍｍｏｌ）およびアジドリン酸ジフェニル３．
２３−（１５ａ＋ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１５−
に溶解させたものを滴下した。

滴下終了後１反応液を室温にもどし、４時間撹拌反応さ
せた。

反応後、溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン：酢酸エチ
ル＝５〜６：１）で精製してＮ１−ベンゾイル−１−（
２−アジド−２−デオキシ−３，５−０−テトライソプ
ロビルジシロキサニル−β−Ｄ−アラビノフラノシル）
チミン２．２ｇ（収率７ｏ％）を得た。

融点　１２４〜１２６℃ １Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２） δｐｐｍ：　１．１１　（２８Ｈ，ｍ、テトライソプロ
ビルジシロキサニル）、ｉ、９７（３Ｈ，ｄ　、　Ｊ　
＝　０　、９８）１ｚ、　５　　ＣＨ３）、４．１１〜
４．３１　（５Ｈ，ｍ、２’３’　、４’　、５’　、
５’−Ｈ）、６．２６（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝６．３４Ｈｚ、
１’　　Ｈ）、７．４０〜７．９９　（６Ｈ，ｍ、６−
Ｈ。

ベンゾイル）ＩＲ（ヌジＪ−ル法）２１２０　ｃｍ−’　（Ｎ５）Ｅ　Ｉ　−ＭＳ　（ｍ／　ｚ）　６２９　（Ｍ”）６０
１（Ｍ÷−Ｎ２）実施例　６ｌ−（２−アジド−２−デオキシ−β−Ｄ−
アラビノフラノシル）チミン参考例２で得たＮ１−ベンゾイル−１−（３゜５−〇−
テトライソプロビルジシロキサニル−β−Ｄ−リボフラ
ノシル）チミン１．２１ｇ　（２ｍｍｏｆ）　オよびト
リフェニルホスフィン７８６■（３■■ｏｌ）をテトラ
ヒドロフラン１０−に溶解させたものをアルゴン気流下
０℃に冷却後、アゾジカルボン酸ジエチル０．８ｍＡ　
（５，２ｍ＋５ｏｌ）およびアンモニア／ベンゼン２．
４ｍ１２を順次滴下し、室温で１５時間撹拌反応させた
。

反応後、溶媒を留去して得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン：酢酸エチ
ル＝５〜６：１）で精製してＮ３−ベンゾイル−１−（
２−アジド−２−デオキシ−３，５−０−テトライソプ
ロビルジシロキサニル−β−Ｄ−アラビノフラノシル）
チミン７５３ＩＩｇ（収率６０％）を得た。

Ｎ３−ベンゾイル−１−（２−アジド−２−デオキシ−
３，５−０−テトライソプロビルジシロキサニル−β−
Ｄ−アラビノフラノシル）チミン７５０ｍ（（１，２ｍ
ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ＩＩＱに溶解させた
ものを０℃に冷却後、テトラブチルアンモニウムフルオ
リド２ｄを加え、室温で１０分間撹拌反応させた０反応
後、溶媒を留去して得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（溶出溶媒：２〜１０％エタノール／
クロロホルム）で精製してＮ３−ベンゾイル−１−（２
−アジド−２−デオキシ−β−Ｄ−アラビノフラノシル
）チミン４６５．（収率１００％）を得た。

’Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、） δｐｐｉｉ：　　１．　８７　　（３Ｈ，ｄ、　　Ｊ＝
０．　９８）１ｚ。

５−ＣＨ，）、３．１６〜３．８２　（３Ｈ，ｍ、４’
　　、５’　　、５’　　−Ｈ）。

４．１１（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝７．５７゜７．３２Ｈｚ、
３’−Ｈ）、４．９０　　（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝６．５９
，７．５７Ｈｚ。

２’−Ｈ）、５．２０〜６．６０　　（２Ｈ。

ｍ、Ｏｒ、ｂｒ、３’　　、５’　　−○Ｈ９Ｄ、Ｏ添
加で消失）、６．３５　（ＬＨ。

ｄ、Ｊ＝６．３５）１ｚ、１’　　−Ｈ）　　、７．５
４〜８．１０　　（６Ｍ、ｍ、６−Ｈ。

ベンゾイル）Ｎ３−ベンゾイル−１−（２−アジド−２−デオキシ−
β−Ｄ−アラビノフラノシル）チミン４６５ｍｇ　（１
，２ｍ＋ｍｏｌ）をメタノール５ｍＭに溶解させ、さら
に濃アンモニア水５−を加え、室温で１．５時間撹拌反
応させた。

反応後、溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロト
マグラフイー（溶出溶媒＝２〜２０％エタノール／クロ
ロホルム）で精製して１−（２−アジド−２−デオキシ
−β−Ｄ−アラビノフラノシル）チミン２９６１１ｇ（
収率７９％）を得た。

融点　１７２．４〜１７４℃ 元素分析　Ｃ１゜Ｈ１ｚ　Ｎ　ｓ　Ｏｓとして計算値（
％）Ｃ：４２．４１．　　ｔ（：４．６３．　Ｎ：２４
．７３分析値（％）　Ｃ：４２．４１．　　Ｈ：４．６
４．　　Ｎ：２４．５２Ｊ（−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、
） δｐｐ＠：　１．７７　（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝１．２２Ｈｚ
。

５−ＣＲ２）、３．６６　（３Ｈ，ｍ、４’５’　、５
’−Ｈ）、４−０５　（Ｉ　ＨＴ　ｂｒｑ　ｅ３’−Ｈ
）、４．４２　（ＬＨ，ｄｄ、２’−Ｈ）、５．２２　
（ＬＨ，ｂｒ、ｔ、５’−０Ｈ１Ｄ２０添加で消失）、
５．９１（ＩＨ，ｄ、２’−ＯＨ，Ｄ、Ｏ添加で消失）
、６．１４　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝６．３５Ｈｚ、１’−Ｈ）、７．７４　（ＬＨ，ｄ、Ｊ
＝１．２２Ｈｚ、６−Ｈ）、１１．３８　（ＩＨＩ　ｂ
ｒｌ　ｓｔ　３−ＮＨＩＤ、Ｏ添加で消失）ＩＲ（ヌジョール法）２１００ｃｍ−’　（Ｎ５）Ｅ　Ｉ　　Ｍ　Ｓ　（ｍ／　ｚ　）　２５５　（Ｍ”　
　Ｎ２）２４０（Ｍ÷−ＨＮ、）実施例　７ｌ−（２−アミノ−２−デオキシ−β−Ｄ−
アラビノフラノシル）チミン実施例５で得たＮ３−ベンゾイル−１−（２−アジド−
２−デオキシ−３，５−０−テトライソプロビルジシロ
キサニル−β−Ｄ−アラビノフラノシル）チミン１−７
６ｇ　（２，７９ｍａ＋ｏｌ）をメタノール３０ｍｆｌ
に溶解させたものを０℃に冷却後、濃アンモニア水１２
−を滴下し、室温で２時間撹拌反応させた。

反応後、溶媒を留去して得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（溶出溶媒：１〜２％エタノール
／クロロホルム）で精製して１−（２−アジド−２−デ
オキシ−３，５−０−テトライソプロビルジシロキサニ
ル−β−Ｄ−アラビノフラノシル）チミン１．３１ｇ　
（収率９０％）を得た。

融点　１４２〜１４３℃ 元素分析　Ｃ１Ｈ３ｓ　Ｎ＠　Ｏｓ　Ｓ　１　ａとして
計算値（％）（：：５０．２６．　　Ｈニア、４Ｂ、　
Ｎ：１３．３２分析値（％）Ｃ：５０．０６．　　）Ｉ
ニア、５７．　　Ｎ：１３，２２１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳ
Ｏ−ｄ＠） δｐｐｍ：　１．０４　（２８Ｈ，ｍ！テトライソプロ
ビルジシロキサニル）、　　１．７７　（３Ｈ，ｂ　ｒ
、ｓ、５−Ｃ）（３）、３．８８〜４．１９　　（４Ｈ
，ｍ、３’　、４’　、５’５’　−Ｈ）ＩＲ（ヌジョール法）２１８０　ｃｘ−”　（Ｎｓ）ＥＩ−ＭＳ　　（ｍ／ｚ）５２６　　（Ｍ÷＋１）４９
７　　（Ｍ＋−Ｎ、）１０％パラジウム炭素１１００１ｎをエタノール２０−
に加え、水素気流下、室温で１時間撹拌反応させたもの
に、１０−のエタノールに１−、（２−アジド−２−デ
オキシ−３，５−０−テトライソプロビルジシロキサニ
ル−β−Ｄ−アラビノフラ／シ／Ｌ／）　ｆミノ５６０
ｍｇ　（１、０７ｍｍｏｌ）を溶解させたものを加え、
さらに酢酸１−を滴下して室温で一夜撹拌反応させた。

反応後、反応液をセライトで濾過して得た濾液の溶媒を
留去、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
出溶媒：０〜２％エタノール／クロロホルム）で精製し
て１−（２−アミノ−２−デオキシ−３，５−○−テト
ライソプロビルジシロキサニル−β−Ｄ−アラビノフラ
ノシル）チミン４９０■（収率９２％）を得た。

融点　１３２℃ 元素分析　Ｃ２２Ｈ４１Ｎ３０＠　Ｓ　ｉ２として計算
値（％）Ｃ：５２．８７．　　Ｈ：８．２７．　　Ｎ：
８．４１分析値（％）Ｃ：５２．５８．　　Ｈ：８．２
９．　　Ｎ：８．２３”Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、） δｐｐｍ：　１．０４　（２８Ｈ，ｍ、テトライソプロ
ビルジシロキサニル）、１．７６　（３Ｈ，ｂ　ｒ、ｓ
、５−ＣＨｆｆ）、３．５８〜．３．９９　（５Ｈ，ｍ
、２’　、３’　、４’５’　、５’−Ｈ）、５．９２
　（ＬＨ，ｄ。

Ｊ＝６．８４Ｈｚ、１’−Ｈ）、７．２９（ＩＨ，ｂ　
ｒ、ｓ、６−Ｈ）、１１．２９（Ｌ　Ｈ９ｂ　ｒ　−ｓ
　−３ＮＨ−ＤｔＯ添加で消失）ＩＲ（ヌジョール法）３１３０〜３３００ａｓ−”　（−ＮＨ伸縮）Ｅ　Ｉ−
ＭＳ　（ｍ／　ｚ）　４９９　（Ｍ”）１−（２−アミ
ノ−２−デオキシ−３，５−０−テトライソプロビルジ
シロキサニル−β−Ｄ−アラビノフラノシル）チミン１
３０■（０，２６１１ａｏｌ）をテトラヒドロフラン７
−に溶解させ、これにＬＭテトラブチルアンモニウムフ
ルオリド０．６−を滴下して室温で１時間撹拌反応させ
た。

反応後、溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（溶出溶媒２２〜２０％エタノー
ル／クロロホルム）で精製して１−（２−アミノ−２−
デオキシ−β−Ｄ−アラビノフラノシル）チミン６３■
（収率９６％）を得た。

融点　２３７〜２３９℃ １Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ、） δｐｐｍ：　１．７９　（３Ｈ，ｓ、５−ＣＨ，）、３
．５８〜３．８８　（４Ｈ，ｍ、３’４’　　、５’　
　、５’−Ｈ）、４．２７　　（ＩＨ，ｍ、２’−Ｈ，
Ｄ、Ｏ添加で４．１５（ＬＨ，ｂ　ｒ’、ｔ、２’−Ｈ
）に変化）、６．０３　　（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝５．６２Ｈ
ｚ。

１’−Ｈ，○Ｈ，Ｄ、Ｏ添加で５．９５（ＬＨ，ｄ、Ｊ
＝５．６２Ｈｚ、１’　　−Ｈ）に変化）、７．７８　
（ＩＨ，ｓ、６−Ｈ）、８．４８　　（２Ｈ，ｂ’ｒ、
ｓ、２’−ＮＨ，。

Ｄ２ｏ添加で消失）　、１１．３４　（ＬＨ。

Claims

【特許請求の範囲】１）式〔 I 〕▲数式、化学式、表等があります▼〔 I
〕〔式中、Ｒ＾１は水素原子または低級アルキル基、Ｒ＾
２は電子吸引性置換基、Ｒ＾３およびＲ＾４はそれぞれ
独立のもしくは両者で単一の水酸基の保護基を示す〕で
表わされるウリジン誘導体をホスフィン類およびアゾ化
合物の存在下、アジド化剤と反応させて式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕〔式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾４は前記と同意義〕で表わされる
化合物を得、必要によりＲ＾２で表わされる電子吸引性
置換基ならびに／またはＲ＾３およびＲ＾４で表わされ
る水酸基の保護基を除去して式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕〔式中、Ｒ＾１は前記と同意義、Ｒ＾２′は水素原子ま
たは電子吸引性置換基、Ｒ＾３′およびＲ＾４′は水素
原子またはそれぞれ独立のもしくは両者で単一の水酸基
の保護基を示す〕で表わされる２′−アジド−２′−デ
オキシアラビノフラノシルウラシル誘導体を得ることを
特徴とする２′−アジド−２′−デオキシアラビノフラ
ノシルウラシル誘導体の製造法。２）請求項１記載の方法により得られる式〔II〕▲数式
、化学式、表等があります▼〔II〕〔式中、Ｒ＾１は水素原子または低級アルキル基、Ｒ＾
２は電子吸引性置換基、Ｒ＾３およびＲ＾４はそれぞれ
独立のもしくは両者で単一の水酸基の保護基を示す〕で
表わされる化合物を必要によりＲ＾２で表わされる電子
吸引性置換基ならびに／またはＲ＾３およびＲ＾４で表
わされる水酸基の保護基を除去した後、還元反応に付し
て式〔IV〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕〔式中、Ｒ＾１は前記と同意義、Ｒ＾２′は水素原子ま
たは電子吸引性置換基、Ｒ＾３′およびＲ＾４′は水素
原子またはそれぞれ独立のもしくは両者で単一の水酸基
の保護基を示す〕で表わされる２′−アミノ−２′−デ
オキシアラビノフラノシルウラシル誘導体を得ることを
特徴とする２′−アミノ−２′−デオキシアラビノフラ
ノシルウラシル誘導体の製造法。３）請求項１記載の方法により得られる式〔II〕▲数式
、化学式、表等があります▼〔II〕〔式中、Ｒ＾１は水素原子または低級アルキル基、Ｒ＾
２は電子吸引性置換基、Ｒ＾３およびＲ＾４はそれぞれ
独立のもしくは両者で単一の水酸基の保護基を示す〕で
表わされる化合物のＲ＾２で表わされる電子吸引性置換
基を除去した後、塩基部４位のオキソ基をアミノ化し、
必要によりＲ＾３およびＲ＾４で表わされる水酸基の保
護基を除去して式〔Ｖ〕▲数式、化学式、表等がありま
す▼〔Ｖ〕〔式中、Ｒ＾１は前記と同意義、Ｒ＾３′およびＲ＾４
′は水素原子またはそれぞれ独立のもしくは両者で単一
の水酸基の保護基を示す〕で表わされる２′−アジド−
２′−デオキシアラビノフラノシルシトシン誘導体を得
ることを特徴とする２′−アジド−２′−デオキシアラ
ビノフラノシルシトシン誘導体の製造法。４）請求項１記載の方法により得られる式〔II〕▲数式
、化学式、表等があります▼〔II〕〔式中、Ｒ＾１は水素原子または低級アルキル基、Ｒ＾
２は電子吸引性置換基、Ｒ＾３およびＲ＾４はそれぞれ
独立のもしくは両者で単一の水酸基の保護基を示す〕で
表わされる化合物のＲ＾２で表わされる電子吸引性置換
基を除去した後、塩基部４位のオキソ基をアミノ化し、
必要によりＲ＾３およびＲ＾４で表わされる水酸基の保
護基を除去して式〔Ｖ〕▲数式、化学式、表等がありま
す▼〔Ｖ〕〔式中、Ｒ＾１は前記と同意義、Ｒ＾３′およびＲ＾４
′は水素原子またはそれぞれ独立のもしくは両者で単一
の水酸基の保護基を示す〕で表わされる２′−アジド−
２′−デオキシアラビノフラノシルシトシン誘導体を得
、該シトシン誘導体を還元反応に付して式〔VI〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔VI〕〔式中、Ｒ＾１、Ｒ＾３′およびＲ＾４′は前記と同意
義〕で表わされる２′−アミノ−２′−デオキシアラビ
ノフラノシルシトシン誘導体を得ることを特徴とする２
′−アミノ−２′−デオキシアラビノフラノシルシトシ
ン誘導体の製造法。