JPH0348693A - 2′―置換―2′―デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌクレオシドの製造法 - Google Patents
2′―置換―2′―デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌクレオシドの製造法Info
- Publication number
- JPH0348693A JPH0348693A JP1183011A JP18301189A JPH0348693A JP H0348693 A JPH0348693 A JP H0348693A JP 1183011 A JP1183011 A JP 1183011A JP 18301189 A JP18301189 A JP 18301189A JP H0348693 A JPH0348693 A JP H0348693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- compound
- group
- represented
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000002718 pyrimidine nucleoside Substances 0.000 title description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 59
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 34
- -1 azo compound Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 claims description 31
- ISAKRJDGNUQOIC-UHFFFAOYSA-N Uracil Chemical class O=C1C=CNC(=O)N1 ISAKRJDGNUQOIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 13
- OPTASPLRGRRNAP-UHFFFAOYSA-N cytosine Chemical class NC=1C=CNC(=O)N=1 OPTASPLRGRRNAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims description 9
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000004043 oxo group Chemical group O=* 0.000 claims description 8
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 36
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 16
- DRTQHJPVMGBUCF-XVFCMESISA-N Uridine Chemical class O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(=O)NC(=O)C=C1 DRTQHJPVMGBUCF-XVFCMESISA-N 0.000 abstract description 15
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 abstract description 5
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 abstract description 5
- YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N trimethylphosphine Chemical compound CP(C)C YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- NCBFTYFOPLPRBX-UHFFFAOYSA-N dimethyl azodicarboxylate Substances COC(=O)N=NC(=O)OC NCBFTYFOPLPRBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- NCBFTYFOPLPRBX-AATRIKPKSA-N methyl (ne)-n-methoxycarbonyliminocarbamate Chemical compound COC(=O)\N=N\C(=O)OC NCBFTYFOPLPRBX-AATRIKPKSA-N 0.000 abstract description 2
- ASMQGLCHMVWBQR-UHFFFAOYSA-N Diphenyl phosphate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)(O)OC1=CC=CC=C1 ASMQGLCHMVWBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000003443 antiviral agent Substances 0.000 abstract 1
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- RWQNBRDOKXIBIV-UHFFFAOYSA-N thymine Chemical compound CC1=CNC(=O)NC1=O RWQNBRDOKXIBIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229940113082 thymine Drugs 0.000 description 16
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000012156 elution solvent Substances 0.000 description 14
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 12
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 10
- 125000001303 disiloxanyl group Chemical group [H][Si]([*])([H])O[Si]([H])([H])[H] 0.000 description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000003833 nucleoside derivatives Chemical class 0.000 description 9
- DRTQHJPVMGBUCF-PSQAKQOGSA-N beta-L-uridine Natural products O[C@H]1[C@@H](O)[C@H](CO)O[C@@H]1N1C(=O)NC(=O)C=C1 DRTQHJPVMGBUCF-PSQAKQOGSA-N 0.000 description 7
- 229940035893 uracil Drugs 0.000 description 7
- DRTQHJPVMGBUCF-UHFFFAOYSA-N uracil arabinoside Natural products OC1C(O)C(CO)OC1N1C(=O)NC(=O)C=C1 DRTQHJPVMGBUCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229940045145 uridine Drugs 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 6
- 239000002777 nucleoside Substances 0.000 description 6
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 6
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229940104302 cytosine Drugs 0.000 description 5
- FAMRKDQNMBBFBR-BQYQJAHWSA-N diethyl azodicarboxylate Substances CCOC(=O)\N=N\C(=O)OCC FAMRKDQNMBBFBR-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 5
- FAMRKDQNMBBFBR-UHFFFAOYSA-N ethyl n-ethoxycarbonyliminocarbamate Chemical compound CCOC(=O)N=NC(=O)OCC FAMRKDQNMBBFBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005377 adsorption chromatography Methods 0.000 description 4
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 238000001871 ion mobility spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N [azido(phenoxy)phosphoryl]oxybenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)(N=[N+]=[N-])OC1=CC=CC=C1 SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005904 alkaline hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N azide group Chemical group [N-]=[N+]=[N-] IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N benzoyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1 PASDCCFISLVPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000309464 bull Species 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- DDYAZDRFUVZBMM-UHFFFAOYSA-N chloro-[chloro-di(propan-2-yl)silyl]oxy-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CC(C)[Si](Cl)(C(C)C)O[Si](Cl)(C(C)C)C(C)C DDYAZDRFUVZBMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002668 chloroacetyl group Chemical group ClCC(=O)* 0.000 description 2
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002451 electron ionisation mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000007344 nucleophilic reaction Methods 0.000 description 2
- 125000003835 nucleoside group Chemical group 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004044 trifluoroacetyl group Chemical group FC(C(=O)*)(F)F 0.000 description 2
- 125000003774 valeryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUORGSXWPOMXJJ-UHFFFAOYSA-N 1-[azido(ethyl)phosphoryl]ethane Chemical compound CCP(=O)(CC)N=[N+]=[N-] UUORGSXWPOMXJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-triazole Chemical compound N1NC=CN1 SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006201 3-phenylpropyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- FECRKKQKJNKYNF-PXBUCIJWSA-N 4-amino-1-[(2r,3s,4s,5r)-3-amino-4-hydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]pyrimidin-2-one Chemical compound N[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(=O)N=C(N)C=C1 FECRKKQKJNKYNF-PXBUCIJWSA-N 0.000 description 1
- FEOYKPQEERVCAV-PXBUCIJWSA-N 4-amino-1-[(2r,3s,4s,5r)-3-azido-4-hydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]pyrimidin-2-one Chemical compound O=C1N=C(N)C=CN1[C@H]1[C@@H](N=[N+]=[N-])[C@H](O)[C@@H](CO)O1 FEOYKPQEERVCAV-PXBUCIJWSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241001024304 Mino Species 0.000 description 1
- 238000005903 acid hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005576 amination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000259 anti-tumor effect Effects 0.000 description 1
- 230000000840 anti-viral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000010531 catalytic reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 125000002946 cyanobenzyl group Chemical group 0.000 description 1
- GGSUCNLOZRCGPQ-UHFFFAOYSA-N diethylaniline Chemical compound CCN(CC)C1=CC=CC=C1 GGSUCNLOZRCGPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HASCQPSFPAKVEK-UHFFFAOYSA-N dimethyl(phenyl)phosphine Chemical compound CP(C)C1=CC=CC=C1 HASCQPSFPAKVEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005982 diphenylmethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005745 ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- NLFBCYMMUAKCPC-KQQUZDAGSA-N ethyl (e)-3-[3-amino-2-cyano-1-[(e)-3-ethoxy-3-oxoprop-1-enyl]sulfanyl-3-oxoprop-1-enyl]sulfanylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)\C=C\SC(=C(C#N)C(N)=O)S\C=C\C(=O)OCC NLFBCYMMUAKCPC-KQQUZDAGSA-N 0.000 description 1
- 238000004992 fast atom bombardment mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000003843 furanosyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- JUINSXZKUKVTMD-UHFFFAOYSA-N hydrogen azide Chemical compound N=[N+]=[N-] JUINSXZKUKVTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- UKVIEHSSVKSQBA-UHFFFAOYSA-N methane;palladium Chemical compound C.[Pd] UKVIEHSSVKSQBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000006053 organic reaction Methods 0.000 description 1
- RVVRADJOWNIVAV-UHFFFAOYSA-N oxolane;hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl.C1CCOC1 RVVRADJOWNIVAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N oxoplatinum Chemical compound [Pt]=O MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPGRMGOILBSUQC-UHFFFAOYSA-N phosphoryl azide Chemical class [N-]=[N+]=NP(=O)(N=[N+]=[N-])N=[N+]=[N-] CPGRMGOILBSUQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004309 pyranyl group Chemical group O1C(C=CC=C1)* 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004187 tetrahydropyran-2-yl group Chemical group [H]C1([H])OC([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N triethylphosphine Chemical compound CCP(CC)CC RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002221 trityl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C([*])(C1=C(C(=C(C(=C1[H])[H])[H])[H])[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Saccharide Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は2′−置換−2′−デオキシアラビノフラノシ
ルピリミジンヌクレオシド誘導体の製造法に関するもの
である。
ルピリミジンヌクレオシド誘導体の製造法に関するもの
である。
2′−アジド−2′−デオキシアラビノフラノシルシト
シン、2′−アミノ−2′−デオキシアラビノフラノシ
ルシトシンに代表される2′−置換−2′−デオキシア
ラビノフラノシルピリミジンヌクレオシド誘導体は、抗
ウィルス作用または抗腫瘍作用を有し、医薬としての開
発が期待される化合物群である(特表昭55−5004
41号公報参照)。
シン、2′−アミノ−2′−デオキシアラビノフラノシ
ルシトシンに代表される2′−置換−2′−デオキシア
ラビノフラノシルピリミジンヌクレオシド誘導体は、抗
ウィルス作用または抗腫瘍作用を有し、医薬としての開
発が期待される化合物群である(特表昭55−5004
41号公報参照)。
従来、2′−置換−21−デオキシアラビノフラノシル
ピリミジンヌクレオシド誘導体の調製は、あらかじめ糖
部2′位に置換基を導入した糖と核酸塩基との縮合反応
により行われている(RecentResults C
ancer Ras、、 74.78〜83 (198
0)、特表昭55−500441号公報など参照)。
ピリミジンヌクレオシド誘導体の調製は、あらかじめ糖
部2′位に置換基を導入した糖と核酸塩基との縮合反応
により行われている(RecentResults C
ancer Ras、、 74.78〜83 (198
0)、特表昭55−500441号公報など参照)。
しかし、従来の縮合反応による調製においては、調製目
的の天然のヌクレオシドと同じ立体構造を有するβ体以
外にもα体が生成し、目的化合物の単離収率が低下する
という問題点を有していた。
的の天然のヌクレオシドと同じ立体構造を有するβ体以
外にもα体が生成し、目的化合物の単離収率が低下する
という問題点を有していた。
また、ピリミジンヌクレオシドからの21−置換−2′
−デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌクレオシド
誘導体の合成が試みられているが、糖部2′位水酸基と
塩基部2位カルボニル基との分子内求核反応が優先して
目的とする化合物は取得されていないのが現状である(
Chem、Phar■。
−デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌクレオシド
誘導体の合成が試みられているが、糖部2′位水酸基と
塩基部2位カルボニル基との分子内求核反応が優先して
目的とする化合物は取得されていないのが現状である(
Chem、Phar■。
Bull、、 3 L、 1582 (1983)、
LisbigsAnn、Chem、、 78〜86 (
1978)など参照)。
LisbigsAnn、Chem、、 78〜86 (
1978)など参照)。
本発明者らは、ピリミジンヌクレオシドからの2′−置
換−2′−デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌク
レオシド誘導体の製造法を確立すべく研究を重ねた結果
、■糖部の3′位および5′位水酸基を保護基で保護し
、かつ塩基部のN3位を電子吸引性の置換基で保護した
式((]〔式中、R1は水素原子または低級アルキル基
、R8は電子吸引性置換基 R3およびR4はそれぞれ
独立のもしくは両者で単一の水酸基の保護基を示す〕で
表わされるウリジン誘導体を原料化合物として使用し、
該ウリジン誘導体をホスフィン類およびアゾ化合物の存
在下、アジド化剤と反応させることにより糖部2′位水
酸基と塩基部2位カルボニル基との分子内求核反応を起
こすことなく。
換−2′−デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌク
レオシド誘導体の製造法を確立すべく研究を重ねた結果
、■糖部の3′位および5′位水酸基を保護基で保護し
、かつ塩基部のN3位を電子吸引性の置換基で保護した
式((]〔式中、R1は水素原子または低級アルキル基
、R8は電子吸引性置換基 R3およびR4はそれぞれ
独立のもしくは両者で単一の水酸基の保護基を示す〕で
表わされるウリジン誘導体を原料化合物として使用し、
該ウリジン誘導体をホスフィン類およびアゾ化合物の存
在下、アジド化剤と反応させることにより糖部2′位水
酸基と塩基部2位カルボニル基との分子内求核反応を起
こすことなく。
式(■〕
よびR4で表わされる水酸基の保護基を除去して式(I
II) 〔式中、R1−R4は同意義〕で表わされる化合物が得
られること、0式(n)化合物を原料とし、公知の反応
を適宜応用することにより2′−アジドもしくはアミノ
−2′−デオキシアラビノフラノシルウラシル誘導体お
よび2′−アジドもしくはアミノ−2′−デオキシアラ
ビノフラノシルシトシン誘導体を調製できることを知見
し9本発明を完成した。
II) 〔式中、R1−R4は同意義〕で表わされる化合物が得
られること、0式(n)化合物を原料とし、公知の反応
を適宜応用することにより2′−アジドもしくはアミノ
−2′−デオキシアラビノフラノシルウラシル誘導体お
よび2′−アジドもしくはアミノ−2′−デオキシアラ
ビノフラノシルシトシン誘導体を調製できることを知見
し9本発明を完成した。
すなわち、第1の発明(以下「第1製法」という)は、
前記式(1)化合物をホスフィン類およびアゾ化合物の
存在下、アジド化剤と反応させて上記式(11)化合物
を得、必要によりR8で表わされる電子吸引性置換基な
らびに/またはR3お〔式中、R1は前記と同意義、R
”は水素原子または電子吸引性置換基、R”およびR”
は水素原子またはそれぞれ独立のもしくは両者で単一の
水酸基の保護基を示す〕で表わされる2′−アジド−2
′−デオキシアラビノフラノシルウラシル誘導体を得る
ことを特徴とする2′−アジド−2′−デオキシアラビ
ノフラノシルウラシル誘導体の製造法に関するものであ
る。
前記式(1)化合物をホスフィン類およびアゾ化合物の
存在下、アジド化剤と反応させて上記式(11)化合物
を得、必要によりR8で表わされる電子吸引性置換基な
らびに/またはR3お〔式中、R1は前記と同意義、R
”は水素原子または電子吸引性置換基、R”およびR”
は水素原子またはそれぞれ独立のもしくは両者で単一の
水酸基の保護基を示す〕で表わされる2′−アジド−2
′−デオキシアラビノフラノシルウラシル誘導体を得る
ことを特徴とする2′−アジド−2′−デオキシアラビ
ノフラノシルウラシル誘導体の製造法に関するものであ
る。
第2の発明(以下、「第2製法」という)は。
前記式〔■〕化合物を必要によりR2で表わされる電子
吸引性置換基ならびに/またはR3およびR4で表わさ
れる水酸基の保護基を除去した後、還元反応に付して式
(IV) 〔式中、R1、R”、R”およびR4′は前記と同意義
〕で表わされる2′−アミノ−2′−デオキシアラビノ
フラノシルウラシル誘導体を得ることを特徴とする2′
−アミノ−2′−デオキシアラビノフラノシルウラシル
誘導体の製造法に関するものである。
吸引性置換基ならびに/またはR3およびR4で表わさ
れる水酸基の保護基を除去した後、還元反応に付して式
(IV) 〔式中、R1、R”、R”およびR4′は前記と同意義
〕で表わされる2′−アミノ−2′−デオキシアラビノ
フラノシルウラシル誘導体を得ることを特徴とする2′
−アミノ−2′−デオキシアラビノフラノシルウラシル
誘導体の製造法に関するものである。
第3の発明(以下、「第3製法」という)は、前記式(
III化合物のR1で表わされる電子吸引性置換基を除
去した後、塩基部4位のオキソ基をアミノ化し、必要に
よりR3およびR4で表わされる水酸基の保護基を除去
して式(V) C式中、R1、R” およ、びR41は前記と同意義〕
で表わされる2′−アンド−2′−デオキシアラビノフ
ラノシルシトシン誘導体を得ることを特徴とする2′−
アジド−2′−デオキシアラビノフラノシルシトシン誘
導体の製造法に関するものである。
III化合物のR1で表わされる電子吸引性置換基を除
去した後、塩基部4位のオキソ基をアミノ化し、必要に
よりR3およびR4で表わされる水酸基の保護基を除去
して式(V) C式中、R1、R” およ、びR41は前記と同意義〕
で表わされる2′−アンド−2′−デオキシアラビノフ
ラノシルシトシン誘導体を得ることを特徴とする2′−
アジド−2′−デオキシアラビノフラノシルシトシン誘
導体の製造法に関するものである。
さらに第4の発明(以下、「第4製法」という)は、前
記式〔■〕化合物のR2で表わされる電子吸引性置換基
を除去した後、塩基部4位のオキソ基をアミノ化し、必
要によりR3およびR4で表わされる水酸基の保護基を
除去して上記式〔■〕化合物を得、該化合物を還元反応
に付して式〔■〕〔式中、R1、R” およびR”は前
記と同意義〕で表わされる2′−アミノ−2′−デオキ
シアラビノフラノシルシトシン誘導体を得ることを特徴
とする2′−アミノ−2′−デオキシアラビノフラノシ
ルシトシン誘導体の製造法に関するものである。
記式〔■〕化合物のR2で表わされる電子吸引性置換基
を除去した後、塩基部4位のオキソ基をアミノ化し、必
要によりR3およびR4で表わされる水酸基の保護基を
除去して上記式〔■〕化合物を得、該化合物を還元反応
に付して式〔■〕〔式中、R1、R” およびR”は前
記と同意義〕で表わされる2′−アミノ−2′−デオキ
シアラビノフラノシルシトシン誘導体を得ることを特徴
とする2′−アミノ−2′−デオキシアラビノフラノシ
ルシトシン誘導体の製造法に関するものである。
このような本願の第1〜第4の発明をフローチャートで
示せば以下のとおりである。
示せば以下のとおりである。
以下、本発明の製造法について詳細に説明する。
1、1法式■ ム→式■ 八
本発明の第1製法は、式(1)化合物をホスフィン類お
よびアゾ化合物の存在下、アジド化剤と反応させて式(
n)化合物を得、さらに必要によりR2で表わされる電
子吸引性置換基ならびに/またはR3およびR4で表わ
される水酸基の保護基を除去して式(III)化合物を
得る方法に関するものである。
よびアゾ化合物の存在下、アジド化剤と反応させて式(
n)化合物を得、さらに必要によりR2で表わされる電
子吸引性置換基ならびに/またはR3およびR4で表わ
される水酸基の保護基を除去して式(III)化合物を
得る方法に関するものである。
第1製法で使用する原料化合物は前記式El)で表わさ
れるものである。
れるものである。
式中、R1の低級アルキル基としてはメチル。
エチル、プロピル、i−プロピル等の炭素数1〜3のも
のが挙げられる。
のが挙げられる。
R2で表わされる電子吸引性置換基は、塩基部奸
N3位に導出入−能でN3位の窒素原子の孤立電子対を
吸引する性質を有するものであればよい、具体的には、
アセチル、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリフ
ルオロアセチル、メトキシアセチル、プロピオニル、n
−ブチリル、(E) −2−メチル−2−ブテノイル、
i−ブチリル、ペンタノイル、ベンゾイル、0−(ジブ
ロモメチル)ベンゾイル、0−(メトキシカルボニル)
ベンゾイル、L−フェニルベンゾイル、2.4’、6−
ドリメチルベンゾイル、ニードルオイル、L−アニソイ
ル、l−クロロベンゾイル、l−ニトロベンゾイル、α
−ナフトイルなどのアシル基、メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、t−ブトキシカルボニルなどのアル
キルオキシカルボニル凸などを例示することができる。
吸引する性質を有するものであればよい、具体的には、
アセチル、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリフ
ルオロアセチル、メトキシアセチル、プロピオニル、n
−ブチリル、(E) −2−メチル−2−ブテノイル、
i−ブチリル、ペンタノイル、ベンゾイル、0−(ジブ
ロモメチル)ベンゾイル、0−(メトキシカルボニル)
ベンゾイル、L−フェニルベンゾイル、2.4’、6−
ドリメチルベンゾイル、ニードルオイル、L−アニソイ
ル、l−クロロベンゾイル、l−ニトロベンゾイル、α
−ナフトイルなどのアシル基、メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、t−ブトキシカルボニルなどのアル
キルオキシカルボニル凸などを例示することができる。
また、R3およびR4の水酸基の保護基は、特に制限さ
れず、同一またはそれぞれ異なるものであってもよく、
さらに3′位および5′位水酸基を1つの保護基で同時
に保護できるものであってもよい。
れず、同一またはそれぞれ異なるものであってもよく、
さらに3′位および5′位水酸基を1つの保護基で同時
に保護できるものであってもよい。
そのような保護基としては、たとえば、アセチル、クロ
ロアセチル、ジクロロアセチル、トリフルオロアセチル
、メトキシアセチル、プロピオニル、n−ブチリル、(
E)−2−メチル−2−ブテノイル、i−ブチリル、ペ
ンタノイル、ペンゾイル、0−(ジブロモメチル)ベン
ゾイル、0−(メトキシカルボニル)ベンゾイル、旦−
フェニルベンゾイル、2,4.6−ドリメチルベンゾイ
ル、i−トルオイル、L−アニソイル、l−クロロベン
ゾイル、l−ニトロベンゾイル、α−ナフトイルなどの
アシル基、メトキシメチル、エトキシメチル、n−プロ
ポキシメチルなどのアルキルオキシメチル基、1−エト
キシエチル、1−メチル−1−メトキシエチルなどの置
換エチル基、ベンジル、フェネチル、3−フェニルプロ
ピル、L−メトキシベンジル、L−ニトロベンジル、■
−ハロペンシル、!−シアノベンジル、ジフェニルメチ
ル、トリフェニルメチル、αもしくはβ−ナフチルメチ
ル、α−ナフチルジフェニルメチルなどのアルアルキル
基、テトラヒドロピラン−2−イル、4−メトキシテト
ラヒドロビラン−4−イルなどのピラニル基、トリメチ
ルシリル、トリエチルシリル、↓−プロゼルジメチルシ
リル、互−ブチルジメチルシリル、メチルジー上−プチ
ルシブロビルジシロキサニルなどのシリル基、メトキシ
カルボニル、エトキシカルボニル、ニーブトキシカルボ
ニルなどのアルキルオキシカルボニル基などのヌクレオ
シドの水酸基の保護基として常用されているものを例示
することができる。
ロアセチル、ジクロロアセチル、トリフルオロアセチル
、メトキシアセチル、プロピオニル、n−ブチリル、(
E)−2−メチル−2−ブテノイル、i−ブチリル、ペ
ンタノイル、ペンゾイル、0−(ジブロモメチル)ベン
ゾイル、0−(メトキシカルボニル)ベンゾイル、旦−
フェニルベンゾイル、2,4.6−ドリメチルベンゾイ
ル、i−トルオイル、L−アニソイル、l−クロロベン
ゾイル、l−ニトロベンゾイル、α−ナフトイルなどの
アシル基、メトキシメチル、エトキシメチル、n−プロ
ポキシメチルなどのアルキルオキシメチル基、1−エト
キシエチル、1−メチル−1−メトキシエチルなどの置
換エチル基、ベンジル、フェネチル、3−フェニルプロ
ピル、L−メトキシベンジル、L−ニトロベンジル、■
−ハロペンシル、!−シアノベンジル、ジフェニルメチ
ル、トリフェニルメチル、αもしくはβ−ナフチルメチ
ル、α−ナフチルジフェニルメチルなどのアルアルキル
基、テトラヒドロピラン−2−イル、4−メトキシテト
ラヒドロビラン−4−イルなどのピラニル基、トリメチ
ルシリル、トリエチルシリル、↓−プロゼルジメチルシ
リル、互−ブチルジメチルシリル、メチルジー上−プチ
ルシブロビルジシロキサニルなどのシリル基、メトキシ
カルボニル、エトキシカルボニル、ニーブトキシカルボ
ニルなどのアルキルオキシカルボニル基などのヌクレオ
シドの水酸基の保護基として常用されているものを例示
することができる。
このような原料化合物(1)は、常法に従って調製する
ことができる。たとえばR2の電子吸引性置換基として
アシル基、’ R3およびR4の水酸基の保護基として
シリル基を例示して説明すれば、まず、ウリジンとウリ
ジン1モルに対して1〜5倍モルのシリル化剤(R3お
よびR4に対応するシリル酸の酸ハロゲン化物(たとえ
ば塩化物)または酸無水物)を反応溶媒(たとえば、ピ
リジン、ピコリン、ジエチルアニリン、トリブチルアミ
ン、トリエチルアミンなどの塩基性溶媒)中、0〜50
℃で1〜20時間反応させて糖部3′位および5′位の
水酸基がシリル基で保護された化合物を得1次いで該化
合物を該化合物1モルに対して1〜5倍モルのアシル化
剤(R2に対応する酸の酸ハロゲン化物または酸無水物
)を使用して上記と同様の塩基性溶媒中、0〜50℃で
1〜20時間反応させることにより式(1)で表わされ
る原料化合物を得ることができる。
ことができる。たとえばR2の電子吸引性置換基として
アシル基、’ R3およびR4の水酸基の保護基として
シリル基を例示して説明すれば、まず、ウリジンとウリ
ジン1モルに対して1〜5倍モルのシリル化剤(R3お
よびR4に対応するシリル酸の酸ハロゲン化物(たとえ
ば塩化物)または酸無水物)を反応溶媒(たとえば、ピ
リジン、ピコリン、ジエチルアニリン、トリブチルアミ
ン、トリエチルアミンなどの塩基性溶媒)中、0〜50
℃で1〜20時間反応させて糖部3′位および5′位の
水酸基がシリル基で保護された化合物を得1次いで該化
合物を該化合物1モルに対して1〜5倍モルのアシル化
剤(R2に対応する酸の酸ハロゲン化物または酸無水物
)を使用して上記と同様の塩基性溶媒中、0〜50℃で
1〜20時間反応させることにより式(1)で表わされ
る原料化合物を得ることができる。
第1製法に使用するホスフィン類としては、トリメチル
ホスフィン、トリエチルホスフィン、トリフェニルホス
フィン、メチルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニ
ルホスフィンなどの第三ホスフィンを例示することがで
きる。
ホスフィン、トリエチルホスフィン、トリフェニルホス
フィン、メチルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニ
ルホスフィンなどの第三ホスフィンを例示することがで
きる。
第1製法に使用するアゾ化合物としては、アゾジカルボ
ン酸ジメチル、アゾジカルボン酸ジエチルなどの7ゾジ
力ルボン酸ジ低級アルキルエステルを例示することがで
きる。
ン酸ジメチル、アゾジカルボン酸ジエチルなどの7ゾジ
力ルボン酸ジ低級アルキルエステルを例示することがで
きる。
また、第1製法で使用するアジド化剤としては。
ジフェニルリン酸アジド、ジエチルリン酸アジドなどの
リン酸アジドのアリールまたはアルキルエステルおよび
アジ化水素を例示することができる。
リン酸アジドのアリールまたはアルキルエステルおよび
アジ化水素を例示することができる。
反応溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジエチルエー
テル、ジメチルエーテル、ジオキサン、塩化メチレン、
クロロホルム、四塩化炭素などの溶媒を使用することが
できる。
テル、ジメチルエーテル、ジオキサン、塩化メチレン、
クロロホルム、四塩化炭素などの溶媒を使用することが
できる。
反応は、前記式(1)化合物1モルに対して。
ホスフィン類、アゾ化合物およびアジド化剤をそれぞれ
2〜5倍モル使用し1反応溶媒中、0〜30℃で1〜1
0時間撹拌反応させることにより実施することができる
。
2〜5倍モル使用し1反応溶媒中、0〜30℃で1〜1
0時間撹拌反応させることにより実施することができる
。
かくして得られる式(II)化合物は必要によりR1で
表わされる電子吸引性置換基ならびに/またはR3およ
びR4で表わされる水酸基の保護基を除去して式Cm)
化合物を得る。
表わされる電子吸引性置換基ならびに/またはR3およ
びR4で表わされる水酸基の保護基を除去して式Cm)
化合物を得る。
R2で表わされる電子吸引性置換基とR3およびR4で
表わされる水酸基の保護基の除去は、使用した置換基お
よび保護基の除去法として常用されている方法に準じて
行えばよい、たとえば、R2としてアシル基を使用した
場合にはメタノール/アンモニアなどのアルコール性ア
ンモニア、濃アンモニア水などを用いるアルカリ性加水
分解反応によりアシル基を除去することができる。また
、R3およびR4の水酸基の保護基としてシリル基を使
用した場合には塩酸−テトラヒドロフラン−水を用いる
酸性加水分解反応、メタノール/アンモニアなどのアル
コール性アンモニアを用いるアルカリ性加水分解反応、
フッ化アンモニウム処理等によりシリル基を除去するこ
とができる。
表わされる水酸基の保護基の除去は、使用した置換基お
よび保護基の除去法として常用されている方法に準じて
行えばよい、たとえば、R2としてアシル基を使用した
場合にはメタノール/アンモニアなどのアルコール性ア
ンモニア、濃アンモニア水などを用いるアルカリ性加水
分解反応によりアシル基を除去することができる。また
、R3およびR4の水酸基の保護基としてシリル基を使
用した場合には塩酸−テトラヒドロフラン−水を用いる
酸性加水分解反応、メタノール/アンモニアなどのアル
コール性アンモニアを用いるアルカリ性加水分解反応、
フッ化アンモニウム処理等によりシリル基を除去するこ
とができる。
かくして得られる式(m)化合物は、ヌクレオシドの通
常の単離精製法(たとえば、再結晶法、吸着またはイオ
ン交換クロトマグラフイー処理など)により単離精製す
ることができる。
常の単離精製法(たとえば、再結晶法、吸着またはイオ
ン交換クロトマグラフイー処理など)により単離精製す
ることができる。
IF、 2fB法 式 ■ 合物→式 ■ ム物
本発明の第2製法は式(II)化合物のR2で表わされ
る電子吸引性置換基ならびに/またはR3およびR4で
表わされる水酸基の保護基を除去して式(III)化合
物を得、該化合物を還元反応に付して式〔■〕、化合物
を得るものである。
本発明の第2製法は式(II)化合物のR2で表わされ
る電子吸引性置換基ならびに/またはR3およびR4で
表わされる水酸基の保護基を除去して式(III)化合
物を得、該化合物を還元反応に付して式〔■〕、化合物
を得るものである。
式(II)化合物のR2で表わされる電子吸引性置換基
ならびに/またはR3およびR4で表わされる水酸基の
保護基の除去は上述した第1製法の置換基および保護基
の除去操作と同様に行うことができる。
ならびに/またはR3およびR4で表わされる水酸基の
保護基の除去は上述した第1製法の置換基および保護基
の除去操作と同様に行うことができる。
式(III)化合物から式(IV)化合物を調製するた
めの還元反応は、アジド基をアミノ基に還元できる方法
であれば特に制限されない。
めの還元反応は、アジド基をアミノ基に還元できる方法
であれば特に制限されない。
具体的には、水素化アルミニウムリチウムなどの還元剤
または水素気流下、酸化白金(■)、パラジウム炭素(
Pd/C)などの触媒を使用し、メタノール、エタノー
ルなどのアルコール溶媒中、室温で撹拌反応させること
によりアジド基をアミノ基に還元することができる。
または水素気流下、酸化白金(■)、パラジウム炭素(
Pd/C)などの触媒を使用し、メタノール、エタノー
ルなどのアルコール溶媒中、室温で撹拌反応させること
によりアジド基をアミノ基に還元することができる。
反応後、目的化合物である式(rV)化合物は。
ヌクレオシドの通常の単離精製法(たとえば、再結晶法
、吸着またはイオン交換クロマトグラフィー法など)に
より単離精製することができる。
、吸着またはイオン交換クロマトグラフィー法など)に
より単離精製することができる。
IIl、 3 法 式 [[、m物→式 ■A本発
明の第31B法は、式(II]化合物のR2で表わされ
る電子吸引性置換基を除去した後、塩基部4位のオキソ
基をアミノ化し、必要によりR3およびR4で表わされ
る水酸基の保護基を除去して式(V)化合物を得るもの
である。
明の第31B法は、式(II]化合物のR2で表わされ
る電子吸引性置換基を除去した後、塩基部4位のオキソ
基をアミノ化し、必要によりR3およびR4で表わされ
る水酸基の保護基を除去して式(V)化合物を得るもの
である。
式(II)化合物のR2で表わされる電子吸引性置換基
の除去は第1製法と同様にして行うことができる。
の除去は第1製法と同様にして行うことができる。
塩基部4位のオキソ基のアミノ化方法としては。
たとえば、■4−01−リメチルシリルウラシル誘導体
を中間体として経由する方法(西独特許第212291
号など参照)、■4−ハロゲノーピリミジー2 (IH
)−オン誘導体を中間体として経由する方法(Nucl
eic Ac1d Chea+1stry、 Part
1 。
を中間体として経由する方法(西独特許第212291
号など参照)、■4−ハロゲノーピリミジー2 (IH
)−オン誘導体を中間体として経由する方法(Nucl
eic Ac1d Chea+1stry、 Part
1 。
223 (1978) John wiley & 5
ons、 Inc、など参照)、■4−0−アルキルウ
ラシル誘導体を中間体として経由する方法(J、Med
、Chem、、 24 。
ons、 Inc、など参照)、■4−0−アルキルウ
ラシル誘導体を中間体として経由する方法(J、Med
、Chem、、 24 。
743(1981)など参照)、■4−0−有機スルホ
ニウムウラシル誘導体を中間体として経由する方法(特
開昭62−89667号公報など参照)、■4−ピリジ
ニウムーピリミジー2(LH)−オン誘導体を中間体と
して経由する方法(Che+*1caScripla、
26 、3 (1986)など参照)、■4−(トリ
アシー1−イル)−ピリミジ−2(IH)−オン誘導体
を中間体として経由する方法(J、C,S、Perki
nl 、 1171 (1982)など参照)、■4−
(3−メチル−イミダゾ−1−イル)−ピリミジ−2(
IH)−オン誘導体を中間体として経由する方法(Ch
am、Pharm、Bull、、 33 +2575
(1985)など参照)などがすでに報告されており、
こられの公知の方法を適宜応用することにより塩基部4
位のオキソ基をアミノ基に変換することができる。
ニウムウラシル誘導体を中間体として経由する方法(特
開昭62−89667号公報など参照)、■4−ピリジ
ニウムーピリミジー2(LH)−オン誘導体を中間体と
して経由する方法(Che+*1caScripla、
26 、3 (1986)など参照)、■4−(トリ
アシー1−イル)−ピリミジ−2(IH)−オン誘導体
を中間体として経由する方法(J、C,S、Perki
nl 、 1171 (1982)など参照)、■4−
(3−メチル−イミダゾ−1−イル)−ピリミジ−2(
IH)−オン誘導体を中間体として経由する方法(Ch
am、Pharm、Bull、、 33 +2575
(1985)など参照)などがすでに報告されており、
こられの公知の方法を適宜応用することにより塩基部4
位のオキソ基をアミノ基に変換することができる。
また、R3およびR9で表わされる水酸基の保護基を除
去する必要がある時には、第1製法と同様の方法により
除去することができる。
去する必要がある時には、第1製法と同様の方法により
除去することができる。
このようにして調製した式(V)化合物は、ヌクレオシ
ドの通常の単離精製法(再結晶法、吸着またはイオン交
換クロマトグラフィー法など)により単離精製すること
ができる。
ドの通常の単離精製法(再結晶法、吸着またはイオン交
換クロマトグラフィー法など)により単離精製すること
ができる。
rV、 4製法 式 ■ 化ム物→式(Vl) 金
物)本発明の第4製法は、式(II)化合物のR2で表
わされる電子吸引性置換基を除去した後、塩基部4位の
オキソ基をアミノ化し、必要によりR3およびR4で表
わされる水酸基の保護基を除去して式(V)化合物を得
、これをさらに還元反応に付して式(VI)化合物を得
るものである。
物)本発明の第4製法は、式(II)化合物のR2で表
わされる電子吸引性置換基を除去した後、塩基部4位の
オキソ基をアミノ化し、必要によりR3およびR4で表
わされる水酸基の保護基を除去して式(V)化合物を得
、これをさらに還元反応に付して式(VI)化合物を得
るものである。
式(V)化合物の調製は第3製法と同様にして行うこと
ができる。また式(V)化合物の還元は第211法の還
元反応と同様に行うことができる。
ができる。また式(V)化合物の還元は第211法の還
元反応と同様に行うことができる。
かくして得られた式[VI]化合物はヌクレオシドの単
離精製手段(たとえば、再結晶法、吸着またはイオン交
換クロマトグラフィー法など)により単離精製すること
ができる。
離精製手段(たとえば、再結晶法、吸着またはイオン交
換クロマトグラフィー法など)により単離精製すること
ができる。
以下、参考例、実施例を示し1本発明を具体的に説明す
る。
る。
参考例I N’−ベンゾイル−3’ 、5’ −0−
テトライソプロビルジシロキサニルウ リジン ■ ウリジン12.2g (50m■01)をピリジン
70rnQに溶解させ、アルゴン気流下0℃に冷却後、
1.3−ジクロロ−1,1,3,3−テトライソプロピ
ルジシロキサンl 9IIIJ2(60mmol)を滴
下して室温で4時間撹拌反応させた。
テトライソプロビルジシロキサニルウ リジン ■ ウリジン12.2g (50m■01)をピリジン
70rnQに溶解させ、アルゴン気流下0℃に冷却後、
1.3−ジクロロ−1,1,3,3−テトライソプロピ
ルジシロキサンl 9IIIJ2(60mmol)を滴
下して室温で4時間撹拌反応させた。
反応後1反応液を減圧下留去し、酢酸エチルおよび水で
分配し、酢酸エチル層を減圧上濃縮後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー〔溶出溶媒:ヘキサン:酢酸エチ
ル=4〜2:1〕で精製して3’ 、5’ −0−テト
ライソプロビルジシロキサニルウリジン20.8g (
収率86%)を得た。
分配し、酢酸エチル層を減圧上濃縮後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー〔溶出溶媒:ヘキサン:酢酸エチ
ル=4〜2:1〕で精製して3’ 、5’ −0−テト
ライソプロビルジシロキサニルウリジン20.8g (
収率86%)を得た。
’H−NMR(CDCI、)
δppm: 1.07 (28H,m、テトライソプロ
ビルジシロキサニル)、a、09(IH,b r、s、
2’ −OH,D、○添加で消失)、4.06〜4.2
7 (5H。
ビルジシロキサニル)、a、09(IH,b r、s、
2’ −OH,D、○添加で消失)、4.06〜4.2
7 (5H。
m、 2’、 3’、 4’、 5’、 5’ −H)
、5.74 (2H,d、1’ 、5−H)、7.69
(IH,d、J=8.06Hz。
、5.74 (2H,d、1’ 、5−H)、7.69
(IH,d、J=8.06Hz。
6−H)、8.74 (LH,b r、s。
3−NH,D、O添加で消失)
■ 3’ 、5’ −0−テトライソプロビルジシロキ
サニルウリジン15g (30,9mmol)を塩化メ
チレン160dに溶解させ、アルゴン気流下0℃に冷却
後、トリエチルアミン5.1+d (36,7+amo
l)および塩化メチレン4mQに塩化ベンゾイル4mj
l (34,6111OL)を溶解させた溶液を順次滴
下し、室温で6時間撹拌反応させた。
サニルウリジン15g (30,9mmol)を塩化メ
チレン160dに溶解させ、アルゴン気流下0℃に冷却
後、トリエチルアミン5.1+d (36,7+amo
l)および塩化メチレン4mQに塩化ベンゾイル4mj
l (34,6111OL)を溶解させた溶液を順次滴
下し、室温で6時間撹拌反応させた。
反応後1反応液をクロロホルムで希釈し、 0.01N
塩酸溶液、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順
に洗浄後、クロロホルム層を減圧上濃縮した。得られた
残渣はシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出溶媒
:ヘキサン:酢酸エチル=3〜5:1)で精製してN3
−ベンゾイル−3′5′−〇−テトライソプロビルジシ
ロキサニルウリジン12.6g (収率69%)を得た
。
塩酸溶液、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順
に洗浄後、クロロホルム層を減圧上濃縮した。得られた
残渣はシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出溶媒
:ヘキサン:酢酸エチル=3〜5:1)で精製してN3
−ベンゾイル−3′5′−〇−テトライソプロビルジシ
ロキサニルウリジン12.6g (収率69%)を得た
。
EI−MS (m/z)590 (M”)、547 (
M+−イソプロピル) ”H−NMR(CDCI、) δPP0I: 1.07 (28H,m、テトライソプ
ロビルジシロキサニル)、3.94(IH+br、s、
2′−〇H,D、○添加で消失)、4.06〜4.36
(5H。
M+−イソプロピル) ”H−NMR(CDCI、) δPP0I: 1.07 (28H,m、テトライソプ
ロビルジシロキサニル)、3.94(IH+br、s、
2′−〇H,D、○添加で消失)、4.06〜4.36
(5H。
m、2’ 、3’ 、4’ 、5’ 、5’−H)。
5.76 (LH,s、1’−H)。
5.80 (LH,d、J=8.06Hz。
5−H)、7.49〜7.97 (5H。
m、ベンゾイル) 、7.79 (IH,d。
J=8.05Hz、6−H)
UV λwax (メタノール中)
254.3nm(中性)
254.7nm(酸性)
参考例2
■ リボフラノシルチミン8.01 g (30mmo
l)。
l)。
1.3−ジクロロ−1,1,3,3−テトライソプロピ
ルジシロキサン10.4mQ (33mmol)および
ピリジン20m12を■いて参考例1の■と同様に反応
させて1−(3,5−〇−テトライソプロピJレジシロ
キサニル−β−D−リボフラノシル)チミン12.5g
(収率83%)を得た。
ルジシロキサン10.4mQ (33mmol)および
ピリジン20m12を■いて参考例1の■と同様に反応
させて1−(3,5−〇−テトライソプロピJレジシロ
キサニル−β−D−リボフラノシル)チミン12.5g
(収率83%)を得た。
”H−NMR(CDCI、)
δppm: 1.06 (28H,m、テトライソプロ
ビルジシロキサニル)、1.95(3H,d、J=1.
22Flz、5−CH,)、3.23 (IH,br、
s、2’−OH)、4、13〜4.42 (5H,m、
2’3’ 、4’ 、5’ 、5’−H)、5.71(
IH,s、l’−H)、7.39 (IH,d、J=1
.22Hz、6−H)、8.96 (IH,br、s
、3−NH)■ 1−(3,5−〇−テトライソプロビ
ルジシロキサニル−β−D−リボフラノシル)チミン2
、5 g (5mol) 、トリエチルアミン0.9−
(6,47+smoL)−および塩化ベンゾイル0.6
4mQ (5、54mmol)を用いて参考例1の■と
同様に反応させてN3−ベンゾイル−1−(3,5−O
−テトライソプロビルジシロキサニル−β−り一リボフ
ラノシル)チミン1.84g (収率61%)を得た。
ビルジシロキサニル)、1.95(3H,d、J=1.
22Flz、5−CH,)、3.23 (IH,br、
s、2’−OH)、4、13〜4.42 (5H,m、
2’3’ 、4’ 、5’ 、5’−H)、5.71(
IH,s、l’−H)、7.39 (IH,d、J=1
.22Hz、6−H)、8.96 (IH,br、s
、3−NH)■ 1−(3,5−〇−テトライソプロビ
ルジシロキサニル−β−D−リボフラノシル)チミン2
、5 g (5mol) 、トリエチルアミン0.9−
(6,47+smoL)−および塩化ベンゾイル0.6
4mQ (5、54mmol)を用いて参考例1の■と
同様に反応させてN3−ベンゾイル−1−(3,5−O
−テトライソプロビルジシロキサニル−β−り一リボフ
ラノシル)チミン1.84g (収率61%)を得た。
E I−MS (m/z)605 (M”+1)、56
1(M +−イソプロピル) ”H−NMR(CDC1,) δppm: 1.05〜1.11 (28H,m、テト
ライソプロビルジシロキサニル)。
1(M +−イソプロピル) ”H−NMR(CDC1,) δppm: 1.05〜1.11 (28H,m、テト
ライソプロビルジシロキサニル)。
1.96(3H,d、J=1.22Hz、5−OH5)
、 2.83 (IH,b r、 s r2’−OH,
DtO添加で消失)、4.06〜4.23 (5H,m
s 2’ 、3’ 、4’5’ 、5’−H)、5.7
5 (LH,d。
、 2.83 (IH,b r、 s r2’−OH,
DtO添加で消失)、4.06〜4.23 (5H,m
s 2’ 、3’ 、4’5’ 、5’−H)、5.7
5 (LH,d。
J=0.7311z、1’ −H) 、7.48〜
7.97 (6H,m、6−Hおよびベンゾイル) UV λn+a叉(メタノール中) 253.5nm 実施例 I N’−ベンゾイル−1−(2−アジド−
2−デオキシ−3,5−○−テ トライソプ゛ロビルジシロキサニルー β−D−アラビノフラノシル)ウラ シル Nコーペンゾイル−3’ 、5’ −〇−テトライソプ
ロビルジシロキサニルウリジン1.2g (2mmol
)およびトリフェニルホスフィン2.05g(8mmo
l)をテトラヒドロフラン20dに溶解させ、アルゴン
気流下、0℃に冷却後、アゾジカルボン酸ジエチル1
、2d (8mmol)およびアンモニア/ベンゼン(
Organic Reactions、 Vol、 3
。
7.97 (6H,m、6−Hおよびベンゾイル) UV λn+a叉(メタノール中) 253.5nm 実施例 I N’−ベンゾイル−1−(2−アジド−
2−デオキシ−3,5−○−テ トライソプ゛ロビルジシロキサニルー β−D−アラビノフラノシル)ウラ シル Nコーペンゾイル−3’ 、5’ −〇−テトライソプ
ロビルジシロキサニルウリジン1.2g (2mmol
)およびトリフェニルホスフィン2.05g(8mmo
l)をテトラヒドロフラン20dに溶解させ、アルゴン
気流下、0℃に冷却後、アゾジカルボン酸ジエチル1
、2d (8mmol)およびアンモニア/ベンゼン(
Organic Reactions、 Vol、 3
。
327 (1955)Johnvilay & 5on
s Inc、 )4.7−をテトラヒドロフラン10−
に溶解させたものを滴下し、室温で3時間撹拌反応させ
た。
s Inc、 )4.7−をテトラヒドロフラン10−
に溶解させたものを滴下し、室温で3時間撹拌反応させ
た。
反応後1反応液を減圧上濃縮し、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(溶出溶媒:ベンゼン:酢酸エチル=2
0〜30:1)で精製してN1ベンゾイル−1−(2−
アジド−2−デオキシ−3,5−〇−テトライソプロビ
ルジシロキサニル−β−D−アラビノフラノシル)ウラ
シル762■(収率62%)を得た。
マトグラフィー(溶出溶媒:ベンゼン:酢酸エチル=2
0〜30:1)で精製してN1ベンゾイル−1−(2−
アジド−2−デオキシ−3,5−〇−テトライソプロビ
ルジシロキサニル−β−D−アラビノフラノシル)ウラ
シル762■(収率62%)を得た。
融点 98〜100℃
元素分析 CzsH4tNsots i2として計算値
(%) C:54.61. H:6.71. N:
11.37分析値(%)C:54.53. H:6.
75. N:11.21LH−NMR(CDCl2) δppm: 1.07 (28H,m、テトライソプロ
ビルジシロキサニル)、3.76〜 4.51 (5H,m、2’ 、3’ 、4’5’ 、
5’−H)、5.80 (IH,d。
(%) C:54.61. H:6.71. N:
11.37分析値(%)C:54.53. H:6.
75. N:11.21LH−NMR(CDCl2) δppm: 1.07 (28H,m、テトライソプロ
ビルジシロキサニル)、3.76〜 4.51 (5H,m、2’ 、3’ 、4’5’ 、
5’−H)、5.80 (IH,d。
J=9.3Hz、5−H)、6.24 (LH,d、J
=6.86)1z、1’−H)、7.51 (LH,d
、J=9.32Hz。
=6.86)1z、1’−H)、7.51 (LH,d
、J=9.32Hz。
6−H)、7.40〜8.00 (5H。
m、ベンゾイル)
IR(ヌジョール法)
2100 as−’ (−Ns>
DI−MS (m/z)615 (M”)。
587(M÷−N m )
実施例 2l−(2−アジド−2−デオキシ−3,5−
0−テトライソプロビルジ シロキサ二層−β−D−アラビノフ ラノシル)ウラシル N3−ベンゾイル−3’ 、5’ −0−テトライソプ
ロビルジシロキサニルウリジン600■(1mmol)
およびトリフェニルホスフィンIg(3,8mmol)
をテトラヒドロフラン10−に溶解させ、アルゴン気流
下0℃に冷却後、アゾジカルボン酸ジエチル0.59−
およびアジドリン酸ジフェニル0 、83mJ2(3、
8mmol)をテトラヒドロフラン5−に溶解させたも
のを滴下し、室温で5時間撹拌反応させた1反応後1反
応液を減圧上濃縮後。
0−テトライソプロビルジ シロキサ二層−β−D−アラビノフ ラノシル)ウラシル N3−ベンゾイル−3’ 、5’ −0−テトライソプ
ロビルジシロキサニルウリジン600■(1mmol)
およびトリフェニルホスフィンIg(3,8mmol)
をテトラヒドロフラン10−に溶解させ、アルゴン気流
下0℃に冷却後、アゾジカルボン酸ジエチル0.59−
およびアジドリン酸ジフェニル0 、83mJ2(3、
8mmol)をテトラヒドロフラン5−に溶解させたも
のを滴下し、室温で5時間撹拌反応させた1反応後1反
応液を減圧上濃縮後。
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:ベン
ゼン:酢酸エチル=40〜60:1)で精製してN3−
ベンゾイル−1−(2−アジド−2−デオキシ−3,5
−〇−テトライソプロビルジシロキサニル−β−D−ア
ラビノフラノシル)ウラシル454IIg(収率74%
)を得た。
ゼン:酢酸エチル=40〜60:1)で精製してN3−
ベンゾイル−1−(2−アジド−2−デオキシ−3,5
−〇−テトライソプロビルジシロキサニル−β−D−ア
ラビノフラノシル)ウラシル454IIg(収率74%
)を得た。
N3−ベンゾイル−1−(2−アジド−2−デオキシ−
3,5−0−テトライソプロビルジシロキサニル−β−
D−アラビノフラノシル)ウラシル2.5g (4,1
mmol)をメタノール60−に溶解させ、0℃に冷却
後、濃アンモニア水2o−を加えて室温で1.5時間撹
拌反応させた0反応後、溶媒を留去し、得られた残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:ヘキ
サン:酢酸エチル=1〜3:1)で精製して1− (2
−アジド−2−デオキシ−3,5−0−テトライソプロ
ビルジシロキサニル−β−D−アラビノフラノシル)ウ
ラシル1.97g (収率94%)を得た。
3,5−0−テトライソプロビルジシロキサニル−β−
D−アラビノフラノシル)ウラシル2.5g (4,1
mmol)をメタノール60−に溶解させ、0℃に冷却
後、濃アンモニア水2o−を加えて室温で1.5時間撹
拌反応させた0反応後、溶媒を留去し、得られた残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:ヘキ
サン:酢酸エチル=1〜3:1)で精製して1− (2
−アジド−2−デオキシ−3,5−0−テトライソプロ
ビルジシロキサニル−β−D−アラビノフラノシル)ウ
ラシル1.97g (収率94%)を得た。
融点:156〜157℃
元素分析 C,1H,、N、O,Si、・1/2H,O
として 計算値(幻C:48.43. )Iニア、35. N
:I3.45分析値(%)C:48.69. Hニア
、27. N:13.22″H−NMR(CDC1,) δpPm: I 、 07 (28H,m、テトライソ
プロビルジシロキサニル)、3.83〜 4.32 (5H,m、2’ 、3’ 、4’5’ 、
5’−H)、5.71 (IH,d。
として 計算値(幻C:48.43. )Iニア、35. N
:I3.45分析値(%)C:48.69. Hニア
、27. N:13.22″H−NMR(CDC1,) δpPm: I 、 07 (28H,m、テトライソ
プロビルジシロキサニル)、3.83〜 4.32 (5H,m、2’ 、3’ 、4’5’ 、
5’−H)、5.71 (IH,d。
J=8.05Hz’、5−H) 、6.25(IH,d
、J=6.10)1z、1’ −H)、7.63 (L
H,d、J=8.06)1z。
、J=6.10)1z、1’ −H)、7.63 (L
H,d、J=8.06)1z。
6−H)、8.36 (IH,b r、s。
3−NH,D、O添加で消失)
IR(ヌジョール法)
2190 >−” (−Na )
UV(メタノール中)
λwax 260nm(中性)、261nm(酸性)
DI−MS (m/z)510 (M÷−1)。
DI−MS (m/z)510 (M÷−1)。
482 (M+−N、−1)
実施例 3l−(2−アジド−2−デオキシ−β−D−
アラビノフラノシル)シト シン 1.2.4−トリアゾール6、2g (90mmol)
をアセトニトリル60−に溶解させたものに、トリエチ
ルアミン12 、6 ivl (90mmol)を滴下
し、0℃に冷却後、オキシ塩化リン2.8mN(30m
mol)を加えて室温で30分間反応させた。
アラビノフラノシル)シト シン 1.2.4−トリアゾール6、2g (90mmol)
をアセトニトリル60−に溶解させたものに、トリエチ
ルアミン12 、6 ivl (90mmol)を滴下
し、0℃に冷却後、オキシ塩化リン2.8mN(30m
mol)を加えて室温で30分間反応させた。
反応液の沈澱物を濾去後、濾液25−に実施例2で得ら
れた1−(2−アジド−2−デオキシ−3,5−0−テ
トライソプロビルジシロキサニル−β−D−アラビノフ
ラノシル)ウラシル610wrg (1、19mmol
)を加えて室温で19時間撹拌反応させた6 反応後1反応液を濃縮し、酢酸エチル−5%炭酸水素ナ
トリウム水溶液で分配後、有機層を分取し、溶媒を留去
した。得られた残渣をアセトニトリル20−に溶解させ
、これに濃アンモニア水20−を加えて室温で7時間撹
拌反応させた。
れた1−(2−アジド−2−デオキシ−3,5−0−テ
トライソプロビルジシロキサニル−β−D−アラビノフ
ラノシル)ウラシル610wrg (1、19mmol
)を加えて室温で19時間撹拌反応させた6 反応後1反応液を濃縮し、酢酸エチル−5%炭酸水素ナ
トリウム水溶液で分配後、有機層を分取し、溶媒を留去
した。得られた残渣をアセトニトリル20−に溶解させ
、これに濃アンモニア水20−を加えて室温で7時間撹
拌反応させた。
反応後、反応液の溶媒を留去して得られた残渣を酢酸エ
チル−水で分配し、酢酸エチル層を濃縮後、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:ヘキサン:酢酸
エチル=1〜2:lおよび1〜2%エタノール/クロロ
ホルム)で精製して1−(2−アジド−2−デオキシ−
3,5−0−テトライソプロビルジシロキサニル−β−
D−アラビノフラノシル)シトシン488mg(収率8
゜%)を得た。
チル−水で分配し、酢酸エチル層を濃縮後、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:ヘキサン:酢酸
エチル=1〜2:lおよび1〜2%エタノール/クロロ
ホルム)で精製して1−(2−アジド−2−デオキシ−
3,5−0−テトライソプロビルジシロキサニル−β−
D−アラビノフラノシル)シトシン488mg(収率8
゜%)を得た。
融点 178℃
’H−NMR(DMSO−d、)
δpp■: 1.05 (28H,m、テトライソプロ
ビルジシロキサニル)、3゜88〜 4.16 (4H+ m、3’ y 4’ e 5’5
’−H)、4.63 (LH,dd、J=7.08Hz
、2’−H)、5.70(LH,d、J=7.57Hz
、5−H)、6.21(IH,d、J=6.84Hz。
ビルジシロキサニル)、3゜88〜 4.16 (4H+ m、3’ y 4’ e 5’5
’−H)、4.63 (LH,dd、J=7.08Hz
、2’−H)、5.70(LH,d、J=7.57Hz
、5−H)、6.21(IH,d、J=6.84Hz。
1’−H)’、7.21 (2H,b r、s。
4−NH,、D、O添加で消失)。
7.46 (IH,d、J=7.08Hz。
6−H)
IR(ヌジョール法)
3150〜3300(!l−’ (NH伸縮)、210
0cs−” (−N、) 、 1630cm−″
(NH変角) 、1030cs−’ (CN−)D
I−MS (m/ z) 510 (M”)48
2 (M”−Nり UV(メタノール中) λ+iax 271n■(中性)、280n膳(酸性
)270nm(アルカリ性) 1−(2−アジド−2−デオキシ−3,5−0−テトラ
イソプロビルジシロキサニル−β−D −アラビノフラ
ノシル)シトシン216■(0,42mmol)をテト
ラヒドロフランLowd1に溶解させ。
0cs−” (−N、) 、 1630cm−″
(NH変角) 、1030cs−’ (CN−)D
I−MS (m/ z) 510 (M”)48
2 (M”−Nり UV(メタノール中) λ+iax 271n■(中性)、280n膳(酸性
)270nm(アルカリ性) 1−(2−アジド−2−デオキシ−3,5−0−テトラ
イソプロビルジシロキサニル−β−D −アラビノフラ
ノシル)シトシン216■(0,42mmol)をテト
ラヒドロフランLowd1に溶解させ。
0℃に冷却後、1Mテトラブチルアンモニウムフルオリ
ド/テトラヒドロフラン溶液0.8dを滴下して室温で
45分間撹拌させた。
ド/テトラヒドロフラン溶液0.8dを滴下して室温で
45分間撹拌させた。
反応液、反応溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:0〜40%エタ
ノール/クロロホルム)で精製して1−(2−アジド−
2−デオキシ−β−D−アラビノフラノシル)シトシン
114■(収率100%)を得た。
カラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:0〜40%エタ
ノール/クロロホルム)で精製して1−(2−アジド−
2−デオキシ−β−D−アラビノフラノシル)シトシン
114■(収率100%)を得た。
融点 165℃(塩酸塩として)
元素分析 C!H1mN@04・MCIとして計算値(
%)C:34.48. H:4.30. N:27.
58分析値(%)C:35.23. )l:4.29
. N:27.20”H−NMR(DMSO−d、) δppm: 3.64〜3.87 (3H,m、4’5
’ 、5’−H)、4.15 (LH,m。
%)C:34.48. H:4.30. N:27.
58分析値(%)C:35.23. )l:4.29
. N:27.20”H−NMR(DMSO−d、) δppm: 3.64〜3.87 (3H,m、4’5
’ 、5’−H)、4.15 (LH,m。
3’−H,D、O添加で3.97 (IH。
d d 、 J =5.61Hz、−5,86Hz、
3’−H)に変化)、4.31 (LH,dd。
3’−H)に変化)、4.31 (LH,dd。
J=5.86Hz、5.62flz、2’−H)、5.
06 (LH,b r、s、5’−0H)、5.74
(IH,d、J=7.57Hz、。
06 (LH,b r、s、5’−0H)、5.74
(IH,d、J=7.57Hz、。
5−H)5.82 (IH,b r、s、3’−〇H,
D、O添加で消失)、6.14(IH,d、J=5.8
6Hz、1’−H)。
D、O添加で消失)、6.14(IH,d、J=5.8
6Hz、1’−H)。
7.18 (2Hp brt sl 4−NH2pD、
O添加で消失)、7.71 (IH。
O添加で消失)、7.71 (IH。
d、J=7.32Hz、6−H)
FAB−MS 269 (M+)実施例 4l
−(2−アミノ−2−デオキシ−β−D−アラビノフラ
ノシル)シト シン 実施例3で得た1−(2−アジド−2−デオキシ−β−
D−アラビノフラノシル)シトシン1、50mg (0
,56mmol)を10%パラジウム炭素20■および
IN塩酸存在下、エタノール2゜−中で接触還元を行っ
た。
−(2−アミノ−2−デオキシ−β−D−アラビノフラ
ノシル)シト シン 実施例3で得た1−(2−アジド−2−デオキシ−β−
D−アラビノフラノシル)シトシン1、50mg (0
,56mmol)を10%パラジウム炭素20■および
IN塩酸存在下、エタノール2゜−中で接触還元を行っ
た。
反応後1反応液をセライトで濾過後、溶媒を留去し、得
られた残渣をエタノールで共沸させて1−(2−アミノ
−2−デオキシ−β−D−アラビノフラノシル)シトシ
ン165■(収率94%)を得た。
られた残渣をエタノールで共沸させて1−(2−アミノ
−2−デオキシ−β−D−アラビノフラノシル)シトシ
ン165■(収率94%)を得た。
融点 192℃(塩酸塩として)
”H−NMR(D、○)
δPp+*: 3.85 (LH,dd、J=12.8
゜3.30Hz、5’−Ha)、3.99(LH,dd
、J=12.8,2.20Hz、5’−Hb)、4.1
9 (LH。
゜3.30Hz、5’−Ha)、3.99(LH,dd
、J=12.8,2.20Hz、5’−Hb)、4.1
9 (LH。
ddd、J=5.50,3.30,2.20Hz。
4’−H)、4.23 (LH,t、J=5.501
(z、3’−H)、4.48 (IH,t 、J =
5.5Hz、2’ −H) 、6.22 (L
H,J =5.5Hz、1’H)、6.29 (LH
,d、J、=7.9Hz、5=H)、8.20 (1
B、d、J=8.0Hz、6−H) 実施例 5 N3−ベンゾイル−1−(2−アジド−
2′−デオキシ−3,5−○− テトライソプロビルジシロキサニル −β−D−アラビノフラノシル)チ ミン 参考例2で調製したN3−ベンゾイル−1−(3,5−
〇−テトライソプロビルジシロキサニル−β−D−リボ
フラノシル)チミン3 g (5mmol)およびトリ
フェニルホスフィン3.9g (15mg+ol)をテ
トラヒドロフラン60−に溶解させ、アルゴン気流下、
0℃に冷却後、アゾジカルボン酸ジエチル2.3mM
(15+mmol)およびアジドリン酸ジフェニル3.
23−(15a+mol)をテトラヒドロフラン15−
に溶解させたものを滴下した。
(z、3’−H)、4.48 (IH,t 、J =
5.5Hz、2’ −H) 、6.22 (L
H,J =5.5Hz、1’H)、6.29 (LH
,d、J、=7.9Hz、5=H)、8.20 (1
B、d、J=8.0Hz、6−H) 実施例 5 N3−ベンゾイル−1−(2−アジド−
2′−デオキシ−3,5−○− テトライソプロビルジシロキサニル −β−D−アラビノフラノシル)チ ミン 参考例2で調製したN3−ベンゾイル−1−(3,5−
〇−テトライソプロビルジシロキサニル−β−D−リボ
フラノシル)チミン3 g (5mmol)およびトリ
フェニルホスフィン3.9g (15mg+ol)をテ
トラヒドロフラン60−に溶解させ、アルゴン気流下、
0℃に冷却後、アゾジカルボン酸ジエチル2.3mM
(15+mmol)およびアジドリン酸ジフェニル3.
23−(15a+mol)をテトラヒドロフラン15−
に溶解させたものを滴下した。
滴下終了後1反応液を室温にもどし、4時間撹拌反応さ
せた。
せた。
反応後、溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(溶出溶媒:ヘキサン:酢酸エチ
ル=5〜6:1)で精製してN1−ベンゾイル−1−(
2−アジド−2−デオキシ−3,5−0−テトライソプ
ロビルジシロキサニル−β−D−アラビノフラノシル)
チミン2.2g(収率7o%)を得た。
ムクロマトグラフィー(溶出溶媒:ヘキサン:酢酸エチ
ル=5〜6:1)で精製してN1−ベンゾイル−1−(
2−アジド−2−デオキシ−3,5−0−テトライソプ
ロビルジシロキサニル−β−D−アラビノフラノシル)
チミン2.2g(収率7o%)を得た。
融点 124〜126℃
1H−NMR(CDCl2)
δppm: 1.11 (28H,m、テトライソプロ
ビルジシロキサニル)、i、97(3H,d 、 J
= 0 、98)1z、 5 CH3)、4.11〜
4.31 (5H,m、2’3’ 、4’ 、5’ 、
5’−H)、6.26(IH,d、J=6.34Hz、
1’ H)、7.40〜7.99 (6H,m、6−
H。
ビルジシロキサニル)、i、97(3H,d 、 J
= 0 、98)1z、 5 CH3)、4.11〜
4.31 (5H,m、2’3’ 、4’ 、5’ 、
5’−H)、6.26(IH,d、J=6.34Hz、
1’ H)、7.40〜7.99 (6H,m、6−
H。
ベンゾイル)
IR(ヌジJ−ル法)
2120 cm−’ (N5)
E I −MS (m/ z) 629 (M”)60
1(M÷−N2) 実施例 6l−(2−アジド−2−デオキシ−β−D−
アラビノフラノシル)チミ ン 参考例2で得たN1−ベンゾイル−1−(3゜5−〇−
テトライソプロビルジシロキサニル−β−D−リボフラ
ノシル)チミン1.21g (2mmof) オよびト
リフェニルホスフィン786■(3■■ol)をテトラ
ヒドロフラン10−に溶解させたものをアルゴン気流下
0℃に冷却後、アゾジカルボン酸ジエチル0.8mA
(5,2m+5ol)およびアンモニア/ベンゼン2.
4m12を順次滴下し、室温で15時間撹拌反応させた
。
1(M÷−N2) 実施例 6l−(2−アジド−2−デオキシ−β−D−
アラビノフラノシル)チミ ン 参考例2で得たN1−ベンゾイル−1−(3゜5−〇−
テトライソプロビルジシロキサニル−β−D−リボフラ
ノシル)チミン1.21g (2mmof) オよびト
リフェニルホスフィン786■(3■■ol)をテトラ
ヒドロフラン10−に溶解させたものをアルゴン気流下
0℃に冷却後、アゾジカルボン酸ジエチル0.8mA
(5,2m+5ol)およびアンモニア/ベンゼン2.
4m12を順次滴下し、室温で15時間撹拌反応させた
。
反応後、溶媒を留去して得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(溶出溶媒:ヘキサン:酢酸エチ
ル=5〜6:1)で精製してN3−ベンゾイル−1−(
2−アジド−2−デオキシ−3,5−0−テトライソプ
ロビルジシロキサニル−β−D−アラビノフラノシル)
チミン753IIg(収率60%)を得た。
ムクロマトグラフィー(溶出溶媒:ヘキサン:酢酸エチ
ル=5〜6:1)で精製してN3−ベンゾイル−1−(
2−アジド−2−デオキシ−3,5−0−テトライソプ
ロビルジシロキサニル−β−D−アラビノフラノシル)
チミン753IIg(収率60%)を得た。
N3−ベンゾイル−1−(2−アジド−2−デオキシ−
3,5−0−テトライソプロビルジシロキサニル−β−
D−アラビノフラノシル)チミン750m((1,2m
mol)をテトラヒドロフラン20IIQに溶解させた
ものを0℃に冷却後、テトラブチルアンモニウムフルオ
リド2dを加え、室温で10分間撹拌反応させた0反応
後、溶媒を留去して得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(溶出溶媒:2〜10%エタノール/
クロロホルム)で精製してN3−ベンゾイル−1−(2
−アジド−2−デオキシ−β−D−アラビノフラノシル
)チミン465.(収率100%)を得た。
3,5−0−テトライソプロビルジシロキサニル−β−
D−アラビノフラノシル)チミン750m((1,2m
mol)をテトラヒドロフラン20IIQに溶解させた
ものを0℃に冷却後、テトラブチルアンモニウムフルオ
リド2dを加え、室温で10分間撹拌反応させた0反応
後、溶媒を留去して得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(溶出溶媒:2〜10%エタノール/
クロロホルム)で精製してN3−ベンゾイル−1−(2
−アジド−2−デオキシ−β−D−アラビノフラノシル
)チミン465.(収率100%)を得た。
’H−NMR(DMSO−d、)
δppii: 1. 87 (3H,d、 J=
0. 98)1z。
0. 98)1z。
5−CH,)、3.16〜3.82 (3H,m、4’
、5’ 、5’ −H)。
、5’ 、5’ −H)。
4.11(LH,dd、J=7.57゜7.32Hz、
3’−H)、4.90 (LH,dd、J=6.59
,7.57Hz。
3’−H)、4.90 (LH,dd、J=6.59
,7.57Hz。
2’−H)、5.20〜6.60 (2H。
m、Or、br、3’ 、5’ −○H9D、O添
加で消失)、6.35 (LH。
加で消失)、6.35 (LH。
d、J=6.35)1z、1’ −H) 、7.5
4〜8.10 (6M、m、6−H。
4〜8.10 (6M、m、6−H。
ベンゾイル)
N3−ベンゾイル−1−(2−アジド−2−デオキシ−
β−D−アラビノフラノシル)チミン465mg (1
,2m+mol)をメタノール5mMに溶解させ、さら
に濃アンモニア水5−を加え、室温で1.5時間撹拌反
応させた。
β−D−アラビノフラノシル)チミン465mg (1
,2m+mol)をメタノール5mMに溶解させ、さら
に濃アンモニア水5−を加え、室温で1.5時間撹拌反
応させた。
反応後、溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロト
マグラフイー(溶出溶媒=2〜20%エタノール/クロ
ロホルム)で精製して1−(2−アジド−2−デオキシ
−β−D−アラビノフラノシル)チミン29611g(
収率79%)を得た。
マグラフイー(溶出溶媒=2〜20%エタノール/クロ
ロホルム)で精製して1−(2−アジド−2−デオキシ
−β−D−アラビノフラノシル)チミン29611g(
収率79%)を得た。
融点 172.4〜174℃
元素分析 C1゜H1z N s Osとして計算値(
%)C:42.41. t(:4.63. N:24
.73分析値(%) C:42.41. H:4.6
4. N:24.52J(−NMR(DMSO−d、
) δpp@: 1.77 (3H,d、J=1.22Hz
。
%)C:42.41. t(:4.63. N:24
.73分析値(%) C:42.41. H:4.6
4. N:24.52J(−NMR(DMSO−d、
) δpp@: 1.77 (3H,d、J=1.22Hz
。
5−CR2)、3.66 (3H,m、4’5’ 、5
’−H)、4−05 (I HT brq e3’−H
)、4.42 (LH,dd、2’−H)、5.22
(LH,br、t、5’−0H1D20添加で消失)、
5.91(IH,d、2’−OH,D、O添加で消失)
、6.14 (IH,d、J= 6.35Hz、1’−H)、7.74 (LH,d、J
=1.22Hz、6−H)、11.38 (IHI b
rl st 3−NHID、O添加で消失) IR(ヌジョール法) 2100cm−’ (N5) E I M S (m/ z ) 255 (M”
N2)240(M÷−HN、) 実施例 7l−(2−アミノ−2−デオキシ−β−D−
アラビノフラノシル)チミ ン 実施例5で得たN3−ベンゾイル−1−(2−アジド−
2−デオキシ−3,5−0−テトライソプロビルジシロ
キサニル−β−D−アラビノフラノシル)チミン1−7
6g (2,79ma+ol)をメタノール30mfl
に溶解させたものを0℃に冷却後、濃アンモニア水12
−を滴下し、室温で2時間撹拌反応させた。
’−H)、4−05 (I HT brq e3’−H
)、4.42 (LH,dd、2’−H)、5.22
(LH,br、t、5’−0H1D20添加で消失)、
5.91(IH,d、2’−OH,D、O添加で消失)
、6.14 (IH,d、J= 6.35Hz、1’−H)、7.74 (LH,d、J
=1.22Hz、6−H)、11.38 (IHI b
rl st 3−NHID、O添加で消失) IR(ヌジョール法) 2100cm−’ (N5) E I M S (m/ z ) 255 (M”
N2)240(M÷−HN、) 実施例 7l−(2−アミノ−2−デオキシ−β−D−
アラビノフラノシル)チミ ン 実施例5で得たN3−ベンゾイル−1−(2−アジド−
2−デオキシ−3,5−0−テトライソプロビルジシロ
キサニル−β−D−アラビノフラノシル)チミン1−7
6g (2,79ma+ol)をメタノール30mfl
に溶解させたものを0℃に冷却後、濃アンモニア水12
−を滴下し、室温で2時間撹拌反応させた。
反応後、溶媒を留去して得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(溶出溶媒:1〜2%エタノール
/クロロホルム)で精製して1−(2−アジド−2−デ
オキシ−3,5−0−テトライソプロビルジシロキサニ
ル−β−D−アラビノフラノシル)チミン1.31g
(収率90%)を得た。
ムクロマトグラフィー(溶出溶媒:1〜2%エタノール
/クロロホルム)で精製して1−(2−アジド−2−デ
オキシ−3,5−0−テトライソプロビルジシロキサニ
ル−β−D−アラビノフラノシル)チミン1.31g
(収率90%)を得た。
融点 142〜143℃
元素分析 C1H3s N@ Os S 1 aとして
計算値(%)(::50.26. Hニア、4B、
N:13.32分析値(%)C:50.06. )I
ニア、57. N:13,221H−NMR(DMS
O−d@) δppm: 1.04 (28H,m!テトライソプロ
ビルジシロキサニル)、 1.77 (3H,b r
、s、5−C)(3)、3.88〜4.19 (4H
,m、3’ 、4’ 、5’5’ −H) IR(ヌジョール法) 2180 cx−” (Ns) EI−MS (m/z)526 (M÷+1)49
7 (M+−N、) 10%パラジウム炭素11001nをエタノール20−
に加え、水素気流下、室温で1時間撹拌反応させたもの
に、10−のエタノールに1−、(2−アジド−2−デ
オキシ−3,5−0−テトライソプロビルジシロキサニ
ル−β−D−アラビノフラ/シ/L/) fミノ560
mg (1、07mmol)を溶解させたものを加え、
さらに酢酸1−を滴下して室温で一夜撹拌反応させた。
計算値(%)(::50.26. Hニア、4B、
N:13.32分析値(%)C:50.06. )I
ニア、57. N:13,221H−NMR(DMS
O−d@) δppm: 1.04 (28H,m!テトライソプロ
ビルジシロキサニル)、 1.77 (3H,b r
、s、5−C)(3)、3.88〜4.19 (4H
,m、3’ 、4’ 、5’5’ −H) IR(ヌジョール法) 2180 cx−” (Ns) EI−MS (m/z)526 (M÷+1)49
7 (M+−N、) 10%パラジウム炭素11001nをエタノール20−
に加え、水素気流下、室温で1時間撹拌反応させたもの
に、10−のエタノールに1−、(2−アジド−2−デ
オキシ−3,5−0−テトライソプロビルジシロキサニ
ル−β−D−アラビノフラ/シ/L/) fミノ560
mg (1、07mmol)を溶解させたものを加え、
さらに酢酸1−を滴下して室温で一夜撹拌反応させた。
反応後、反応液をセライトで濾過して得た濾液の溶媒を
留去、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶
出溶媒:0〜2%エタノール/クロロホルム)で精製し
て1−(2−アミノ−2−デオキシ−3,5−○−テト
ライソプロビルジシロキサニル−β−D−アラビノフラ
ノシル)チミン490■(収率92%)を得た。
留去、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶
出溶媒:0〜2%エタノール/クロロホルム)で精製し
て1−(2−アミノ−2−デオキシ−3,5−○−テト
ライソプロビルジシロキサニル−β−D−アラビノフラ
ノシル)チミン490■(収率92%)を得た。
融点 132℃
元素分析 C22H41N30@ S i2として計算
値(%)C:52.87. H:8.27. N:
8.41分析値(%)C:52.58. H:8.2
9. N:8.23”H−NMR(DMSO−d、) δppm: 1.04 (28H,m、テトライソプロ
ビルジシロキサニル)、1.76 (3H,b r、s
、5−CHff)、3.58〜.3.99 (5H,m
、2’ 、3’ 、4’5’ 、5’−H)、5.92
(LH,d。
値(%)C:52.87. H:8.27. N:
8.41分析値(%)C:52.58. H:8.2
9. N:8.23”H−NMR(DMSO−d、) δppm: 1.04 (28H,m、テトライソプロ
ビルジシロキサニル)、1.76 (3H,b r、s
、5−CHff)、3.58〜.3.99 (5H,m
、2’ 、3’ 、4’5’ 、5’−H)、5.92
(LH,d。
J=6.84Hz、1’−H)、7.29(IH,b
r、s、6−H)、11.29(L H9b r −s
−3NH−DtO添加で消失) IR(ヌジョール法) 3130〜3300as−” (−NH伸縮)E I−
MS (m/ z) 499 (M”)1−(2−アミ
ノ−2−デオキシ−3,5−0−テトライソプロビルジ
シロキサニル−β−D−アラビノフラノシル)チミン1
30■(0,2611aol)をテトラヒドロフラン7
−に溶解させ、これにLMテトラブチルアンモニウムフ
ルオリド0.6−を滴下して室温で1時間撹拌反応させ
た。
r、s、6−H)、11.29(L H9b r −s
−3NH−DtO添加で消失) IR(ヌジョール法) 3130〜3300as−” (−NH伸縮)E I−
MS (m/ z) 499 (M”)1−(2−アミ
ノ−2−デオキシ−3,5−0−テトライソプロビルジ
シロキサニル−β−D−アラビノフラノシル)チミン1
30■(0,2611aol)をテトラヒドロフラン7
−に溶解させ、これにLMテトラブチルアンモニウムフ
ルオリド0.6−を滴下して室温で1時間撹拌反応させ
た。
反応後、溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(溶出溶媒22〜20%エタノー
ル/クロロホルム)で精製して1−(2−アミノ−2−
デオキシ−β−D−アラビノフラノシル)チミン63■
(収率96%)を得た。
ムクロマトグラフィー(溶出溶媒22〜20%エタノー
ル/クロロホルム)で精製して1−(2−アミノ−2−
デオキシ−β−D−アラビノフラノシル)チミン63■
(収率96%)を得た。
融点 237〜239℃
1H−NMR(DMSO−d、)
δppm: 1.79 (3H,s、5−CH,)、3
.58〜3.88 (4H,m、3’4’ 、5’
、5’−H)、4.27 (IH,m、2’−H,
D、O添加で4.15(LH,b r’、t、2’−H
)に変化)、6.03 (2H,d、J=5.62H
z。
.58〜3.88 (4H,m、3’4’ 、5’
、5’−H)、4.27 (IH,m、2’−H,
D、O添加で4.15(LH,b r’、t、2’−H
)に変化)、6.03 (2H,d、J=5.62H
z。
1’−H,○H,D、O添加で5.95(LH,d、J
=5.62Hz、1’ −H)に変化)、7.78
(IH,s、6−H)、8.48 (2H,b’r、
s、2’−NH,。
=5.62Hz、1’ −H)に変化)、7.78
(IH,s、6−H)、8.48 (2H,b’r、
s、2’−NH,。
D2o添加で消失) 、11.34 (LH。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)式〔 I 〕▲数式、化学式、表等があります▼〔 I
〕 〔式中、R^1は水素原子または低級アルキル基、R^
2は電子吸引性置換基、R^3およびR^4はそれぞれ
独立のもしくは両者で単一の水酸基の保護基を示す〕で
表わされるウリジン誘導体をホスフィン類およびアゾ化
合物の存在下、アジド化剤と反応させて式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 〔式中、R^1〜R^4は前記と同意義〕で表わされる
化合物を得、必要によりR^2で表わされる電子吸引性
置換基ならびに/またはR^3およびR^4で表わされ
る水酸基の保護基を除去して式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 〔式中、R^1は前記と同意義、R^2′は水素原子ま
たは電子吸引性置換基、R^3′およびR^4′は水素
原子またはそれぞれ独立のもしくは両者で単一の水酸基
の保護基を示す〕で表わされる2′−アジド−2′−デ
オキシアラビノフラノシルウラシル誘導体を得ることを
特徴とする2′−アジド−2′−デオキシアラビノフラ
ノシルウラシル誘導体の製造法。 2)請求項1記載の方法により得られる式〔II〕▲数式
、化学式、表等があります▼〔II〕 〔式中、R^1は水素原子または低級アルキル基、R^
2は電子吸引性置換基、R^3およびR^4はそれぞれ
独立のもしくは両者で単一の水酸基の保護基を示す〕で
表わされる化合物を必要によりR^2で表わされる電子
吸引性置換基ならびに/またはR^3およびR^4で表
わされる水酸基の保護基を除去した後、還元反応に付し
て式〔IV〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕 〔式中、R^1は前記と同意義、R^2′は水素原子ま
たは電子吸引性置換基、R^3′およびR^4′は水素
原子またはそれぞれ独立のもしくは両者で単一の水酸基
の保護基を示す〕で表わされる2′−アミノ−2′−デ
オキシアラビノフラノシルウラシル誘導体を得ることを
特徴とする2′−アミノ−2′−デオキシアラビノフラ
ノシルウラシル誘導体の製造法。 3)請求項1記載の方法により得られる式〔II〕▲数式
、化学式、表等があります▼〔II〕 〔式中、R^1は水素原子または低級アルキル基、R^
2は電子吸引性置換基、R^3およびR^4はそれぞれ
独立のもしくは両者で単一の水酸基の保護基を示す〕で
表わされる化合物のR^2で表わされる電子吸引性置換
基を除去した後、塩基部4位のオキソ基をアミノ化し、
必要によりR^3およびR^4で表わされる水酸基の保
護基を除去して式〔V〕▲数式、化学式、表等がありま
す▼〔V〕 〔式中、R^1は前記と同意義、R^3′およびR^4
′は水素原子またはそれぞれ独立のもしくは両者で単一
の水酸基の保護基を示す〕で表わされる2′−アジド−
2′−デオキシアラビノフラノシルシトシン誘導体を得
ることを特徴とする2′−アジド−2′−デオキシアラ
ビノフラノシルシトシン誘導体の製造法。 4)請求項1記載の方法により得られる式〔II〕▲数式
、化学式、表等があります▼〔II〕 〔式中、R^1は水素原子または低級アルキル基、R^
2は電子吸引性置換基、R^3およびR^4はそれぞれ
独立のもしくは両者で単一の水酸基の保護基を示す〕で
表わされる化合物のR^2で表わされる電子吸引性置換
基を除去した後、塩基部4位のオキソ基をアミノ化し、
必要によりR^3およびR^4で表わされる水酸基の保
護基を除去して式〔V〕▲数式、化学式、表等がありま
す▼〔V〕 〔式中、R^1は前記と同意義、R^3′およびR^4
′は水素原子またはそれぞれ独立のもしくは両者で単一
の水酸基の保護基を示す〕で表わされる2′−アジド−
2′−デオキシアラビノフラノシルシトシン誘導体を得
、該シトシン誘導体を還元反応に付して式〔VI〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔VI〕 〔式中、R^1、R^3′およびR^4′は前記と同意
義〕で表わされる2′−アミノ−2′−デオキシアラビ
ノフラノシルシトシン誘導体を得ることを特徴とする2
′−アミノ−2′−デオキシアラビノフラノシルシトシ
ン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1183011A JPH0348693A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 2′―置換―2′―デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌクレオシドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1183011A JPH0348693A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 2′―置換―2′―デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌクレオシドの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0348693A true JPH0348693A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16128177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1183011A Pending JPH0348693A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 2′―置換―2′―デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌクレオシドの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0348693A (ja) |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP1183011A patent/JPH0348693A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6090932A (en) | Method of preparation of known and novel 2'-modified nucleosides by intramolecular nucleophilic displacement | |
CA2119351C (en) | Phosphoramidate analogs of 5-fluoro-2'-deoxyuridine | |
HU217036B (hu) | Eljárás génexpresszió gátlására alkalmas vegyületek előállítására | |
HU199871B (en) | Process for producing deazapurine nucleoside derivatives and antiviral compositions comprising said compounds | |
HUT65941A (en) | Backbone modified oligonucleotide analogues and pharmaceutical preparations containing them | |
US20240239833A1 (en) | Alkoxyphenyl derivatives, protected nucleosides and protected nucleotides, method for producing oligonucleotides, and method for removing substituents | |
JPH02149595A (ja) | 2´,3´―ジデオキシ―2´,3´―ジデヒドロヌクレオシドの製造 | |
CN108424433B (zh) | 一种α核苷合成方法 | |
US20110028706A1 (en) | Inosine derivatives and production methods therefor | |
HU199499B (en) | Process for producing 2',3'-dideoxy-2'-fluoronucleosides and pharmaceutical compositions comprising such active ingredient | |
JP3042073B2 (ja) | ヌクレオシド誘導体とその製造方法 | |
JPH06228186A (ja) | 2’−デオキシ−(2’s)−アルキルピリミジンヌクレオシド誘導体 | |
US20230212178A1 (en) | Method of producing photoreactive nucleotide analog | |
KR20040031784A (ko) | L-리바비린의 제조 방법 | |
US20040033967A1 (en) | Alkylated hexitol nucleoside analogues and oligomers thereof | |
JPH0348693A (ja) | 2′―置換―2′―デオキシアラビノフラノシルピリミジンヌクレオシドの製造法 | |
JPH01143892A (ja) | シトシン誘導体の製造法 | |
Hari et al. | Synthesis and triplex-forming ability of 2′, 4′-BNAs bearing imidazoles as a nucleobase | |
WO2006095739A1 (ja) | リボヌクレオシドの2’水酸基の脱保護方法 | |
ITMI951715A1 (it) | Metodo per la preparazione della 1-b-d-arabinofuranosilcitosina | |
JP4211901B2 (ja) | 4’−メチルヌクレオシド化合物 | |
JPH06135988A (ja) | ヌクレオシド誘導体 | |
JP2003002895A (ja) | 核酸の合成法 | |
JP4383126B2 (ja) | 4’−c−エチニル−2’−デオキシプリンヌクレオシドの製造法 | |
EP0698610B1 (en) | Process for producing sialic acid derivative and novel sialic acid derivative |