JPH0347959A - 有機超伝導薄膜 - Google Patents
有機超伝導薄膜Info
- Publication number
- JPH0347959A JPH0347959A JP1181322A JP18132289A JPH0347959A JP H0347959 A JPH0347959 A JP H0347959A JP 1181322 A JP1181322 A JP 1181322A JP 18132289 A JP18132289 A JP 18132289A JP H0347959 A JPH0347959 A JP H0347959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- film
- target
- substrate
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019599 ReO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/851—Organic superconductors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/80—Material per se process of making same
- Y10S505/815—Process of making per se
- Y10S505/816—Sputtering, including coating, forming, or etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/80—Material per se process of making same
- Y10S505/815—Process of making per se
- Y10S505/818—Coating
- Y10S505/819—Vapor deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
本発明は超伝導材料特に有機系超伝導材料の薄膜に関す
るものであります。
るものであります。
「従来の技術j
1973年にTPT−TCNQと呼ばれる有機物質が金
属の性質を持つことが発見されて以来、有機物質の電気
伝導に関し種々の開発が行われ、現在では数十種類に及
ぶ有機超伝導体が開発されている。これらは最高でもI
OK程度でしか超伝導性を示していないが、発明されて
から臨界温度の上昇が急激であること、基幹材料の合成
が容易であることにより、注目を浴びている。
属の性質を持つことが発見されて以来、有機物質の電気
伝導に関し種々の開発が行われ、現在では数十種類に及
ぶ有機超伝導体が開発されている。これらは最高でもI
OK程度でしか超伝導性を示していないが、発明されて
から臨界温度の上昇が急激であること、基幹材料の合成
が容易であることにより、注目を浴びている。
このような有機超伝導体はバルク状態(小さな結晶の集
合体)であることが多く、このような有機超伝導体では
電気、電子分野での応用が難しく有機超伝導薄膜の登場
が望まれていた。
合体)であることが多く、このような有機超伝導体では
電気、電子分野での応用が難しく有機超伝導薄膜の登場
が望まれていた。
現在、様々な形で薄膜作成が試みられているが超伝導性
を得るまでにいたっていない。
を得るまでにいたっていない。
例えば有機超伝導物質を加熱ヒーター等を用いて蒸発さ
せて、被形成面上にて再結晶する方法が試みられている
。この方法によって作成された膜は、出発材料の結晶と
は構造が異なる又は分子の組成が異なる物であることが
多く実用的ではなかった。
せて、被形成面上にて再結晶する方法が試みられている
。この方法によって作成された膜は、出発材料の結晶と
は構造が異なる又は分子の組成が異なる物であることが
多く実用的ではなかった。
これは−膜内に有機超伝導物質の融点が低く、熱に弱い
ことに起因する。そのため有機超伝導体は蒸発後すぐに
分解し、その分子構造が破壊されてしまうためであった
。
ことに起因する。そのため有機超伝導体は蒸発後すぐに
分解し、その分子構造が破壊されてしまうためであった
。
「発明の目的」
本発明は前述の如き問題点を解決するものであり、有機
超伝導薄膜を提供することを目的とする。
超伝導薄膜を提供することを目的とする。
「発明の構成」
本発明は、有機の超伝導体薄膜を実現するために物理的
な気相法を用い、この物理的な気相法を実現するエネル
ギーとしては高エネルギーを有しており、有機の錯体化
合物を瞬時に加熱できる物を用いる。そのエネルギー源
としてはレーザー光、又は通常の可視、紫外光等を光学
系を用いて集光した光等を適用することができる。
な気相法を用い、この物理的な気相法を実現するエネル
ギーとしては高エネルギーを有しており、有機の錯体化
合物を瞬時に加熱できる物を用いる。そのエネルギー源
としてはレーザー光、又は通常の可視、紫外光等を光学
系を用いて集光した光等を適用することができる。
以下にレーザー光を用いた場合の例を示して本発明を説
明する。
明する。
有機超伝導体の融点は上記の半導体や絶縁体のそれより
は非常に低く、レーザーを用いた物理的な蒸着にはあま
り向かないように思われるが、加熱が非常に短時間であ
るため有機錯体の分子構造が破壊されず、基本的な分子
構造を保持したまま基板上に積層され膜が形成されてい
くため配向性の良い形で膜が形成される。
は非常に低く、レーザーを用いた物理的な蒸着にはあま
り向かないように思われるが、加熱が非常に短時間であ
るため有機錯体の分子構造が破壊されず、基本的な分子
構造を保持したまま基板上に積層され膜が形成されてい
くため配向性の良い形で膜が形成される。
また、レーザー光のビーム寸法が光学系によって調整可
能なため、出発材料全体を加熱せず必要な部分のみを加
熱蒸発させることができる。
能なため、出発材料全体を加熱せず必要な部分のみを加
熱蒸発させることができる。
蒸着の装置内の概略を第1図および第2図に示す。第1
図は出発材料である有機錯体ターゲットを1つにした場
合で、第2図(a)、(b)はターゲットを2つにした
場合を示す。1はターゲット 2は基板、3はレーザー
光導入窓、そしてレーザー光をターゲットに対し照射し
基板2の上に蒸着膜を形成する。第1及び第2図では零
゛来装置に必要な排気系、ガス導入系、その他について
は省略しである。
図は出発材料である有機錯体ターゲットを1つにした場
合で、第2図(a)、(b)はターゲットを2つにした
場合を示す。1はターゲット 2は基板、3はレーザー
光導入窓、そしてレーザー光をターゲットに対し照射し
基板2の上に蒸着膜を形成する。第1及び第2図では零
゛来装置に必要な排気系、ガス導入系、その他について
は省略しである。
レーザー光としてはNb−YAGもしくはCO2ガスレ
ーザー等赤外線の領域のレーザーまたはKrF、XeC
1等の紫外光領域のエキシマレーザ−を用いればよい。
ーザー等赤外線の領域のレーザーまたはKrF、XeC
1等の紫外光領域のエキシマレーザ−を用いればよい。
すなわち、ターゲットの必要な部分のみを瞬時に加熱で
きるものであればよい。この時連続光を使うよりパルス
光を用いる方がよい。または連続光を用いてもターゲッ
トに照射する際にシャッター、チョッパー等を用いてパ
ルス光と実質的に同一としてもよい。なぜなら加熱時間
が短いほどターゲットにおける分子構造の破壊が少ない
と考えられるからである。レーザー照射によるターゲッ
トの加熱時間がミリ秒以下になるようにパルス幅又は照
射時間幅を決定する。
きるものであればよい。この時連続光を使うよりパルス
光を用いる方がよい。または連続光を用いてもターゲッ
トに照射する際にシャッター、チョッパー等を用いてパ
ルス光と実質的に同一としてもよい。なぜなら加熱時間
が短いほどターゲットにおける分子構造の破壊が少ない
と考えられるからである。レーザー照射によるターゲッ
トの加熱時間がミリ秒以下になるようにパルス幅又は照
射時間幅を決定する。
蒸着の際、有機物の分解温度が低いため、レーザーの出
力は極力落としてやる必要がある。例えばエネルギー密
度として200’mJ/cm2以下で使用する。このと
き有機物のターゲットの表面は100°Cから400°
Cの範囲となるようにする。
力は極力落としてやる必要がある。例えばエネルギー密
度として200’mJ/cm2以下で使用する。このと
き有機物のターゲットの表面は100°Cから400°
Cの範囲となるようにする。
ターゲットの表面温度は照射する光のエネルギー量、照
射時間のみで調整するのではなくターゲットの裏面より
冷媒を用いて冷却して調整する。本発明の場合、ターゲ
ットが熱くなると有機錯体が分解するので、液体窒素等
で過冷却状態にして、高エネルギーを持つ光をパルス状
に照射して、必要な部分のみを加熱蒸発させて成膜すれ
ばよい。
射時間のみで調整するのではなくターゲットの裏面より
冷媒を用いて冷却して調整する。本発明の場合、ターゲ
ットが熱くなると有機錯体が分解するので、液体窒素等
で過冷却状態にして、高エネルギーを持つ光をパルス状
に照射して、必要な部分のみを加熱蒸発させて成膜すれ
ばよい。
ターゲットは1ケもしくは2ケ以上とする。例えば有機
錯体の分子構造(A十B)が平面構造として安定な物質
の場合はターゲットを1つとして、逆に構造A+Bが分
子状態で不安定でAとBに分かれてしまう場合は1つの
ビームに対して交互にターゲットをかえるか、もしくは
2本のビームを用いて同時蒸着を行う。これは有機超伝
導体に特有の鎖状構造を、徐々に積層させる際に非常に
有利である。なお上記の有機錯体の分子構造のうちAは
超伝導電流が流れる主構造の部分を表し、Bはキャリア
を作る等の派生的な役割をしている主構造の側面に位置
する部分を示す。 雰囲気としてのガス(Ar、N2,
02等)は必要に応じて使用する。真空度としてガスを
用いない場合103〜1O−7Torr、雰囲気ガスを
使用した場合200〜10−’To r rとする。
基板は加熱を行うが温度は低くする。使用する材料によ
ってまちまちだがいずれの場合も有機超伝導物質の分解
温度直下からその100“C下までの範囲とする。
錯体の分子構造(A十B)が平面構造として安定な物質
の場合はターゲットを1つとして、逆に構造A+Bが分
子状態で不安定でAとBに分かれてしまう場合は1つの
ビームに対して交互にターゲットをかえるか、もしくは
2本のビームを用いて同時蒸着を行う。これは有機超伝
導体に特有の鎖状構造を、徐々に積層させる際に非常に
有利である。なお上記の有機錯体の分子構造のうちAは
超伝導電流が流れる主構造の部分を表し、Bはキャリア
を作る等の派生的な役割をしている主構造の側面に位置
する部分を示す。 雰囲気としてのガス(Ar、N2,
02等)は必要に応じて使用する。真空度としてガスを
用いない場合103〜1O−7Torr、雰囲気ガスを
使用した場合200〜10−’To r rとする。
基板は加熱を行うが温度は低くする。使用する材料によ
ってまちまちだがいずれの場合も有機超伝導物質の分解
温度直下からその100“C下までの範囲とする。
基板加熱は基板上で膜が積層されて成膜されるために必
要であり、また温度が高すぎると成膜された有ia薄膜
が分解してしまい注意を要する。またデポジションのR
ateは遅い方が膜質の上で均一のものができる。
要であり、また温度が高すぎると成膜された有ia薄膜
が分解してしまい注意を要する。またデポジションのR
ateは遅い方が膜質の上で均一のものができる。
「実施例1」
本実施例では(B E D T T T F ) 2
I 3薄膜を作成する場合を示す。このBEDT−T
TFの分解温度は248°Cである。そのためターゲッ
トは250 ’C以上に上昇しないように冷却を行った
。またレーザビーJ、は直径150μmの寸法に光学系
にて集光されている。
I 3薄膜を作成する場合を示す。このBEDT−T
TFの分解温度は248°Cである。そのためターゲッ
トは250 ’C以上に上昇しないように冷却を行った
。またレーザビーJ、は直径150μmの寸法に光学系
にて集光されている。
装置は第1図(a)のような構成をとる。基板にはSl
を用いて、ヒーターによる直接の基板加熱を行う。また
基板温度は銅コンスタンクン等の熱電対で測定する。成
膜時の温度は1】0°C〜170°Cの範囲とする。や
や低めであるがこれは成膜された薄膜中のヨウ素がとん
で組成がずれるのを防くためである。また、基板・ター
ゲット間距離も3〜8cmの範囲とするがやや短めのほ
うが良い。ガス雰囲気は特に使用せず、真空度は102
Torr以下で成膜を行う。
を用いて、ヒーターによる直接の基板加熱を行う。また
基板温度は銅コンスタンクン等の熱電対で測定する。成
膜時の温度は1】0°C〜170°Cの範囲とする。や
や低めであるがこれは成膜された薄膜中のヨウ素がとん
で組成がずれるのを防くためである。また、基板・ター
ゲット間距離も3〜8cmの範囲とするがやや短めのほ
うが良い。ガス雰囲気は特に使用せず、真空度は102
Torr以下で成膜を行う。
このような条件のもとで成膜時間として1時間から2時
間の成膜を行った。膜厚として10−8〜10−”mの
ものが作成された。膜面に平行な方向の抵抗率は10−
3以上であった。膜の室温での抵抗率は10’〜105
Ωcmであり常圧下で超伝導転移温度は約3にであった
。
間の成膜を行った。膜厚として10−8〜10−”mの
ものが作成された。膜面に平行な方向の抵抗率は10−
3以上であった。膜の室温での抵抗率は10’〜105
Ωcmであり常圧下で超伝導転移温度は約3にであった
。
「実施例2」
(B EDT TT F ) 2 Re O−の薄膜
を作成する場合を示す。La5er光は実施例1と異な
りKrF (248μm)のエキシマレーザ光を使用し
た。パルスレートは、5〜1QppSの範囲で15mm
X10mmの大きさのビームのレーザ光のエネルギー密
度は100mJ/cm2であった。ターゲットは2つ用
意し、1つはBEDTTTFでもう一方はRe 07と
する。レーザー光の照射系統も2種類用意し、おのおの
について実施例1と同様にその分解温度によってレーザ
ー出力を決定する。
を作成する場合を示す。La5er光は実施例1と異な
りKrF (248μm)のエキシマレーザ光を使用し
た。パルスレートは、5〜1QppSの範囲で15mm
X10mmの大きさのビームのレーザ光のエネルギー密
度は100mJ/cm2であった。ターゲットは2つ用
意し、1つはBEDTTTFでもう一方はRe 07と
する。レーザー光の照射系統も2種類用意し、おのおの
について実施例1と同様にその分解温度によってレーザ
ー出力を決定する。
ReO2側がやや高めとなるように設定した。第2図(
a)にレーザー及びチャンバー内の構造を簡単に示す。
a)にレーザー及びチャンバー内の構造を簡単に示す。
このように2本のレーザー光を別のターゲットに照射し
、1つの基板上に蒸着を行う。
、1つの基板上に蒸着を行う。
第2図(b)は2つの光路のうち1つを取り出して横か
ら見た図を示す。基板はSiを用い、150°C〜25
0 ’Cとなるように加熱する。この成膜では酸素を必
要とし、酸素フローを行った状態で真空度が1〜10−
’To r rとする。真空度が実施例1の場合より落
ちているので基板とターゲットの間の距離は短めにする
。以上の過程を経て超伝導転移のオンセット温度が圧力
約5Kbarr下で4〜5にの超伝導性を持つ有tm、
薄膜が得られる。
ら見た図を示す。基板はSiを用い、150°C〜25
0 ’Cとなるように加熱する。この成膜では酸素を必
要とし、酸素フローを行った状態で真空度が1〜10−
’To r rとする。真空度が実施例1の場合より落
ちているので基板とターゲットの間の距離は短めにする
。以上の過程を経て超伝導転移のオンセット温度が圧力
約5Kbarr下で4〜5にの超伝導性を持つ有tm、
薄膜が得られる。
上記の実施例においては、ターゲットに対してレーザー
光を照射して基板上に有機薄膜を形成したが、その他の
エネルギーとして超高圧水銀ランプ ハロゲンランプ等
の高エネルギー光を光学系を使用して集光してエネルギ
ー密度を高めて用いることも可能であった。
光を照射して基板上に有機薄膜を形成したが、その他の
エネルギーとして超高圧水銀ランプ ハロゲンランプ等
の高エネルギー光を光学系を使用して集光してエネルギ
ー密度を高めて用いることも可能であった。
また、分子構造が(A+B)で不安定な物質の場合実施
例2のように2つのターゲットを使用し2つのエネルギ
ービームを照射して基板上でA+B構造を成長させる方
法と1つのターゲットのうち半分の面積をA、残りをB
の構造と同時に2つの領域に対しエネルギーを照射する
ことによって基板上にA −+−Bの構造の有機超伝導
薄膜を形成できる。この場合、への領域に照射している
のべ時間とBの領域に照射しているのべ時間の比率を変
化させることにより、基板上に形成できる有機超伝導薄
膜の構造を変化させることができた。
例2のように2つのターゲットを使用し2つのエネルギ
ービームを照射して基板上でA+B構造を成長させる方
法と1つのターゲットのうち半分の面積をA、残りをB
の構造と同時に2つの領域に対しエネルギーを照射する
ことによって基板上にA −+−Bの構造の有機超伝導
薄膜を形成できる。この場合、への領域に照射している
のべ時間とBの領域に照射しているのべ時間の比率を変
化させることにより、基板上に形成できる有機超伝導薄
膜の構造を変化させることができた。
「効果j
以上のような方法あるいは条件のもとて従来は得ること
のできなかった、薄膜状態の超伝導性を示す有機材料薄
膜を得ることができる。
のできなかった、薄膜状態の超伝導性を示す有機材料薄
膜を得ることができる。
第1図及び第2図はレーザー蒸着装置内の構成を簡単に
示したものである。
示したものである。
Claims (1)
- 1.高エネルギーを有機錯体結晶ターゲットに与えて前
記有機錯体を瞬時に昇華温度以上に加熱する物理的気相
法によって形成された有機超伝導薄膜。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1181322A JPH0347959A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 有機超伝導薄膜 |
US07/551,172 US5094880A (en) | 1989-07-13 | 1990-07-11 | Thin superconducting film and manufacturing method for the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1181322A JPH0347959A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 有機超伝導薄膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0347959A true JPH0347959A (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=16098659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1181322A Pending JPH0347959A (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | 有機超伝導薄膜 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5094880A (ja) |
JP (1) | JPH0347959A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4022817C1 (ja) * | 1990-07-18 | 1991-11-07 | Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft- Und Raumfahrt Ev, 5300 Bonn, De | |
JPH0532493A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 |
IT1261800B (it) * | 1993-07-02 | 1996-06-03 | Enea Ente Nuove Tec | Metodo per la deposizione di sistemi supramolecolari, di biomolecole ein generale, di molecole di grandi dimensioni e/o complessita' e/o labilita' senza loro frammentazione e/o perdita delle loro proprieta' strutturali e funzionali. |
JP4240423B2 (ja) * | 1998-04-24 | 2009-03-18 | 中部キレスト株式会社 | 金属酸化物薄膜形成用ターゲット材およびその製造方法、並びに該ターゲット材を使用した金属酸化物薄膜の形成法 |
US20020011205A1 (en) * | 2000-05-02 | 2002-01-31 | Shunpei Yamazaki | Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device |
WO2006016669A1 (en) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US7431807B2 (en) * | 2005-01-07 | 2008-10-07 | Universal Display Corporation | Evaporation method using infrared guiding heater |
CN102804434A (zh) * | 2010-03-26 | 2012-11-28 | 俄亥俄大学 | 通过电荷转移设计制造超薄分子超导体 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0140240B1 (en) * | 1983-10-14 | 1988-07-06 | Hitachi, Ltd. | Process for forming an organic thin film |
US4632776A (en) * | 1985-05-29 | 1986-12-30 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ambient-pressure organic superconductor |
US4764003A (en) * | 1986-11-03 | 1988-08-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Optical mirror coated with organic superconducting material |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP1181322A patent/JPH0347959A/ja active Pending
-
1990
- 1990-07-11 US US07/551,172 patent/US5094880A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5094880A (en) | 1992-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5432151A (en) | Process for ion-assisted laser deposition of biaxially textured layer on substrate | |
US5212148A (en) | Method for manufacturing oxide superconducting films by laser evaporation | |
Strikovsky et al. | Crossed fluxes technique for pulsed laser deposition of smooth YBa2Cu3O7− x films and multilayers | |
Rao | Pulsed laser deposition—Ablation mechanism and applications | |
Blank et al. | High Tc thin films prepared by laser ablation: material distribution and droplet problem | |
JPH0347959A (ja) | 有機超伝導薄膜 | |
JPH04104901A (ja) | 酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
Kaczmarek | Pulsed laser deposition-today and tomorrow | |
JPH01309956A (ja) | 酸化物系超電導体の製造方法 | |
Kaul et al. | High-Tc superconducting NbN films with low particulate density grown at 25 C using pulsed laser deposition | |
Shrivastava | Deposition techniques for high-tc superconducting YBCO thin films | |
JP3465041B2 (ja) | Yag第5高調波パルスレーザ蒸着による薄膜の作製方法およびその装置 | |
EP0486054B1 (en) | Process for preparing a superconducting thin oxide film | |
AU2003235235A1 (en) | Process for producing oxide superconductive thin-film | |
JPH02239102A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
KR100466825B1 (ko) | 펄스 레이저를 이용한 박막 증착 장치 | |
JPH01177367A (ja) | レーザ光または強光を用いた成膜装置 | |
JPH04175204A (ja) | 物理蒸着法による酸化物超電導導体の製造方法 | |
JPS60177178A (ja) | 多層薄膜形成方法 | |
Eryu et al. | Formation of high Tc, superconducting films by laser induced fragments | |
KR970005159B1 (ko) | 박막제조장치 | |
JPH02258694A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
JPH07133189A (ja) | 酸化物薄膜の製造方法 | |
JPH02156072A (ja) | 酸化物超電導膜の合成法 | |
JP2004362784A (ja) | 酸化物超電導導体およびその製造方法 |