JPH0346943B2 - - Google Patents
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- JPH0346943B2 JPH0346943B2 JP57227413A JP22741382A JPH0346943B2 JP H0346943 B2 JPH0346943 B2 JP H0346943B2 JP 57227413 A JP57227413 A JP 57227413A JP 22741382 A JP22741382 A JP 22741382A JP H0346943 B2 JPH0346943 B2 JP H0346943B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
- H01J27/14—Other arc discharge ion sources using an applied magnetic field
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はイオン発生装置に係り、特に低圧気中
放電の一種であるクロストフイールド放電を用い
たイオン発生装置に関する。 〔従来技術とその問題点〕 一般に、半導体や金属などの表面加工、核物理
学、表面化学などで必要とされるイオン源の特性
としては、出力電流が大きく、ビームのイオンの
運動エネルギーのばらつきが少なく、操作性が良
く信頼度が高いことが要求される。この様に、出
力電流が大きく、エネルギー分布のばらつきが少
ないイオン源として、熱陰極から電子を補給して
プラズマを生成し、そのイオンを取出す形式のも
のが実用に供されており、代表的なものとしては
デユオプラズマトロンがある。 しかしながら、かかる形式のイオン源は破壊さ
れ易く、ひんぱんに取替える必要がある熱陰極を
備えているので、イオン源の操作性が悪く信頼度
が低いという欠点を有する。 これに対して、プラズマをマイクロ波で生成す
るものも知られており、これは熱陰極を必要とし
ないが、大電力のマイクロ波を供給するための装
置を必要とし、装置が大規模になるという問題点
がある。 これらの欠点を克服し、出力電流が大きく操作
性が良く信頼度の高いイオン源としては、現在代
表的なものとして低圧気中放電の一種の冷陰極
PIG放電に利用したPIGイオン源が知られており
実用に供されている。 第１図はかかる周知のPIGイオン源の構成を示
す縦断面図であり、同図中１は円筒状中空部２を
有する陽極、３，４は２枚１組でなる陰極、５は
前記陽極１及び陰極３，４を収容する真空容器、
６，７は前記陽極１、陰極３，４に対する給電経
路を形成する真空容器壁貫通部、８は磁場発生装
置、９は前記陰極３に設けた貫通孔である。 第１図からも明らかな如く、陽極１の２つの開
口部のおのおのに離間かつ近接して開口を覆う形
状に２枚１組の陰極３，４が設けられ、前記陽極
１、陰極３，４は真空容器５に収容される。また
陽極１と陰極３，４の間には、図示しない電源か
ら図示しない給電経路を経て、更にこの給電経路
の一部をなす気密な真空容器壁貫通部６，７を経
て高電圧が印加される。なお、２枚の陰極３，４
は真空容器５の内部で短絡されている。 一方、磁場発生装置８は、永久磁石でも、超電
導または常電導の電磁石でもよいが、この磁場発
生装置８の作る磁場は、陽極１の中空部２の位置
で円筒状中空部２の軸に平行である。また、陰極
３の陽極の中空部２の軸心に一致する軸心を有す
る貫通孔９がある。 更に、真空容器５は図示しない真空装置に接続
されるが、前記真空装置はその排気装置により予
め真空容器５の内部を所要の真空度に排気し、イ
オン源作動時にはこの真空容器５の内部に所要の
気体等を供給する。 さて、イオン源の作動条件は、用途によつて適
宜に選べばよい。例えば、真空容器５内の作動気
体密度を１×1017ｍ-3、陽極１の中空部２の半径
を7.5mm、陽陰極間電圧を5kV、磁場を0.15Tとす
る。そして、発生したイオンは開口９から取出さ
れる。 かかる構成を有する従来のPIGイオン源の欠点
は、イオンビームのエネルギ分布のばらつきが大
きいことであつた。すなわち、 (1) J.C.Helmer and R.L.Jensen：Electrical
Characteristics of ａ Penning Discharge：
Proc.IRE.49（′61）．1920 (2) W.Knauer：Mechanism of the Penning
Discharge at Low Pressures：J.Appl.Phys.
33（′62）．2093 に示される様に取出されたイオンビームの運動エ
ネルギーの分布幅が広く、ビームの集束や平行度
を良くするためには、ビームラインの構成が非常
に困難であるという欠点があつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、冷陰極放電を利用して、取出
されたイオンビームの運動エネルギーの分布の幅
を狭くできるイオン発生装置の構成を提供するに
ある。 〔発明の概要〕 陽極を長、短の二つとし、短い陽極に最高電位
を与え、二つの陽極の中空部に軸方向磁場を印加
し、陰極のイオン取り出しの貫通孔のあるものを
最低電位とし、他の陰極は短い陽極の中空部に延
在する棒状部を有するものとし、各電極に包囲さ
れた空間に気体を導入することにより、目的を達
成した。 〔発明の効果〕 放電で形成される電子群は短い陽極内ではその
中空部全体にわたつて分布し、長い陽極内では比
較的電位の低い軸の近傍だけに分布する。導入さ
れた気体分布は放電で形成される電子群の電子に
よりイオン化されるが、生成されるイオンの大部
分が長い陽極の中空部で生成されるようになさ
れ、さらに、短い陽極の中で生成されたイオンは
陰極の棒状部に衝突させ、ビームに混在しないよ
うになされているから、イオンビームのエネルギ
ーの分布の幅を狭くできる。また冷陰極放電を利
用したガス効率のよいイオン源であることは従来
のPIGイオン源と同様である。 〔発明の実施例〕 第２図は本発明の一実施例を示すイオン発生装
置要部縦断面図である。なお各図面において共通
する部分には同一番号を符す。２１は貫通した中
空部２３を有する短い第一の陽極、２２は貫通し
た中空部２４を有し第一の陽極と同軸に隣接して
配設された長い第二の陽極、１０は該第一の陽極
の開口を覆う形状をもち、第一の陽極の中空部２
３の軸心に延在する棒状部１０ａを有する第一の
陰極、１１は第二の陽極２２の開口を覆う形状を
持ち第一の陰極１０と二つの陽極２１，２２を挟
んで相対して配設され二つの陽極の軸心と同軸に
穿設された貫通孔９を有する第二の陰極である。 １２は絶縁物製の支持体で二つの陽極２１，２
２及び第一の陰極１０を通電路を兼ねる図示の支
柱を介して支持するとともに電気的接続部を形成
し、図示されない電源出力からの図示されない導
電線は該電気的接続部で各電極に接続され、第一
の陽極２１には最も高い電位が第二の陽極２２は
第一の陽極よりも低く二つの陰極よりも高い電位
が、第一の陰極１０には二つの陽極の電位より低
い正の電位が与えられる。第二の陰極１１は真空
容器５に固着され接地される。１３は支持で支持
体１２を支持し、図示されない構造物に支持され
る。１４は管で一端は図示されない作動気体源に
接続され、他端は支柱１３に固着され、管１４、
支柱１３に穿設された穴１５は第一の陰極１０の
背面への気体供給経路を形成し、供給された気体
は各電極の間隙を通つて、各電極によつて包囲さ
れた空間に供給される。８は磁場発生装置で本実
施例では永久磁石を使用しており、二つの陽極２
１，２２の中空部２３，２４にその軸心と実質的
に平行な磁場を印加する。 かくして構成された実施例を参照して本発明の
作用を述べると、第３図は本発明の作用及び効果
を示すイオン発生装置動作説明図である。同図ａ
に示される如く第二の陰極１１は接地されその電
位Vk2は０である。第一の陰極１０には電源１７
から電位Vk1が、第二の陽極２２には電源１７，
１８から電位Va2が与えられ、第一の陽極２１に
は電源１６，１７，１８から電位Va1が与えら
れ、 Va1＞Va2＞VkL＞Vk2＝０ の関係が成立している。同図に示される如く、二
つの陽極２１，２２の中空部には電場と磁場が直
交する一種のクロストフイールド放電が発生自続
し高エネルギ高密度の電子群１９が捕獲されてい
る。該電子群１９は第一の陰極の棒状部１０ａに
シースを介して接し、電位Va1の第一の陽極の内
表面にシースを介して接している。電位Va2の第
二の陽極の内部では、電子群１９は第二の陽極の
中空部２４の軸を軸とする半径Roの円筒の内部
にだけ存在し、二つの陽極の半径をRoとおくと、
Ra＞Roである。同図の断面Ｆ−Ｆにおける空間
電位VF及び断面Ｔ−Ｔにおける空間電位VTを、
陽極の中空部の軸からの距離ｒの関数として第３
図ｂに示す。ここで陰極降下は小さいので無視
し、また棒状部１０ａは第一の陽極の中空部２３
にくらべて細いから、棒状部近傍の電位の詳細な
分布も無視している。０≦ｒ≦RoでVF＝VT、
Ro＜ｒ＜RaでVT＞VFである。ｒ＝Ro、すなわ
ち第二の陽極の中空部に於ける電子群１９の境界
面に於て、空間電位はVoであり、この部分では
電子群１９は電位がVk1を超え、Vo以下である
空間に存在する。一方第一の陽極の中空部では、
電子群１９は電位がVk1を越えVa1未満である空
間に存在する。 本発明のイオン発生装置では、上述のクロスト
フイールド放電の電子群が気体分子をイオン化す
ることによりイオンが発生する。気体は前記気体
供給経路を通つて陽極の中空部に供給され、そこ
に存在する電子群１９の電子によつてイオン化さ
れる。生成されたイオンの一部は電子群１９を脱
離して第二の陰極１１に向つて加速され、生成さ
れたイオンの残りは電子群１９を脱離して第一の
陰極１０に衝突して電荷を失い、中性化されたイ
オンであつた粒子は種々の過程を経て大部分が第
一の陰極１０を脱離して陽極の中空部に再度入射
する。陽極を中空部に入射して電子群１９の電子
によりイオン化されなかつた気体分子等の大部分
は陽極の内面に衝突し、反射あるいは吸着・脱離
により再び陽極の中空部の内部を運動する。以上
説明した諸過程により、陽極の中空部に供給され
た作動気体分子は効率よくイオンとなつて第二の
陰極１１に向つて加速され、その一部が貫通孔９
を経由して矢印で示すイオンビーム２０を形成
し、その残りは第二の陰極１１に衝突して再び陽
極の中空部へ入射する。 この結果本発明においては作動気体の分子は非
常に効率よくイオンビームのイオンになるから、
冷陰極放電を利用したガス効率のよいイオン源が
実現する。 第３図ｃはイオンビーム２０を構成するイオン
のうち、運動エネルギがｕ以上ｕ＋du未満のイ
オンの単位時間に取出される数がfduであると定
義したエネルギ分布函数ｆと運動エネルギｕの関
係を示す。ここでｆとｕは相対値で示してある。
イオンはほとんど一価であるから、その電価をｅ
とすると、第二の陽極の内部で作られたイオンの
分布函数はfF、第一の陽極の内部で作られたイオ
ンの分布函数はfTである。第二の陽極２２のの長
さを第一の陽極２１の長さより非常に長くしてあ
り、更に第一の陽極の中空部２３で生成されたイ
オンは実際上全て第一の陰極の棒状部１０ａに衝
突するからイオンビーム２０に混入しない。すな
わち、イオンビーム２０のエネルギ分布函数をfF
に一致させることができ、運動エネルギーの分布
の幅を狭くできるイオン発生装置が実現した。
放電の一種であるクロストフイールド放電を用い
たイオン発生装置に関する。 〔従来技術とその問題点〕 一般に、半導体や金属などの表面加工、核物理
学、表面化学などで必要とされるイオン源の特性
としては、出力電流が大きく、ビームのイオンの
運動エネルギーのばらつきが少なく、操作性が良
く信頼度が高いことが要求される。この様に、出
力電流が大きく、エネルギー分布のばらつきが少
ないイオン源として、熱陰極から電子を補給して
プラズマを生成し、そのイオンを取出す形式のも
のが実用に供されており、代表的なものとしては
デユオプラズマトロンがある。 しかしながら、かかる形式のイオン源は破壊さ
れ易く、ひんぱんに取替える必要がある熱陰極を
備えているので、イオン源の操作性が悪く信頼度
が低いという欠点を有する。 これに対して、プラズマをマイクロ波で生成す
るものも知られており、これは熱陰極を必要とし
ないが、大電力のマイクロ波を供給するための装
置を必要とし、装置が大規模になるという問題点
がある。 これらの欠点を克服し、出力電流が大きく操作
性が良く信頼度の高いイオン源としては、現在代
表的なものとして低圧気中放電の一種の冷陰極
PIG放電に利用したPIGイオン源が知られており
実用に供されている。 第１図はかかる周知のPIGイオン源の構成を示
す縦断面図であり、同図中１は円筒状中空部２を
有する陽極、３，４は２枚１組でなる陰極、５は
前記陽極１及び陰極３，４を収容する真空容器、
６，７は前記陽極１、陰極３，４に対する給電経
路を形成する真空容器壁貫通部、８は磁場発生装
置、９は前記陰極３に設けた貫通孔である。 第１図からも明らかな如く、陽極１の２つの開
口部のおのおのに離間かつ近接して開口を覆う形
状に２枚１組の陰極３，４が設けられ、前記陽極
１、陰極３，４は真空容器５に収容される。また
陽極１と陰極３，４の間には、図示しない電源か
ら図示しない給電経路を経て、更にこの給電経路
の一部をなす気密な真空容器壁貫通部６，７を経
て高電圧が印加される。なお、２枚の陰極３，４
は真空容器５の内部で短絡されている。 一方、磁場発生装置８は、永久磁石でも、超電
導または常電導の電磁石でもよいが、この磁場発
生装置８の作る磁場は、陽極１の中空部２の位置
で円筒状中空部２の軸に平行である。また、陰極
３の陽極の中空部２の軸心に一致する軸心を有す
る貫通孔９がある。 更に、真空容器５は図示しない真空装置に接続
されるが、前記真空装置はその排気装置により予
め真空容器５の内部を所要の真空度に排気し、イ
オン源作動時にはこの真空容器５の内部に所要の
気体等を供給する。 さて、イオン源の作動条件は、用途によつて適
宜に選べばよい。例えば、真空容器５内の作動気
体密度を１×1017ｍ-3、陽極１の中空部２の半径
を7.5mm、陽陰極間電圧を5kV、磁場を0.15Tとす
る。そして、発生したイオンは開口９から取出さ
れる。 かかる構成を有する従来のPIGイオン源の欠点
は、イオンビームのエネルギ分布のばらつきが大
きいことであつた。すなわち、 (1) J.C.Helmer and R.L.Jensen：Electrical
Characteristics of ａ Penning Discharge：
Proc.IRE.49（′61）．1920 (2) W.Knauer：Mechanism of the Penning
Discharge at Low Pressures：J.Appl.Phys.
33（′62）．2093 に示される様に取出されたイオンビームの運動エ
ネルギーの分布幅が広く、ビームの集束や平行度
を良くするためには、ビームラインの構成が非常
に困難であるという欠点があつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、冷陰極放電を利用して、取出
されたイオンビームの運動エネルギーの分布の幅
を狭くできるイオン発生装置の構成を提供するに
ある。 〔発明の概要〕 陽極を長、短の二つとし、短い陽極に最高電位
を与え、二つの陽極の中空部に軸方向磁場を印加
し、陰極のイオン取り出しの貫通孔のあるものを
最低電位とし、他の陰極は短い陽極の中空部に延
在する棒状部を有するものとし、各電極に包囲さ
れた空間に気体を導入することにより、目的を達
成した。 〔発明の効果〕 放電で形成される電子群は短い陽極内ではその
中空部全体にわたつて分布し、長い陽極内では比
較的電位の低い軸の近傍だけに分布する。導入さ
れた気体分布は放電で形成される電子群の電子に
よりイオン化されるが、生成されるイオンの大部
分が長い陽極の中空部で生成されるようになさ
れ、さらに、短い陽極の中で生成されたイオンは
陰極の棒状部に衝突させ、ビームに混在しないよ
うになされているから、イオンビームのエネルギ
ーの分布の幅を狭くできる。また冷陰極放電を利
用したガス効率のよいイオン源であることは従来
のPIGイオン源と同様である。 〔発明の実施例〕 第２図は本発明の一実施例を示すイオン発生装
置要部縦断面図である。なお各図面において共通
する部分には同一番号を符す。２１は貫通した中
空部２３を有する短い第一の陽極、２２は貫通し
た中空部２４を有し第一の陽極と同軸に隣接して
配設された長い第二の陽極、１０は該第一の陽極
の開口を覆う形状をもち、第一の陽極の中空部２
３の軸心に延在する棒状部１０ａを有する第一の
陰極、１１は第二の陽極２２の開口を覆う形状を
持ち第一の陰極１０と二つの陽極２１，２２を挟
んで相対して配設され二つの陽極の軸心と同軸に
穿設された貫通孔９を有する第二の陰極である。 １２は絶縁物製の支持体で二つの陽極２１，２
２及び第一の陰極１０を通電路を兼ねる図示の支
柱を介して支持するとともに電気的接続部を形成
し、図示されない電源出力からの図示されない導
電線は該電気的接続部で各電極に接続され、第一
の陽極２１には最も高い電位が第二の陽極２２は
第一の陽極よりも低く二つの陰極よりも高い電位
が、第一の陰極１０には二つの陽極の電位より低
い正の電位が与えられる。第二の陰極１１は真空
容器５に固着され接地される。１３は支持で支持
体１２を支持し、図示されない構造物に支持され
る。１４は管で一端は図示されない作動気体源に
接続され、他端は支柱１３に固着され、管１４、
支柱１３に穿設された穴１５は第一の陰極１０の
背面への気体供給経路を形成し、供給された気体
は各電極の間隙を通つて、各電極によつて包囲さ
れた空間に供給される。８は磁場発生装置で本実
施例では永久磁石を使用しており、二つの陽極２
１，２２の中空部２３，２４にその軸心と実質的
に平行な磁場を印加する。 かくして構成された実施例を参照して本発明の
作用を述べると、第３図は本発明の作用及び効果
を示すイオン発生装置動作説明図である。同図ａ
に示される如く第二の陰極１１は接地されその電
位Vk2は０である。第一の陰極１０には電源１７
から電位Vk1が、第二の陽極２２には電源１７，
１８から電位Va2が与えられ、第一の陽極２１に
は電源１６，１７，１８から電位Va1が与えら
れ、 Va1＞Va2＞VkL＞Vk2＝０ の関係が成立している。同図に示される如く、二
つの陽極２１，２２の中空部には電場と磁場が直
交する一種のクロストフイールド放電が発生自続
し高エネルギ高密度の電子群１９が捕獲されてい
る。該電子群１９は第一の陰極の棒状部１０ａに
シースを介して接し、電位Va1の第一の陽極の内
表面にシースを介して接している。電位Va2の第
二の陽極の内部では、電子群１９は第二の陽極の
中空部２４の軸を軸とする半径Roの円筒の内部
にだけ存在し、二つの陽極の半径をRoとおくと、
Ra＞Roである。同図の断面Ｆ−Ｆにおける空間
電位VF及び断面Ｔ−Ｔにおける空間電位VTを、
陽極の中空部の軸からの距離ｒの関数として第３
図ｂに示す。ここで陰極降下は小さいので無視
し、また棒状部１０ａは第一の陽極の中空部２３
にくらべて細いから、棒状部近傍の電位の詳細な
分布も無視している。０≦ｒ≦RoでVF＝VT、
Ro＜ｒ＜RaでVT＞VFである。ｒ＝Ro、すなわ
ち第二の陽極の中空部に於ける電子群１９の境界
面に於て、空間電位はVoであり、この部分では
電子群１９は電位がVk1を超え、Vo以下である
空間に存在する。一方第一の陽極の中空部では、
電子群１９は電位がVk1を越えVa1未満である空
間に存在する。 本発明のイオン発生装置では、上述のクロスト
フイールド放電の電子群が気体分子をイオン化す
ることによりイオンが発生する。気体は前記気体
供給経路を通つて陽極の中空部に供給され、そこ
に存在する電子群１９の電子によつてイオン化さ
れる。生成されたイオンの一部は電子群１９を脱
離して第二の陰極１１に向つて加速され、生成さ
れたイオンの残りは電子群１９を脱離して第一の
陰極１０に衝突して電荷を失い、中性化されたイ
オンであつた粒子は種々の過程を経て大部分が第
一の陰極１０を脱離して陽極の中空部に再度入射
する。陽極を中空部に入射して電子群１９の電子
によりイオン化されなかつた気体分子等の大部分
は陽極の内面に衝突し、反射あるいは吸着・脱離
により再び陽極の中空部の内部を運動する。以上
説明した諸過程により、陽極の中空部に供給され
た作動気体分子は効率よくイオンとなつて第二の
陰極１１に向つて加速され、その一部が貫通孔９
を経由して矢印で示すイオンビーム２０を形成
し、その残りは第二の陰極１１に衝突して再び陽
極の中空部へ入射する。 この結果本発明においては作動気体の分子は非
常に効率よくイオンビームのイオンになるから、
冷陰極放電を利用したガス効率のよいイオン源が
実現する。 第３図ｃはイオンビーム２０を構成するイオン
のうち、運動エネルギがｕ以上ｕ＋du未満のイ
オンの単位時間に取出される数がfduであると定
義したエネルギ分布函数ｆと運動エネルギｕの関
係を示す。ここでｆとｕは相対値で示してある。
イオンはほとんど一価であるから、その電価をｅ
とすると、第二の陽極の内部で作られたイオンの
分布函数はfF、第一の陽極の内部で作られたイオ
ンの分布函数はfTである。第二の陽極２２のの長
さを第一の陽極２１の長さより非常に長くしてあ
り、更に第一の陽極の中空部２３で生成されたイ
オンは実際上全て第一の陰極の棒状部１０ａに衝
突するからイオンビーム２０に混入しない。すな
わち、イオンビーム２０のエネルギ分布函数をfF
に一致させることができ、運動エネルギーの分布
の幅を狭くできるイオン発生装置が実現した。
第１図は従来のPIGイオン源の構成を示す縦断
面図、第２図は本発明の一実施例を示すイオン発
生装置要部縦断面図、第３図は本発明の作用及び
効果を示すイオン発生装置動作説明図である。 １……陽極、２，２３，２４……陽極の中空
部、３，４……陰極、８……磁場発生装置、９…
…貫通孔、１０……第一の陰極、１０ａ……棒状
部、１１……第二の陰極、１３……支柱、１４…
…管、１５……支柱１３の穴、１６，１７，１８
……電源、１９……電子群、２０……イオンビー
ム、２１……第一の陽極、２２……第二の陽極。
面図、第２図は本発明の一実施例を示すイオン発
生装置要部縦断面図、第３図は本発明の作用及び
効果を示すイオン発生装置動作説明図である。 １……陽極、２，２３，２４……陽極の中空
部、３，４……陰極、８……磁場発生装置、９…
…貫通孔、１０……第一の陰極、１０ａ……棒状
部、１１……第二の陰極、１３……支柱、１４…
…管、１５……支柱１３の穴、１６，１７，１８
……電源、１９……電子群、２０……イオンビー
ム、２１……第一の陽極、２２……第二の陽極。
Claims (1)
- １ 貫通した中空部を有する第一の陽極と、貫通
した中空部を有し、前記第一の陽極と同軸に隣接
して配設された前記第一の陽極より長い第二の陽
極と、前記第一の陽極及び前記第二の陽極を挟ん
で相対して配設され第一の陽極の開口を覆う形状
をもち、第一の陽極の中空部に延在する棒状部を
有する第一の陰極と、第二の陽極の中空部の軸心
と同軸に穿設された貫通孔を有し第二の陽極の開
口を覆う形状を有する第二の陰極と、前記第一の
陽極には最も高く、前記第二の陽極には前記第一
の陽極より低く、前記第一の陰極には前記第二の
陽極より低く、前記第二の陰極には最も低い電位
を与える手段と、前記二つの陽極の中空部にその
軸心と実質的に平行な磁場を与える手段と、気体
を前記各電極によつて包囲された空間に供給する
手段とを具備することを特徴とするイオン発生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57227413A JPS59121735A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | イオン発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57227413A JPS59121735A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | イオン発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121735A JPS59121735A (ja) | 1984-07-13 |
| JPH0346943B2 true JPH0346943B2 (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=16860447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57227413A Granted JPS59121735A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | イオン発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121735A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4868330B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2012-02-01 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 多価イオン発生源およびこの発生源を用いた荷電粒子ビーム装置 |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57227413A patent/JPS59121735A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59121735A (ja) | 1984-07-13 |
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