JPH0346634A - 非線形抵抗素子 - Google Patents
非線形抵抗素子Info
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- JPH0346634A JPH0346634A JP1182206A JP18220689A JPH0346634A JP H0346634 A JPH0346634 A JP H0346634A JP 1182206 A JP1182206 A JP 1182206A JP 18220689 A JP18220689 A JP 18220689A JP H0346634 A JPH0346634 A JP H0346634A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アクティブマトリックス方式液晶表示パネル
において、液晶スイッチング素子に用いられるタンタル
（Ｔａ）−絶縁体−透明導電体構造（以下、ＭＩＭと記
￥）を有する非線形素子の構造に関する。
において、液晶スイッチング素子に用いられるタンタル
（Ｔａ）−絶縁体−透明導電体構造（以下、ＭＩＭと記
￥）を有する非線形素子の構造に関する。
ＭＩＭ素子とは、特開昭６１−２９５５２８号公報に記
載されているように例えばＴａ−タンタル酸化膜（Ｔａ
２０．）−酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような金属
−絶縁体−透明導電体の３層構造であり、その電流−電
圧特性は非線形を示す。以下にＴａ−Ｔａ２０３−ＩＴ
Ｏ構造における従来構造の製造方法について第４図を用
いて説明する。
載されているように例えばＴａ−タンタル酸化膜（Ｔａ
２０．）−酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような金属
−絶縁体−透明導電体の３層構造であり、その電流−電
圧特性は非線形を示す。以下にＴａ−Ｔａ２０３−ＩＴ
Ｏ構造における従来構造の製造方法について第４図を用
いて説明する。
第４図（ａｌはＭＩＭ素子を示す平面図であり、第４図
（１））は、第４図（ａ）におけるＡ、 −Ｂ断面を示
す断面図である。ガラス基板１」二にＴａ２をアルゴン
ガス雰囲気中でスパッタリング法により形成し、フォト
エツチングによりバターニングし、Ｔａ２からなるＭＩ
Ｍ素子の下部電極と配線とを形成する。このＴａ２の平
面パターン形状は、第４図（ａ、１の実線５で示す。次
に陽極酸化法によりＴａ２表面に絶縁体３としてＴａ、
、Ｏ□を形成する。次に透明導電体４として、ＩＴＯを
スパックリング法により形成し、フォトエツチングによ
りパターニングし、ＩＴＯからなるＭＩＭ素子の」二部
電極と液晶駆動用画素電極とを形成する。この透明導電
体４の平面パターン形状は第４図（ａＪの破線６で示す
。
（１））は、第４図（ａ）におけるＡ、 −Ｂ断面を示
す断面図である。ガラス基板１」二にＴａ２をアルゴン
ガス雰囲気中でスパッタリング法により形成し、フォト
エツチングによりバターニングし、Ｔａ２からなるＭＩ
Ｍ素子の下部電極と配線とを形成する。このＴａ２の平
面パターン形状は、第４図（ａ、１の実線５で示す。次
に陽極酸化法によりＴａ２表面に絶縁体３としてＴａ、
、Ｏ□を形成する。次に透明導電体４として、ＩＴＯを
スパックリング法により形成し、フォトエツチングによ
りパターニングし、ＩＴＯからなるＭＩＭ素子の」二部
電極と液晶駆動用画素電極とを形成する。この透明導電
体４の平面パターン形状は第４図（ａＪの破線６で示す
。
Ｔａ２と透明導電体４のクロス部がＭＩＭ素子となる。
上記方法により形成した配線及びＭＩＭ素子の下部電極
となるＴａの結晶構造はβ系（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ
）となり、比抵抗は約１６０Ωｃｍとなる。この値は対
角１０インチ以上の表示面積を有する液晶パネルを作製
する場合、配線抵抗によって生じる表示むらを低減する
ために配線幅を太くする必要がありこれにより有効表示
面積の低下を招く問題がある。
となるＴａの結晶構造はβ系（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ
）となり、比抵抗は約１６０Ωｃｍとなる。この値は対
角１０インチ以上の表示面積を有する液晶パネルを作製
する場合、配線抵抗によって生じる表示むらを低減する
ために配線幅を太くする必要がありこれにより有効表示
面積の低下を招く問題がある。
上記目的を達成するため本発明はＭＩＭ素子の、配線及
び下部電極となるＴａの結晶構造をα系（ｂｃｃ）にす
ることにより比抵抗をβ系の２０％とする。
び下部電極となるＴａの結晶構造をα系（ｂｃｃ）にす
ることにより比抵抗をβ系の２０％とする。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
第２図は本発明の実施例により作製したＭＩＭ素子構造
を示す平面図であり、第１図（ａ）〜（ｄｌは第２図の
Ａ、 −Ｂ断面を示し、本発明のＭＩＭ素子構造を得る
ための製造方法を工程順に示す断面図である。以下第１
図と第２図とを交互に参照して説明する。
を示す平面図であり、第１図（ａ）〜（ｄｌは第２図の
Ａ、 −Ｂ断面を示し、本発明のＭＩＭ素子構造を得る
ための製造方法を工程順に示す断面図である。以下第１
図と第２図とを交互に参照して説明する。
まず本発明の構造を第１図（ｄ）を用いて説明する。
ＭＩＭ素子の下部電極と配線としてのＴａをαＴａ９で
構成する。このα−Ｔａ９上に絶縁体１０を設けさらに
この絶縁体１０上に透明導電体１１を形成してＭＩＭ素
子を構成する。この第１図（ｄ）に示す本発明のＭＩＭ
素子構造を得るための製造方法を次に説明する。
構成する。このα−Ｔａ９上に絶縁体１０を設けさらに
この絶縁体１０上に透明導電体１１を形成してＭＩＭ素
子を構成する。この第１図（ｄ）に示す本発明のＭＩＭ
素子構造を得るための製造方法を次に説明する。
まず第１図（ａ）に示す様にガラス基板８」二にスパッ
タリング法により以下の条件でα−Ｔａ９を厚さ２００
ｎｍ形成する。
タリング法により以下の条件でα−Ｔａ９を厚さ２００
ｎｍ形成する。
導入ガス：Ａｒ、Ｎ２
全 圧：２ｍｍｔｏｒｒ
Ｎ２分圧： ０．１５ ｍｍ ｔｏｒｒ加熱温度： ３
０００Ｇ スパッタレート： ２００ ｎｍ／ｍｉｎ次に第１図（
１））に示す様にα−Ｔａ９を通常のフォトリソ法とド
ライエツチングにより下部電極と電線との形状にパター
ニングする。この平面パターン形状は第２図の実線１２
で示す。
０００Ｇ スパッタレート： ２００ ｎｍ／ｍｉｎ次に第１図（
１））に示す様にα−Ｔａ９を通常のフォトリソ法とド
ライエツチングにより下部電極と電線との形状にパター
ニングする。この平面パターン形状は第２図の実線１２
で示す。
次に第１図ＩＣ）に示す様に、クエン酸０１％水溶液中
３０Ｖの電圧でα−Ｔａ９を陽極酸化しこれらのＴａ表
面にＴａ２０５からなる絶縁体１０を厚さ５０ｎｍ形成
する。
３０Ｖの電圧でα−Ｔａ９を陽極酸化しこれらのＴａ表
面にＴａ２０５からなる絶縁体１０を厚さ５０ｎｍ形成
する。
次に第１図（ｄｌに示す様に、透明導電体１１としてＩ
ＴＯをスパッタリング法により厚さ２００ｎｍ形成し、
通常のフォトエツチングによりバターニングする。この
透明導電体１１の平面パターン形状は第２図の配線７で
示す。
ＴＯをスパッタリング法により厚さ２００ｎｍ形成し、
通常のフォトエツチングによりバターニングする。この
透明導電体１１の平面パターン形状は第２図の配線７で
示す。
尚、作製したＭＩＭ素子の面積は１６μｍ′とした。
第３図は上記実施例においてＮ２分圧に対するＴａの比
抵抗を表したグラフである。これから本実施例の条件に
おいてＴａの比抵抗が最小であることがわかる。
抵抗を表したグラフである。これから本実施例の条件に
おいてＴａの比抵抗が最小であることがわかる。
以上の説明のように、本発明のＭＩＭ素子構造では下部
電極と配線であるＴａの結晶系を特定の成膜条件におい
て得られるα−Ｔａにすることにより、配線の低抵抗化
が可能となる。したがって大面積でしかも表示品質の高
いＭＩＭアクティブマトリックス液晶表示装置が得られ
る。
電極と配線であるＴａの結晶系を特定の成膜条件におい
て得られるα−Ｔａにすることにより、配線の低抵抗化
が可能となる。したがって大面積でしかも表示品質の高
いＭＩＭアクティブマトリックス液晶表示装置が得られ
る。
尚、実施例ではＴａスパッタリング時の反応ガスとして
Ｎ２を使用したがＨ２，０２、ＣＨ４等を用いてもα−
Ｔａは得られる。
Ｎ２を使用したがＨ２，０２、ＣＨ４等を用いてもα−
Ｔａは得られる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の非線形素子の構造を形
成するための製造方法を工程順に示す断面図、第２図は
本発明の非線形素子の構造を示す平面図、第３図は成膜
条件とＴａＯ比抵抗の関係を示すグラフ、第４図は従来
例における非線形素子の構造を示し第４図（ａ）は平面
図、第４図（ｂ）は断面図である。 ８・・・・・・ガラス、 ９・・・・・・α−Ｔａ。 １０・・・・・絶縁体、 第２図 特開平 ３ ４６６３４ （４） 第４図 （ｂ）
成するための製造方法を工程順に示す断面図、第２図は
本発明の非線形素子の構造を示す平面図、第３図は成膜
条件とＴａＯ比抵抗の関係を示すグラフ、第４図は従来
例における非線形素子の構造を示し第４図（ａ）は平面
図、第４図（ｂ）は断面図である。 ８・・・・・・ガラス、 ９・・・・・・α−Ｔａ。 １０・・・・・絶縁体、 第２図 特開平 ３ ４６６３４ （４） 第４図 （ｂ）
Claims (1)
- タンタル上に絶縁体を設け、さらに前記絶縁体上に透明
導電体を設けてなる非線形抵抗素子において、前記タン
タルは結晶系が体心立方格子（ｂｃｃ）であるα−タン
タルで構成することを特徴とする非線形抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182206A JPH0346634A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 非線形抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182206A JPH0346634A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 非線形抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346634A true JPH0346634A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16114211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1182206A Pending JPH0346634A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 非線形抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0346634A (ja) |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP1182206A patent/JPH0346634A/ja active Pending
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