JPH0342364Y2 - - Google Patents
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- JPH0342364Y2 JPH0342364Y2 JP16886085U JP16886085U JPH0342364Y2 JP H0342364 Y2 JPH0342364 Y2 JP H0342364Y2 JP 16886085 U JP16886085 U JP 16886085U JP 16886085 U JP16886085 U JP 16886085U JP H0342364 Y2 JPH0342364 Y2 JP H0342364Y2
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- isfet
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Landscapes
- Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この考案は、フロースルー型センサに関する。
さらに詳しくは、各種電解質内のイオンをいわゆ
るISFETを用いて測定するフロースルー型のセ
ンサに関する。
さらに詳しくは、各種電解質内のイオンをいわゆ
るISFETを用いて測定するフロースルー型のセ
ンサに関する。
(ロ) 従来の技術
電界効果型トランジスタ（FET）のゲート部
分にゲート電極の代わりに各種イオン感応膜を被
覆してなる電界効果型イオン選択性電極
（ISFET）が臨床分析分野において注目を集めて
いる。かかるISFETは、従来のイオン選択性電
極に比して、小型・軽量である利点を備えており
複合比が容易であり、ことにイオン感応膜の開発
による対象イオン種の増大と共に、フロースルー
型のセル内にナトリウム、カリウム等の複数の
ISFETを挿着した複合型のセンサが血液や血清
等の生体試料内のイオン測定用として提案される
に至つている。
分にゲート電極の代わりに各種イオン感応膜を被
覆してなる電界効果型イオン選択性電極
（ISFET）が臨床分析分野において注目を集めて
いる。かかるISFETは、従来のイオン選択性電
極に比して、小型・軽量である利点を備えており
複合比が容易であり、ことにイオン感応膜の開発
による対象イオン種の増大と共に、フロースルー
型のセル内にナトリウム、カリウム等の複数の
ISFETを挿着した複合型のセンサが血液や血清
等の生体試料内のイオン測定用として提案される
に至つている。
上記従来のフロースルー型のセンサは、通常細
管状のフロー流路を有しこの流路に直交して連通
するISFETの挿着用円筒状空隙を備えてなるア
クリル樹脂やガラス製の分析用セルを用い、この
円筒状空隙に長尺状のISFETを挿入してISFET
の先端ゲート部分がフロー流路内の流体に平行に
接しうるよう位置させこの状態でシリコーンゴム
等の封止材で固定して製造されており、通常、第
４図に示すごとくISFETの先端ゲート部分３１
がフロー流路２１の中心軸通過面に沿つてほぼゲ
ート部分が流路中央にまで延出する位置となるよ
う封止材６で固定されている。
管状のフロー流路を有しこの流路に直交して連通
するISFETの挿着用円筒状空隙を備えてなるア
クリル樹脂やガラス製の分析用セルを用い、この
円筒状空隙に長尺状のISFETを挿入してISFET
の先端ゲート部分がフロー流路内の流体に平行に
接しうるよう位置させこの状態でシリコーンゴム
等の封止材で固定して製造されており、通常、第
４図に示すごとくISFETの先端ゲート部分３１
がフロー流路２１の中心軸通過面に沿つてほぼゲ
ート部分が流路中央にまで延出する位置となるよ
う封止材６で固定されている。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
しかしながら、かかる従来のフロースルー型セ
ンサにおいては、フロー流路に持込まれた気泡
が、突出するISFETの先端ゲート部にひつかか
り易く、第５図に示すごとく気泡７の滞留がしば
しば生じ、その結果、第６図に示すような異常な
出力が生じたり液絡不良によつて測定自体が不能
となる場合もあつた。
ンサにおいては、フロー流路に持込まれた気泡
が、突出するISFETの先端ゲート部にひつかか
り易く、第５図に示すごとく気泡７の滞留がしば
しば生じ、その結果、第６図に示すような異常な
出力が生じたり液絡不良によつて測定自体が不能
となる場合もあつた。
この考案はかかる問題点を解消すべくなされた
ものであり、ことに気泡混入時においてもその滞
留による悪影響が生じないフロースルー型センサ
を提供しようとするものである。
ものであり、ことに気泡混入時においてもその滞
留による悪影響が生じないフロースルー型センサ
を提供しようとするものである。
(ニ) 問題点を解決するための手段
かくしてこの考案によれば、長尺状のFETの
先端ゲート部分にイオン感応膜を被覆してなる
ISFETを、フロー流路を備えた分析用セル内に
先端ゲート部分が該フロー流路内の流体に平行に
接しうるよう挿着してなるフロースルー型センサ
において、ISFETの先端ゲート部分が、フロー
流路の中心軸通過面に対して平行移動した位置に
設定されてなることを特徴とするフロースルー型
センサが提供される。
先端ゲート部分にイオン感応膜を被覆してなる
ISFETを、フロー流路を備えた分析用セル内に
先端ゲート部分が該フロー流路内の流体に平行に
接しうるよう挿着してなるフロースルー型センサ
において、ISFETの先端ゲート部分が、フロー
流路の中心軸通過面に対して平行移動した位置に
設定されてなることを特徴とするフロースルー型
センサが提供される。
この考案のセンサは、ISFETの分析用セル内
への取付け位置を従来に比して特定方向にずらし
た点を最も特徴とし、それにより気泡のフロー流
路内での滞留を防止又は抑制せしめたものであ
る。
への取付け位置を従来に比して特定方向にずらし
た点を最も特徴とし、それにより気泡のフロー流
路内での滞留を防止又は抑制せしめたものであ
る。
(ホ) 作 用
この考案のセンサにおけるISFETは、その先
端ゲート部分がフロー流路の中心軸通過面に沿つ
た位置ではなく、それから平行移動した位置に設
定されるよう挿着されてなる。言い換えれば、フ
ロー流路の中心からずれた位置に設定されている
ため、該流路中に持込まれた気泡が滞留し難く、
スムーズに排出されることとなる。
端ゲート部分がフロー流路の中心軸通過面に沿つ
た位置ではなく、それから平行移動した位置に設
定されるよう挿着されてなる。言い換えれば、フ
ロー流路の中心からずれた位置に設定されている
ため、該流路中に持込まれた気泡が滞留し難く、
スムーズに排出されることとなる。
(ヘ) 実施例
第１図に示す１はこの考案のフロースルー型セ
ンサを例示する構成説明図である。図においてセ
ンサ１は、幅0.7mm、厚さ0.2mmの長尺状のFETの
先端ゲート部分３１にイオン感応膜を被覆してな
るISFET３〔それぞれ図の右からNa−ISFET、
Ｋ−ISFET及びＣ−ISFETを示す〕、参照用−
FET８及び基準電極４を、フロー流路２１を備
えた透明のアクリル樹脂製品分析用セル２にそれ
ぞれ挿着してなる。そして、それぞれのISFET
３及び参照用FET８は、その先端ゲート部分３
１がフロー流路２１内の流体に平行に接しかつ第
１図Ｂに示すように該フロー流路２１の中心軸通
過面に対して平行移動した位置に設定されるよ
う、シリコンゴム系の封止材６で固定されてい
る。なお、図中、３２、３３はそれぞれドレイン
部及びソース部を示し、５は他のISFET挿着用
空隙を封止する栓を示す。
ンサを例示する構成説明図である。図においてセ
ンサ１は、幅0.7mm、厚さ0.2mmの長尺状のFETの
先端ゲート部分３１にイオン感応膜を被覆してな
るISFET３〔それぞれ図の右からNa−ISFET、
Ｋ−ISFET及びＣ−ISFETを示す〕、参照用−
FET８及び基準電極４を、フロー流路２１を備
えた透明のアクリル樹脂製品分析用セル２にそれ
ぞれ挿着してなる。そして、それぞれのISFET
３及び参照用FET８は、その先端ゲート部分３
１がフロー流路２１内の流体に平行に接しかつ第
１図Ｂに示すように該フロー流路２１の中心軸通
過面に対して平行移動した位置に設定されるよ
う、シリコンゴム系の封止材６で固定されてい
る。なお、図中、３２、３３はそれぞれドレイン
部及びソース部を示し、５は他のISFET挿着用
空隙を封止する栓を示す。
かかるフロースルー型センサ１は第３図Ａ，Ｂ
に示すごとく、フロー流路２１に直交しかつ偏心
状に連通する複数のISFETの挿着用円筒状空隙
２３を備えた分析用セル２を用い、この円筒状空
隙に前述のごとく各ISFET、参照用FET及び基
準電極を挿着して作製される。なお、図中、ａは
3.0mm、ｂは8.0mm、ｃは4.0mm、ｄは3.5mm、ｅは
7.0mm、ｆは30mmであり、空隙２３は直径0.9mmで
フロー流路の中心に対して、0.5mm偏心した位置
に設定されてなる。
に示すごとく、フロー流路２１に直交しかつ偏心
状に連通する複数のISFETの挿着用円筒状空隙
２３を備えた分析用セル２を用い、この円筒状空
隙に前述のごとく各ISFET、参照用FET及び基
準電極を挿着して作製される。なお、図中、ａは
3.0mm、ｂは8.0mm、ｃは4.0mm、ｄは3.5mm、ｅは
7.0mm、ｆは30mmであり、空隙２３は直径0.9mmで
フロー流路の中心に対して、0.5mm偏心した位置
に設定されてなる。
また、用いたISFET及び参照用FETは下記の
ものである。
ものである。
Na−ISFET：アルコキシドガラス原料〔Si
（OC2H5）4、CH3ONa、Ａ（OC3H7）3、Ｂ（OC2
H5）3〕をFETのゲート上にデイツプし、500℃
下、10分の焼結を二度繰返して作製した。Ｋ−
ISFET：バリノマイシン、ポリ塩化ビニル、セ
バシン酸ジ（２−エチルヘキシル）からなる膜を
FETのゲート上に形成して作製した。Ｃ−
ISFET：シリコン系ゴム原料とトリオクチルメ
チルアンモニウムクロライドからなる膜をFET
のゲート上に形成して作製した。参照用FET：
FETのゲート上にプラズマ重合によるポリスチ
レン膜を形成して作製した。
（OC2H5）4、CH3ONa、Ａ（OC3H7）3、Ｂ（OC2
H5）3〕をFETのゲート上にデイツプし、500℃
下、10分の焼結を二度繰返して作製した。Ｋ−
ISFET：バリノマイシン、ポリ塩化ビニル、セ
バシン酸ジ（２−エチルヘキシル）からなる膜を
FETのゲート上に形成して作製した。Ｃ−
ISFET：シリコン系ゴム原料とトリオクチルメ
チルアンモニウムクロライドからなる膜をFET
のゲート上に形成して作製した。参照用FET：
FETのゲート上にプラズマ重合によるポリスチ
レン膜を形成して作製した。
かかるフロースルー型センサ１を用いた際に
は、従来しばしば生じていた気泡の滞留は見られ
ず、第６図に示すごとき異常な信号も生じること
はなかつた。
は、従来しばしば生じていた気泡の滞留は見られ
ず、第６図に示すごとき異常な信号も生じること
はなかつた。
なお、上記ISFETの挿着位置を第２図に示す
ごとくフロー流路２１の下方に設定することによ
りさらに気泡滞留を防ぐことができ、これは一つ
の好ましい態様である。
ごとくフロー流路２１の下方に設定することによ
りさらに気泡滞留を防ぐことができ、これは一つ
の好ましい態様である。
(ト) 考案の効果
この考案のフロースルー型センサによれば、気
泡混入による出力異常を防止することができる。
泡混入による出力異常を防止することができる。
第１図はこの考案のフロースルー型センサの一
実施例を示すものでＡは縦断面的構成説明図、Ｂ
は横断面的構成説明図、第２図は同じく他の実施
例を示す第１図Ｂ相当図、第３図はこの考案のフ
ロースルー型センサの作製に用いる分析用セルを
例示するものでＡは縦断面図でＢは横断面図、第
４図は従来のセンサを例示する第１図Ｂ相当図、
第５図は従来のセンサおにる問題点を示す説明
図、第６図は同じく従来のセンサにおける問題点
を説明するためのグラフである。 １……フロースルー型センサ、２……分析用セ
ル、３……ISFET、６……封止材、７……気泡、
２１……フロー流路、２３……挿着用円筒状空
隙、３１……先端ゲート部分。
実施例を示すものでＡは縦断面的構成説明図、Ｂ
は横断面的構成説明図、第２図は同じく他の実施
例を示す第１図Ｂ相当図、第３図はこの考案のフ
ロースルー型センサの作製に用いる分析用セルを
例示するものでＡは縦断面図でＢは横断面図、第
４図は従来のセンサを例示する第１図Ｂ相当図、
第５図は従来のセンサおにる問題点を示す説明
図、第６図は同じく従来のセンサにおける問題点
を説明するためのグラフである。 １……フロースルー型センサ、２……分析用セ
ル、３……ISFET、６……封止材、７……気泡、
２１……フロー流路、２３……挿着用円筒状空
隙、３１……先端ゲート部分。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 長尺状のFETの先端ゲート部分にイオン感応
膜を被覆してなるISFETを、フロー流路を備え
た分析用セル内に先端ゲート部分が該フロー流路
内の流体に平行に接しうるよう挿着してなるフロ
ースルー型センサにおいて、 ISFETの先端ゲート部分が、フロー流路の中
心軸通過面に対して平行移動した位置に設定され
てなることを特徴とするフロースルー型センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16886085U JPH0342364Y2 (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16886085U JPH0342364Y2 (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276660U JPS6276660U (ja) | 1987-05-16 |
| JPH0342364Y2 true JPH0342364Y2 (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=31102130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16886085U Expired JPH0342364Y2 (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342364Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6714259B2 (ja) * | 2016-08-03 | 2020-06-24 | 国立大学法人 東京大学 | 測定装置及び測定方法 |
-
1985
- 1985-10-31 JP JP16886085U patent/JPH0342364Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6276660U (ja) | 1987-05-16 |
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