JPH0342296A

JPH0342296A - 光ｉｃカードの製造方法

Info

Publication number: JPH0342296A
Application number: JP1177489A
Authority: JP
Inventors: Takeo Yamaguchi; 剛男山口; Akio Kojima; 小島　明夫; Kaoru Teramura; 薫寺村
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1989-07-10
Filing date: 1989-07-10
Publication date: 1991-02-22
Anticipated expiration: 2014-01-20
Also published as: JP2849117B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、光ＩＣカード及びその製造方法に関する。

従来の技術ＩＣカードは従来から存在する磁気カードに変わる高性
能カードとして期待され、現在ではＩＳＯ規格だけで６
４ＫＢｙｔｅもの容量を有するものがある。そこで、こ
のＩＣカードを識別用カードとして用いる場合には、従
来の磁気カードより複雑なセキュリティ機能を具備させ
ることにより、種々のキャラクタ情報を入力することが
可能であるが、このＩＣカードにイメージ情報を入力す
るには容量が不足するため、ＩＣカードの厚さを厚くす
る考えがある。また、光メモリを用いることにより一枚
当たり２ＭＢｙｔ、ｅにも及ぶ記憶容量をもつ光カード
もある。

発明が解決しようとする課題記憶容量を大きくするためにＩＣカードを厚くすること
は、携帯が不便でカード本来の特長が損なわれる。また
、光カードは演算処理機能をもたないため、その特長は
機器のシステムの性能に依存することになる。しかも、
入力されている情報は光源とＣＣＤセンサとの組み合わ
せ等により容易に解読することができるため、セキュリ
ティ機能に劣る。さらに、従来のＩＣカードと光カード
とは、使用するシステムの互換性が全くなく、実用化に
問題がある。

課題を解決するための手段マイクロプロセッサを含むＩＣチップと、強誘電性高分
子材料からなる光可逆メモリと、前記ＩＣチップ及び前
記光可逆メモリに接続された端子とをカード状の基板に
埋設した。

作用強誘電性高分子材料の性質を利用し、光可逆メモリに弱
い逆電界を印加しながら光可逆メモリにビーム光を照射
することにより、光可逆メモリに大容量の情報を入力す
ることができ、また、マイクロプロセッサを有するため
、演算機能をもつ従来のＩＣカードと同様の使用形態を
得ることができる。

実施例本発明の一実施例をその製造工程の順序にしたがって説
明する。第２図は基板形成工程で形成された基板ｌであ
る。この基板１は凹部２と開口部３とをイｆし、スタン
パ、エツチング、フォトリソグラフィ、溶融成形法等の
加工方法により形成されている。また、この基板ｌの裏
面は保護層４により覆われている。なお、前記凹部２の
底面には光メモリ−トラッキング用のグループが形成さ
れていることが望ましい。

第３図は、可逆メモリ埋設工程で、まず、前記凹部２の
底面には電極膜５が蒸着等の手段により形成され、この
電極膜５の上に光可逆メモリ６が設けられ、この光可逆
メモリ６の上に電極膜７が形成されている。前記電極膜
５，７は、金属の蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング法等の
手段により形成することができ、少なくとも光を照射す
る側の電極膜７は透光性を得るために透明又は半透明の
電極膜である。透明にする場合は、錫をドープした酸化
インジュウム（ＩＴＯ）や酸化錫、アンドープの酸化イ
ンジュウム、酸化亜鉛等の材料により形成される。半透
明の場合は、金、白金、銀、銅、鉛、亜鉛、アルミニュ
ウム、ニッケル、タンタル、コバルト、ニオブ、バラジ
ュウム、錫等の材料により形成される。また、前記光可
逆メモリ６は、強誘電性高分子材料により形成され、そ
の形成方法は例えば溶液塗布法である。光可逆メモリ６
の記録・再生原理は、強誘電性高分子材料が交流電界印
加時に現わす誘電ヒステリシス面線の抗電界が温度上昇
に伴って減少する性質を利用して、予ぬ分極処理を施し
た試料に対して室温ではその分極が反転しない程度の弱
い逆電界を印加しながら当該試料中の任意の部分にビー
ム光を照射し、その照射部の温度をキュリー点付近まで
上昇させてその照射部の分極を反転させることで情報を
記録し、この記録時より弱いビーム光を照射した時に記
録済みの情報を再生するＥＰＲＯＭである。このような
強誘電性高分子材料として種々の化合物が報告されてい
るが、強い誘電性を有し誘電ヒステリシス測定で矩形を
示すものが望ましい。

具体的には、ポリ弗化ビニリデン、弗化ビニリデン及び
三弗化エチレン共重合体、弗化ビニリデン及び四弗化エ
チレン共重合体、弗化ビニリデン及び弗化ビニル共重合
体、弗化ビニリデン、四弗化エチレン及び六弗化プロピ
レン三成分共重合体、ポリシアン化ビニリデン、シアン
化ビニリデン及び酢酸ビニル共重合体等が挙げられるが
、この中でも弗化ビニリデン及び三弗化エチレン共重合
体が最も好ましい。また、このような強誘電性高分子材
料に染料を添加する場合もある。さらに、光可逆メモリ
６は、以上のように強誘電性高分子材料により形成され
るが、その形成方法は、浸漬コーティング、スプレーコ
ーティング、ブレードコーティング、ローラーコーティ
ング、カーテンコーティング等の溶液塗布法である。中
でも、ローラーコーティングは膜厚を均一にする点にお
いて好ましい方法である。さらに、電極膜５，７には端
末ライン８が接続される。

第４図はＩＣチップ埋設工程で、前記基板ｌの開口部３
には底面と周壁と沿う静電気貼止壁９が形成され、この
静電気防止壁９の内方には支持体１０に保持されたＩＣ
チップ１１が埋設される。

前記静電気防止壁９は、導電性のエラストマやケーシン
グにより形成される。

第１図は、最終組立工程で、前記基板ｌの表面が保、１
−（１）Ｆ３１２により覆われる。この保護層１２には
、前記ＩＣチップ１１の入出力部又は前記端末ライン８
に接触された端子Ｃ，ｌ〜Ｃ８と磁気ストライプ１３と
が形成されている。これらの端子０１〜Ｃ８の配列は第
５図、第６図に示す通りで、第７図の電子回路図を参照
すれば、端子Ｃ１は前記ＩＣチップｌｌ内のマイクロプ
ロセッサ１４に電源Ｖｃｃを供給する電源供給端子、Ｃ
２はリセット信号が印加されるリセット端子、Ｃ３はク
ロックパルスが印加されるクロック端子、Ｃ４はスイッ
チ素子である半導体スイッチ１５と前記電極膜５とを介
して前記光可逆メモリ６に消去用の電圧−ＶＥを供給す
る電圧供給端子、Ｃ５はグランドに接地されるグランド
端子、Ｃ６は光可逆メモＩＪ　６に情報を書き込む時に
電圧〜’ｐ−ｐを供給する電圧供給端子、Ｃ７は゛Ｉ１
０接点接続端子、Ｃ８はスイッチ素子である半導体スイ
ッチ１６と前記電極Ｍ７とを介して前記光可逆メモリ６
に書き込み用の電圧ＶＥを供給する電圧供給端子である
。

前記半導体スイッチ１５．１６の動作は前記マイクロプ
ロセッサ１４により制御されるものである。

このような構成において、基板ｌを端末機にセットする
と端子Ｃｌ−Ｃ８が端末機の入出力部に接続される。そ
して、前述したように、光可逆メモリ６に電圧を印加し
ながら入力データに応じてビーム光を光可逆メモリ６に
照射することにより、所望の情報が入力される。この光
可逆メモリ６の記憶容量は従来のＩＣカードと異なり１
　ｃｍ″当たり最大２００ＫＢｙｔｅと非常に大きくす
ることができる。また、端末機を操作することによりマ
イクロプロセッサ１４で種々の演算処理を行うこともで
きる。この演算処理の一つにカードの認識がある。例え
ば、端末機から入力された暗証番号をマイクロプロセッ
サＩ４が認識した時にのみ半導体スイッチ１５．１６を
オンにすることにより、セキュリティ機能を高めること
ができる。

さらに、光ＩＣカードの製造に際し、光可逆メモリ６　
ＣＬ強誘電性高分子材料の溶液を塗布することにより形
成するが、その後にＩＣチップ１１を基板１に埋設する
ことにより、強誘電性高分子材料の溶媒がＩＣチップ１
１の導電部に触れるような製造工程上の欠点を解消する
ことができる。さらに、ＩＣチップ１１を基板ｌの中心
から外れた端部に配置することにより、基板】の反りに
基づくＩＣチップ１１への影響を小さくすることができ
る。さらに、ＩＣチップ１１は静電気防止壁９により囲
繞されているため、外部からのノイズの影響を受けるこ
とが少なく誤動作の発生を抑制することができる。

発明の効果本発明は上述のように構成したので、強誘電性高分子材
料の性質を利用し、光可逆メモリに弱い逆電界を印加し
ながら光可逆メモリにビーム光を照射することにより、
光可逆メモリに大容量の情報を入力することができ、ま
た、マイクロプロセッサを有するため、演算機能をもつ
従来のＩＣカードと同様の使用形態を得ることができ、
さらに、光可逆メモリとその端末との間並びにＩＣチッ
プとその端末との間に、このＩＣチップのマイクロプロ
セッサに制御されるスイッチ素子を接続することにより
、マイクロプロセッサによるＩＣチップへの入力信号の
認識によりスイッチ素子を動作させることができ、これ
により、セキュリティ機能を高めることができ、さらに
、強誘電性高分子材料の溶液を塗布することにより光可
逆メモリを形成した時に、その後にＩＣチップを基板に
埋設することにより、強誘電性高分子材料の溶媒がＩＣ
チップの導電部に触れるような製造工程上の欠点を解消
することができる等の効果を有する。

【図面の簡単な説明】

図面は本グを明の一実施例を示すもので、第１図は完成
状態を示す縦断側面図、第２図は基板成形工程を示す縦
断側面図、第３図は光可逆メモリ埋設工ＦＭを示す縦断
側面図、第４図はＩＣＣチップ投設工程示す縦断側面図
、第５図は完成状態を示す斜視図、第６図は端子の配列
を示す平面図、第７図は電子回路図である。ｌ・・・基板、６・・・光可逆メモリ、ＩＩ・・・ＩＣ
チップ、１４・・・マイクロプロセッサ、１５．１６・
・・スイッチ素子、Ｃ１−Ｃ８・・・端子

Claims

【特許請求の範囲】１、マイクロプロセッサを含むＩＣチップと、強誘電性
高分子材料からなる光可逆メモリと、前記ＩＣチップ及
び前記光可逆メモリに接続された端子とをカード状の基
板に埋設したことを特徴とする光ＩＣカード。２、光可逆メモリとその端末との間並びにＩＣチップと
その端末との間に、このＩＣチップのマイクロプロセッ
サに制御されるスイッチ素子を接続したことを特徴とす
る請求項１記載の光ＩＣカード。３、基板に形成された凹部に強誘電性高分子材料の溶液
を塗布して光可逆メモリを埋設した後に、前記基板にＩ
Ｃチップを埋設するようにしたことを特徴とする光ＩＣ
カードの製造方法。