JPH0340390A - Manufacture of heater - Google Patents

Manufacture of heater

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Publication number
JPH0340390A
JPH0340390A JP17527789A JP17527789A JPH0340390A JP H0340390 A JPH0340390 A JP H0340390A JP 17527789 A JP17527789 A JP 17527789A JP 17527789 A JP17527789 A JP 17527789A JP H0340390 A JPH0340390 A JP H0340390A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
pattern
heater
base table
base
Prior art date
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Pending
Application number
JP17527789A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kimiharu Matsumura
松村 公治
Akinobu Eto
衛藤 昭信
Hidekazu Shirakawa
英一 白川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Kyushu Ltd filed Critical Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority to JP17527789A priority Critical patent/JPH0340390A/en
Publication of JPH0340390A publication Critical patent/JPH0340390A/en
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  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

PURPOSE:To accomplish a heater with minute pattern by forming a thin film having a heater function on a base table through a mask, and then removing the mask. CONSTITUTION:On a base table 1 a mask 5 is formed in a pattern as enclosing areas other than a heater pattern. By plasma fusion spray, chromium is applied to the overall surface of this base table with mask 5, in particular to the portion where no mask pattern 5 is provided. The chromium is fed to a plasma gun 6 in minute and constant amount and heated by the plasma flow at a high temp. to be melted perfectly, wherewith the base table 1 is covered at a specified speed. At this time, the base table 1 is cooled from its rear surface. A chromium film 7 is affixed to the base table 1 by allowing the plasma gun 6 to scan the area on the base table 1 where no mask pattern 5 is provided. This is followed by removal of the mask 5, and the base table 1 is provided with a chromium film 7 in the desired pattern.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention] 【産業上の利用分野】[Industrial application field]

この発明は、ヒータの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a heater.

【従来の技術】[Conventional technology]

従来、一般的にヒータとしては、ニクロム線を巻回した
ものや発熱用ランプを用いたものがよく用いられるが、
これらのものは微細ヒータとしての構成は困難である。 そこで、発熱基台上に抵抗発熱材料を被着して所定のヒ
ータパターンの微細ヒータを形成することが考えられて
いる。
Conventionally, heaters made of wound nichrome wire or heat-generating lamps were often used.
It is difficult to construct these as fine heaters. Therefore, it has been considered to form a fine heater with a predetermined heater pattern by depositing a resistance heating material on a heating base.

【発明が解決しようとする課題】[Problem to be solved by the invention]

ところで、基台に発熱材料を被着する方法としては、蒸
着法、CVD法、スパッタ法、イオンブレーティング法
等の半導体製造技術で一般的に使用される方法のほか、
プラズマ溶射法等の方法があるが、単にこれらの技術を
用いたとしても微細なパターンのヒータを得るのには限
界がある。 例えば、プラズマ溶射法は、ノントランスファー(非移
行型)アークとサーマルピンチ効果により発生する高速
、高温のプラズマ流を用い、コーティング材料を瞬時に
溶解して吹き付ける方法で、この方法によれば、半導体
製造技術では被着できないような無機物や無機物と金属
の複合体等の被着ができると共に、高硬度、高接着度の
緻密な被膜を形成することができる。 しかし、このプラズマ溶射法の場合、基台に発熱材料を
所定のパターン状に被着するには、プラズマガンをパタ
ーンに沿って移動させるようにするが、パターンの幅は
プラズマガンの性能による幅、例えば5關の幅が限界で
ある。したがって、この幅よりも細かい幅の微細パター
ンは形成することができないという欠点がある。 この発明は、以上の点にかんがみ、微細パターンのヒー
タを形成することができるヒータの製造方法を提供する
ことを目的とする。
By the way, methods for depositing the heat-generating material on the base include methods commonly used in semiconductor manufacturing technology such as vapor deposition, CVD, sputtering, and ion blating, as well as other methods.
There are methods such as plasma spraying, but even if these techniques are used, there is a limit to the ability to obtain a heater with a fine pattern. For example, plasma spraying uses a high-speed, high-temperature plasma stream generated by a non-transfer arc and thermal pinch effect to instantly melt and spray coating materials. It is possible to adhere inorganic substances and composites of inorganic substances and metals that cannot be applied using manufacturing techniques, and it is also possible to form dense films with high hardness and high adhesion. However, in the case of this plasma spraying method, in order to deposit the heat-generating material on the base in a predetermined pattern, the plasma gun is moved along the pattern, but the width of the pattern depends on the performance of the plasma gun. For example, the width of 5 angles is the limit. Therefore, there is a drawback that a fine pattern with a width smaller than this width cannot be formed. In view of the above points, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a heater that can form a heater with a fine pattern.

【課題を解決するための手段】[Means to solve the problem]

この発明によるヒータの製造方法は、 基台上にマスクを形成し、このマスクを介して上記基台
上にヒータ性能を有する薄膜を形成し、その後、上記マ
スクを除去するようにしたことを特徴とする。
The method for manufacturing a heater according to the present invention is characterized in that a mask is formed on a base, a thin film having heater performance is formed on the base through the mask, and then the mask is removed. shall be.

【作用】[Effect]

この発明による方法においては、基台上にマスクが形成
され、このマスクを介してヒータ性能を有する薄膜が形
成される。したがって、マスクパターンに応じた薄膜ヒ
ータパターンの微細ヒータを製造することができる。
In the method according to the present invention, a mask is formed on a base, and a thin film having heating performance is formed through this mask. Therefore, a fine heater having a thin film heater pattern corresponding to a mask pattern can be manufactured.

【実施例】【Example】

以下この発明の一実施例を、薄膜の被着法としてプラズ
マ溶射法に使用した場合を例にとって、図を参照しなが
ら説明しよう。 先ず、この発明による方法により製造したヒータについ
て説明するに、第4図に示すように、このヒータは、基
台1上に導電性薄膜2からなるヒータパターンが形成さ
れたものである。基台1は、例えばアルミナ等のセラミ
ックからなる電気絶縁性及び熱伝導性を有する部材で形
成されている。 また、この基台1はヒータパターンを支持できれば良く
、その厚さは例えば0.1〜5關、好ましくは1〜2 
+amとされている。 導電性薄膜2は、例えばクロム膜で構成されており、基
台1の表面に例えば厚さ0.1〜1000μ好ましくは
1〜10μで被着されている。導電性薄膜2のヒータパ
ターンの両端には、銅製の電極3及び4が形成されてい
る。 なお、基台1上には導電性薄膜2を覆うようにセラミッ
ク等の絶縁膜が形成されている。 次に、第1図〜第3図を参照しながら、この第4図に示
したようなヒータの製造方法を以下に説明する。 先ず、第1図に示すように、基台1上に第4図のような
ヒータパターン以外を覆うようなマスクパターンでマス
ク5を形成する。このマスク5の形成は、リソグラフィ
の技術を用いることができ、マスク5の材料としては、
フォトレジストやポリイミド等の有機物のほか、S L
O2、AiJ203等の無機物などを被着膜材料の種類
に応じてを用いることができる。 次に、このようにマスク5が形成された基台1の全面の
特にマスクパターン5が形成されていない部分に対し、
第2図に示すように、クロムをプラズマ溶射する。すな
わち、第2図において、6はプラズマガンで、このプラ
ズマガン6の中に微量かつ定量供給された導電性薄膜材
料であるクロムは、高温のプラズマ流によって3000
℃以上に熱せられて完全溶解し、所定の速さで基台1に
衝突し、基台1に被着される。このとき、基台1は、そ
の裏面からクーリングプレート(図示せず)に当接する
などの方法により冷却されており、被着膜形成に伴う基
台1の過度の温度上昇が抑制されている。そして、プラ
ズマガン6を基台1のマスクパターン5が形成されてい
ない部分に沿って走査させることによって、クロム薄膜
7を第2図に示すように基台1に被着することができる
。この場合、プラズマガン6の溶射幅がマスク5が形成
されていない部分よりも大きい場合には、マスク5上に
もクロムが被着されるが、その量は僅かである。 こうしてクロム薄膜7を被着した基台1を、例えばIP
Aやアセトン等の溶剤に浸漬し、第3図に示すようにマ
スク5を除去する。このマスク5の除去はエツチングに
より行っても良い。 こうして、基台1上に所望のパターンのクロム薄膜7を
被着することができる。 そして、図示しないが、クロム膜7のパターンの両端に
電極が形成された後、このクロム膜7のヒータパターン
が形成された基台1上に、例えばセラミックなどからな
る絶縁膜が、例えば蒸着により全面に亘って被着される
。 以上のようにマスクパターンを用いることによりプラズ
マガンの性能による限界幅よりも狭い輻の微細パターン
のヒータを形成することができる。 この例においては、プラズマ溶射によりヒータパターン
を被着形成したので、劣化、変化の少い良質のヒータパ
ターン被膜を得ることができる。 しかも、前述したように、半導体製造技術では被着でき
ないような無機物や無機物と金属の複合体等の被着がで
きると共に、高硬度、高接着度の緻密なヒータパターン
被膜を形成することができる。 なお、ヒータパターンを構成する導電性薄膜の材料とし
ては、上述の実施例で用いたクロムの他にも、ニッケル
、白金、タンタル、タングステン、スズ、鉄、鉛、アル
メル、ベリリウム、アンチモン、インジウム、クロメル
、コバルト、ストロンチウム、ロジウム、パラジウム、
マグネシウム、モリブデン、リチウム、ルビジウム等の
金属111体やカーボンブラック、グラファイトなどに
代表される炭素系材料の単体、ニクロム、ステンレス、
ステンレススチール、青銅、黄銅等合金、ポリマーグラ
フトカーボン等のポリマー系複合材料、ケイ化モリブデ
ンなどの複合セラミック材料のように、導電性を有する
とともに、通電によって発熱抵抗体として機能して熱源
となり得るものであれば良い。 また、基台1の材質としては、熱伝導性が良好で、しか
も電気絶縁性に優れたものが好ましい。 このようなものとして、上述のアルミナのほか、例えば
石英、ジルコニア、炭化ケイ素、窒化ケイ素、ダイヤモ
ンド等に代表されるセラミックス、ルチル等の金属酸化
物、高アルミナ煉瓦、カーボン煉瓦などの煉瓦を挙げる
ことができる。 また、以上の例では、ヒータパターン薄膜をプラズマ溶
射て被着するようにしたが、ヒータパターン薄膜の被着
には、その膜材料に応じて、スパッタ、CVD、蒸着、
イオンブレーティング等の半導体製造技術で用いられる
成膜方法を用いることができるのはもちろんである。 なお、ヒータとしては第4図に示すようなものに限られ
るものではなく、種々の薄膜パターンのヒータに適用可
能である。また、例えば薄膜パターンに電極を設けず、
非接触でヒータパターン上に誘導コイルを設け、この誘
導コイルに高周波信号を供給し、これより発生する誘導
磁束により薄膜にうず電流を発生させて発熱させるよう
にする高周波誘導加熱の方法によるヒータにも、この発
明は適用することができる。さらに、薄膜を誘電体で構
威し、高周波誘電加熱により発熱させるヒータにもこの
発明は適用可能である。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, taking as an example a case where plasma spraying is used as a thin film deposition method. First, the heater manufactured by the method according to the present invention will be described. As shown in FIG. 4, this heater has a heater pattern made of a conductive thin film 2 formed on a base 1. The base 1 is made of a ceramic material such as alumina, which has electrical insulation and thermal conductivity. The base 1 only needs to be able to support the heater pattern, and its thickness is, for example, 0.1 to 5 mm, preferably 1 to 2 mm.
+am. The conductive thin film 2 is made of, for example, a chromium film, and is deposited on the surface of the base 1 to a thickness of, for example, 0.1 to 1000 μm, preferably 1 to 10 μm. Copper electrodes 3 and 4 are formed at both ends of the heater pattern of the conductive thin film 2. Note that an insulating film made of ceramic or the like is formed on the base 1 so as to cover the conductive thin film 2. Next, a method for manufacturing the heater shown in FIG. 4 will be described below with reference to FIGS. 1 to 3. First, as shown in FIG. 1, a mask 5 is formed on the base 1 with a mask pattern that covers areas other than the heater pattern as shown in FIG. This mask 5 can be formed using lithography technology, and the material of the mask 5 is as follows:
In addition to organic materials such as photoresist and polyimide, S L
Inorganic materials such as O2, AiJ203, etc. can be used depending on the type of coating material. Next, on the entire surface of the base 1 on which the mask 5 is formed, especially the part where the mask pattern 5 is not formed,
As shown in FIG. 2, chromium is plasma sprayed. That is, in FIG. 2, 6 is a plasma gun, and chromium, which is a conductive thin film material, is supplied in a small quantity and quantity into this plasma gun 6.
It is heated to a temperature above .degree. C. to completely melt, collides with the base 1 at a predetermined speed, and is adhered to the base 1. At this time, the base 1 is cooled by a method such as contacting a cooling plate (not shown) from its back surface, and an excessive temperature rise in the base 1 due to the formation of the deposited film is suppressed. Then, by scanning the plasma gun 6 along the portion of the base 1 where the mask pattern 5 is not formed, the chromium thin film 7 can be deposited on the base 1 as shown in FIG. In this case, if the spray width of the plasma gun 6 is larger than the area where the mask 5 is not formed, chromium is also deposited on the mask 5, but the amount is small. The base 1 coated with the chromium thin film 7 in this way is coated with, for example, an IP coating.
The mask 5 is removed by immersing it in a solvent such as A or acetone as shown in FIG. This mask 5 may be removed by etching. In this way, the chromium thin film 7 in a desired pattern can be deposited on the base 1. Although not shown, after electrodes are formed at both ends of the pattern of the chromium film 7, an insulating film made of, for example, ceramic is deposited on the base 1 on which the heater pattern of the chromium film 7 is formed, by, for example, vapor deposition. It is coated over the entire surface. By using the mask pattern as described above, it is possible to form a heater with a fine pattern whose radius is narrower than the limit width due to the performance of the plasma gun. In this example, since the heater pattern was deposited and formed by plasma spraying, it is possible to obtain a high quality heater pattern coating with little deterioration or change. Moreover, as mentioned above, it is possible to adhere inorganic substances and composites of inorganic substances and metals that cannot be applied using semiconductor manufacturing technology, and it is also possible to form a dense heater pattern film with high hardness and high adhesion. . In addition to the chromium used in the above-mentioned embodiments, materials for the conductive thin film constituting the heater pattern include nickel, platinum, tantalum, tungsten, tin, iron, lead, alumel, beryllium, antimony, indium, Chromel, cobalt, strontium, rhodium, palladium,
111 metals such as magnesium, molybdenum, lithium, rubidium, carbon-based materials such as carbon black and graphite, nichrome, stainless steel,
Materials that are electrically conductive and can function as heating resistors and become heat sources when energized, such as alloys such as stainless steel, bronze, and brass, polymer composite materials such as polymer-grafted carbon, and composite ceramic materials such as molybdenum silicide. That's fine. Furthermore, the material for the base 1 is preferably one that has good thermal conductivity and excellent electrical insulation. Examples of such materials include, in addition to the above-mentioned alumina, ceramics such as quartz, zirconia, silicon carbide, silicon nitride, and diamond, metal oxides such as rutile, and bricks such as high alumina bricks and carbon bricks. I can do it. In the above example, the heater pattern thin film was deposited by plasma spraying, but the heater pattern thin film can be deposited by sputtering, CVD, vapor deposition, etc. depending on the film material.
Of course, film forming methods used in semiconductor manufacturing techniques such as ion blating can be used. Note that the heater is not limited to the one shown in FIG. 4, and can be applied to heaters with various thin film patterns. Also, for example, without providing electrodes on the thin film pattern,
A heater using a high-frequency induction heating method, in which an induction coil is placed on the heater pattern without contact, a high-frequency signal is supplied to the induction coil, and the induced magnetic flux generated by this generates eddy current in the thin film to generate heat. This invention can also be applied. Furthermore, the present invention is also applicable to a heater in which a thin film is made of a dielectric material and generates heat by high-frequency dielectric heating.

【発明の効果】【Effect of the invention】

以上説明したように、この発明によれば、基台にマスク
パターンを形成した後、ヒータ性能を有する薄膜を被着
するようにしたので、マスクパターンに応じた微細な薄
膜ヒータパターンを基台上に形成することができる。
As explained above, according to the present invention, after forming a mask pattern on the base, a thin film having heater performance is applied, so that a fine thin film heater pattern corresponding to the mask pattern is formed on the base. can be formed into

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図〜第3図は、この発明による方法を説明するため
の図、第4図はこの発明により製造されたヒータの一例
を示す図である。 1;基台 2;導電性薄膜 5;マスク 6;プラズマガン 7 ; クロム薄膜
1 to 3 are diagrams for explaining the method according to the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing an example of a heater manufactured according to the present invention. 1; Base 2; Conductive thin film 5; Mask 6; Plasma gun 7; Chrome thin film

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 基台上にマスクを形成し、このマスクを介して上記基台
上にヒータ性能を有する薄膜を形成し、その後、上記マ
スクを除去するようにしたことを特徴とするヒータの製
造方法。
A method for manufacturing a heater, comprising forming a mask on a base, forming a thin film having heater performance on the base through the mask, and then removing the mask.
JP17527789A 1989-07-06 1989-07-06 Manufacture of heater Pending JPH0340390A (en)

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