JPH0339992B2 - - Google Patents
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- JPH0339992B2 JPH0339992B2 JP61018174A JP1817486A JPH0339992B2 JP H0339992 B2 JPH0339992 B2 JP H0339992B2 JP 61018174 A JP61018174 A JP 61018174A JP 1817486 A JP1817486 A JP 1817486A JP H0339992 B2 JPH0339992 B2 JP H0339992B2
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- ceramic
- bonding
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Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミツクと金属の接合方法に関す
る。 〔従来の技術及びその問題点〕 セラミツクは高温における強度、耐食性、耐摩
耗性等に優れているため、ガスタービンやデイー
ゼルエンジン等の内燃機関の高温部材として注目
されている。しかし、セラミツクは脆いという根
本的な欠点があり、このため実用化に当つては、
使用条件の厳しい部分のみをセラミツクとし、こ
れを金属と接合させて使用する方法が有望であ
る。内燃機関用セラミツクとしては、SiC、
Si3N4が最も有力であるが、これらは共有結合性
が高く、金属との接合は困難である。 従来、高温使用を目的としたセラミツクと金属
の接合法としては、メタライジング法、ろう
付法、固相拡散接合法が知られている。 しかし、これらのうちの方法は工程が複雑で
コストが高くつく欠点があり、またの方法は現
在最も広く研究開発が行われているが、そのほと
んどにおいてろう付温度が900℃以上となり、金
属側の強度が低下するおそれがある。 これに対しの方法は、工程が簡単でしかも液
相状態を必要としないため、適当な中間層を選定
することにより接合温度を下げることが可能であ
る。しかしこの方法でも、SiCやSi3N4等のセラ
ミツクの熱膨張係数（約４×10-6／℃）が、内燃
機関に使われるNi基耐熱合金、耐熱鋼、耐熱鋳
鋼等の金属材料の熱膨張係数（約13×10-6／℃）
に較べて著しく小さく、このため接合後の冷却中
や運転中に生じる熱応力によりセラミツクに割れ
を生じてしまう。このような熱応力の緩和方法と
しては、セラミツクと金属の間に、中間層として
両部材の中間の熱膨張係数を有する金属や塑性変
形能の大きな軟質金属を介在させるという方法も
提案されているが、これだけでは十分な効果をあ
げることはできない。 〔問題を解決するための手段〕 本発明はこのような従来の問題に鑑み、セラミ
ツクの接合を容易にし、しかも熱応力によるセラ
ミツクの割れが適切に防止されるという観点か
ら、金属母材とセラミツク材との間に介在させる
べき中間部材及びセラミツク材の接合方式につい
て検討を重ねたものであり、この結果、金属母材
とこれに接合されるセラミツク材との間に、金属
母材側から銅層及びニツケル層を設け、該ニツケ
ル層に対しセラミツク材を固相拡散接合すること
により、セラミツクの接合を容易に行うことがで
き、しかも接合後の熱応力によるセラミツクの割
れを適切に防止し得ることを見し出した。 以下、本発明を図面に基づいて説明する。 第１図は、本発明の一実施状況を示すもので、
１はセラミツクを接合すべき金属母材、２はセラ
ミツク材であり、主としてSiC、Si3N4等のセラ
ミツクが接合対象とされる。 本発明では、セラミツク材２を金属母材１に接
合するに当り、両部材の間に金属母材側から銅層
３及びニツケル層４を形成させ、該ニツケル層４
に対しセラミツク材２を固相拡散接合する。 前記銅層３及びニツケル層４は、通常金属母材
１に予め形成され、しかる後、上層のニツケル層
４にセラミツク材２が固相拡散接合される。図中
５は荷重負荷ロツド、６は高周波誘導コイルであ
り、この高周波誘導コイル６で加熱しつつ荷重負
荷ロツド５で加圧することによりセラミツク材２
はニツケル層４に対し、接合される。 上記銅層３及びニツケル層４は、溶射により金
属母材面に予め形成させておくことができ、この
溶射法を用いることにより、各層の厚さを任意に
制御することができるとともに、円錐面や球面の
ような複雑な形状を持つ母材面上にも容易に形成
させることができる。 このように銅層３及びニツケル層４の形成は溶
射法が特に有利な方法と言えるが、板状等の金属
部材そのものを固相拡散接合により金属母材１に
予め接合する方法や、メツキ法、CVD法、PVD
法等のコーテイング法により上記銅層３及びニツ
ケル層４を形成させるようにすることを妨げるも
のではない。また以上のような銅層及びニツケル
層を予め形成させる方法に対し、例えば銅層を構
成すべき金属部材、ニツケル層を構成すべき金属
部材及びセラミツク材を金属母材上に積層配置
し、各部材間を同時に固相拡散接合させるように
することもできる。 以上のような本発明では、金属母材とセラミツ
ク材間の中間層のうち、銅層３がセラミツク材２
に生じる熱応力を緩和する作用をし、またニツケ
ル層４は固相拡散接合方式によるセラミツク材２
の接合を容易にし、また低い接合温度による接合
を可能ならしめる。 第１表は、本発明におけるニツケルとSiC、
Si3N4の各セラミツク材との接合実験結果を示す
ものであり、通常SiCでは700℃以上、Si3N4では
800℃以上で接合が可能であることが示されてい
る。
る。 〔従来の技術及びその問題点〕 セラミツクは高温における強度、耐食性、耐摩
耗性等に優れているため、ガスタービンやデイー
ゼルエンジン等の内燃機関の高温部材として注目
されている。しかし、セラミツクは脆いという根
本的な欠点があり、このため実用化に当つては、
使用条件の厳しい部分のみをセラミツクとし、こ
れを金属と接合させて使用する方法が有望であ
る。内燃機関用セラミツクとしては、SiC、
Si3N4が最も有力であるが、これらは共有結合性
が高く、金属との接合は困難である。 従来、高温使用を目的としたセラミツクと金属
の接合法としては、メタライジング法、ろう
付法、固相拡散接合法が知られている。 しかし、これらのうちの方法は工程が複雑で
コストが高くつく欠点があり、またの方法は現
在最も広く研究開発が行われているが、そのほと
んどにおいてろう付温度が900℃以上となり、金
属側の強度が低下するおそれがある。 これに対しの方法は、工程が簡単でしかも液
相状態を必要としないため、適当な中間層を選定
することにより接合温度を下げることが可能であ
る。しかしこの方法でも、SiCやSi3N4等のセラ
ミツクの熱膨張係数（約４×10-6／℃）が、内燃
機関に使われるNi基耐熱合金、耐熱鋼、耐熱鋳
鋼等の金属材料の熱膨張係数（約13×10-6／℃）
に較べて著しく小さく、このため接合後の冷却中
や運転中に生じる熱応力によりセラミツクに割れ
を生じてしまう。このような熱応力の緩和方法と
しては、セラミツクと金属の間に、中間層として
両部材の中間の熱膨張係数を有する金属や塑性変
形能の大きな軟質金属を介在させるという方法も
提案されているが、これだけでは十分な効果をあ
げることはできない。 〔問題を解決するための手段〕 本発明はこのような従来の問題に鑑み、セラミ
ツクの接合を容易にし、しかも熱応力によるセラ
ミツクの割れが適切に防止されるという観点か
ら、金属母材とセラミツク材との間に介在させる
べき中間部材及びセラミツク材の接合方式につい
て検討を重ねたものであり、この結果、金属母材
とこれに接合されるセラミツク材との間に、金属
母材側から銅層及びニツケル層を設け、該ニツケ
ル層に対しセラミツク材を固相拡散接合すること
により、セラミツクの接合を容易に行うことがで
き、しかも接合後の熱応力によるセラミツクの割
れを適切に防止し得ることを見し出した。 以下、本発明を図面に基づいて説明する。 第１図は、本発明の一実施状況を示すもので、
１はセラミツクを接合すべき金属母材、２はセラ
ミツク材であり、主としてSiC、Si3N4等のセラ
ミツクが接合対象とされる。 本発明では、セラミツク材２を金属母材１に接
合するに当り、両部材の間に金属母材側から銅層
３及びニツケル層４を形成させ、該ニツケル層４
に対しセラミツク材２を固相拡散接合する。 前記銅層３及びニツケル層４は、通常金属母材
１に予め形成され、しかる後、上層のニツケル層
４にセラミツク材２が固相拡散接合される。図中
５は荷重負荷ロツド、６は高周波誘導コイルであ
り、この高周波誘導コイル６で加熱しつつ荷重負
荷ロツド５で加圧することによりセラミツク材２
はニツケル層４に対し、接合される。 上記銅層３及びニツケル層４は、溶射により金
属母材面に予め形成させておくことができ、この
溶射法を用いることにより、各層の厚さを任意に
制御することができるとともに、円錐面や球面の
ような複雑な形状を持つ母材面上にも容易に形成
させることができる。 このように銅層３及びニツケル層４の形成は溶
射法が特に有利な方法と言えるが、板状等の金属
部材そのものを固相拡散接合により金属母材１に
予め接合する方法や、メツキ法、CVD法、PVD
法等のコーテイング法により上記銅層３及びニツ
ケル層４を形成させるようにすることを妨げるも
のではない。また以上のような銅層及びニツケル
層を予め形成させる方法に対し、例えば銅層を構
成すべき金属部材、ニツケル層を構成すべき金属
部材及びセラミツク材を金属母材上に積層配置
し、各部材間を同時に固相拡散接合させるように
することもできる。 以上のような本発明では、金属母材とセラミツ
ク材間の中間層のうち、銅層３がセラミツク材２
に生じる熱応力を緩和する作用をし、またニツケ
ル層４は固相拡散接合方式によるセラミツク材２
の接合を容易にし、また低い接合温度による接合
を可能ならしめる。 第１表は、本発明におけるニツケルとSiC、
Si3N4の各セラミツク材との接合実験結果を示す
ものであり、通常SiCでは700℃以上、Si3N4では
800℃以上で接合が可能であることが示されてい
る。
本発明法により、第４図に示すような焼結セラ
ミツクフエース部を有する排気弁を以下の条件に
より製造した。図中ａはフエース部であり、この
部分の母材１とセラミツク材２との間には、母材
側から銅層３とニツケル層４とが介在した構造と
なつている。また、各中間層は、その上部の部材
（または層）を表面を除き被包するような構造と
なつている。すなわち、ニツケル層４はその上部
のセラミツク材２を、また銅層３はその上部のニ
ツケル層４をそれぞれその周縁まで包むように被
包している。 (イ) 材料 フエース部材：Si3N4 弁母材：Nimonic80A 中間層ニツケル層：40μｍ 銅 層：500μｍ (ロ) 製造法 第４図に示した円錐面を有する弁母材フエー
ス面にシヨツトブラスト処理を施し、脱脂後、
第１層に銅を、第２層にニツケルを溶射し、中
間層を形成させた。 この中間層を形成させた接合面に、円錐面を
有するリング状の焼結セラミツクスを合せ、以
下の条件で固相拡散接合を行つた。 雰囲気：１×10-3torr真空中 接合温度：850℃×1Hr 接合圧力：５Kg／mm2 なお、本実施例では中間層の形成に溶射法を用
いているため、中間層を隙間なく、且つ均一に形
成させることができた。 〔発明の効果〕 以上述べた本発明によれば、熱応力によるセラ
ミツク材の割れを適切に防止できる接合構造を得
ることができ、加えてセラミツク材の接合を極め
て容易に行うことができるとともに、接合温度も
低く抑えることができるため、金属側の強度低下
も適切に防止することができる効果がある。
ミツクフエース部を有する排気弁を以下の条件に
より製造した。図中ａはフエース部であり、この
部分の母材１とセラミツク材２との間には、母材
側から銅層３とニツケル層４とが介在した構造と
なつている。また、各中間層は、その上部の部材
（または層）を表面を除き被包するような構造と
なつている。すなわち、ニツケル層４はその上部
のセラミツク材２を、また銅層３はその上部のニ
ツケル層４をそれぞれその周縁まで包むように被
包している。 (イ) 材料 フエース部材：Si3N4 弁母材：Nimonic80A 中間層ニツケル層：40μｍ 銅 層：500μｍ (ロ) 製造法 第４図に示した円錐面を有する弁母材フエー
ス面にシヨツトブラスト処理を施し、脱脂後、
第１層に銅を、第２層にニツケルを溶射し、中
間層を形成させた。 この中間層を形成させた接合面に、円錐面を
有するリング状の焼結セラミツクスを合せ、以
下の条件で固相拡散接合を行つた。 雰囲気：１×10-3torr真空中 接合温度：850℃×1Hr 接合圧力：５Kg／mm2 なお、本実施例では中間層の形成に溶射法を用
いているため、中間層を隙間なく、且つ均一に形
成させることができた。 〔発明の効果〕 以上述べた本発明によれば、熱応力によるセラ
ミツク材の割れを適切に防止できる接合構造を得
ることができ、加えてセラミツク材の接合を極め
て容易に行うことができるとともに、接合温度も
低く抑えることができるため、金属側の強度低下
も適切に防止することができる効果がある。
第１図は本発明法の実施状況を示す説明図であ
る。第２図Ａ，Ｂは本発明法により得られた接合
体及び中間層を設けない従来の接合体について、
セラミツク材に生じる応力を示す等応力線図であ
る。第３図は本発明法をより得られる接合体のニ
ツケル層厚とセラミツクに生じる最大主応力値と
の関係を示すものである。第４図は本発明の一実
施例において製造された排気弁の構造を示す半断
面図である。 図において、１は金属母材、２はセラミツク
材、３は銅層、４はニツケル層を各示す。
る。第２図Ａ，Ｂは本発明法により得られた接合
体及び中間層を設けない従来の接合体について、
セラミツク材に生じる応力を示す等応力線図であ
る。第３図は本発明法をより得られる接合体のニ
ツケル層厚とセラミツクに生じる最大主応力値と
の関係を示すものである。第４図は本発明の一実
施例において製造された排気弁の構造を示す半断
面図である。 図において、１は金属母材、２はセラミツク
材、３は銅層、４はニツケル層を各示す。
Claims (1)
- １ 金属母材とこれに接合されるセラミツク材と
の間に金属母材側から銅層及びニツケル層を設
け、該ニツケル層に対しセラミツク材を固相拡散
接合することを特徴とするセラミツクと金属の接
合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1817486A JPS62176966A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | セラミツクと金属の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1817486A JPS62176966A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | セラミツクと金属の接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62176966A JPS62176966A (ja) | 1987-08-03 |
| JPH0339992B2 true JPH0339992B2 (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=11964247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1817486A Granted JPS62176966A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | セラミツクと金属の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62176966A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8818050D0 (en) * | 1988-07-28 | 1988-09-01 | Lilliwyte Sa | Joining of ceramic components to metal components |
| US8608049B2 (en) * | 2007-10-10 | 2013-12-17 | Zimmer, Inc. | Method for bonding a tantalum structure to a cobalt-alloy substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613663A (ja) * | 1984-06-16 | 1986-01-09 | Narumi China Corp | 金属部材の鑞付け前処理方法 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP1817486A patent/JPS62176966A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613663A (ja) * | 1984-06-16 | 1986-01-09 | Narumi China Corp | 金属部材の鑞付け前処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62176966A (ja) | 1987-08-03 |
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