JPH0338912A - Output circuit - Google Patents

Output circuit

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JPH0338912A
JPH0338912A JP1174878A JP17487889A JPH0338912A JP H0338912 A JPH0338912 A JP H0338912A JP 1174878 A JP1174878 A JP 1174878A JP 17487889 A JP17487889 A JP 17487889A JP H0338912 A JPH0338912 A JP H0338912A
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JP
Japan
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power supply
output
transistor
voltage
capacitor
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JP1174878A
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Inventor
Atsushi Ozaki
尾崎 敦司
Junji Mori
順二 森
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PURPOSE:To suppress noise induced in a power supply line or a grounded line and to obtain an output circuit with high reliability by applying adjustment control to a charge current or a discharge current of a capacitor in relation to the voltage fluctuation of a power supply. CONSTITUTION:A series circuit comprising 1st and 2nd transistors(TRs) of the same conduction type is connected between a power supply terminal 4 and a ground terminal 17, 3rd and 4th TRs Q5, Q6 are connected in parallel with the 1st and 2nd TRs Q3, Q4 and one of the 3rd and 4th TRs Q5, Q6 is energized in relation to the output of a voltage fluctuation detection circuit A detecting the voltage fluctuation of the power supply. Then the charge current and the discharge current of a capacitor are adjusted in relation to the voltage fluctuation of the power supply to suppress noise caused in a power supply line and a grounded line.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体装置の出力回路に関するものである。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to an output circuit of a semiconductor device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のこの種の出力回路は例えば第4図に示す如くすっ
ている。電′rX端4と接地端7との間に、MOSトラ
ンジスタQ1とQ2との直列回路が介装しており、MO
S  トランジスタQ、 とQ2との接続点は出力端3
と接続される。出力端3はキャパシタCを介して接地端
7と接続される。前記MOS  )ランジスクQ1及び
Q2のゲートには、人力信号φ1及びφ2が各別に人力
される。
A conventional output circuit of this type is shown in FIG. 4, for example. A series circuit of MOS transistors Q1 and Q2 is interposed between the voltage terminal 4 and the ground terminal 7.
The connection point between S transistors Q and Q2 is output terminal 3
connected to. Output end 3 is connected to ground end 7 via capacitor C. Manual input signals φ1 and φ2 are applied to the gates of the MOS transistors Q1 and Q2, respectively.

次にこの動作を説明する。MOS  l−ランジスクQ
Q2のゲートに人力される人力信号φ1.φ2の2進論
理埴rHJ、rLJによりMOS  l−ランジスタQ
、、Q2が導通、非導通になり、その2進論理値の組合
せにより、出力端3と接続されたキャパシタCが充電又
は放電されて、出力端3の電圧レベルはrH,又は「L
」になる。また人力信号φ1.φ2がともにr L J
レベルのときはMOSトランジスタQ、、Q、はともに
非導通になり、出力端3は高インピーダンス状態になる
Next, this operation will be explained. MOS l-ranjisk Q
A human input signal φ1 is input to the gate of Q2. MOS l-transistor Q by binary logic rHJ and rLJ of φ2
,, Q2 becomes conductive or non-conductive, and depending on the combination of the binary logic values, the capacitor C connected to the output terminal 3 is charged or discharged, and the voltage level of the output terminal 3 becomes rH or "L".
"become. Also, the human power signal φ1. Both φ2 are r L J
When the level is high, both MOS transistors Q, , Q become non-conductive, and the output terminal 3 becomes a high impedance state.

〔発明が解決しようとする課題] 前述したように従来の出力回路は出力端3の電圧レベル
がrl、Jからr )l 4に変化するときには、?’
lO5トランジスタQ、を通ってキャパシタCへ充電電
流が一気に流れる。それにより電源ラインの電圧を瞬間
的に低下させるノイズが電源ラインに生じてその周辺回
路のトランジスタの動作が不安定になるという問題があ
る。また出力端3の電圧レベルが「H」から「L」に変
化するときにはMOSトランジスタQ2を通って接地端
7ヘキヤパシタCの放電電流が一気に流れる。それによ
り接地ラインの電圧を瞬間的に上昇させるノイズが接地
ラインに生して、その周辺回路のトランジスタノ動作が
不安定になるという問題がある。
[Problems to be Solved by the Invention] As mentioned above, in the conventional output circuit, when the voltage level at the output terminal 3 changes from rl, J to r)l4, ? '
A charging current flows all at once to the capacitor C through the lO5 transistor Q. This causes a problem in that noise that instantaneously lowers the voltage of the power supply line is generated on the power supply line, making the operation of transistors in the peripheral circuitry unstable. Further, when the voltage level of the output terminal 3 changes from "H" to "L", the discharge current of the capacitor C flows all at once to the ground terminal 7 through the MOS transistor Q2. This causes a problem in that noise that instantaneously increases the voltage of the ground line is generated on the ground line, making the transistor operation of the peripheral circuitry unstable.

本発明は斯かる問題に鑑み、キャパシタを充電又は放電
させて出力端の電圧レベルを変化させる場合に、電源ラ
イン又は接地ラインに生じるノイズを抑制できる出力回
路を提供することを目的とする。
In view of this problem, it is an object of the present invention to provide an output circuit that can suppress noise generated in a power supply line or a ground line when charging or discharging a capacitor to change the voltage level at the output terminal.

〔課題を解決するための手段〕 本発明に係る出力回路は、電源端と接地端間に、同一導
電型の第1.第2のトランジスタの直列回路を接続して
、それらの第1.第2のトランジスタに第3.第4のト
ランジスタを並列接続し、電源の電圧変動を検出する電
圧変動検出回路の出力に関連して、第3.第4のトラン
ジスタの一方を導通させる構成にする。
[Means for Solving the Problems] The output circuit according to the present invention includes a first . A series circuit of second transistors is connected to connect the first and second transistors. The third transistor is connected to the second transistor. In connection with the output of the voltage fluctuation detection circuit which connects the fourth transistor in parallel and detects the voltage fluctuation of the power supply, the third. One of the fourth transistors is configured to be conductive.

〔作用] 第1トランジスタの導通によりキャパシタを充電する。[Effect] The capacitor is charged by conduction of the first transistor.

第2トランジスタの導通によりキャパシタが放電する。The capacitor is discharged due to the conduction of the second transistor.

第1又は第2トランジスタが導通しているとき、電圧変
動検出回路が所定値以上の電圧を検出すると第3又は第
41−ランジスタが非導通になり、所定値以下の電圧を
検出すると第3又は第4トランジスタが導通ずる。
When the first or second transistor is conductive, if the voltage fluctuation detection circuit detects a voltage higher than a predetermined value, the third or 41st transistor becomes non-conductive, and if the voltage fluctuation detection circuit detects a voltage lower than the predetermined value, the third or The fourth transistor becomes conductive.

よって電源の電圧変動に関連してキャパシタの充電電流
及び放電電流を加減して電源ライン及び接地ラインに生
じるノイズを抑制する。
Therefore, the charging current and discharging current of the capacitor are adjusted in relation to voltage fluctuations of the power supply, thereby suppressing noise generated in the power supply line and the ground line.

〔実施例〕〔Example〕

以下本発明をその実施例を示す図面により詳述する。第
1図は本発明に係る出力回路の回路図である。電源が接
続される電源端4と接地端7との間に抵抗R1とR2と
の直列回路が介装される。
The present invention will be described in detail below with reference to drawings showing embodiments thereof. FIG. 1 is a circuit diagram of an output circuit according to the present invention. A series circuit including resistors R1 and R2 is interposed between a power supply terminal 4 to which a power supply is connected and a ground terminal 7.

抵抗R1とR2との接続点はインバータI、、Lを介し
てNAND回路NA、及びNA、の一方の入力端子NA
、□及びNA2.と夫々接続されている。そして、これ
ら抵抗R+、R’z及びインバータIt、rzにより電
圧変動検出回路Aを構成している。人力信号φ、が入力
されるNチャネルMOS )ランジスタQ:lのゲート
Gは、前記NAND回路NA+の他方の入力端子NA1
.と、NチャネルMOS トランジスタQ。
The connection point between resistors R1 and R2 is connected to one input terminal NA of NAND circuits NA and NA via inverters I, L.
, □ and NA2. are connected to each other. A voltage fluctuation detection circuit A is constituted by these resistors R+, R'z and inverters It, rz. The gate G of transistor Q:l is connected to the other input terminal NA1 of the NAND circuit NA+.
.. and an N-channel MOS transistor Q.

のゲートGと、NチャネルMOS  l−ランジスタQ
 I。
gate G, N-channel MOS l-transistor Q
I.

のドレインDとに夫々接続され、またインバータI4を
介してトランジスタQ、。のゲートGと接続される3N
AND回路NA、の出力端子はMOS  I−ランジス
タQ、のドレインDと接続される。MOSトランジスタ
Q、。及びQ、の各ソースSはNチャネルMOSトラン
ジスタQ、のゲートGと接続され、そのソースSは電源
端4と接続される。
and the transistors Q, respectively, through an inverter I4. 3N connected to gate G of
The output terminal of the AND circuit NA is connected to the drain D of the MOS I-transistor Q. MOS transistor Q. The sources S of and Q are connected to the gate G of the N-channel MOS transistor Q, and the source S thereof is connected to the power supply terminal 4.

電源端4と接地端7との間には、前記MOSトランジス
タQ3とNチャネルMOS  l−ランジスタQ4との
直列回路が介装され、それらのMOS  l−ランジス
タQ、とA4の各ドレインDの接続点は出力端3と接続
される。この出力端3には前記MOS  トランジスタ
Q5のドレインD及びソースSを接地端7と接続してい
るMOS  I−ランジスタQ6のドレインDが接続さ
れ、また出力端3はキャパシタCを介して接地される。
A series circuit of the MOS transistor Q3 and an N-channel MOS l-transistor Q4 is interposed between the power supply terminal 4 and the ground terminal 7, and the MOS l-transistor Q and each drain D of A4 are connected. The point is connected to the output end 3. This output terminal 3 is connected to the drain D of a MOS I-transistor Q6 which connects the drain D and source S of the MOS transistor Q5 to the ground terminal 7, and the output terminal 3 is grounded via a capacitor C. .

入力信号φ2が人力されるMOSトランジスタA4のゲ
ートGは、NANDA路NA2の他方の入力端子NAz
b  と、NチャネルMOS  I−ランジスタQ、の
ゲートGと、NチャネルMOS  )ランジスタQ8の
ドレインDと接続され、またインバータI4を介してN
チャネルMOS  )ランジスタQ8のゲートと接続さ
れる。NANDA路NA2の出力端子はMOS  トラ
ンジスタQ7のドレインDと接続される。MOS  ト
ランジスタQ7とA8の各ソースSは前記MOS  ト
ランジスタQ6のゲートGと接続される。
The gate G of the MOS transistor A4 to which the input signal φ2 is input is connected to the other input terminal NAz of the NANDA path NA2.
b, the gate G of the N-channel MOS transistor Q, and the drain D of the N-channel MOS transistor Q8.
Channel MOS) Connected to the gate of transistor Q8. The output terminal of NANDA path NA2 is connected to the drain D of MOS transistor Q7. Each source S of MOS transistors Q7 and A8 is connected to the gate G of the MOS transistor Q6.

次にこのように構成した出力回路の動作を第2図及び第
3図とともに説明する。第2図は定圧変動検出回路Aの
出力信号SAを縦軸とし、電源端4の電圧VCCを横軸
として示している電圧変動検出回路への動作特性図であ
り、第3図は電圧変動検出回路Aの出力信号SA、入力
信号φ0.φ2及びMOS  )ランジスタQ5.Q、
のゲートに与える信号SB、Scの真理値を示したもの
である。
Next, the operation of the output circuit configured as described above will be explained with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is an operational characteristic diagram for the voltage fluctuation detection circuit in which the vertical axis is the output signal SA of the constant voltage fluctuation detection circuit A and the horizontal axis is the voltage VCC at the power supply terminal 4. Output signal SA of circuit A, input signal φ0. φ2 and MOS) transistor Q5. Q,
This shows the truth values of the signals SB and Sc given to the gates of .

先ず電圧変動検出回路への動作を説明する。いま電源端
4の電圧VCCが上昇してV eelになった場合、イ
ンバータ11の入力端子、つまりノードND、の電圧は
(R,・V cc、)/ (RI+ R2)となり、上
昇する前の入力端子(RZ ・VCC)/ (R++’
R2)より若干上界する。ここで、インバータLのしき
い値を(Rz・VCC)/(R,+R2)以上の所定値
に設定しておけば、電源端4の電圧が所定値以上又は以
下に変動したことが検出できる。即ち、電源端4の電圧
VCCが所定値以上になれば電圧変動検出回路への出力
信号SAは「11」レベルに、所定(fi以下になれば
rl、jレベルになる2値信号が得られる。
First, the operation of the voltage fluctuation detection circuit will be explained. If the voltage VCC at the power supply end 4 rises to V eel, the voltage at the input terminal of the inverter 11, that is, the node ND, becomes (R, ·V cc,)/(RI+R2), which is the voltage before rising. Input terminal (RZ ・VCC) / (R++'
It is slightly higher than R2). Here, if the threshold value of the inverter L is set to a predetermined value equal to or higher than (Rz・VCC)/(R,+R2), it is possible to detect that the voltage at the power supply terminal 4 fluctuates above or below the predetermined value. . That is, when the voltage VCC at the power supply terminal 4 becomes more than a predetermined value, the output signal SA to the voltage fluctuation detection circuit becomes the "11" level, and when it becomes less than the predetermined value (fi, the binary signal becomes rl, j level). .

次に出力端3の電圧レベルがrl、Jからr HJに変
化する場合を考えると、このときは入力信号φ1がrl
、Jからrl(Jレベルに変化する。それによりMOS
  )ランジスタQ3が導通して電源端4からキャパシ
タCに充電電流が流れて出力端3の電圧レベルは「L」
からrH,に変化する。ここで例えば第4図に示した従
来の出力回路のMOSトランジスタQ2のチャネル幅を
Wとし、第1図に示すMOSトランジスタQ、、Q、の
チャネル幅を例えばW/2とすると、入力信号φ1が「
1−」から「11」レベルに変化することで先ずMOS
  )ランジスタQ、のみが導通するから、従来に比べ
てチャネル幅が半分になって、それによりキャパシタC
の充電電流が減少する。そして、これまでの説明では電
圧変動検出回路Aの出力信号SAがr HJ即ちNAN
D回路NA、の入力端子N八、  がr HJレベルで
あり、人力信号φ、がrH,レベル、つまりNAND回
路NA、の入力端子NA+bがr H、レベルであり、
その出力レベルが「L」であって、MOSトランジスタ
Q、の導通によりMOSトランジスタQ。
Next, consider the case where the voltage level at the output terminal 3 changes from rl, J to rHJ. In this case, the input signal φ1 is rl
, J to rl (changes to J level. Thereby, MOS
) The transistor Q3 becomes conductive and a charging current flows from the power supply terminal 4 to the capacitor C, and the voltage level at the output terminal 3 becomes "L".
It changes from to rH. For example, if the channel width of MOS transistor Q2 of the conventional output circuit shown in FIG. 4 is W, and the channel width of MOS transistors Q, , Q, shown in FIG. 1 is W/2, then input signal φ1 but"
By changing from level 1- to level 11, the MOS
) Since only transistor Q is conductive, the channel width is halved compared to the conventional one, and as a result, capacitor C
charging current decreases. In the explanation so far, the output signal SA of the voltage fluctuation detection circuit A is rHJ, that is, NAN
The input terminal N8 of the D circuit NA is at the rHJ level, the human input signal φ is at the rH level, that is, the input terminal NA+b of the NAND circuit NA is at the rH level,
The output level is "L", and MOS transistor Q is turned on due to conduction of MOS transistor Q.

は非導通になる。そのように電源端の電圧■。、が所定
値以上にある場合にはMOS  I−ランジスタQ3か
らキャパシタCへ充電電流が流れることになり、キャパ
シタCへ一気に充電電流を流さない。そしてN源端の電
圧■。が所定値以下に低下して電圧変動検出回路穴の出
力信号SAがr J、 Jレベルになると、NAIJD
回路NA、の出力がrH」レベルになってMOSトラン
ジスタQ、の導通によりMOS  )ランジスタQ5が
導通して、MOSトランジスタQ3及びQ、からキャパ
シタCに充電電流が流れる。
becomes non-conducting. ■The voltage at the power supply end. , is greater than a predetermined value, a charging current flows from the MOS I-transistor Q3 to the capacitor C, and the charging current does not flow to the capacitor C all at once. And the voltage at the N source end ■. NAIJD falls below a predetermined value and the output signal SA of the voltage fluctuation detection circuit hole reaches the rJ, J level.
When the output of circuit NA becomes rH level, MOS transistor Q becomes conductive, MOS transistor Q5 becomes conductive, and a charging current flows from MOS transistors Q3 and Q to capacitor C.

それによりアクセス動作の遅延を軽減することになり、
また電源端の電圧VCCが上男しているときに流れる充
電電流が電源ラインのインダクタンス成分に流れること
により誘起するノイズの電圧L・(di/dL)を減少
させることになる。
This will reduce delays in access operations,
Further, when the voltage VCC at the power supply end is high, the charging current flowing through the inductance component of the power supply line reduces the noise voltage L·(di/dL) induced.

一方、出力端3の電圧レベルがr 11 Jから「L」
に変化する場合を考えると、このときは人力信号φ2が
rlJレヘルからr I(Jレベルに変化する。
On the other hand, the voltage level at the output terminal 3 changes from r 11 J to "L"
In this case, the human power signal φ2 changes from rlJ level to rI(J level).

それにより?IO5)ランジスタQ4が導通してそれに
キャパシタCの放電電流が流れ、出力端3がr HJレ
ベルから「L」レベルに変化する。ここで、前述したよ
うに従来の出力回路のMOS  )ランジスタQ2のチ
ャネル幅をWとし、第1図のMOSトランジスタQ4.
Q6のチャネル幅をW/2としているから、人力信号φ
2がr(−」レベルから用■」レベルに変化をすること
で、先ずMOS  I−ランジスタQ、のみが導通する
から、従来に比べてチャネル幅が半分になって、それに
よりキャパシタCの放電電流が減少する。そして、これ
までの説明では電圧変動検出回路Aの出力信号S、がr
H,即ち、NANDA路NA2の入力端子NA2.が川
−I」レベルであり、人力信号φ2がr H、レベル、
つまりNANDA路NA2の入力端子NAzbが「11
」レベルであり、その出力レベルが「L」であって、M
OSトランジスタQ7の導通によりMOS  1〜ラン
ジスタQ6は非導通になる。そのように電源端の電圧V
CCが所定値以上にある場合にはMOS  トランジス
タQ。
Thereby? IO5) The transistor Q4 becomes conductive, the discharge current of the capacitor C flows through it, and the output terminal 3 changes from the rHJ level to the "L" level. Here, as mentioned above, the channel width of the MOS transistor Q2 in the conventional output circuit is W, and the MOS transistor Q4 .
Since the channel width of Q6 is set to W/2, the human input signal φ
2 changes from the r(-' level to the 2' level), first only the MOS I-transistor Q becomes conductive, so the channel width is halved compared to the conventional one, and the discharge of the capacitor C is thereby reduced. The current decreases.In the explanation so far, the output signal S of the voltage fluctuation detection circuit A becomes r
H, that is, the input terminal NA2. of the NANDA path NA2. is at the river-I level, and the human input signal φ2 is rH, level,
In other words, the input terminal NAzb of the NANDA path NA2 is "11".
” level, its output level is “L”, and M
When the OS transistor Q7 becomes conductive, MOS 1 to transistor Q6 become non-conductive. In this way, the voltage at the power supply terminal V
If CC is above a predetermined value, MOS transistor Q.

のみを通ってキャパシタCの放電電流が流れることにな
り、接地端7へ一気に放電電流を流さない。
The discharge current of the capacitor C flows only through the capacitor C, and the discharge current does not flow to the ground terminal 7 all at once.

また、反対に電源端の電圧V。Cが所定値以下に低下し
て電圧変動検出回路への出力信号S1が用7Jレベルに
なると、NANDA路NA2の出力がr HJレベルに
なってMOS  )ランジスタQ7の導通によりMOS
トランジスタQ6が導通して、MOS  )ランジスタ
Q4及びQ6を通ってキャパシタCの放電電流が流れる
。それによりアクセス動作の遅延を軽減することになり
、また電源端の電圧VCCが上昇しているときに流れる
放電電流が接地ラインのインダクタンス成分に流れるこ
とにより誘起するノイズの電圧L・(di/dt)を減
少させることができる。
Also, on the contrary, the voltage V at the power supply end. When C falls below a predetermined value and the output signal S1 to the voltage fluctuation detection circuit reaches the 7J level, the output of the NANDA path NA2 becomes the rHJ level and the MOS transistor Q7 becomes conductive.
Transistor Q6 conducts and the discharge current of capacitor C flows through transistors Q4 and Q6 (MOS). This reduces the delay in access operations, and the noise voltage L・(di/dt ) can be reduced.

このようにして電源端4の電圧■。、の変動に関連して
、キャパシタCの充電電流及び放電電流を加減するから
、電源端の電圧VCCが上昇している場合でも電源ライ
ン及び接地ラインに流れる充電又は放電電流により誘起
するノイズを抑制する。
In this way, the voltage at the power supply end 4 is reduced. Since the charging current and discharging current of capacitor C are adjusted in relation to the fluctuations in do.

それにより、電源及び接地ラインの周辺回路のトランジ
スタを常に安定に動作させ得ることになる。
Thereby, the transistors in the peripheral circuits of the power supply and ground lines can always operate stably.

〔発明の効果] 以上詳述したように、本発明の出力回路は、その出力端
の電圧レベルを変化させる場合に、キャパシタの充電電
流又は放電電流を、電源の電圧変動に関連して加減制御
するから、電源ライン又は接地ラインムこ誘起するノイ
ズが抑制される。よって本発明によれば電tA端の電圧
変動により、電源及び接地ラインの周辺回路のトランジ
スタの動作が不安定になることがなく、信頼性が高い出
力回路を提供できる優れた効果を奏する。
[Effects of the Invention] As detailed above, the output circuit of the present invention adjusts and controls the charging current or discharging current of the capacitor in relation to voltage fluctuations of the power supply when changing the voltage level at the output terminal. Therefore, noise induced in the power supply line or the ground line is suppressed. Therefore, according to the present invention, the operation of the transistors in the peripheral circuits of the power supply and ground lines does not become unstable due to voltage fluctuations at the terminal tA, and an excellent effect is achieved in that a highly reliable output circuit can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係る出力回路の回路図、第2図は電圧
変動検出回路の動作特性図、第3図は各部信号の真理値
を示す図、第4図は従来の出力回路の回路図である。 3・・・出力端 4・・・電源端 7・・・接地端 A
・・・電圧変動検出回路 I、、f2.[3,1,・・
・インバータ Q3.Q4〜Q、。・・・NチャネルM
O5l−ランジスタ NA+ 、 NA2・・・NAN
D回路 C・・・キャパシタ なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Fig. 1 is a circuit diagram of an output circuit according to the present invention, Fig. 2 is an operational characteristic diagram of a voltage fluctuation detection circuit, Fig. 3 is a diagram showing truth values of various signals, and Fig. 4 is a circuit diagram of a conventional output circuit. It is a diagram. 3... Output end 4... Power end 7... Ground end A
. . . Voltage fluctuation detection circuit I,, f2. [3,1,...
・Inverter Q3. Q4~Q,. ...N channel M
O5l-transistor NA+, NA2...NAN
D circuit C...capacitor In the drawings, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)電源端と接地端間に、同一導電型の第1、第2の
トランジスタを直列接続して、該第1、第2のトランジ
スタの接続点をキャパシタを介して接地している出力回
路において、 前記電源の電圧変動を検出する電圧変動検出回路と、前
記第1、第2のトランジスタの夫々と並列接続している
第3、第4のトランジスタとを備え、前記電圧変動検出
回路の出力に関連して第3、第4のトランジスタの一方
を導通すべく構成してあることを特徴とする出力回路。
(1) An output circuit in which first and second transistors of the same conductivity type are connected in series between the power supply terminal and the ground terminal, and the connection point of the first and second transistors is grounded via a capacitor. The voltage fluctuation detection circuit includes a voltage fluctuation detection circuit that detects voltage fluctuations of the power supply, and third and fourth transistors connected in parallel with the first and second transistors, respectively, and the output of the voltage fluctuation detection circuit An output circuit characterized in that the output circuit is configured to conduct one of the third and fourth transistors in relation to the output circuit.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002279482A (en) * 2001-03-22 2002-09-27 Oki Electric Ind Co Ltd Coin slot
JP2005136950A (en) * 2003-10-31 2005-05-26 Hynix Semiconductor Inc Cmos output buffer circuit

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