JPH0336795B2 - - Google Patents
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- JPH0336795B2 JPH0336795B2 JP60154503A JP15450385A JPH0336795B2 JP H0336795 B2 JPH0336795 B2 JP H0336795B2 JP 60154503 A JP60154503 A JP 60154503A JP 15450385 A JP15450385 A JP 15450385A JP H0336795 B2 JPH0336795 B2 JP H0336795B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- growth
- crystal
- vibration
- annealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、結晶成長法に関し、特に薄膜成長に
用いるSi基板を、1000℃以上の高温度に保持して
Si基板表面を原子層精度で平坦化させ、その後前
記Si基板上に反射電子線回折像の強度の振動を観
察しながら真空中で薄膜成長を行なう薄膜結晶成
長法に関する。
用いるSi基板を、1000℃以上の高温度に保持して
Si基板表面を原子層精度で平坦化させ、その後前
記Si基板上に反射電子線回折像の強度の振動を観
察しながら真空中で薄膜成長を行なう薄膜結晶成
長法に関する。
［従来の技術］
従来、真空中での結晶成長の際に、成長中の薄
膜の厚さを測定する方法として、水晶振動子を用
いた膜厚測定法が用いられていた。この方法は
GaAsの化合物半導体の成長には使えないが、元
素半導体であるSiの成長においては用いられてき
た。しかし、この水晶振動子を用いたSiの膜厚測
定法にはいくつかの問題点がある。まず第一に、
水晶振動子自体の読み取りの精度は１Å低度と良
いが、通常、成長基板と別の位置に設置されるた
めに較正が必要であるが、Siは電子ビーム蒸発さ
れる場合が多いので、Siの溶け方次第で蒸発Siビ
ーム強度分布が変る困難さがあつた。また水晶振
動子は約10〜20μｍのSiが付着すると使用不能に
なるため、ひんぱんに振動子を交換する必要があ
るが、このことは特に超高真空雰囲気の成長であ
る分子線結晶成長法においては大きな問題であ
る。このために、原子吸光法による膜厚測定装置
も併用されることがあるが、この方法による誤差
は約10％程度あり、精度は良くない。
膜の厚さを測定する方法として、水晶振動子を用
いた膜厚測定法が用いられていた。この方法は
GaAsの化合物半導体の成長には使えないが、元
素半導体であるSiの成長においては用いられてき
た。しかし、この水晶振動子を用いたSiの膜厚測
定法にはいくつかの問題点がある。まず第一に、
水晶振動子自体の読み取りの精度は１Å低度と良
いが、通常、成長基板と別の位置に設置されるた
めに較正が必要であるが、Siは電子ビーム蒸発さ
れる場合が多いので、Siの溶け方次第で蒸発Siビ
ーム強度分布が変る困難さがあつた。また水晶振
動子は約10〜20μｍのSiが付着すると使用不能に
なるため、ひんぱんに振動子を交換する必要があ
るが、このことは特に超高真空雰囲気の成長であ
る分子線結晶成長法においては大きな問題であ
る。このために、原子吸光法による膜厚測定装置
も併用されることがあるが、この方法による誤差
は約10％程度あり、精度は良くない。
以上述べたように結晶成長中にその場でのSiの
膜厚の正確な測定は困難であつた。
膜厚の正確な測定は困難であつた。
一方、英国フイリツプス研究所のJ.J.ハリス等
は、GaAsの分子線結晶成長法において、反射高
速電子線回折装置の電子ビームを結晶表面に入射
させてその回折像を観察する際に、当該GaAs膜
の成長開始直後にその回折像の強度が周期的に変
化することを見いだし、その振動の一周期が、用
いた（001）平面上での１分子層のGaAsの成長
に対応していることを述べている（Surface
Science Vo1.103 L90−L96（1981））。
は、GaAsの分子線結晶成長法において、反射高
速電子線回折装置の電子ビームを結晶表面に入射
させてその回折像を観察する際に、当該GaAs膜
の成長開始直後にその回折像の強度が周期的に変
化することを見いだし、その振動の一周期が、用
いた（001）平面上での１分子層のGaAsの成長
に対応していることを述べている（Surface
Science Vo1.103 L90−L96（1981））。
従つて、かかる回折像の強度の変化の振動数を
計測することによつて成長した分子層数を正確に
知ることが出来る。
計測することによつて成長した分子層数を正確に
知ることが出来る。
このような電子線回折像の振動を計算機で解折
し、振動の適当な位相の時点で蒸発源セルのシヤ
ツタを開閉することにより、非常に精密な結晶成
長ができることが確認されている。（T.
Sakamoto et al：Jpn.L.Appl.Phys.Vol.23
（1984）L657−L659）。この方法は位相制御エピ
タキシー法と呼ばれ、従来の分子線エピタキシー
法に比較して、ヘテロ接合界面を非常に平坦にで
きること、超格子構造等を成長させる際に、その
薄膜の周期性が蒸発ビーム強度変化の影響を受け
ない等の大きな利点を有している。
し、振動の適当な位相の時点で蒸発源セルのシヤ
ツタを開閉することにより、非常に精密な結晶成
長ができることが確認されている。（T.
Sakamoto et al：Jpn.L.Appl.Phys.Vol.23
（1984）L657−L659）。この方法は位相制御エピ
タキシー法と呼ばれ、従来の分子線エピタキシー
法に比較して、ヘテロ接合界面を非常に平坦にで
きること、超格子構造等を成長させる際に、その
薄膜の周期性が蒸発ビーム強度変化の影響を受け
ない等の大きな利点を有している。
このような結晶成長中の反射高速電子線回折像
の強度の振動現象は、今までにGaAs、AlxGa1-x
As、Ge（GaAs基板上）、Ga1-xInxAsについては
報告されているが、最も重要な半導体材料である
と考えられるSiについては報告がなかつた。一方
において真空中の蒸着法によつてSiの薄膜をSi
（111）基板上に室温で堆積させ、600℃の温度で
アニールしながら基板表面を低速電子線回折装置
で観察した際に、電子線回折スポツトの中心部と
その周辺部の相対強度を計算すると時間的周期性
が観察され、その１周期が（111）面上での２原
子層（3.14Å）の膜厚の成長に相当しているとの
報告がある（Surface Scince Vol.117（1982）
180−187）。しかしながら、この方法はリアルタ
イムの観察ではなく、得られている振動も３周期
程度である。また、この低速電子線回折法は反射
高速電子線回折法と違つてその装置の構造上、成
長させながら同時に基板表面の電子線回折像を観
察するのには適していないため、分子線エピタキ
シヤル成長法等において、前記低速電子線回折装
置を用いて基板表面を観測して、それを基にして
リアルタイムで蒸発源シヤツタ等を制御すること
はほとんど不可能であつた。
の強度の振動現象は、今までにGaAs、AlxGa1-x
As、Ge（GaAs基板上）、Ga1-xInxAsについては
報告されているが、最も重要な半導体材料である
と考えられるSiについては報告がなかつた。一方
において真空中の蒸着法によつてSiの薄膜をSi
（111）基板上に室温で堆積させ、600℃の温度で
アニールしながら基板表面を低速電子線回折装置
で観察した際に、電子線回折スポツトの中心部と
その周辺部の相対強度を計算すると時間的周期性
が観察され、その１周期が（111）面上での２原
子層（3.14Å）の膜厚の成長に相当しているとの
報告がある（Surface Scince Vol.117（1982）
180−187）。しかしながら、この方法はリアルタ
イムの観察ではなく、得られている振動も３周期
程度である。また、この低速電子線回折法は反射
高速電子線回折法と違つてその装置の構造上、成
長させながら同時に基板表面の電子線回折像を観
察するのには適していないため、分子線エピタキ
シヤル成長法等において、前記低速電子線回折装
置を用いて基板表面を観測して、それを基にして
リアルタイムで蒸発源シヤツタ等を制御すること
はほとんど不可能であつた。
［発明が解決しようとする問題点］
Siの分子線結晶成長法においても、前述の反射
高速電子線回折像の振動を安定に持続して観察す
ることができれば、非常に有効な膜厚測定方法に
なるばかりでなく、例えばSi／Si1-xGexのような
組み合せの超格子構造を位相制御エピタキシー技
術を用いて非常に精度良く成長できることにな
る。
高速電子線回折像の振動を安定に持続して観察す
ることができれば、非常に有効な膜厚測定方法に
なるばかりでなく、例えばSi／Si1-xGexのような
組み合せの超格子構造を位相制御エピタキシー技
術を用いて非常に精度良く成長できることにな
る。
そこで本発明の目的は、Siの分子線結晶成長法
において、結晶表面からの反射高速電子線回折像
の強度の振動を安定に観察できるようにするため
に、成長基板の表面を原子層精度で平坦にする技
術を提供することにある。
において、結晶表面からの反射高速電子線回折像
の強度の振動を安定に観察できるようにするため
に、成長基板の表面を原子層精度で平坦にする技
術を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は真空中での結晶成長にあたつて、薄膜
結晶成長中に、当該薄膜の膜厚を反射高速電子線
回折法の回折像の強度の周期的時間変化の振動数
から測定する方法において、成長前に結晶基板を
成長温度よりも高温でアニールすることによつて
原子の表面拡散効果によつて表面を平坦化し、そ
れ以後の薄膜成長中の反射高速電子線回折像の強
度の振動を安定に観測することを可能とする。
結晶成長中に、当該薄膜の膜厚を反射高速電子線
回折法の回折像の強度の周期的時間変化の振動数
から測定する方法において、成長前に結晶基板を
成長温度よりも高温でアニールすることによつて
原子の表面拡散効果によつて表面を平坦化し、そ
れ以後の薄膜成長中の反射高速電子線回折像の強
度の振動を安定に観測することを可能とする。
［作用］
従来報告のあるGaAsの成長中の反射高速電子
線回折像の強度振動の場合には、安定な振動を得
るためにはまず基板温度550〜600℃程度で2000〜
3000Åの程度のGaAs層を成長させて基板表面の
凸凹を大部分平坦化した後、Gaシヤツタを閉じ
て成長を止め、約５〜10分間その温度に維持して
おく。この間にAsのビームは当てたままにして
おく。この時間は回復時間と呼ばれ、表面に付着
したGa原子の表面拡散によつて結晶表面を平坦
にする。この後にGaAs等を成長させると安定な
振動が得られることになる。ところがSiの場合に
は通常Siの分子線結晶成長に用いられている基板
温度範囲（600〜700℃）においてはバツフア層を
成長した後、このような回復時間を設けてその後
成長を開始しても安定な振動は得られなかつた。
線回折像の強度振動の場合には、安定な振動を得
るためにはまず基板温度550〜600℃程度で2000〜
3000Åの程度のGaAs層を成長させて基板表面の
凸凹を大部分平坦化した後、Gaシヤツタを閉じ
て成長を止め、約５〜10分間その温度に維持して
おく。この間にAsのビームは当てたままにして
おく。この時間は回復時間と呼ばれ、表面に付着
したGa原子の表面拡散によつて結晶表面を平坦
にする。この後にGaAs等を成長させると安定な
振動が得られることになる。ところがSiの場合に
は通常Siの分子線結晶成長に用いられている基板
温度範囲（600〜700℃）においてはバツフア層を
成長した後、このような回復時間を設けてその後
成長を開始しても安定な振動は得られなかつた。
Siの場合はGaAsの場合と異なつて、600〜700
℃の温度では、ほとんど表面拡散しないため平坦
な表面を得ることが出来ず、そのような表面上に
成長を行つても、安定な振動が得られないと考え
られる。
℃の温度では、ほとんど表面拡散しないため平坦
な表面を得ることが出来ず、そのような表面上に
成長を行つても、安定な振動が得られないと考え
られる。
これを解決するには、Si基板を高温に保持す
る。すなわちバツフア層を成長させた基板を一度
高温にすることによつてSiの表面拡散を促進し、
原子層程度の平坦な表面を得るものである。
る。すなわちバツフア層を成長させた基板を一度
高温にすることによつてSiの表面拡散を促進し、
原子層程度の平坦な表面を得るものである。
［実施例］
結晶を成長させる以前に基板をアニールするこ
とによつて、その後の成長で得られる電子線回折
像の振動がどのように変わるかを第１図に示す。
とによつて、その後の成長で得られる電子線回折
像の振動がどのように変わるかを第１図に示す。
第１図において横軸は時間、縦軸は振幅の相対
強度を示している。Si基板上にバツフア層として
Siを2000〜3000Å成長させた後900℃、15秒程度
の比較的弱いアニールをすることによつて、非対
称なピークを持つ長い振動が得られる。この時の
振動の１周期は、水晶振動子による成長速度の較
正から、約1.36Åとなり、この値はSiの格子定数
の1/4すなわち（001）面での１原子層成長に相当
していることが解つた。900℃、３分のアニール
をした場合には、振幅は大きくなるとともに更に
非対称になり、1000℃、１分のアニールをした場
合には振幅は更に大きくなるとともに、２原子層
の成長に相当する周期のものになる。1000℃、85
分のアニールの例では更に振動が増大し、ほほ正
弦波に近い振動をしており、その一周期は２原子
層すなわち2.72Åの成長に相当している。この図
に示したように、バツフア層を成長させた後の
1000℃以上の高温でのアニールによつて、その後
成長させた時に観測される振動は非常に改善され
る。このことは前に述べたように、高温のアニー
ルによつて基板表面の平坦性が原子層精度で改善
されたためと考えられる。このようなアニールに
よつて基板が平坦化できることは電子線回折像に
よつても確認できる。第２図はSi（100）基板表面
からの反射高速電子線回折像を示す。観察方位は
＜110＞である。第２図ａは基板温度400℃でバツ
フア層を成長させた直後の回折像であり、ストリ
ークの発達したパターンとなつている。このよう
なストリーク状のパターンは、一般には基板表面
に原子層程度のステツプが無数に存在することに
よつて生じるものと解釈されている。このような
基板表面では振動の安定な観測は困難である。こ
れに対して第２図ｂに示す1000℃33分のアニール
後の回折像では０次のラウエリング上に強い回折
スポツトが見られ、このことは基板表面がより完
全平面に近い平坦性を有していることを示してい
る。このような基板表面上では電子線回折像の強
度の振動の観測は安定に行うことができる。
強度を示している。Si基板上にバツフア層として
Siを2000〜3000Å成長させた後900℃、15秒程度
の比較的弱いアニールをすることによつて、非対
称なピークを持つ長い振動が得られる。この時の
振動の１周期は、水晶振動子による成長速度の較
正から、約1.36Åとなり、この値はSiの格子定数
の1/4すなわち（001）面での１原子層成長に相当
していることが解つた。900℃、３分のアニール
をした場合には、振幅は大きくなるとともに更に
非対称になり、1000℃、１分のアニールをした場
合には振幅は更に大きくなるとともに、２原子層
の成長に相当する周期のものになる。1000℃、85
分のアニールの例では更に振動が増大し、ほほ正
弦波に近い振動をしており、その一周期は２原子
層すなわち2.72Åの成長に相当している。この図
に示したように、バツフア層を成長させた後の
1000℃以上の高温でのアニールによつて、その後
成長させた時に観測される振動は非常に改善され
る。このことは前に述べたように、高温のアニー
ルによつて基板表面の平坦性が原子層精度で改善
されたためと考えられる。このようなアニールに
よつて基板が平坦化できることは電子線回折像に
よつても確認できる。第２図はSi（100）基板表面
からの反射高速電子線回折像を示す。観察方位は
＜110＞である。第２図ａは基板温度400℃でバツ
フア層を成長させた直後の回折像であり、ストリ
ークの発達したパターンとなつている。このよう
なストリーク状のパターンは、一般には基板表面
に原子層程度のステツプが無数に存在することに
よつて生じるものと解釈されている。このような
基板表面では振動の安定な観測は困難である。こ
れに対して第２図ｂに示す1000℃33分のアニール
後の回折像では０次のラウエリング上に強い回折
スポツトが見られ、このことは基板表面がより完
全平面に近い平坦性を有していることを示してい
る。このような基板表面上では電子線回折像の強
度の振動の観測は安定に行うことができる。
実験の結果では例えば1000℃、20分のアニール
で十分である。この平坦化のプロセスはSi原子の
表面拡散効果で生じると考えられるので、1000℃
以下の温度においても更に長い時間アニールすれ
ば平坦化することができる。例えば、700℃16時
間のアニールした基板上に成長させた成長層の電
子線回折像の振動は、２原子層と成長に相当する
周期と大きな振幅を示した。
で十分である。この平坦化のプロセスはSi原子の
表面拡散効果で生じると考えられるので、1000℃
以下の温度においても更に長い時間アニールすれ
ば平坦化することができる。例えば、700℃16時
間のアニールした基板上に成長させた成長層の電
子線回折像の振動は、２原子層と成長に相当する
周期と大きな振幅を示した。
このような1000℃、20分のアニール法を用い
て、３種類の面方位のSi基板上でSiを分子線結晶
成長法で成長させた時得られた振動の例を第３図
〜第５図に示す。
て、３種類の面方位のSi基板上でSiを分子線結晶
成長法で成長させた時得られた振動の例を第３図
〜第５図に示す。
第３図はSi（001）基板上において＜110＞方向
から電子線を入射させた例で、振動は基板温度が
室温から1000℃まで観測できる。この場合の振動
の一周期は前に述べたように（001）基板上での
２原子層（約2.72Å）の成長に相当している。
から電子線を入射させた例で、振動は基板温度が
室温から1000℃まで観測できる。この場合の振動
の一周期は前に述べたように（001）基板上での
２原子層（約2.72Å）の成長に相当している。
第４図はSi（111）基板上において＜110＞方向
から電子線を入射させた時の例で、振動は基板温
度が室温から800℃の間で観察され、振動の１周
期は（111）基板上で２原子層（3.14Å）の成長
に対応している。
から電子線を入射させた時の例で、振動は基板温
度が室温から800℃の間で観察され、振動の１周
期は（111）基板上で２原子層（3.14Å）の成長
に対応している。
第５図はSi（110）基板上において＜111＞方向
から電子線を入射させた時の例で、振動は基板温
度が室温から500℃の範囲で観察され、この時の
１周期は（110）基板上での１原子層（約1.92Å）
の成長に対応していることが確認された。
から電子線を入射させた時の例で、振動は基板温
度が室温から500℃の範囲で観察され、この時の
１周期は（110）基板上での１原子層（約1.92Å）
の成長に対応していることが確認された。
第６図は最も長い振動が観察された例を示す。
基板はSi（001）を用い＜110＞方向から電子線を
基板表面に対して1°以下の角度で入射させた。基
板温度は500℃である。振動は2200回以上確認さ
れたが、この値はAlxGa1-xAsで報告されている
値の３倍以上長い値である。
基板はSi（001）を用い＜110＞方向から電子線を
基板表面に対して1°以下の角度で入射させた。基
板温度は500℃である。振動は2200回以上確認さ
れたが、この値はAlxGa1-xAsで報告されている
値の３倍以上長い値である。
［発明の効果］
以上から明らかなように、本発明によれば、Si
の結晶成長において、基板表面を平坦化し、反射
高速電子線回折像の強度の振動を2200回以上観察
が可能とすることによつて、成長した薄膜結晶の
薄膜を単原子層の精度で約6000Åまで非常に精度
良く測定できる。Siを基板とするSi／Si1-xGexの
ような超格子素子等においては単原子層程度の膜
厚の精度が要求されるので本発明は非常に有効な
手法となる。特にコンピユータで振動の位相を解
釈してシヤツタを開閉して制御する結晶成長法に
は最も適している。
の結晶成長において、基板表面を平坦化し、反射
高速電子線回折像の強度の振動を2200回以上観察
が可能とすることによつて、成長した薄膜結晶の
薄膜を単原子層の精度で約6000Åまで非常に精度
良く測定できる。Siを基板とするSi／Si1-xGexの
ような超格子素子等においては単原子層程度の膜
厚の精度が要求されるので本発明は非常に有効な
手法となる。特にコンピユータで振動の位相を解
釈してシヤツタを開閉して制御する結晶成長法に
は最も適している。
また本発明によつて結果的には振動を大幅に改
善できることになるが、それ以外に持つ波及効果
は大きい。すなわち、現在まで例えばSi基板上に
GaP、Ge、GaAs、NiSi2等の材料のヘテロエピ
タキシヤル成長の研究の報告がされているが、い
ずれもSi基板表面を清浄化後、あるいはその後に
Siのバツフア層を成長させた直後にそれらの材料
をヘテロエピタキシヤル成長しているが、ここで
は基板表面を原子層精度で平坦化する考慮はなさ
れていない。したがつて、このようにして得られ
たヘテロ界面は透過電子顕微鏡を用いても観測困
難な、数原子層程度のステツプを有していると想
定され、これらは電気的および光学的特性に影響
を及ぼすと考えられる。したがつて、もし本発明
によるアニール法をヘテロ成長直前に用いたなら
ば、ヘテロ接合はきわめて平坦になり、そのデバ
イス特性も大幅に改善されるものと期待される。
善できることになるが、それ以外に持つ波及効果
は大きい。すなわち、現在まで例えばSi基板上に
GaP、Ge、GaAs、NiSi2等の材料のヘテロエピ
タキシヤル成長の研究の報告がされているが、い
ずれもSi基板表面を清浄化後、あるいはその後に
Siのバツフア層を成長させた直後にそれらの材料
をヘテロエピタキシヤル成長しているが、ここで
は基板表面を原子層精度で平坦化する考慮はなさ
れていない。したがつて、このようにして得られ
たヘテロ界面は透過電子顕微鏡を用いても観測困
難な、数原子層程度のステツプを有していると想
定され、これらは電気的および光学的特性に影響
を及ぼすと考えられる。したがつて、もし本発明
によるアニール法をヘテロ成長直前に用いたなら
ば、ヘテロ接合はきわめて平坦になり、そのデバ
イス特性も大幅に改善されるものと期待される。
第１図は本発明の効果を示し、種々のアニール
条件の時に得られる振動波形の例を示す図、第２
図は基板表面の結晶構造を示す写真で同図ａは基
板温度400℃でバツフア層を成長後の回折像の写
真、同図ｂは更にそれを1000℃20分のアニールし
た後の回折像の写真、第３図は本発明を実施して
得られたSi（001）基板上で＜110＞に電子線を入
射して観測された振動の例を示す図、第４図は本
発明を実施して得られたSi（111）基板上で＜110
＞方向に電子線を入射して観測された振動の例を
示す図、第５図は本発明を実施して得られたSi
（110）基盤上で＜111＞方向に電子線を入射して
観測された振動の例を示す図、第６図は本発明を
実施して得られたSi（001）基板で＜110＞方向に
電子線を入射し観察された例を示す図である。
条件の時に得られる振動波形の例を示す図、第２
図は基板表面の結晶構造を示す写真で同図ａは基
板温度400℃でバツフア層を成長後の回折像の写
真、同図ｂは更にそれを1000℃20分のアニールし
た後の回折像の写真、第３図は本発明を実施して
得られたSi（001）基板上で＜110＞に電子線を入
射して観測された振動の例を示す図、第４図は本
発明を実施して得られたSi（111）基板上で＜110
＞方向に電子線を入射して観測された振動の例を
示す図、第５図は本発明を実施して得られたSi
（110）基盤上で＜111＞方向に電子線を入射して
観測された振動の例を示す図、第６図は本発明を
実施して得られたSi（001）基板で＜110＞方向に
電子線を入射し観察された例を示す図である。
Claims (1)
- １ Si基板上にバツフア層としてSi層を形成した
後、1000℃以上の高温度に保持してSi基板表面を
原子層精度で平坦化させ、その後前記Si基板上に
反射電子線回折像の強度振動を観察しながら真空
中でSiを分子線結晶成長法で薄膜成長させること
を特徴とする薄膜結晶成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15450385A JPS6217093A (ja) | 1985-07-13 | 1985-07-13 | 薄膜結晶成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15450385A JPS6217093A (ja) | 1985-07-13 | 1985-07-13 | 薄膜結晶成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6217093A JPS6217093A (ja) | 1987-01-26 |
| JPH0336795B2 true JPH0336795B2 (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=15585664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15450385A Granted JPS6217093A (ja) | 1985-07-13 | 1985-07-13 | 薄膜結晶成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6217093A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002095485A2 (en) | 2001-05-23 | 2002-11-28 | E-Vision, L.L.C. | Focusing mirrors having variable reflective properties |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51146177A (en) * | 1975-06-11 | 1976-12-15 | Fujitsu Ltd | Fabrication method of basic plate for diode device |
| JPS6027689A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Agency Of Ind Science & Technol | ＡｌＧａＡｓ結晶の分子線結晶成長法 |
-
1985
- 1985-07-13 JP JP15450385A patent/JPS6217093A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6217093A (ja) | 1987-01-26 |
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