JPH0336717B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0336717B2 JPH0336717B2 JP61082178A JP8217886A JPH0336717B2 JP H0336717 B2 JPH0336717 B2 JP H0336717B2 JP 61082178 A JP61082178 A JP 61082178A JP 8217886 A JP8217886 A JP 8217886A JP H0336717 B2 JPH0336717 B2 JP H0336717B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- vacuum chamber
- submersible
- rotary disk
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
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- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Manipulator (AREA)
- Hooks, Suction Cups, And Attachment By Adhesive Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、海底に設置された機器の保守、点検
等の各種作業に使用される潜水機の固着装置に関
するものである。
等の各種作業に使用される潜水機の固着装置に関
するものである。
一般に海中作業に作用される潜水機には固着装
置としてグラバーと称する把持装置が設けられて
おり、この把持装置により海洋構造物の固着対象
物の一部を把むものが多い。
置としてグラバーと称する把持装置が設けられて
おり、この把持装置により海洋構造物の固着対象
物の一部を把むものが多い。
しかしながら、この方式においては、固着でき
る場所及び形状が限定され、特に平面とか半径の
大きな円筒面などには固着できないという問題が
あつた。
る場所及び形状が限定され、特に平面とか半径の
大きな円筒面などには固着できないという問題が
あつた。
このような事情で把持装置に代え減圧チヤンバ
ーによる吸収力による固着装置が考えられている
が、一般に固着対象物の表面には生物の付着等に
より凹凸が生じており、したがつて、減圧チヤン
バーの吸着力が十分に得られないことが多い、こ
のため、あらかじめその固着対象物の表面を清掃
する必要があり、特別の清掃機が必要となるため
費用が高くなるという問題があつた。
ーによる吸収力による固着装置が考えられている
が、一般に固着対象物の表面には生物の付着等に
より凹凸が生じており、したがつて、減圧チヤン
バーの吸着力が十分に得られないことが多い、こ
のため、あらかじめその固着対象物の表面を清掃
する必要があり、特別の清掃機が必要となるため
費用が高くなるという問題があつた。
本発明は前記したような従来の問題点を解決す
るためになされたものであつて、その目的とする
ところは、海洋構造物の固着対象物が平面又は半
径の大きな円筒面であつて、かつその表面に生物
の付着等による凹凸がある場合において容易かつ
安価にその固着力を得るようにした潜水機の固着
装置を提供する点にある。
るためになされたものであつて、その目的とする
ところは、海洋構造物の固着対象物が平面又は半
径の大きな円筒面であつて、かつその表面に生物
の付着等による凹凸がある場合において容易かつ
安価にその固着力を得るようにした潜水機の固着
装置を提供する点にある。
本発明は前記目的を達成するために、本体に固
着脚を取付け、この固着脚の先端に減圧チヤンバ
ーを取付けるとともに、この減圧チヤンバー内に
回転盤を設け、この回転盤に前記減圧チヤンバー
外縁のシール部に高圧水を噴出させるためのノズ
ルを設けたことを特徴とする潜水機の固着装置で
ある。
着脚を取付け、この固着脚の先端に減圧チヤンバ
ーを取付けるとともに、この減圧チヤンバー内に
回転盤を設け、この回転盤に前記減圧チヤンバー
外縁のシール部に高圧水を噴出させるためのノズ
ルを設けたことを特徴とする潜水機の固着装置で
ある。
即ち、本発明の固着装置は固着対象物の固着面
を清掃する手段としてジエツト水流を利用するも
のである。
を清掃する手段としてジエツト水流を利用するも
のである。
以下第１図ないし第５図に基づき本発明による
潜水機の固着装置の実施例を説明する。
潜水機の固着装置の実施例を説明する。
第１図は潜水機Ｒの概略図で、この潜水機Ｒは
本体１の先端に減圧チヤンバー２を有する固着脚
３を取付けて構成されている。
本体１の先端に減圧チヤンバー２を有する固着脚
３を取付けて構成されている。
減圧チヤンバー２は第２図に示されるように固
着脚３の先端に固定されたパツトホルダー４と、
このパツトホルダー４に取付けられた吸着パツド
５とにより構成されている。そしてこの減圧チヤ
ンバー２内にはノズル６を有する回転盤７が設け
られている。
着脚３の先端に固定されたパツトホルダー４と、
このパツトホルダー４に取付けられた吸着パツド
５とにより構成されている。そしてこの減圧チヤ
ンバー２内にはノズル６を有する回転盤７が設け
られている。
前記回転盤７は、減圧チヤンバー２内に設けら
れた突出軸８に軸受９により回転可能な如く支持
され、その外周縁は歯車１０が設けられるととも
に、その内側には固着脚３及び突出軸８に設けら
れた高圧水供給用の孔１１に連通する円周溝１２
が設けられている。
れた突出軸８に軸受９により回転可能な如く支持
され、その外周縁は歯車１０が設けられるととも
に、その内側には固着脚３及び突出軸８に設けら
れた高圧水供給用の孔１１に連通する円周溝１２
が設けられている。
この回転盤７の下面には第３図に示すようにノ
ズル６を有する複数個の部材１３（ノズル板）が
円周方向に適当間隔を置いてボルト１４により取
付けられている。この部材１３に設けられたノズ
ル６は、第５図に示すように半径方向に傾斜角θ
を有するように形成され、このノズル６から噴出
した高圧水Ｗが第２図のように固着対象物Ａの表
面であつて、吸着パツド５が当接するシール部
A′に達して固着物をジエツト水流により吹き飛
ばす作用をする。
ズル６を有する複数個の部材１３（ノズル板）が
円周方向に適当間隔を置いてボルト１４により取
付けられている。この部材１３に設けられたノズ
ル６は、第５図に示すように半径方向に傾斜角θ
を有するように形成され、このノズル６から噴出
した高圧水Ｗが第２図のように固着対象物Ａの表
面であつて、吸着パツド５が当接するシール部
A′に達して固着物をジエツト水流により吹き飛
ばす作用をする。
なお、第２図において１５はノズル６と円形溝
１２を連通させるための連通孔であり、１６はシ
ール（Ｏリング）であり、１９は図示しない吸引
ポンプへ連結されている吸引ホースである。
１２を連通させるための連通孔であり、１６はシ
ール（Ｏリング）であり、１９は図示しない吸引
ポンプへ連結されている吸引ホースである。
このように回転盤７はノズル６から高圧水を噴
射しながらモータ７により回転される小歯車１８
により回転される。
射しながらモータ７により回転される小歯車１８
により回転される。
前記構成の潜水機の固着装置において、今、潜
水機Ｒを固着対象物Ａに固着しようとする際に
は、先ず固着脚３の先端に設けられた減圧チヤン
バー２を所定の位置に置き、図示しない高圧ポン
プにより高圧水を孔１１、円周溝１２、連通孔１
５を介してノズル６に導き、このノズル６から角
θをもつて吸着パツド５が当接するシール部
A′を清掃する。
水機Ｒを固着対象物Ａに固着しようとする際に
は、先ず固着脚３の先端に設けられた減圧チヤン
バー２を所定の位置に置き、図示しない高圧ポン
プにより高圧水を孔１１、円周溝１２、連通孔１
５を介してノズル６に導き、このノズル６から角
θをもつて吸着パツド５が当接するシール部
A′を清掃する。
然る後、吸着パツド５をシール部A′に当接し、
吸引ホース１９に接続された図示しない吸引ポン
プにより減圧チヤンバー２内を減圧させることに
より固着させることができる。
吸引ホース１９に接続された図示しない吸引ポン
プにより減圧チヤンバー２内を減圧させることに
より固着させることができる。
第４図及び第５図は他の実施例を示すものであ
つて、回転盤７に設けられたノズル６には半径方
向の角θと円周方向の角αが設けられている。
つて、回転盤７に設けられたノズル６には半径方
向の角θと円周方向の角αが設けられている。
前記構成のノズル６とすることにより、特別の
回転装置を設けることなく、回転盤７をノズル６
からの高圧水の噴出の反動力により回転させるこ
とができる。勿論ノズル６には半径方向の角θの
みとし、別途回転用の噴出ノズルを設けてもよ
く、その思想を逸脱しない範囲で種々設計変更で
きることは明らかである。
回転装置を設けることなく、回転盤７をノズル６
からの高圧水の噴出の反動力により回転させるこ
とができる。勿論ノズル６には半径方向の角θの
みとし、別途回転用の噴出ノズルを設けてもよ
く、その思想を逸脱しない範囲で種々設計変更で
きることは明らかである。
以上の説明から明らかなように、本発明による
潜水機の固着装置によれば、減圧チヤンバー内に
高圧水噴出用のノズルを有する回転盤を設け、こ
のノズルから噴出した高圧水により固着対象物の
表面を清掃するようにしたため、平面又は半径の
大きな円筒面などに潜水機を固着する場合、特別
の清掃機を必要とせず、その結果装置が安価とな
り、しかもその作業性を大幅に向上させることが
できるという効果がある。
潜水機の固着装置によれば、減圧チヤンバー内に
高圧水噴出用のノズルを有する回転盤を設け、こ
のノズルから噴出した高圧水により固着対象物の
表面を清掃するようにしたため、平面又は半径の
大きな円筒面などに潜水機を固着する場合、特別
の清掃機を必要とせず、その結果装置が安価とな
り、しかもその作業性を大幅に向上させることが
できるという効果がある。
図は本発明による潜水機の固着装置の実施例を
示すものであつて、第１図は潜水機の概略図、第
２図は第１図のＡ部の拡大断面図、第３図は第２
図のＢ−Ｂ矢視図、第４図は他の実施例を示す拡
大断面図、第５図は第４図のＣ−Ｃ拡大矢視図で
ある。 １……本体、２……減圧チヤンバー、３……固
着脚、４……パツトホルダー、５……吸着パツ
ド、６……ノズル、７……回転盤、８……突出
軸、９……軸受、１０……歯車、１１……孔、１
２……円周溝、１３……部材、１４……ボルト、
１５……連通孔、１６……シール、１７……モー
タ、１８……小歯車、１９……吸引ホース、Ｒ…
…潜水機、Ａ……固着対象物。
示すものであつて、第１図は潜水機の概略図、第
２図は第１図のＡ部の拡大断面図、第３図は第２
図のＢ−Ｂ矢視図、第４図は他の実施例を示す拡
大断面図、第５図は第４図のＣ−Ｃ拡大矢視図で
ある。 １……本体、２……減圧チヤンバー、３……固
着脚、４……パツトホルダー、５……吸着パツ
ド、６……ノズル、７……回転盤、８……突出
軸、９……軸受、１０……歯車、１１……孔、１
２……円周溝、１３……部材、１４……ボルト、
１５……連通孔、１６……シール、１７……モー
タ、１８……小歯車、１９……吸引ホース、Ｒ…
…潜水機、Ａ……固着対象物。
Claims (1)
- １ 本体に固着脚を取付け、前記固着脚の先端に
減圧チヤンバーを取付けるとともに、前記減圧チ
ヤンバー内に回転盤を設け、前記回転盤に前記減
圧チヤンバー外縁のシール部に高圧水を噴出させ
るためのノズルを設けたことを特徴とする潜水機
の固着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61082178A JPS62241795A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 潜水機の固着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61082178A JPS62241795A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 潜水機の固着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241795A JPS62241795A (ja) | 1987-10-22 |
| JPH0336717B2 true JPH0336717B2 (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=13767179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61082178A Granted JPS62241795A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 潜水機の固着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62241795A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864115B2 (en) | 2000-01-20 | 2005-03-08 | Amberwave Systems Corporation | Low threading dislocation density relaxed mismatched epilayers without high temperature growth |
| US6876010B1 (en) | 1997-06-24 | 2005-04-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Controlling threading dislocation densities in Ge on Si using graded GeSi layers and planarization |
| US6921914B2 (en) | 2000-08-16 | 2005-07-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for producing semiconductor article using graded epitaxial growth |
| US6940089B2 (en) | 2001-04-04 | 2005-09-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor device structure |
| US6995430B2 (en) | 2002-06-07 | 2006-02-07 | Amberwave Systems Corporation | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
| US7074623B2 (en) | 2002-06-07 | 2006-07-11 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures |
| US7122449B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-10-17 | Amberwave Systems Corporation | Methods of fabricating semiconductor structures having epitaxially grown source and drain elements |
| US7332417B2 (en) | 2003-01-27 | 2008-02-19 | Amberwave Systems Corporation | Semiconductor structures with structural homogeneity |
| US7393733B2 (en) | 2004-12-01 | 2008-07-01 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming hybrid fin field-effect transistor structures |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5614682B2 (ja) * | 2010-05-29 | 2014-10-29 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 接着構造体を用いた水中移動装置 |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP61082178A patent/JPS62241795A/ja active Granted
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6876010B1 (en) | 1997-06-24 | 2005-04-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Controlling threading dislocation densities in Ge on Si using graded GeSi layers and planarization |
| US7081410B2 (en) | 1997-06-24 | 2006-07-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Controlling threading dislocation densities in Ge on Si using graded GeSi layers and planarization |
| US6864115B2 (en) | 2000-01-20 | 2005-03-08 | Amberwave Systems Corporation | Low threading dislocation density relaxed mismatched epilayers without high temperature growth |
| US6921914B2 (en) | 2000-08-16 | 2005-07-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for producing semiconductor article using graded epitaxial growth |
| US6940089B2 (en) | 2001-04-04 | 2005-09-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor device structure |
| US6995430B2 (en) | 2002-06-07 | 2006-02-07 | Amberwave Systems Corporation | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
| US7074623B2 (en) | 2002-06-07 | 2006-07-11 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures |
| US7109516B2 (en) | 2002-06-07 | 2006-09-19 | Amberwave Systems Corporation | Strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures |
| US7122449B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-10-17 | Amberwave Systems Corporation | Methods of fabricating semiconductor structures having epitaxially grown source and drain elements |
| US7332417B2 (en) | 2003-01-27 | 2008-02-19 | Amberwave Systems Corporation | Semiconductor structures with structural homogeneity |
| US7393733B2 (en) | 2004-12-01 | 2008-07-01 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming hybrid fin field-effect transistor structures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62241795A (ja) | 1987-10-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |