JPH0334884Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0334884Y2 JPH0334884Y2 JP11404382U JP11404382U JPH0334884Y2 JP H0334884 Y2 JPH0334884 Y2 JP H0334884Y2 JP 11404382 U JP11404382 U JP 11404382U JP 11404382 U JP11404382 U JP 11404382U JP H0334884 Y2 JPH0334884 Y2 JP H0334884Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- arrester
- semiconductor
- gas chamber
- arrester element
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 10
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、ZnO素子等の半導体アレスター素子
を用いたギヤツプレス・アレスターに関するもの
である。
を用いたギヤツプレス・アレスターに関するもの
である。
第１図は従来のこの種のギヤツプレス・アレス
ターの構造を示したものである。即ち、従来のギ
ヤツプレス・アレスターは、ZnO素子等の半導体
アレスター素子１の両端面に端子２の電極部２Ａ
を接続し、且つこれら半導体アレスター素子１及
び両電極部２Ａを包囲してモールド或はテーピン
グ等により絶縁層３を設けた構造であつた。
ターの構造を示したものである。即ち、従来のギ
ヤツプレス・アレスターは、ZnO素子等の半導体
アレスター素子１の両端面に端子２の電極部２Ａ
を接続し、且つこれら半導体アレスター素子１及
び両電極部２Ａを包囲してモールド或はテーピン
グ等により絶縁層３を設けた構造であつた。
このようなギヤツプレス・アレスターは、小形
で軽量となる特長をもつている。また、第２図に
示すように制限電圧ー電流特性も優れている。
で軽量となる特長をもつている。また、第２図に
示すように制限電圧ー電流特性も優れている。
しかしながらこのような構造のギヤツプレス・
アレスターでは、ケーブルシース保護用等の用途
に使用した場合には、ケーブルが短絡、地絡事故
を起こした際に、短絡、地絡電流が長い時間流れ
るので、半導体アレスター素子１がジユール熱で
発熱し、容量オーバーとなり、半導体アレスター
素子１の表面で閃絡が生じ、アークエネルギーに
より瞬間的に高圧となり、爆発する危険がある。
アレスターでは、ケーブルシース保護用等の用途
に使用した場合には、ケーブルが短絡、地絡事故
を起こした際に、短絡、地絡電流が長い時間流れ
るので、半導体アレスター素子１がジユール熱で
発熱し、容量オーバーとなり、半導体アレスター
素子１の表面で閃絡が生じ、アークエネルギーに
より瞬間的に高圧となり、爆発する危険がある。
本考案の目的は、爆発を防止できるギヤツプレ
ス・アレスターを提供するにある。
ス・アレスターを提供するにある。
本考案は、半導体アレスター素子の両端面に１
対の端子の電極部がそれぞれ接続され、前記半導
体アレスター素子及び前記両電極部が絶縁層内に
収容されているギヤツプレス・アレスターにおい
て、前記半導体アレスター素子の少なくとも一方
の前記電極部との間は低融点導電材層を介して接
続され、前記半導体アレスター素子と前記絶縁層
との間にはガス室が設けられていることを特徴と
するものである。
対の端子の電極部がそれぞれ接続され、前記半導
体アレスター素子及び前記両電極部が絶縁層内に
収容されているギヤツプレス・アレスターにおい
て、前記半導体アレスター素子の少なくとも一方
の前記電極部との間は低融点導電材層を介して接
続され、前記半導体アレスター素子と前記絶縁層
との間にはガス室が設けられていることを特徴と
するものである。
以下本考案の実施例を第３図を参照して詳細に
説明する。なお、第１図と対応する部分には同一
符号を付して示している。ZnO素子等の半導体ア
レスター素子１と両電極部２Ａとの間はそれぞれ
低融点導電材層４を介して接続されている。低融
点導電材としては、例えば100℃付近の融点の半
田を使用する。両電極部２Ａの外径は、半導体ア
レスター素子１の外径より大きく形成されてい
て、半導体アレスター素子１を絶縁層３との間に
ガス室５が形成されている。このガス室５は半導
体アレスター素子１の外周に沿つて形成されてい
る。絶縁層３は、ゴム等の弾性を有するものが好
ましい。
説明する。なお、第１図と対応する部分には同一
符号を付して示している。ZnO素子等の半導体ア
レスター素子１と両電極部２Ａとの間はそれぞれ
低融点導電材層４を介して接続されている。低融
点導電材としては、例えば100℃付近の融点の半
田を使用する。両電極部２Ａの外径は、半導体ア
レスター素子１の外径より大きく形成されてい
て、半導体アレスター素子１を絶縁層３との間に
ガス室５が形成されている。このガス室５は半導
体アレスター素子１の外周に沿つて形成されてい
る。絶縁層３は、ゴム等の弾性を有するものが好
ましい。
このようなギヤツプレス・アレスターにおいて
は、ケーブル等が短絡事故を起こした場合、短絡
電流により半導体アレスター素子１の表面でアー
ク放電しても、ガス圧の上昇をガス室５で吸収す
るので、爆発を防止することができる。また、ジ
ユール熱により低融点導電材層４が溶融され、且
つガス室５内の温度が上りガス圧が上昇する。ガ
ス室５内のガス圧により両電極部２Ａの受圧面
（ガス室５に対向する電極部２Ａの部分）に半導
体アレスター素子１から離間させる方向の圧力が
加わり、溶融軟化状態にある低融点導電材層４が
剥離、切断、若しくは流下されて電極部２Ａと半
導体アレスター素子１との間の電路が遮断され、
ヒユーズの役目となり電流が遮断される。融けて
流下した低融点導電材はガス室５の下部に溜る。
は、ケーブル等が短絡事故を起こした場合、短絡
電流により半導体アレスター素子１の表面でアー
ク放電しても、ガス圧の上昇をガス室５で吸収す
るので、爆発を防止することができる。また、ジ
ユール熱により低融点導電材層４が溶融され、且
つガス室５内の温度が上りガス圧が上昇する。ガ
ス室５内のガス圧により両電極部２Ａの受圧面
（ガス室５に対向する電極部２Ａの部分）に半導
体アレスター素子１から離間させる方向の圧力が
加わり、溶融軟化状態にある低融点導電材層４が
剥離、切断、若しくは流下されて電極部２Ａと半
導体アレスター素子１との間の電路が遮断され、
ヒユーズの役目となり電流が遮断される。融けて
流下した低融点導電材はガス室５の下部に溜る。
なお、場合によつては絶縁層３の表面で閃絡が
生じ、絶縁層３が燃える危険があるので、絶縁層
３の表面には防災テープや防災塗装等を施こし、
延焼を防止することが好ましい。
生じ、絶縁層３が燃える危険があるので、絶縁層
３の表面には防災テープや防災塗装等を施こし、
延焼を防止することが好ましい。
また、低融点導電材層４は半導体アレスター素
子１の少なくとも一方の電極部２Ａとの間に設け
るようにしてもよい。
子１の少なくとも一方の電極部２Ａとの間に設け
るようにしてもよい。
以上説明したように本考案に係るギヤツプレ
ス・アレスターにおいては、半導体アレスター素
子と絶縁層との間にガス室を形成したので、短絡
事故時等におけるガス圧の上昇をこのガス室で吸
収し、絶縁層の爆発を防止することができる。ま
た、半導体アレスター素子と少なくとも一方の端
子電極部との間は低融点導電材層を介して接続し
ているので、短絡事故時等においてはこの低融点
導電材層がヒユーズの役目をして電路を遮断し、
長時間の過電流の流れを遮断し、この面からもア
レスター素子の爆発を防止することができる。
ス・アレスターにおいては、半導体アレスター素
子と絶縁層との間にガス室を形成したので、短絡
事故時等におけるガス圧の上昇をこのガス室で吸
収し、絶縁層の爆発を防止することができる。ま
た、半導体アレスター素子と少なくとも一方の端
子電極部との間は低融点導電材層を介して接続し
ているので、短絡事故時等においてはこの低融点
導電材層がヒユーズの役目をして電路を遮断し、
長時間の過電流の流れを遮断し、この面からもア
レスター素子の爆発を防止することができる。
第１図は従来のギヤツプレス・アレスターの縦
断面図、第２図は半導体アレスター素子の制限電
圧−電流特性図、第３図は本考案に係るギヤツプ
レス・アレスターの一実施例の縦断面図である。 １……半導体アレスター素子、２……端子、２
Ａ……電極部、３……絶縁層、４……低融点導電
材層、５……ガス室。
断面図、第２図は半導体アレスター素子の制限電
圧−電流特性図、第３図は本考案に係るギヤツプ
レス・アレスターの一実施例の縦断面図である。 １……半導体アレスター素子、２……端子、２
Ａ……電極部、３……絶縁層、４……低融点導電
材層、５……ガス室。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体アレスター素子の両端面に１対の端子
の各電極部がそれぞれ接続され、前記半導体ア
レスター素子及び前記両電極部が絶縁層内に収
容されているギヤツプレス・アレスターにおい
て、前記半導体アレスター素子の少なくとも一
方の前記電極部との間は低融点導電材層を介し
て接続され、前記半導体アレスター素子と前記
絶縁層との間にはガス室が設けられていること
を特徴とするギヤツプレス・アレスター。 (2) 前記ガス室は前記半導体アレスター素子の外
周に沿つて設けられ、前記電極部の外周には前
記ガス室に対向する受圧面が設けられている実
用新案登録請求の範囲第１項に記載のギヤツプ
レス・アレスター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11404382U JPS5920602U (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | ギヤツプレス・アレスタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11404382U JPS5920602U (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | ギヤツプレス・アレスタ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5920602U JPS5920602U (ja) | 1984-02-08 |
| JPH0334884Y2 true JPH0334884Y2 (ja) | 1991-07-24 |
Family
ID=30263771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11404382U Granted JPS5920602U (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | ギヤツプレス・アレスタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5920602U (ja) |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP11404382U patent/JPS5920602U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5920602U (ja) | 1984-02-08 |
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