JPH0334708A - 温度補償発振器用の補償電圧発生回路 - Google Patents
温度補償発振器用の補償電圧発生回路Info
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- JPH0334708A JPH0334708A JP16855489A JP16855489A JPH0334708A JP H0334708 A JPH0334708 A JP H0334708A JP 16855489 A JP16855489 A JP 16855489A JP 16855489 A JP16855489 A JP 16855489A JP H0334708 A JPH0334708 A JP H0334708A
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- 101100535994 Caenorhabditis elegans tars-1 gene Proteins 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000005557 antagonist Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 241000238558 Eucarida Species 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000009331 sowing Methods 0.000 description 1
- 210000004243 sweat Anatomy 0.000 description 1
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は温度補償発振器用の補償電圧発生回路を利用分
野とし、特に水晶発振器の温度特性を二重に補償する場
合の一部領域の周囲温度に感応した補償電圧発生回路に
関する。
野とし、特に水晶発振器の温度特性を二重に補償する場
合の一部領域の周囲温度に感応した補償電圧発生回路に
関する。
（発明の背景）
温度補償発振器は、特に水晶振動子に起因）７た温度特
性による周波数変化を補償するものとして広く鰐及して
いる。近年では、年々厳しくなる通信事情等により温度
に対して更に高安定な温度補償発振器が望まれている。
性による周波数変化を補償するものとして広く鰐及して
いる。近年では、年々厳しくなる通信事情等により温度
に対して更に高安定な温度補償発振器が望まれている。
例えば、この。ＬうｒＫ渇温度償発振盟と１７て本出願
人による周波数温度特性を二重に補償したものがある（
参照：特願昭６３１８６２７６号、同６３−２４８０３
２号、同６３−３３５０５０号）（従来技術） 第４ｒｇ４はこの種の温度補償発振器の概略回路図であ
る。
人による周波数温度特性を二重に補償したものがある（
参照：特願昭６３１８６２７６号、同６３−２４８０３
２号、同６３−３３５０５０号）（従来技術） 第４ｒｇ４はこの種の温度補償発振器の概略回路図であ
る。
ｌ晶度補償発振器は、水晶振動子（例えばＡＴ力、ソト
）１に起因した三次曲線の周波数温度特性：第５図の曲
ｉ、？！（４ｍｌをもつ発振回路２と、この温度特性を
補償する第１、第２、第３／！！度補償回路３．４．５
とから構成される。各温度補償回路３，４．５はそれぞ
れ第１、第２、第３の補償ボ汗発生回路６．７．８と電
圧可変容量素子９．１０．１１とからなる。
）１に起因した三次曲線の周波数温度特性：第５図の曲
ｉ、？！（４ｍｌをもつ発振回路２と、この温度特性を
補償する第１、第２、第３／！！度補償回路３．４．５
とから構成される。各温度補償回路３，４．５はそれぞ
れ第１、第２、第３の補償ボ汗発生回路６．７．８と電
圧可変容量素子９．１０．１１とからなる。
第１補償電圧発生回路６は従来既存の図示しないサーミ
スタと固定抵抗との抵抗回路網からなる。
スタと固定抵抗との抵抗回路網からなる。
そして、規格温度範囲ΔＴ例えば−３０〜７０℃の各温
度に応答した図示しない第１補償電圧ｖ０を出力端ａに
発生するともに、電圧可変容量素子９の容量値を変化さ
せて規格温度範囲内の温度特性を全般的に？ｌｆｌ償し
た第１補償特性を得る「第５閃の曲Ｒ（ロ）及び第６図
の曲線（ハ） Ｊ ｏｊＨお、第６図は第５図の縦軸を
拡大したものである。
度に応答した図示しない第１補償電圧ｖ０を出力端ａに
発生するともに、電圧可変容量素子９の容量値を変化さ
せて規格温度範囲内の温度特性を全般的に？ｌｆｌ償し
た第１補償特性を得る「第５閃の曲Ｒ（ロ）及び第６図
の曲線（ハ） Ｊ ｏｊＨお、第６図は第５図の縦軸を
拡大したものである。
第２補償電圧発生回路７は、第７図（ａ）に示したよら
に第１と第２のトランジスタＴＲｌ、”ｒ”ｒ２全シリ
ーズに設けたスイッチング回路からなろ。そ１７て、ト
ランジスタＴ ｒ １のベースバイアス用としての分割
抵抗をサーミスクＲＴ、と固定１１へ抗Ｒ１から、Ｔ
ｒ ２の同分割抵抗を固定抵抗Ｒ２とサーミスタＲＴ、
から形成する。サーミスタＲゴ、と同定抵抗Ｒ１はトラ
ンジスタＴＲ，を温度Ｔ。
に第１と第２のトランジスタＴＲｌ、”ｒ”ｒ２全シリ
ーズに設けたスイッチング回路からなろ。そ１７て、ト
ランジスタＴ ｒ １のベースバイアス用としての分割
抵抗をサーミスクＲＴ、と固定１１へ抗Ｒ１から、Ｔ
ｒ ２の同分割抵抗を固定抵抗Ｒ２とサーミスタＲＴ、
から形成する。サーミスタＲゴ、と同定抵抗Ｒ１はトラ
ンジスタＴＲ，を温度Ｔ。
時にＯＦＦからＯＮに、又分割抵抗Ｒ２とサーミスタＲ
Ｔ 、はトランジスタＴ ｒ ２をｌ晶度Ｔ２時にＯＮ
からＯＦＦになるようにし、温度Ｔ、からＴ２までの間
を動作期間（ＯＮ状態）とする。そして、出力側に負荷
抵抗Ｒ３を通して設けた出力抵抗Ｒ４とＲ１との接続点
（出力端ｂ）に、温度Ｔ１からＴ２までの一部領域ΔＴ
８間のみに通常電圧■。より低い補償電圧Ｖ、を得る１
第７図（ｂ） １゜第３補償電圧発生回路８は、第８図
（ａ）に示したように第３と第４のトランジスタＴＲ３
，１’ｒ４をパラレルに設けたスイッチング回路からな
る。そして、トランジスタＴ ｒ ３のベースバイアス
用としての分割抵抗をサーミスタＲＴ３と固定抵抗Ｒ６
から、Ｔ ｒ ４の同分割抵抗を固定抵抗Ｒ７とサーミ
ス々ＲＴ４から形成する。サーミスタＲＴ３と固定抵抗
Ｒ６はトランジスタＴＲ２全澗度Ｔ４時にＯＦＦからＯ
Ｎに、又固定抵抗Ｒ７とサーミスタＲＴ、はトランジス
タＴ ｒ ２を温度′ｒ８時にＯＮからＯＦＦになるよ
うにし、温度Ｔ３からＴ４までの間を動作期間（ＯＦ
Ｆ状Ｆ！りとする。そして、出力側に負荷抵抗Ｒ８を通
して設けた出力抵抗Ｒ８とＲ１゜との接続点（出力端Ｃ
）に、温度Ｔ、からＴ４までの一部領域ΔＴ５間のみに
通常電圧Ｖ。
Ｔ 、はトランジスタＴ ｒ ２をｌ晶度Ｔ２時にＯＮ
からＯＦＦになるようにし、温度Ｔ、からＴ２までの間
を動作期間（ＯＮ状態）とする。そして、出力側に負荷
抵抗Ｒ３を通して設けた出力抵抗Ｒ４とＲ１との接続点
（出力端ｂ）に、温度Ｔ１からＴ２までの一部領域ΔＴ
８間のみに通常電圧■。より低い補償電圧Ｖ、を得る１
第７図（ｂ） １゜第３補償電圧発生回路８は、第８図
（ａ）に示したように第３と第４のトランジスタＴＲ３
，１’ｒ４をパラレルに設けたスイッチング回路からな
る。そして、トランジスタＴ ｒ ３のベースバイアス
用としての分割抵抗をサーミスタＲＴ３と固定抵抗Ｒ６
から、Ｔ ｒ ４の同分割抵抗を固定抵抗Ｒ７とサーミ
ス々ＲＴ４から形成する。サーミスタＲＴ３と固定抵抗
Ｒ６はトランジスタＴＲ２全澗度Ｔ４時にＯＦＦからＯ
Ｎに、又固定抵抗Ｒ７とサーミスタＲＴ、はトランジス
タＴ ｒ ２を温度′ｒ８時にＯＮからＯＦＦになるよ
うにし、温度Ｔ３からＴ４までの間を動作期間（ＯＦ
Ｆ状Ｆ！りとする。そして、出力側に負荷抵抗Ｒ８を通
して設けた出力抵抗Ｒ８とＲ１゜との接続点（出力端Ｃ
）に、温度Ｔ、からＴ４までの一部領域ΔＴ５間のみに
通常電圧Ｖ。
より高い補償電圧ｖｏを得る「第８図（ｂ）」。
このようなものでは、第２及び第３の補償電圧発生口＃
ｔ７．８の動作期間をそれぞれ第１補償特性の＋ｌｐｐ
ｍを越える一部領域ΔＴｌ及びΔＴ２に設定することに
より、補償電圧Ｖ、及びＶ、がｒ４／′ｌＦ可変容教素
子１０．１１の容量値を変化させて規格温度範囲内の全
ての領域を±１ ｐ ｐ ｍ 見向に補償する。なお、
図中のコンデンサ１２．１３は直流素子及び周波数調整
用である。
ｔ７．８の動作期間をそれぞれ第１補償特性の＋ｌｐｐ
ｍを越える一部領域ΔＴｌ及びΔＴ２に設定することに
より、補償電圧Ｖ、及びＶ、がｒ４／′ｌＦ可変容教素
子１０．１１の容量値を変化させて規格温度範囲内の全
ての領域を±１ ｐ ｐ ｍ 見向に補償する。なお、
図中のコンデンサ１２．１３は直流素子及び周波数調整
用である。
（従来技術の問題点）
しか（７ながら、上記構成の温度補償発振器では、一部
領域Δ１゛８、ΔＴ、に感応する第２第３の補償？１ｔ
ｉｆｆ発生同格７．８をスイッチング回路から形成する
。そして、サーミスタＲＴ、〜ＲＴ、をトランジスタＴ
Ｒ，〜ＴＲ，のバイアス電圧設定用として利用する。ｌ
、かし、このようなものでは、サーミスタＲＴ、−ＲＴ
４の温度抵抗特性上、スイッチング同格の温度に対する
スイッチング特性を鋭敏とし、Ｔ１、Ｔ１、Ｔ８、Ｔ４
の切換え時に急激な周波数変化をもたらす。そして、こ
のような周波数変化は温度変化に伴う例えば雑音等を生
じ、結果的に品質低下を沼来する問題があった。
領域Δ１゛８、ΔＴ、に感応する第２第３の補償？１ｔ
ｉｆｆ発生同格７．８をスイッチング回路から形成する
。そして、サーミスタＲＴ、〜ＲＴ、をトランジスタＴ
Ｒ，〜ＴＲ，のバイアス電圧設定用として利用する。ｌ
、かし、このようなものでは、サーミスタＲＴ、−ＲＴ
４の温度抵抗特性上、スイッチング同格の温度に対する
スイッチング特性を鋭敏とし、Ｔ１、Ｔ１、Ｔ８、Ｔ４
の切換え時に急激な周波数変化をもたらす。そして、こ
のような周波数変化は温度変化に伴う例えば雑音等を生
じ、結果的に品質低下を沼来する問題があった。
（発明の目的）
本発明は、規格温度範囲内中の許容偏差を越え乙、−・
部領坤に＋７） Ａ補償ボ、”（を・発４’−９もとさ
も（（−１掘度補噴発１に謂（・））けろ温度特性の急
激な変化を・防ＩＥシて品質をさ１めた補償電圧発生回
路を提供することを目的トｔろ、。
部領坤に＋７） Ａ補償ボ、”（を・発４’−９もとさ
も（（−１掘度補噴発１に謂（・））けろ温度特性の急
激な変化を・防ＩＥシて品質をさ１めた補償電圧発生回
路を提供することを目的トｔろ、。
匁解決手段）
木発明け、一部領域に・ｒ）み補償電圧を発生する補償
ポＦ■−発４７ ｆｉｌ＋路を環数の） ・１・・二３
ス々からなるスイ・ソトングｉ司ｆｓ５ ’ＩＩ 、ｉ
：り構成１ろとともに、各ト・：） ｉ２木々＋’Ｑ
ヘ・−ブ、に緩南抵抗を設けて・：・−ス雷猾を・押粕
Ｊ−１、δ０ 、’；ｉ’、”５く・、 ＋ ：、、／
７′回路のスイ・ｌ千ノゲ特性を諌止、！′せＩ−こと
を解決手段と１−ろ。以下、本発明の一実施例４ご説明
−１ろ （実施例） 第１図は本発明の一実施例を説明する補償電圧発生回路
図でｒＹ、ろ。なお、前従来例図と同一部分には同一番
号を付与しＣその説明（よ簡略する。
ポＦ■−発４７ ｆｉｌ＋路を環数の） ・１・・二３
ス々からなるスイ・ソトングｉ司ｆｓ５ ’ＩＩ 、ｉ
：り構成１ろとともに、各ト・：） ｉ２木々＋’Ｑ
ヘ・−ブ、に緩南抵抗を設けて・：・−ス雷猾を・押粕
Ｊ−１、δ０ 、’；ｉ’、”５く・、 ＋ ：、、／
７′回路のスイ・ｌ千ノゲ特性を諌止、！′せＩ−こと
を解決手段と１−ろ。以下、本発明の一実施例４ご説明
−１ろ （実施例） 第１図は本発明の一実施例を説明する補償電圧発生回路
図でｒＹ、ろ。なお、前従来例図と同一部分には同一番
号を付与しＣその説明（よ簡略する。
木Ｘ施例に、ｉ、、 ＞：、第２補償電圧発生回路１４
は、前述同様に第１１１−第２のトランジスタＴｒｌ、
Ｔｒ２６！シリ−、？ （−二設けたスイ・ンチンゲ回
路からなる１ｏそして、）うンジー℃りＴｒｌ及びＴ
ｒ ２のベースバイアス用の分割１代抗としてサーミス
タＲＴ 。
は、前述同様に第１１１−第２のトランジスタＴｒｌ、
Ｔｒ２６！シリ−、？ （−二設けたスイ・ンチンゲ回
路からなる１ｏそして、）うンジー℃りＴｒｌ及びＴ
ｒ ２のベースバイアス用の分割１代抗としてサーミス
タＲＴ 。
と固定拮抗Ｒ１１及び固定抵抗Ｒ２とサー仁スタＲ゛ｒ
２をそれぞれ設けろ。そして、第１及び第２のトランジ
スタＴｒ工、■’ｒ２のベースにそれぞれ直列に緩衝抵
抗Ｒｋｍｚ ” ＋３全接続した構成とする第１図（ａ
）Ｊ、緩１！’ｊ抵抗Ｒ，□、Ｒｏは例えば約１００
ＫΩとする。
２をそれぞれ設けろ。そして、第１及び第２のトランジ
スタＴｒ工、■’ｒ２のベースにそれぞれ直列に緩衝抵
抗Ｒｋｍｚ ” ＋３全接続した構成とする第１図（ａ
）Ｊ、緩１！’ｊ抵抗Ｒ，□、Ｒｏは例えば約１００
ＫΩとする。
また、第３？ＩＩＩ償電圧発生回＃１１５は、前述同様
に第３と第２４トラノジスタＴ ｒ ３、′ｒ「４をパ
ラＩ、・ルに設けたスイッチング回路からなる。そｊ−
ノでトランジスタＴ ｒ ３及びＴ ｒ 、のベースバ
イアス用の分割抵抗としてサーミスタＲＴ、と固定拮抗
Ｒ６、及び固定抵抗Ｒ１とサーミスタＲＴ４をそれぞれ
設ける。そして、第３及び第４のトランジスタＴ ｒ３
、Ｔ ｒ ４のベースにそれぞれ直列に縛衝抵抗１（１
１、Ｒ１１を接続した構成とする。緩Ｐ＃祇抗Ｒ８６、
ＲＩＭは例えば約１２０にΩとする。
に第３と第２４トラノジスタＴ ｒ ３、′ｒ「４をパ
ラＩ、・ルに設けたスイッチング回路からなる。そｊ−
ノでトランジスタＴ ｒ ３及びＴ ｒ 、のベースバ
イアス用の分割抵抗としてサーミスタＲＴ、と固定拮抗
Ｒ６、及び固定抵抗Ｒ１とサーミスタＲＴ４をそれぞれ
設ける。そして、第３及び第４のトランジスタＴ ｒ３
、Ｔ ｒ ４のベースにそれぞれ直列に縛衝抵抗１（１
１、Ｒ１１を接続した構成とする。緩Ｐ＃祇抗Ｒ８６、
ＲＩＭは例えば約１２０にΩとする。
第２図は上記構成による第２及び第３’ｆｉ償電正発生
回路１４．１５の出力端す、ｃに生ずる補償電圧■、「
同図（ａ）Ｊ 、Ｖ＊ｓｒ同図（ｂ）」の波形図である
。ごの図から明らかなように、出力波形はいずれもその
ｙ、 ａ 、ｈがり凌び立ち下がりの傾度を緩やかにす
る。′１′なわち、温度に対ずろスイ、ソチング特性を
鈍化させろろとともに全体的（ζメＬみを帯びた形状と
する。
回路１４．１５の出力端す、ｃに生ずる補償電圧■、「
同図（ａ）Ｊ 、Ｖ＊ｓｒ同図（ｂ）」の波形図である
。ごの図から明らかなように、出力波形はいずれもその
ｙ、 ａ 、ｈがり凌び立ち下がりの傾度を緩やかにす
る。′１′なわち、温度に対ずろスイ、ソチング特性を
鈍化させろろとともに全体的（ζメＬみを帯びた形状と
する。
（７たがって、この、ｔ ’＞ ｒｃもので１よ、第３
図に示したように、補償特性「同図曲線（ホ）１のＴ１
、Ｔ２、Ｔ、、Ｔ、時におけろ切換えをスムーズにする
。そして、急激な周波数変化を防止し、温度変化に伴う
例えば雑音等を減じて結果的に品質を向上する。
図に示したように、補償特性「同図曲線（ホ）１のＴ１
、Ｔ２、Ｔ、、Ｔ、時におけろ切換えをスムーズにする
。そして、急激な周波数変化を防止し、温度変化に伴う
例えば雑音等を減じて結果的に品質を向上する。
（発明の効果）
本発明は、規格温度範囲内の一部領域にのみ補償電圧を
発生する補償電圧発生回路を複数のトランジスタからな
るスイッチング回路により構成するとともに、各トラン
ジスタのベースにＩ１１衝抵抗を設けてベース電流を抑
制し、前記スイッチング回路のスイッチング特性を鈍化
させたので、温度補償発振器における補償温度特性の急
激な変化を防Ｉヒシて品質を高めた補償電圧発生回路を
提供でき、現実上のその効果は大きい。
発生する補償電圧発生回路を複数のトランジスタからな
るスイッチング回路により構成するとともに、各トラン
ジスタのベースにＩ１１衝抵抗を設けてベース電流を抑
制し、前記スイッチング回路のスイッチング特性を鈍化
させたので、温度補償発振器における補償温度特性の急
激な変化を防Ｉヒシて品質を高めた補償電圧発生回路を
提供でき、現実上のその効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例を説明する補償電圧発生回路
の図で、同図（ａ）は温度特性の＋側に越えろ部分を補
償する場合の回路図、同図（ａ）は温度特性の一側に越
える部分を補償する場合の回路図である。第２図は第１
図の補償電圧発生回路の出力波形図で、同図（ａ）は第
１図（ａ）に同図（ｈ）は第１図（ｂ）に対応した出力
波形図である。第３図は第１閏の補償電圧発生回路を適
用した二重温度補償発振器の補償特性図である。 第４図は従来例を説明する温度補償発振器の概略回路図
、第５図、第６図は温度特性図、第７図（ａｌは補償電
圧発生回路の閃、同図（ｂ）は同出力波形図、第８閏は
補償電圧発生回路の図、同図（ｂ）は同出力波形図であ
る。 第１１！１ 第２品 第３図 １ ２ ３ ４ Ｃ 第４図 第５直 一切 ２０ ０ ０ ０ ｄυ ℃ 第６ｒｙ：ｉ ｌＩ＆７図 （ａ） （ｂ） １ ２ Ｃ 第８図 （０） （ｂ）
の図で、同図（ａ）は温度特性の＋側に越えろ部分を補
償する場合の回路図、同図（ａ）は温度特性の一側に越
える部分を補償する場合の回路図である。第２図は第１
図の補償電圧発生回路の出力波形図で、同図（ａ）は第
１図（ａ）に同図（ｈ）は第１図（ｂ）に対応した出力
波形図である。第３図は第１閏の補償電圧発生回路を適
用した二重温度補償発振器の補償特性図である。 第４図は従来例を説明する温度補償発振器の概略回路図
、第５図、第６図は温度特性図、第７図（ａｌは補償電
圧発生回路の閃、同図（ｂ）は同出力波形図、第８閏は
補償電圧発生回路の図、同図（ｂ）は同出力波形図であ
る。 第１１！１ 第２品 第３図 １ ２ ３ ４ Ｃ 第４図 第５直 一切 ２０ ０ ０ ０ ｄυ ℃ 第６ｒｙ：ｉ ｌＩ＆７図 （ａ） （ｂ） １ ２ Ｃ 第８図 （０） （ｂ）
Claims (2)
- （１）周囲温度に感応する第１感温素子と固定抵抗との
抵抗比によりバイアス電圧を設定されて温度Ｔ＿１時に
ＯＦＦからＯＮとなる第１トランジスタと、第２感温素
子と固定抵抗との抵抗比によりバイアス電圧を設定され
て温度Ｔ＿２時にＯＮからＯＦＦになる第２トランジス
タとをシリーズに接続し、温度Ｔ＿１からＴ＿２の温度
領域を動作期間として同温度領域に応答した補償電圧を
発生する温度感応電圧発生回路において、前記第１及び
第２トランジスタのベース電流を抑制してスイッチング
特性を純化する緩衝抵抗を該トランジスタのベースに設
けたことを特徴とする温度補償発振器用の補償電圧発生
回路。 - （２）周囲温度に感応する第３感温素子と固定抵抗との
抵抗比によりバイアス電圧を設定されて温度Ｔ＿４時に
ＯＦＦからＯＮとなる第３トランジスタと、第４感温素
子と固定抵抗との抵抗比によりバイアス電圧を設定され
て温度Ｔ＿３時にＯＮからＯＦＦになる第４トランジス
タとをパラレルに接続し、温度Ｔ＿３からＴ＿４の温度
領域を動作期間として同温度領域に応答した補償電圧を
発生する温度感応電圧発生回路において、前記第３及び
第４トランジスタのベース電流を抑制してスィッチング
特性を鈍化する緩衝抵抗を該トランジスタのベースに設
けたことを特徴とする温度補償発振器用の補償電圧発生
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16855489A JP2750904B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 温度補償発振器用の補償電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16855489A JP2750904B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 温度補償発振器用の補償電圧発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334708A true JPH0334708A (ja) | 1991-02-14 |
| JP2750904B2 JP2750904B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=15870180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16855489A Expired - Fee Related JP2750904B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 温度補償発振器用の補償電圧発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2750904B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007141231A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | A temperature-compensated current generator, for instance for 1-10v interfaces |
| WO2020067341A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社村田製作所 | 温度補償回路及び温度補償水晶発振器 |
| WO2020066672A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社村田製作所 | 温度補償回路及び温度補償水晶発振器 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP16855489A patent/JP2750904B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007141231A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | A temperature-compensated current generator, for instance for 1-10v interfaces |
| JP2009540409A (ja) * | 2006-06-07 | 2009-11-19 | オスラム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | １ｖ〜１０ｖインタフェース用の温度補償電流発生器 |
| US7800430B2 (en) | 2006-06-07 | 2010-09-21 | Osram Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Temperature-compensated current generator, for instance for 1-10V interfaces |
| WO2020067341A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社村田製作所 | 温度補償回路及び温度補償水晶発振器 |
| WO2020066672A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社村田製作所 | 温度補償回路及び温度補償水晶発振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2750904B2 (ja) | 1998-05-18 |
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