JPH0332113A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

Info

Publication number
JPH0332113A
JPH0332113A JP1167811A JP16781189A JPH0332113A JP H0332113 A JPH0332113 A JP H0332113A JP 1167811 A JP1167811 A JP 1167811A JP 16781189 A JP16781189 A JP 16781189A JP H0332113 A JPH0332113 A JP H0332113A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
channel transistor
signal
drain
channel
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1167811A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Honma
剛 本間
Makoto Yamamoto
誠 山本
Masayuki Yamashita
山下 正之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1167811A priority Critical patent/JPH0332113A/en
Publication of JPH0332113A publication Critical patent/JPH0332113A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To evade a through-current at the final stage output and to reduce generation of noise by separating an input signal to a final output stage circuit and varying the leading and trailing speed of a signal respectively. CONSTITUTION:When an input signal A changes from L to H, an N-channel transistor(TR) 5 is turned on, the discharge time is controlled by a capacitor 7 and a signal B is gradually discharged. Moreover, when the input signal A changes from H to L, a P-channel TR 4 is turned on, the the signal B is quickly charged. Thus, the charging time of the output signal B of a pre-stage circuit I is quickened and the discharge time slows down, and the charging time of an output signal C in a pre-stage circuit II shows down and the discharge time is quickened by utilizing the similar effect. Since the N-channel TR 3 is turned on by the signal C after the P-channel TR 2 is turned off by the signal B, the through-current at the final output stage circuit is suppressed to reduce generation of noise.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、CMO3)ランジスタで半導体基板上に構
成された半導体集積回路の出力回路に関するものである
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to an output circuit of a semiconductor integrated circuit formed on a semiconductor substrate using a CMO transistor.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図は従来の半導体集積回路の出力回路を示す回路図
で、単にPチャネルトランジスタ(2)とNチャネルト
ランジスタ(3)を直列に接続し、この接続部を出力端
0とし、入力(ハ)にはインバータ0をそれぞれPチャ
ネルトランジスタ(2)及びNチャネルトランジスタ(
3)のゲートに対して接続していたPチャネルトランジ
スタ(2)及びNチャネルトランジスタ(3)のしきい
値をそれぞれV+ hp = −0,7V。
FIG. 3 is a circuit diagram showing the output circuit of a conventional semiconductor integrated circuit, in which a P-channel transistor (2) and an N-channel transistor (3) are simply connected in series, this connection is set as output terminal 0, and the input ( ), inverter 0 is connected to P-channel transistor (2) and N-channel transistor (2), respectively.
The threshold values of the P-channel transistor (2) and N-channel transistor (3) connected to the gate of 3) are V+hp = -0.7V, respectively.

V+hs = 0.7 Vとすれば電源に5vを印加し
た場合。
If V+hs = 0.7 V, when 5V is applied to the power supply.

Pチャネルトランジスタ(2)は入力電圧が4.3v以
下でON状態となり、又、Nチャネルトランジスタ(3
)は入力電圧が0.7v以上でON状態となる。
The P-channel transistor (2) turns on when the input voltage is 4.3V or less, and the N-channel transistor (3) turns on when the input voltage is 4.3V or less.
) becomes ON when the input voltage is 0.7V or higher.

したがって、入力電圧が0.7 V〜4.3vの間にあ
る場合は、Pチャネルトランジスタ(2)及びNチャネ
ルトランジスタ(3ンの両トランジスタかON状態とな
る為、貫通電流が流れる。
Therefore, when the input voltage is between 0.7 V and 4.3 V, both the P-channel transistor (2) and the N-channel transistor (3) are in the ON state, so a through current flows.

〔発明が解決しようとする諌題〕[Problem that the invention attempts to solve]

第4図の様に従来の半導体集積回路装置は以上のように
構成されていたので、入力が同一同相である為、貫通電
流が流れる部分があり、これによりノイズなどが発生す
るという問題点があった。
As shown in Figure 4, conventional semiconductor integrated circuit devices are configured as described above, and since the inputs are in the same phase, there are parts where through-current flows, which causes noise and other problems. there were.

この発明は上記のような問題点を解消する為になされた
もので、貫通電流を抑えてノイズ発生の少ない出力回路
を有する半導体集積回路装置を得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to obtain a semiconductor integrated circuit device having an output circuit that suppresses through-current and generates less noise.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明に係る半導体集積回路装置は、第1のPチャネ
ルトランジスタと第1のNチャネルトランジスタを直列
に9.続した最終出力段を有する出力回路において、第
1のPチャネルトランジスタのゲートには第2のPチャ
ネルトランジスタのドレインと第2のNチャネルトラン
ジスタのドレインの間に直列に@3のNチャネルトラン
ジスタのドレインと、ソースをそれぞれ接続し、付加し
た第3のNチャネルトランジスタのゲートは電源に接続
し、第2のNチャネルトランジスタのドレインと接続さ
れているソースには容量を付加し、第2のPチャネルト
ランジスタのドレインを出力として第1のPチャネルト
ランジスタのゲートに接続し、さらに第3のPチャネル
トランジスタのドレインと第4のNチャネルトランジス
タのドレインの間に直列に第4のPチャネルトランジス
タのソースとドレインをそれぞれ接続し、付加した第4
のPチャネルトランジスタのゲートは接地し、fpI3
のPチャネルトランジスタのドレインと接続されている
ソースには容量を付加し、第4のNチャネルトランジス
タのドレインを出力とじて第1のNチャネルトランジス
タのゲートに接続し、第2、第3のPチャネルトランジ
スタ及び第2.第4のNチャネルトランジスタのそれぞ
れのゲートを接続し、入力端としたものである。
The semiconductor integrated circuit device according to the present invention has a first P-channel transistor and a first N-channel transistor connected in series. In an output circuit having a continuous final output stage, the gate of the first P-channel transistor has @3 N-channel transistors connected in series between the drain of the second P-channel transistor and the drain of the second N-channel transistor. The drain and source are connected respectively, the gate of the added third N-channel transistor is connected to the power supply, a capacitance is added to the source connected to the drain of the second N-channel transistor, and the second P The drain of the channel transistor is connected as an output to the gate of the first P-channel transistor, and the source of the fourth P-channel transistor is connected in series between the drain of the third P-channel transistor and the drain of the fourth N-channel transistor. and the drain are connected respectively, and the added fourth
The gate of the P-channel transistor is grounded and fpI3
A capacitor is added to the source connected to the drain of the P-channel transistor, and the drain of the fourth N-channel transistor is connected as an output to the gate of the first N-channel transistor. a channel transistor and a second . The respective gates of the fourth N-channel transistors are connected to each other to serve as an input terminal.

〔作用〕[Effect]

この発明における出方回路は、最終出力段のPチャネル
トランジスタ及びNチャネルトランジスタに対する入力
信号をそれぞれ分離し、異相にすることによって最終出
方段における貫通電流を低減する。
The output circuit of the present invention reduces the through current in the final output stage by separating the input signals to the P-channel transistor and N-channel transistor of the final output stage and making them out of phase.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。まず
、最終出力段に対する入力信号の発生回路について説明
する。第1図において、入力信号Aが5L′からゞHa
に反転した時、Pチャネルトランジスタ(4)はOFF
状態となり、Nチャネルトランジスタ(5)がON状態
となるNチャネルトランジスタ(6)は、ゲートが電源
に接続されている為、常にON状態である。従ってNチ
ャネルトランジスタ(5) 、 (6)が共にON状態
であり、容量(7)に充電されていた電荷が放電する為
、信号BはゞL傘となる。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the input signal generation circuit for the final output stage will be described. In FIG. 1, the input signal A goes from 5L' to
When reversed, the P-channel transistor (4) is OFF.
Since the gate of the N-channel transistor (6) is connected to the power supply, the N-channel transistor (6) is always in the ON state. Therefore, both N-channel transistors (5) and (6) are in the ON state, and the charge stored in the capacitor (7) is discharged, so that the signal B becomes an L umbrella.

この時、Nチャネルトランジスタ(5)、(6)間に接
続された容量(7)によりその放電時間が制御され、信
号Bは第2図のように徐々に放電してtLなとなる。
At this time, the discharge time is controlled by the capacitor (7) connected between the N-channel transistors (5) and (6), and the signal B gradually discharges to tL as shown in FIG.

次に、入力信号Aが1H′から1L′になるとき、Nチ
ャネルトランジスタ(5)はOFF状態となる。しかし
、Pチャネルトランジスタ(4)がONとなる為に信号
Bは充電されてゞH′となる。この時、Nチャネルトラ
ンジスタ(6)が無ければ充電時間も容量(7)の影響
を受けて徐々に充電されるが、Nチャネルトランジスタ
(6)の付加により容量(7)はNチャネルトランジス
タ(6)を介して充電される為徐々に充電されるが、信
号Bはすみやかに充電することができる。従って、Nチ
ャネルトランジスタ(6)を図のように付加することに
より、この前段回路Iの出力信号Bの充電時間を速く、
放電時間を遅くすることができる。又、同様の現象を利
用して前段回路lでは、出力信号Cの充電時間を遅く、
放電時間を速くすることができる。以上のような前段回
路信号を最終出力段回路に入力すると、入力信号がゞH
#からtL#になる場合信号Bは速く立ち上がる為、P
チャネルトランジスタ(2)は速(OFFするが、信号
Cは徐々に立ち上がる為Nチャネルトランジスタ(3)
は遅れてONする。したがって、信号BによりPチャネ
ルトランジスタ(2)がOFF した後で信号Cにより
Nチャネルトランジスタ(3)がONするので最終出力
段回路における貫通電流は無くなる。
Next, when the input signal A changes from 1H' to 1L', the N-channel transistor (5) becomes OFF. However, since the P-channel transistor (4) is turned on, the signal B is charged and becomes H'. At this time, if there is no N-channel transistor (6), the charging time will be gradually charged due to the influence of the capacitor (7), but with the addition of the N-channel transistor (6), the capacitor (7) will be charged gradually. ), it is gradually charged, but signal B can be charged quickly. Therefore, by adding an N-channel transistor (6) as shown in the figure, the charging time of the output signal B of this front stage circuit I can be made faster.
The discharge time can be slowed down. Also, by utilizing the same phenomenon, the charging time of the output signal C is slowed down in the front-stage circuit L.
Discharging time can be made faster. When the above-mentioned pre-stage circuit signal is input to the final output stage circuit, the input signal becomes
When changing from # to tL#, signal B rises quickly, so P
Channel transistor (2) turns OFF quickly, but signal C rises gradually, so N-channel transistor (3)
turns on with a delay. Therefore, after the P-channel transistor (2) is turned off by the signal B, the N-channel transistor (3) is turned on by the signal C, so that there is no through current in the final output stage circuit.

信号Aが$L#からゞH4になる場合についても、信号
CによりNチャネルトランジスタ(3)がOFF L。
Even when the signal A changes from $L# to H4, the N-channel transistor (3) is turned OFF by the signal C.

た後で、信号BによりPチャネルトランジスタ(2)が
ONするので貫通電流は無くなる。
After that, the P-channel transistor (2) is turned on by the signal B, so that the through current disappears.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のようにこの発明によれば、最終出力段回路に対す
る入力信号を分離し、それぞれの信号の立ち上がり、立
ち下がりの速度を変えることにより、最終出力段におけ
る貫通電流を無くすことができ、ノイズ発生の少ない半
導体集積回路装置が得られる効果がある。
As described above, according to the present invention, by separating the input signals to the final output stage circuit and changing the rising and falling speeds of each signal, it is possible to eliminate the through current in the final output stage, which generates noise. This has the effect of providing a semiconductor integrated circuit device with less noise.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例による半導体集積回路の出
力回路を示す回路図、第2図は第1図の各信号のタイミ
ング波形図、第3図は従来の半導体集積回路の出力回路
を示す回路図、第4図は最終出力段回路における入出力
特性を示す説明図である。 図において、(1)は電源、(2) 、 (4) 、 
(8) 、αqはPチャネルトランジスタ、(3)、(
5)、 (6) 、 (9)はNチャネルトランジスタ
、(7)、(ロ)は容量を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an output circuit of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a timing waveform diagram of each signal in FIG. 1, and FIG. 3 is a circuit diagram showing an output circuit of a conventional semiconductor integrated circuit. The circuit diagram shown in FIG. 4 is an explanatory diagram showing input/output characteristics in the final output stage circuit. In the figure, (1) is the power supply, (2), (4),
(8), αq is a P-channel transistor, (3), (
5), (6), and (9) are N-channel transistors, and (7) and (b) are capacitances. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 第1のPチャネルトランジスタと第1のNチャネルトラ
ンジスタを直列に接続した最終出力段を有する半導体集
積回路の出力回路において、前記第1のPチャネルトラ
ンジスタのゲートには、第2のPチャネルトランジスタ
のドレインと第2のNチャネルトランジスタのドレイン
の間に直列に第3のNチャネルトランジスタのドレイン
とソースをそれぞれ接続し、付加した第3のNチャネル
トランジスタのゲートは電源に接続し、第2のNチャネ
ルトランジスタのドレインと接続されているソースには
容量を付加し、第2のPチャネルトランジスタのドレイ
ンを出力として第1のPチャネルトランジスタのゲート
に接続し、さらに第3のPチャネルトランジスタのドレ
インと第4のNチャネルトランジスタのドレインの間に
直列に第4のPチャネルトランジスタのソースとドレイ
ンをそれぞれ接続し、付加した第4のPチャネルトラン
ジスタのゲートは接地し、第3のPチャネルトランジス
タのドレインと接続されているソースには容量を付加し
、第4のNチャネルトランジスタのドレインを出力とし
て第1のNチャネルトランジスタのゲートに接続し、第
2、第3のPチャネルトランジスタ及び第2、第4のN
チャネルトランジスタのそれぞれのゲートを接続し入力
端としたことを特徴とする半導体集積回路装置。
In an output circuit of a semiconductor integrated circuit having a final output stage in which a first P-channel transistor and a first N-channel transistor are connected in series, a second P-channel transistor is connected to the gate of the first P-channel transistor. The drain and source of a third N-channel transistor are connected in series between the drain and the drain of the second N-channel transistor, the gate of the added third N-channel transistor is connected to a power supply, and the drain of the second N-channel transistor is A capacitor is added to the source connected to the drain of the channel transistor, and the drain of the second P-channel transistor is connected as an output to the gate of the first P-channel transistor, and further connected to the drain of the third P-channel transistor. The source and drain of a fourth P-channel transistor are connected in series between the drains of the fourth N-channel transistors, the gate of the added fourth P-channel transistor is grounded, and the drain of the third P-channel transistor is connected to the drain of the third P-channel transistor. A capacitor is added to the source connected to the fourth N-channel transistor, the drain of the fourth N-channel transistor is connected as an output to the gate of the first N-channel transistor, and the drain of the fourth N-channel transistor is connected to the gate of the first N-channel transistor. 4 N
A semiconductor integrated circuit device characterized in that each gate of a channel transistor is connected to serve as an input terminal.
JP1167811A 1989-06-28 1989-06-28 Semiconductor integrated circuit Pending JPH0332113A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1167811A JPH0332113A (en) 1989-06-28 1989-06-28 Semiconductor integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1167811A JPH0332113A (en) 1989-06-28 1989-06-28 Semiconductor integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0332113A true JPH0332113A (en) 1991-02-12

Family

ID=15856546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1167811A Pending JPH0332113A (en) 1989-06-28 1989-06-28 Semiconductor integrated circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0332113A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0587999A1 (en) * 1992-09-16 1994-03-23 International Business Machines Corporation Transition-controlled off-chip driver
US6530367B2 (en) 2001-02-19 2003-03-11 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Engine air-oil separator
US6635095B2 (en) 2001-03-13 2003-10-21 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Oil separator
US8034142B2 (en) 2006-03-24 2011-10-11 Nissan Motor Co., Ltd. Gas/liquid separator

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58103230A (en) * 1981-12-16 1983-06-20 Hitachi Ltd Switching circuit
JPS619015A (en) * 1984-06-25 1986-01-16 Fujitsu Ltd Complementary gate circuit
JPS61248614A (en) * 1985-04-26 1986-11-05 Hitachi Ltd Pulse delay circuit
JPS6342091A (en) * 1986-08-05 1988-02-23 Mitsubishi Electric Corp Pulse generator circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58103230A (en) * 1981-12-16 1983-06-20 Hitachi Ltd Switching circuit
JPS619015A (en) * 1984-06-25 1986-01-16 Fujitsu Ltd Complementary gate circuit
JPS61248614A (en) * 1985-04-26 1986-11-05 Hitachi Ltd Pulse delay circuit
JPS6342091A (en) * 1986-08-05 1988-02-23 Mitsubishi Electric Corp Pulse generator circuit

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0587999A1 (en) * 1992-09-16 1994-03-23 International Business Machines Corporation Transition-controlled off-chip driver
US5430387A (en) * 1992-09-16 1995-07-04 International Business Machines Corporation Transition-controlled off-chip driver
US6530367B2 (en) 2001-02-19 2003-03-11 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Engine air-oil separator
US6635095B2 (en) 2001-03-13 2003-10-21 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Oil separator
US8034142B2 (en) 2006-03-24 2011-10-11 Nissan Motor Co., Ltd. Gas/liquid separator
JP5636160B2 (en) * 2006-03-24 2014-12-03 日産自動車株式会社 Gas-liquid separator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5633600A (en) Output buffer circuit having a minimized output voltage propagation
JPH0282713A (en) Switching auxiliary circuit
JPH0158896B2 (en)
US5471150A (en) Buffer with high and low speed input buffers
JP2671787B2 (en) Output buffer circuit
JP2915625B2 (en) Data output circuit
JP3248103B2 (en) MOS transistor output circuit
JPH0738410A (en) Output buffer circuit
JPH04150224A (en) Integrated circuit
JPH02119427A (en) Output buffer circuit
US20040150009A1 (en) Charge pump circuit, passive buffer that employs the charge pump circuit, and pass gate that employs the charge pump circuit
JPH0332113A (en) Semiconductor integrated circuit
JPH0139244B2 (en)
JPH06296130A (en) Data output circuit
JP2690624B2 (en) Buffer circuit
JPH024010A (en) Output circuit
JPH0865133A (en) Cmos output circuit
JP2647587B2 (en) Semiconductor circuit
JPS5842558B2 (en) address buffer circuit
JPH03179814A (en) Level shift circuit
JP3055165B2 (en) Output buffer circuit
JP2765330B2 (en) Output circuit
JPS61199330A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH1117517A (en) Cmos-ic output circuit
JPS62142417A (en) Logic circuit