JPH0331778A - 半導体エージング装置 - Google Patents
半導体エージング装置Info
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- JPH0331778A JPH0331778A JP1167439A JP16743989A JPH0331778A JP H0331778 A JPH0331778 A JP H0331778A JP 1167439 A JP1167439 A JP 1167439A JP 16743989 A JP16743989 A JP 16743989A JP H0331778 A JPH0331778 A JP H0331778A
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- 230000032683 aging Effects 0.000 title claims description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、コンバータから出力される直流を交流に変
換するインバータか、複数の電力用や導体素子を含んで
なり、これらの半導体素子に実使用時と同様の電流を流
してエージングする半導体エージング装置に関するもの
である。
換するインバータか、複数の電力用や導体素子を含んで
なり、これらの半導体素子に実使用時と同様の電流を流
してエージングする半導体エージング装置に関するもの
である。
近年、電動機の駆動装置として、例えば、パワートラン
ジスタやGTO等の電力用゛F導体素子をグレーツ接続
した構成のインバータが多く用いられている。この場合
、三相交流電源より得た交流をコンバータによって直流
に変換し、この直流をインバータに供給すると共に、電
力用半導体素rをオン、オフ制御して可変電圧、可変周
波数の交流を電動機に供給している。
ジスタやGTO等の電力用゛F導体素子をグレーツ接続
した構成のインバータが多く用いられている。この場合
、三相交流電源より得た交流をコンバータによって直流
に変換し、この直流をインバータに供給すると共に、電
力用半導体素rをオン、オフ制御して可変電圧、可変周
波数の交流を電動機に供給している。
ところで、この種のインバータにおいては、品質確保の
ため、すなわち、初期不良低減のために、エージングを
行って品質を安定化させた後に出荷するようにしている
。このエージングにおいては、半導体素子に実使用時と
同様の負荷をかけて行うことが望ましい。
ため、すなわち、初期不良低減のために、エージングを
行って品質を安定化させた後に出荷するようにしている
。このエージングにおいては、半導体素子に実使用時と
同様の負荷をかけて行うことが望ましい。
第2図はこの種の半導体エージング装置を、適用対象と
併せて示したブロック図である。同図において、交流電
源(+)には、電磁接触機(2)を介して、複数のダイ
オードをブリッジ接続してなるコンバータ(3)の入力
端が接続されている。このコンバータ(3)の出力端に
は平滑用のコンデンサ(4)が接続されると共に、パワ
ートランジスタを用いてなるインバータ(5)の入力端
が接続されている。このインバータ(5)の出力端には
負荷としてのりアクドル(6)が接続されている。また
、エージング対象の素子に流すべき交流電流を指令する
電流指令発生器(7)が設けられ、その電流指令と、交
流器(lO)によって検出されたりアクドル(6)の電
流検出値とが電圧指令発生装置(8)に加えられる。
併せて示したブロック図である。同図において、交流電
源(+)には、電磁接触機(2)を介して、複数のダイ
オードをブリッジ接続してなるコンバータ(3)の入力
端が接続されている。このコンバータ(3)の出力端に
は平滑用のコンデンサ(4)が接続されると共に、パワ
ートランジスタを用いてなるインバータ(5)の入力端
が接続されている。このインバータ(5)の出力端には
負荷としてのりアクドル(6)が接続されている。また
、エージング対象の素子に流すべき交流電流を指令する
電流指令発生器(7)が設けられ、その電流指令と、交
流器(lO)によって検出されたりアクドル(6)の電
流検出値とが電圧指令発生装置(8)に加えられる。
この電圧指令発生装置(8)は電流指令と電流検出値と
の偏差を零にするような電圧指令を発生する。また、こ
の電圧指令に従ってPWM制御装置(9)がインバータ
(5)を構成するパワートランジスタをオン、オフ制御
するようになっている。
の偏差を零にするような電圧指令を発生する。また、こ
の電圧指令に従ってPWM制御装置(9)がインバータ
(5)を構成するパワートランジスタをオン、オフ制御
するようになっている。
次に、ニージンクを行う場合の概略動作を説明する。
コンデンサ(4)は図示省略の充電回路により、交流電
源(+)を整流した値に相当する電圧に充電される。こ
の状態で電磁接触器(2)を閉成すると共に、電流指令
発生器(7)より電流指令を発生させる。電圧指令発生
装置(8)はこの電流指令に対応する電圧指令を生成し
てPWM制御装置(9)に与える。PWM制御装置(9
)はこの電圧指令に応じてインバータ(5)を構成する
半導体素子をオン、オフ制御する。このようにしてリア
クトル(6)に交流電流が流れると、電圧指令発生装置
(8)は電流指令と、変流器(lO)で検出される2相
分の電流検出値との差が零になるような電圧指令を生成
してPWM制御装置(9)に加える。
源(+)を整流した値に相当する電圧に充電される。こ
の状態で電磁接触器(2)を閉成すると共に、電流指令
発生器(7)より電流指令を発生させる。電圧指令発生
装置(8)はこの電流指令に対応する電圧指令を生成し
てPWM制御装置(9)に与える。PWM制御装置(9
)はこの電圧指令に応じてインバータ(5)を構成する
半導体素子をオン、オフ制御する。このようにしてリア
クトル(6)に交流電流が流れると、電圧指令発生装置
(8)は電流指令と、変流器(lO)で検出される2相
分の電流検出値との差が零になるような電圧指令を生成
してPWM制御装置(9)に加える。
この場合、電流指令発生器(7)は半導体素子の定格電
流に相当する電流指令を発生する。
流に相当する電流指令を発生する。
しかして、定格電流を流したまま、所定の時間を経過し
た段階で電磁接触器(2)を開放してエージングを終了
する。
た段階で電磁接触器(2)を開放してエージングを終了
する。
上述した電力変換装置、すなわち、コンバータ(3)お
よびインバータ(5)は容量的にかなり大きなものが多
く、インバータ(5)を構成する半導体素子として、定
格電流が100[A]〜数100[^]のものが使用さ
れる。エージングに際して、これ程の電流を流すには容
量の非常に大きな交流電源(1)が必要となる。
よびインバータ(5)は容量的にかなり大きなものが多
く、インバータ(5)を構成する半導体素子として、定
格電流が100[A]〜数100[^]のものが使用さ
れる。エージングに際して、これ程の電流を流すには容
量の非常に大きな交流電源(1)が必要となる。
通常の工場においては、これだけの電源設備を準備して
はおらず、そのために定格電流でのエージングができず
、これよりもかなり少ない電流での不十分なエージング
しかできないという問題点があった。
はおらず、そのために定格電流でのエージングができず
、これよりもかなり少ない電流での不十分なエージング
しかできないという問題点があった。
この発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
ので、大容量の電源設備がなくとも、実使用時と同様の
電流を流すことのできる半導体エージング装置を得るこ
とを目的とする。
ので、大容量の電源設備がなくとも、実使用時と同様の
電流を流すことのできる半導体エージング装置を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る半導体エージング装置は、絶縁トランス
トの一次側をインバータの出力端に、その二次側をコン
バータの入力端にそれぞれ接続すると共に、位相検出手
段によってインバータの出力位相および交流電源位相を
それぞれ検出し、?「圧指令発生手段によってインバー
タの出力位相および交流電源位相をそれぞれ検出し、電
圧指令発生手段がこれらの位相差が零になるような電圧
指令を発生するように構成したものである。
トの一次側をインバータの出力端に、その二次側をコン
バータの入力端にそれぞれ接続すると共に、位相検出手
段によってインバータの出力位相および交流電源位相を
それぞれ検出し、?「圧指令発生手段によってインバー
タの出力位相および交流電源位相をそれぞれ検出し、電
圧指令発生手段がこれらの位相差が零になるような電圧
指令を発生するように構成したものである。
この発明においては、負荷に流れる電流が交流電源側に
返還されるため、大容量の電源設備がなくとも、実使用
時と同様の電流を流すことができる。
返還されるため、大容量の電源設備がなくとも、実使用
時と同様の電流を流すことができる。
第1図はこの発明の一実施例を示すブロック図であり、
図中、第2図と同一の符号を付したものはそれぞれ同一
の要素を示す。そして、これら以外の(11)はりアク
ドル(6)を介して、一次側をインバータ(5)の出力
端に、二次側をコンバータ(3)の入力端にそれぞれ接
続した昇圧トランス、(12)は交流電源(1)の相電
圧位相を検出する位相検出器、(13)は位相検出器(
12)の相電圧検出値と変流3 (10)の電流検出値
とに基づいて、直流の2相電流信号に変換する変換装置
、(14)は直流の2相電流指令を発生する電流指令発
生装置、(15)は変換装置(13)の2相信号と電流
指令発生装置(14)の2相イ;号とを比較し、その偏
差分を平にするような3相の交流電流指令を、位相検出
W (12)の検出した位相に同期させて出力する電圧
指令発生器である。
図中、第2図と同一の符号を付したものはそれぞれ同一
の要素を示す。そして、これら以外の(11)はりアク
ドル(6)を介して、一次側をインバータ(5)の出力
端に、二次側をコンバータ(3)の入力端にそれぞれ接
続した昇圧トランス、(12)は交流電源(1)の相電
圧位相を検出する位相検出器、(13)は位相検出器(
12)の相電圧検出値と変流3 (10)の電流検出値
とに基づいて、直流の2相電流信号に変換する変換装置
、(14)は直流の2相電流指令を発生する電流指令発
生装置、(15)は変換装置(13)の2相信号と電流
指令発生装置(14)の2相イ;号とを比較し、その偏
差分を平にするような3相の交流電流指令を、位相検出
W (12)の検出した位相に同期させて出力する電圧
指令発生器である。
■−記のように構成されて本実施例の動作を以下に説明
する。
する。
先ず、コンデンサ(4)は図示省略の充電回路により2
交流電源(1)の最大値に相当する電圧に充電される。
交流電源(1)の最大値に相当する電圧に充電される。
この状態で電磁接触器(2)を閉成すると同時にコンバ
ータ(3)から2相の電流指令jd”+1、、″を発生
させる。このとき、変換装置(13)は位相検出;≦(
12)からの相電圧の位相θに対して次の演算を実施し
て直流の2相電流に変換する。
ータ(3)から2相の電流指令jd”+1、、″を発生
させる。このとき、変換装置(13)は位相検出;≦(
12)からの相電圧の位相θに対して次の演算を実施し
て直流の2相電流に変換する。
・・・(1)
ここで、lU+jVは位相検出器(12)により検出さ
れたし相、■相のインバータ電流である。
れたし相、■相のインバータ電流である。
次に、電圧指令発生器(15)では電流指令発生装置(
I4)のjd”+IQ1と、変換装置(13)の実電流
信号とを比較し、下式に基づいて電源に同期した電圧指
令を発生する。
I4)のjd”+IQ1と、変換装置(13)の実電流
信号とを比較し、下式に基づいて電源に同期した電圧指
令を発生する。
・・・(2)
ここで、
Va’ = Gd(s) (id″ −i、)Vq
’ =Gq(”) (iq@ −1q)Gd(S)
、GQ(S) : d l袖、q軸の電流III系誤
差増幅ゲインである。
’ =Gq(”) (iq@ −1q)Gd(S)
、GQ(S) : d l袖、q軸の電流III系誤
差増幅ゲインである。
次に、PWM制御装置(9)はこの電圧指令V♂。
vv“+VW によりエージングしたい素子のオン、
オフ指令を発生する。この結果、インバータ(5)には
′I′「流指令通りの電流が流れると同時に、その出力
電圧は交流電源(1)に同期したものとなる。また、リ
アクトル(6)に流れる電流は交流電源(1)側に返迩
される。
オフ指令を発生する。この結果、インバータ(5)には
′I′「流指令通りの電流が流れると同時に、その出力
電圧は交流電源(1)に同期したものとなる。また、リ
アクトル(6)に流れる電流は交流電源(1)側に返迩
される。
かくして、この実施例によれば、昇圧トランス(+1)
を介して返ユされた電流がインバータ(5)に?fLh
るため交流If源(1)からの電流を非常に低く抑える
ことができる。
を介して返ユされた電流がインバータ(5)に?fLh
るため交流If源(1)からの電流を非常に低く抑える
ことができる。
なお、上記実施例では負荷としてリアクトル(6)を設
けているが、昇圧トランス(11)としての8川の大き
いものを用いるならば、リアクトルの(6)を除去し、
昇圧トランス(11)を負荷に兼用しても上述したと同
様、交流型1ff(1)からの電流を非常に低く抑える
ことができる。
けているが、昇圧トランス(11)としての8川の大き
いものを用いるならば、リアクトルの(6)を除去し、
昇圧トランス(11)を負荷に兼用しても上述したと同
様、交流型1ff(1)からの電流を非常に低く抑える
ことができる。
以上の説明により明らかなように、この発明によれば、
インバータの出力電流位相を電源位相に合せ、その電流
を、昇圧トランスを介して、交流′jrj、ri、側に
返逼するようにしたので、大容量の電源設備かなくとも
、インバータを構成する半導体素子に実使用時と同様の
′電流を流すことができるという効果がある。
インバータの出力電流位相を電源位相に合せ、その電流
を、昇圧トランスを介して、交流′jrj、ri、側に
返逼するようにしたので、大容量の電源設備かなくとも
、インバータを構成する半導体素子に実使用時と同様の
′電流を流すことができるという効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第2図
は従来の半導体エージング装置を示すブロック図である
。 (1)・・・交流電源、 (2)・・・電磁接触器。 (3) −・・コンバータ、 (4)・・・コンデンサ、 (5)・・・インバータ、 (6)・・・リアクトル、 (9)・・・PWM制御装置。 (0)・・・変流器、 (1)−・・昇圧トランス、 (12)・・・位相検出器、 (+3)・・・変換装置、 (14)・・・電流指令発生装置、 (15)・・・電圧指令発生器。 なお、 各図中、 同 符号は同一または相当部分 を示す。
は従来の半導体エージング装置を示すブロック図である
。 (1)・・・交流電源、 (2)・・・電磁接触器。 (3) −・・コンバータ、 (4)・・・コンデンサ、 (5)・・・インバータ、 (6)・・・リアクトル、 (9)・・・PWM制御装置。 (0)・・・変流器、 (1)−・・昇圧トランス、 (12)・・・位相検出器、 (+3)・・・変換装置、 (14)・・・電流指令発生装置、 (15)・・・電圧指令発生器。 なお、 各図中、 同 符号は同一または相当部分 を示す。
Claims (1)
- コンバータから出力される直流を交流に変換するインバ
ータが、複数の電力用半導体素子を含んでなり、これら
の半導体素子をエージングするために前記コンバータに
交流電源を接続すると共に、前記半導体素子をオン、オ
フ制御する半導体エージング装置において、一次側が前
記インバータの出力端に接続され、二次側が前記コンバ
ータの入力端に接続された絶縁トランスと、前記インバ
ータの出力位相および前記交流電源の位相をそれぞれ検
出する位相検出手段と、検出されたこれら二つの位相が
一致するような電圧指令を発生する電圧指令発生手段と
を備え、この電圧指令に従って前記半導体素子をオン、
オフ制御することを特徴とする半導体エージング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1167439A JP2533646B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体エ―ジング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1167439A JP2533646B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体エ―ジング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0331778A true JPH0331778A (ja) | 1991-02-12 |
JP2533646B2 JP2533646B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=15849731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1167439A Expired - Fee Related JP2533646B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体エ―ジング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2533646B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017032323A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 新電元工業株式会社 | 半導体試験装置及び半導体試験方法 |
JP2017138159A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールの通電試験装置 |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1167439A patent/JP2533646B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017032323A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 新電元工業株式会社 | 半導体試験装置及び半導体試験方法 |
JP2017138159A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールの通電試験装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2533646B2 (ja) | 1996-09-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |