JPH0331704A - 位置合わせ装置 - Google Patents

位置合わせ装置

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JPH0331704A
JPH0331704A JP1169288A JP16928889A JPH0331704A JP H0331704 A JPH0331704 A JP H0331704A JP 1169288 A JP1169288 A JP 1169288A JP 16928889 A JP16928889 A JP 16928889A JP H0331704 A JPH0331704 A JP H0331704A
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JP
Japan
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light
photodetector
diffraction grating
diffracted light
alignment
Prior art date
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Pending
Application number
JP1169288A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Yamamoto
正樹 山本
Takeo Sato
佐藤 健夫
Shinichiro Aoki
新一郎 青木
Katsumasa Yamaguchi
勝正 山口
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0331704A publication Critical patent/JPH0331704A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体(LSI)の露光装置等において、マ
スクとウェハ等の2つの物体を互いに位置合わせする装
置に関するものである。
従来の技術 従来、サブミクロンのオーダーでマスクとウェハの位置
合わせを行うには、S、オースチン(アブライトフィシ
クスレタース;APpliedPhysicsLett
ers Vol 31. A71977)らが示しだ2
重回折法を用いた方式や、特開昭62−58628号公
報に示されている2重回折法と光ヘテロダイン干渉法を
組合わせた方式が提案されている。
第6図は2重回折法の原理説明図である。
入射レーザビーム101をフォトマスク102に入射さ
せ、フォトマスク102上に形成した格子103(ピッ
チ間隔d)で回折し、この回折した光をもう一度、ウェ
ハ104上に形成した格子105によって回折し、二重
に回折された回折光106.107.108・・・を得
る。この回折光は、フォトマスク102での回折次数と
ウエノ・104での回折次数の2値表示で表わすと、回
折光106は(0,1)、回折光107は(1,0)、
回折光108は(−1,2)で表わすことができる。こ
の回折光をレンズ(図示せず)により重ね合わせ、干渉
光の強度をディテクタ(図示せず)で観測する。回折光
はこの外、入射レーザ光101に対して左右対称な方向
にも生じ、フォトマスク102とウエノ・104の位置
合わせは、左右対称に配置された2つのディテクタの光
強度の差分をOとすることにより行われる。この方法で
の位置合わせ精度は、100Aとされて(・る。
第7図は特開昭62−58628号公報に示されている
2重回折法と光ヘテロダイン法を組合わせた位置合わせ
方式の説明原理図である。
2波長直交偏光レーザ光源201から発した光の一部を
、ビームスプリッタ203を介して取り出し、集光レン
ズ204を通して光検出器205で検出し、基準ビート
信号として、信号処理制御部206に入力する。一方、
2波長直交偏光レーザ光源201から発した光は、ビー
ムスプリッタ203、ミラー207を介して偏光ビーム
スプリッタ208に入る。
偏光ビームスプリッタ208によりそれぞれ水平成分、
あるいは垂直成分のみを有する直交偏光で、しかも、周
波数がわずかに異なる2波長の光に分割され、それぞれ
ミラー209.210を介して所望の入射角で透過型回
折格子211および反射型回折格子212に入射する。
回折格子211.212から得られた回折光をミラー2
13、集光レンズ214を介して光検出器215により
検出し、回折光ビート信号として信号処理制御部206
に入力する。信号処理制御部206では、基準ビート信
号と回折光ビート信号との位相差を検出し、位相差を0
0になるようマスクステージ216、およびウェハステ
ージ217を相対移動させて、マスク、ウェハの精密な
位置合わせを行う。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記従来例の内、前者(二重回折による
方法)の構成では、フォトマスク12とウニ・・104
の間隔りはdンλの整数倍(但しdは格子ピッチ、λは
波長)に設定されるが、この間隔りの設定精度、保持精
度がディテクタ(図示せず)上での光強度に大きく影響
する。すなわち位置合わせ信号のギャップ依存性が大き
い。また、ディテクタ上で観測される回折光に(1,0
) 、 (0,1)、(−2,1)以外の他の回折光も
含まれ、位置合わせ信号のS/Hの悪化が生じ、実用が
困難であった。
一方、後者(二重回折法と光ヘテロダイン法の併用)の
構成では、光の位相情報を用いるので、前者の課題を解
決することはできる。しかしながら、位相による位置ず
れ検出方式では、位相の変化が360°の周期を持つた
め、検出範囲が狭い。このため、位置合わせを正確に行
うには、もう1つ補助的な位置合わせ手段が必要であっ
た。しかもこの補助的な位置合わせ手段を有効に利用す
るためには、運動精度の極めて高℃・ガイド機構が必要
であり、コストアップとなる。
本発明は、以上のような従来の課題を解決するもので、
位置ずれ量の検出範囲を広げることができると共に、位
置合わせ精度の向上を図ることができ、また、コストの
低下を図ることができるようにした位置合わせ装置を提
供することを目的とするものである。
課題を解決するだめの手段 上記目的を達成するだめの本発明の技術的解決手段は、
互いにわずかに周波数が異なり、偏光面が異なる直線偏
光光を射出するコヒーレント光源と、この光源からの光
を受けて回折光を生じさせる2つ以上の回折格子を有す
る基準回折格子板と、この基準回折格子板からの回折光
より1つの周波数成分を取り出して、その光を円偏光に
変換する光学素子と、この光学素子を通過した光を結像
する結像光学系と、この光学系により結像された上記基
準回折格子板からの回折光を再回折する1つの回折格子
からなる位置合わせマークと、この位置合わせマークか
らの再回折光を再結像する再結像光学系と、この再結像
光学系により結像された光を受ける2分割以上のホトデ
ィテクタと、このホトディテクタからの信号を処理して
光の振幅情報と光の位相情報により位置ずれを検出する
信号処理系を備えたものである。
そして、上記2分割以上のホトディテクタを1つのホト
ディテクタと高速に開閉することができる2つ以上のシ
ャッターから構成し、また、上記2分割以上のホトディ
テクタを1つのホトディテクタと高速に回転、若しくは
揺動する2以上の窓を持った遮へい板から構成すること
ができる。
作用 本発明は、上記構成により次のような作用を有する。
コヒーレント光源から互いにわずかに周波数が異なり、
かつ偏光面が異なる直線偏光光を射出し、基準回折格子
により回折光を生じさせ、光学素子を介して位置合わせ
マークに結像させて再回折させ、この再回折光を再結像
光学系により2分割以上のホトディテクタに導き、ヘテ
ロダイン干渉を起こさせ、このホトディテクタからの信
号を信号処理系により処理して光の振幅情報と光の位相
情報による位置ずれの検出を行うことができる。
実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
第1図ないし第3図は本発明の一実施例における位置合
わせ装置を示し、第1図は全体の概略構成図、第2図は
基準回折格子板上の基準回折格子の平面図、第3図はウ
エノ・上の位置合わせマークの平面図である。
第1図に示すようにコヒーレント光源1かもわずかに周
波数f、、f、が異なり、互いに直交する直線偏光光2
を基準回折格子板3に射出する。基準回折格子板3は第
2図に示すように2つの互いに近接する回折格子4.5
を有し、入射した光による透過±1次回折光6.7を生
じ、この透過上1次回折光6.7は光学素子8.9に入
る。光学素子8.9としては、2周波の光の中から1周
波の光を選ぶ光学素子、例えば偏光子と、直線偏光をな
くし、円偏光に変換するための光学素子、例えば4分1
波長板を組み合わせたものを用いる。
光学素子8.9を通過した光10.11は互いにわずか
に周波数が異なった光であり、結像光学系12.13を
通って位置合わせテーブル14上のウエノ・15面上に
倍率1で結像16.17される。この結像16.17は
基準回折格子板3の回折格子4.5と同じ輪郭を持って
いる。ウェハ15上の位置合わせマーク18は基準回折
格子4.5と同じピッチの回折格子からなるので、位置
合わせマーク18に入射した結像16.17は回折光1
9となり、再結像光学系20.21を通って2分割ホト
ディテクタ22上に再結像する。
2分割ホトディテクタ22上では互いにわずかに周波数
f、、 f、が異なった回折光19がヘテロゲイン干渉
を起こし、周波数の差のビート信号を発生する。この2
分割ホトディテクタ22は1つのホトディテクタと高速
に開閉することができる2つ以上のシャッターから構成
し、または、1つのホトディテクタと高速に回転、若し
くは揺動する2つ以上の窓を持った遮へい板から構成す
ることができる。2分割ホトディテクタ22で得られた
ビート信号ハ、バンドパスフィルタ(B P F) 2
3.24上通して雑音成分を除去し、続いて検波器25
.26に導き、その振幅を求める。その出力の差を差動
アンプ27により求める。一方、バントパスフィルタ2
3.24で雑音成分を除去したビート信号とコヒーレン
ト光源1からの基準ビート信号(コヒーレント光源1の
状態を表すビート信号)を位相計28に導くことにより
、2つの信号間の位相ずれを知ることができる。
以上のような構成において、以下、その位置合わせ動作
について説明する。
今、ウェハ15上の位置合わせマーク18と基準回折格
子4.5の結像16.17が第4図に示すような位置関
係にあったとする。この時の再回折光19は、位置合わ
せマーク18と結像16.17が重なった領域29.3
0から発せられる2つの光からなり、領域29と30の
面輝度は同一と考えられるので、領域29.30からの
回折光19を2分割フォトディテクタ22で受けだ出力
は領域29と30の面積比に等しくなる。
つまり、バンドパスフィルタ223.24、被検R25
,26を通った後の信号の電圧比は領域29と30の比
に等しくなる。したがって、この電圧を差動アンプ27
を通して位置合わせテーブル14にフィードバックする
ことにより、位置合わせマーク18は第5図に示すよう
に結像16.17との重なった領域29.30が均等に
なるように結像16.17に均等に跨る。このようなバ
ンドパスフィルタ23.24、検波器26ヲ用いた光の
強度検出は、外乱光の影響を受けにくいという利点があ
り、非常に高い検出精度が期待される。しかも、位相計
28を用いた位置ずれ検出は、更に高い検出精度を持つ
ため、光強度検出、すなわち差動アンプ27の出力によ
り粗位置合わせな行い、光位相検出、すなわち位相計2
8の出力により精位置合わせを行うことにより、極めて
広い検出範囲と、極めて高(・位置合わせ精度を同時に
実現することができる。
ホトディテクタ22で検出されるビート信号の基準ビー
トに対する位相遅れは、位置合わせマーク18の位置に
よって変化する。第3図に示す位置合わせマーク18が
第2図に示す回折格子4.5のピッチPの半分P/2だ
け移動すると、上記位相遅れが360°変化する。通常
、位相計28は1度以下の位相差検出能力を持つので、
位相計28による位置ずれ検出分解能はp / 2.3
60となる。
このように、本実施例によれば、極めて高い位置ずれ検
出分解能を維持しながら、極めて広い位置ずれ検出範囲
を持つ位置合わせ装置を得ることができる。例えば位置
合わせマーク18が50μm×100μmの大きさを持
つピッチp=4Amの回折格子であるとすると、検出分
解能6μm以下、検出範囲50μm以上の位置合わせ装
置を構成することができる。
なお、上記実施例では、1対1の結像光学系12.13
を使用しているが、これを縮小投影光学系としても良い
。この場合、基準回折格子4.5と位置合わせマーク1
8の大きさ、回折格子ピッチを縮小率に従い変える必要
がある。また、基準回折格子4.5をレチクルに置き換
え、いくつかの補正光学系を加えることにより、半導体
縮小露光のTTLアライメントに応用することも容易で
ある。また、ホトディテクタを2個に増やすことにより
、近接して置かれたマスクとウエノ・の2つの位置合わ
せマークの相対位置合わせを行うことも可能であり、特
にX線半導体等倍露光装置に応用するのに適している。
発明の効果 以上述べたように本発明によれば、コヒーレント光源か
ら互いにわずかに周波数が異なり、かつ偏光面が異なる
直線偏光光を射出し、基準回折格子により回折光を生じ
させ、光学素子を介して位置合わせマークに結像させて
再回折させ、この再回折光を再結像光学系により2分割
以上のホトディテクタに導き、ヘテロダイン干渉を起こ
させ、このホトディテクタからの信号を信号処理系によ
り処理して光の振幅情報と光の位相情報により位置ずれ
の検出を行うことができる。このように、光の位相情報
と振幅情報を組み合わせて位置ずれを検出することによ
り、位置ずれ量の検出範囲を広げることができると共に
、高精度で位置合わせすることができる。また、従来の
ように補助的な位置合わせ手段を必要とせず、したがっ
て、高精度ガイド機構も不要となるので、コストダウン
を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第3図は本発明の一実施例における位置合
わせ装置を示し、第1図は全体の概略構成図、第2図は
基準回折格子板上の基準回折格子の平面図、第3図はウ
ェハ上の位置合わせマークの平面図、第4図および第5
図は上記実施例による振幅情報を用いた位置合わせ動作
の説明図、第6図および第7図はそれぞれ従来の位置合
わせ装置の説明図である。 1・・・コヒーレント光源、3・・・基準回折格子板、
4.5・・・回折格子、8.9・・・光学素子、12.
13・・・結像光学系、14・・・位置合わせテーブル
、15・・・ウエ16. 17・・・結像、 18・・・位置合わせマーク、 22・・・ 2分割ホトディテクタ、 23. 24・・・バンドパスフィ ルタ、 25. 26・・・検波器、 27・・・差動アンプ、 28・・・位 第 図 相計。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)互いにわずかに周波数が異なり、偏光面が異なる
    直線偏光光を射出するコヒーレント光源と、この光源か
    らの光を受けて回折光を生じさせる2つ以上の回折格子
    を有する基準回折格子板と、この基準回折格子板からの
    回折光より1つの周波数成分を取り出して、その光を円
    偏光に変換する光学素子と、この光学素子を通過した光
    を結像する結像光学系と、この光学系により結像された
    上記基準回折格子板からの回折光を再回折する1つの回
    折格子からなる位置合わせマークと、この位置合わせマ
    ークからの再回折光を再結像する再結像光学系と、この
    再結像光学系により結像された光を受ける2分割以上の
    ホトディテクタと、このホトディテクタからの信号を処
    理して光の振幅情報と光の位相情報により位置ずれを検
    出する信号処理系を備えた位置合わせ装置。
  2. (2)2分割以上のホトディテクタが、1つのホトディ
    テクタと高速に開閉することができる2つ以上のシャッ
    ターからなる請求項1記載の位置合わせ装置。
  3. (3)2分割以上のホトディテクタが、1つのホトディ
    テクタと高速に回転、若しくは揺動する2つ以上の窓を
    持った遮へい板からなる請求項1記載の位置合わせ装置
JP1169288A 1989-06-29 1989-06-29 位置合わせ装置 Pending JPH0331704A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5967260A (ja) * 1982-09-09 1984-04-16 アストラ・レ−ケメデル・アクチエボラ−グ ベンズアミド誘導体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5967260A (ja) * 1982-09-09 1984-04-16 アストラ・レ−ケメデル・アクチエボラ−グ ベンズアミド誘導体
JPH0471066B2 (ja) * 1982-09-09 1992-11-12 Astra Laekemedel Ab

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